Результат пошуку "50n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1
Код товару: 189326
Додати до обраних Обраний товар

IXYH50N65C3H1.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 22/80
у наявності: 22 шт
17 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIGW50N65F5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.29 грн
10+492.50 грн
25+252.41 грн
100+247.86 грн
240+206.17 грн
480+181.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB50N65DF5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+431.54 грн
10+290.27 грн
100+181.91 грн
500+169.79 грн
1000+150.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+381.14 грн
10+290.27 грн
100+181.91 грн
500+178.12 грн
1000+150.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKBE50N65RF5ATMA1 AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKBE50N65RF5-DataSheet-v01_00-EN.pdf IGBTs SIC_DISCRETE
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+709.21 грн
10+479.42 грн
100+335.78 грн
1000+285.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.03 грн
10+321.65 грн
100+244.83 грн
480+237.25 грн
1200+231.18 грн
2640+225.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65RF5XKSA1 AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N65RF5-DataSheet-v02_04-EN.pdf IGBTs SIC_DISCRETE
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+756.97 грн
10+533.46 грн
100+393.39 грн
480+391.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+937.02 грн
2+599.28 грн
5+566.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1124.43 грн
2+746.79 грн
5+680.28 грн
600+672.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+809.48 грн
2+626.91 грн
5+592.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+971.38 грн
2+781.23 грн
5+711.55 грн
150+684.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+714.25 грн
2+561.38 грн
5+530.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+857.10 грн
2+699.56 грн
5+636.70 грн
30+632.91 грн
150+612.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T BIDW50N65T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDW50N65T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.39 грн
10+237.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH150N65F-F155 FCH150N65F-F155 onsemi / Fairchild FCH150N65F-D.PDF MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+587.18 грн
10+339.95 грн
100+249.37 грн
450+248.62 грн
900+234.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi FCMT250N65S3-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.75 грн
500+174.33 грн
1000+140.98 грн
3000+130.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F FCP150N65F onsemi / Fairchild FCP150N65F-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.93 грн
10+234.48 грн
100+193.28 грн
500+165.24 грн
1000+164.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65F FCPF150N65F onsemi / Fairchild FCPF150N65F-D.PDF MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.36 грн
10+195.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 onsemi FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.49 грн
10+147.31 грн
100+118.24 грн
500+104.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65H5-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.29 грн
10+170.85 грн
100+103.84 грн
500+90.20 грн
1000+77.31 грн
2000+76.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 Infineon DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+308.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5 IHW50N65R5 Infineon Technologies Infineon-IHW50N65R5-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.67 грн
10+178.69 грн
100+121.28 грн
480+101.57 грн
1200+86.41 грн
2640+82.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.25 грн
4+255.82 грн
10+241.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+345.90 грн
4+318.79 грн
10+289.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW50N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.41 грн
10+142.08 грн
100+100.81 грн
480+77.31 грн
1200+75.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N65EH5XKSA1 IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW50N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+569.49 грн
10+326.01 грн
100+282.73 грн
480+213.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ150N65EH7XKSA1 IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikq150n65eh7-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507e0bc2038 IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+815.33 грн
10+496.85 грн
100+368.38 грн
480+357.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65EH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.57 грн
10+219.66 грн
100+158.42 грн
480+133.40 грн
1200+131.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5 IKW50N65ES5 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65ES5-DS-v02_03-EN.pdf IGBTs Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.82 грн
10+260.63 грн
100+184.19 грн
480+162.96 грн
1200+139.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.29 грн
10+205.71 грн
100+128.10 грн
480+121.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.89 грн
7+145.28 грн
18+137.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+314.27 грн
7+181.04 грн
18+164.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65F5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+382.90 грн
10+212.69 грн
100+151.60 грн
480+119.00 грн
1200+100.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5 IKW50N65H5 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+345.76 грн
10+227.51 грн
100+151.60 грн
480+134.92 грн
1200+115.97 грн
2640+109.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+335.87 грн
5+225.81 грн
12+213.18 грн
30+205.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+403.04 грн
5+281.40 грн
12+255.82 грн
30+246.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 Infineon DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951 80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+266.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1 IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65RH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+573.03 грн
10+328.62 грн
100+239.52 грн
1200+216.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+757.85 грн
10+453.27 грн
100+335.03 грн
480+320.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.91 грн
3+269.24 грн
4+265.29 грн
10+251.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+375.49 грн
3+335.51 грн
4+318.35 грн
10+301.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH50N65EH7XKSA1 IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH50N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+377.60 грн
10+224.89 грн
100+184.19 грн
480+134.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH50N65WR6XKSA1 IKWH50N65WR6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH50N65WR6-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.21 грн
10+154.29 грн
100+100.05 грн
480+88.68 грн
1200+84.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKY150N65EH7XKSA1 IKY150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY150N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507ba8f202d IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+991.31 грн
