Результат пошуку "50n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1
Код товару: 189326
Додати до обраних Обраний товар

IXYH50N65C3H1.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 22/80
у наявності: 22 шт
17 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN-1129111.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519.65 грн
10+496.39 грн
25+261.74 грн
240+217.35 грн
480+191.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB50N65DF5_DataSheet_v02_01_EN-3360644.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.36 грн
10+306.28 грн
100+192.09 грн
500+179.85 грн
1000+159.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB50N65DH5_DataSheet_v02_01_EN-3360584.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.19 грн
10+306.28 грн
100+192.09 грн
250+191.33 грн
500+159.95 грн
1000+159.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKBE50N65RF5ATMA1 AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKBE50N65RF5_DataSheet_v01_00_EN-3369286.pdf IGBTs SIC_DISCRETE
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+747.33 грн
10+506.95 грн
100+345.92 грн
500+327.56 грн
1000+300.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW50N65DF5_DS_v02_01_EN-1730881.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.86 грн
10+372.29 грн
25+282.40 грн
100+264.03 грн
240+246.43 грн
480+244.90 грн
1200+238.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65RF5XKSA1 AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW50N65RF5_DataSheet_v02_04_EN-1957308.pdf IGBTs SIC_DISCRETE
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+800.01 грн
10+614.32 грн
25+490.57 грн
100+451.54 грн
240+433.94 грн
480+413.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+946.10 грн
2+606.67 грн
5+573.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1135.32 грн
2+756.01 грн
5+687.83 грн
600+679.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+817.32 грн
2+633.78 грн
5+598.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+980.78 грн
2+789.79 грн
5+718.44 грн
150+690.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+721.16 грн
2+566.81 грн
5+535.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+865.40 грн
2+706.34 грн
5+642.87 грн
30+639.04 грн
150+618.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T BIDW50N65T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDW50N65T_datasheet-3005216.pdf IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.26 грн
10+227.95 грн
100+196.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH150N65F-F155 FCH150N65F-F155 onsemi / Fairchild FCH150N65F_D-2037211.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+620.55 грн
10+360.85 грн
100+263.27 грн
450+262.50 грн
900+247.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi fcmt250n65s3-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.04 грн
10+186.58 грн
100+159.19 грн
500+151.53 грн
1000+142.35 грн
3000+136.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F FCP150N65F onsemi / Fairchild fcp150n65f-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.08 грн
10+256.99 грн
100+203.57 грн
500+191.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65F FCPF150N65F onsemi / Fairchild fcpf150n65f-d.pdf MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+311.61 грн
10+206.83 грн
100+179.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 onsemi fcpf250n65s3r0l-