10+590.12 грн
100+439.63 грн
480+429.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZ50N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd8175c56052a IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+367.87 грн
10+230.12 грн
100+166.00 грн
480+135.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1 IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA50N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+416.51 грн
10+259.76 грн
100+188.74 грн
480+162.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65SS5XKSA1 IKZA50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA50N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+638.47 грн
10+468.09 грн
100+385.81 грн
480+385.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2061.11 грн
2+1809.67 грн
5+1808.88 грн
10+1780.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2473.34 грн
2+2255.13 грн
5+2170.66 грн
10+2136.55 грн
25+2090.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFB150N65X2-Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2322.19 грн
10+2185.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C8B86E1D378BF&compId=IXFN150N65X2.pdf?ci_sign=b8e5f0c766f20f8a34422d633165129f8ae5bd95 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate charge: 355nC
Reverse recovery time: 190ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 145A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Drain-source voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFN150N65X2-Datasheet.PDF MOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3581.44 грн
10+3474.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C5 IXYA50N65C5 IXYS Power-Semiconductor-Discrete-IGBT-IXYA50N65C5-Datasheet.pdf IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+528.81 грн
10+380.92 грн
100+267.57 грн
500+238.00 грн
1000+203.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+777.17 грн
2+516.37 грн
5+487.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+932.60 грн
2+643.48 грн
5+585.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH50N65C3H1-Datasheet.PDF IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+986.00 грн
10+587.51 грн
120+438.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3 IXYP50N65C3 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-50N65C3-Datasheet.PDF IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+602.21 грн
10+348.67 грн
500+279.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F7348019C600E1&compId=LGEGW50N65F1A.pdf?ci_sign=8858ec95c174a9d9d63b9fb28a8b89b0b3230d80 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.70 грн
9+112.12 грн
23+105.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D54E7A593BC0DF&compId=LGEGW50N65SEK.pdf?ci_sign=c5d945964622134594153b007f535b3b10d3c7f5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.70 грн
9+112.12 грн
23+105.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5565FA8D780DF&compId=LGEGW50N65SEU.pdf?ci_sign=decfb58dbd5a843f7109b8b70fed4d222b1ab442 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.70 грн
9+112.12 грн
23+105.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1
Код товару: 189326
Додати до обраних Обраний товар

IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 22/80
у наявності: 22 шт
17 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 Infineon-AIGW50N65F5-DS-v02_01-EN.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+502.29 грн
10+492.50 грн
25+252.41 грн
100+247.86 грн
240+206.17 грн
480+181.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon-AIKB50N65DF5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
AIKB50N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+431.54 грн
10+290.27 грн
100+181.91 грн
500+169.79 грн
1000+150.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon-AIKB50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
AIKB50N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+381.14 грн
10+290.27 грн
100+181.91 грн
500+178.12 грн
1000+150.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon-AIKBE50N65RF5-DataSheet-v01_00-EN.pdf
AIKBE50N65RF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs SIC_DISCRETE
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+709.21 грн
10+479.42 грн
100+335.78 грн
1000+285.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.03 грн
10+321.65 грн
100+244.83 грн
480+237.25 грн
1200+231.18 грн
2640+225.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon-AIKW50N65RF5-DataSheet-v02_04-EN.pdf
AIKW50N65RF5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs SIC_DISCRETE
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+756.97 грн
10+533.46 грн
100+393.39 грн
480+391.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+937.02 грн
2+599.28 грн
5+566.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1124.43 грн
2+746.79 грн
5+680.28 грн
600+672.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+809.48 грн
2+626.91 грн
5+592.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+971.38 грн
2+781.23 грн
5+711.55 грн
150+684.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+714.25 грн
2+561.38 грн
5+530.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+857.10 грн
2+699.56 грн
5+636.70 грн
30+632.91 грн
150+612.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T Bourns_7-25-2022_BIDW50N65T_datasheet.pdf
BIDW50N65T
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.39 грн
10+237.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH150N65F-F155 FCH150N65F-D.PDF
FCH150N65F-F155
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+587.18 грн
10+339.95 грн
100+249.37 грн
450+248.62 грн
900+234.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3-D.PDF
FCMT250N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.75 грн
500+174.33 грн
1000+140.98 грн
3000+130.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F FCP150N65F-D.pdf
FCP150N65F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+420.93 грн
10+234.48 грн
100+193.28 грн
500+165.24 грн
1000+164.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65F FCPF150N65F-D.PDF
FCPF150N65F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.36 грн
10+195.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF
FCPF250N65S3R0L-F154
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.49 грн
10+147.31 грн
100+118.24 грн
500+104.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 Infineon-IGB50N65H5-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IGB50N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.29 грн
10+170.85 грн
100+103.84 грн
500+90.20 грн
1000+77.31 грн
2000+76.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5
Виробник: Infineon
IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+308.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5 Infineon-IHW50N65R5-DS-v02_04-EN.pdf
IHW50N65R5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.67 грн
10+178.69 грн
100+121.28 грн
480+101.57 грн
1200+86.41 грн
2640+82.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.25 грн
4+255.82 грн
10+241.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+345.90 грн
4+318.79 грн
10+289.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 Infineon-IHW50N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IHW50N65R6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.41 грн
10+142.08 грн
100+100.81 грн
480+77.31 грн
1200+75.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon-IKFW50N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKFW50N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+569.49 грн
10+326.01 грн
100+282.73 грн
480+213.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ150N65EH7XKSA1 infineon-ikq150n65eh7-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507e0bc2038
IKQ150N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+815.33 грн
10+496.85 грн
100+368.38 грн
480+357.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 Infineon-IKW50N65EH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW50N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.57 грн
10+219.66 грн
100+158.42 грн
480+133.40 грн
1200+131.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5 Infineon-IKW50N65ES5-DS-v02_03-EN.pdf
IKW50N65ES5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.82 грн
10+260.63 грн
100+184.19 грн
480+162.96 грн
1200+139.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1 Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW50N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+372.29 грн
10+205.71 грн
100+128.10 грн
480+121.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.89 грн
7+145.28 грн
18+137.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+314.27 грн
7+181.04 грн
18+164.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 Infineon-IKW50N65F5-DS-v02_01-EN.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.90 грн
10+212.69 грн
100+151.60 грн
480+119.00 грн
1200+100.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5 Infineon-IKW50N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKW50N65H5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+345.76 грн
10+227.51 грн
100+151.60 грн
480+134.92 грн
1200+115.97 грн
2640+109.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b
IKW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+335.87 грн
5+225.81 грн
12+213.18 грн
30+205.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b
IKW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+403.04 грн
5+281.40 грн
12+255.82 грн
30+246.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951
Виробник: Infineon
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+266.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1 Infineon-IKW50N65RH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW50N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+573.03 грн
10+328.62 грн
100+239.52 грн
1200+216.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 Infineon-IKW50N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW50N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+757.85 грн
10+453.27 грн
100+335.03 грн
480+320.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.91 грн
3+269.24 грн
4+265.29 грн
10+251.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.49 грн
3+335.51 грн
4+318.35 грн
10+301.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon-IKWH50N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKWH50N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+377.60 грн
10+224.89 грн
100+184.19 грн
480+134.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH50N65WR6XKSA1 Infineon-IKWH50N65WR6-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKWH50N65WR6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.21 грн
10+154.29 грн
100+100.05 грн
480+88.68 грн
1200+84.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKY150N65EH7XKSA1 Infineon-IKY150N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507ba8f202d
IKY150N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+991.31 грн
10+590.12 грн
100+439.63 грн
480+429.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1 Infineon-IKZ50N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd8175c56052a
IKZ50N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.87 грн
10+230.12 грн
100+166.00 грн
480+135.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon-IKZA50N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKZA50N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+416.51 грн
10+259.76 грн
100+188.74 грн
480+162.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65SS5XKSA1 Infineon-IKZA50N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKZA50N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+638.47 грн
10+468.09 грн
100+385.81 грн
480+385.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2061.11 грн
2+1809.67 грн
5+1808.88 грн
10+1780.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2473.34 грн
2+2255.13 грн
5+2170.66 грн
10+2136.55 грн
25+2090.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFB150N65X2-Datasheet.PDF
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2322.19 грн
10+2185.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C8B86E1D378BF&compId=IXFN150N65X2.pdf?ci_sign=b8e5f0c766f20f8a34422d633165129f8ae5bd95
IXFN150N65X2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate charge: 355nC
Reverse recovery time: 190ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 145A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Drain-source voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFN150N65X2-Datasheet.PDF
IXFN150N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3581.44 грн
10+3474.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C5 Power-Semiconductor-Discrete-IGBT-IXYA50N65C5-Datasheet.pdf
IXYA50N65C5
Виробник: IXYS
IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.81 грн
10+380.92 грн
100+267.57 грн
500+238.00 грн
1000+203.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+777.17 грн
2+516.37 грн
5+487.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+932.60 грн
2+643.48 грн
5+585.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH50N65C3H1-Datasheet.PDF
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+986.00 грн
10+587.51 грн
120+438.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-50N65C3-Datasheet.PDF
IXYP50N65C3
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+602.21 грн
10+348.67 грн
500+279.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F7348019C600E1&compId=LGEGW50N65F1A.pdf?ci_sign=8858ec95c174a9d9d63b9fb28a8b89b0b3230d80
LGEGW50N65F1A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.70 грн
9+112.12 грн
23+105.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D54E7A593BC0DF&compId=LGEGW50N65SEK.pdf?ci_sign=c5d945964622134594153b007f535b3b10d3c7f5
LGEGW50N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.70 грн
9+112.12 грн
23+105.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5565FA8D780DF&compId=LGEGW50N65SEU.pdf?ci_sign=decfb58dbd5a843f7109b8b70fed4d222b1ab442
LGEGW50N65SEU
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.70 грн
9+112.12 грн
23+105.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]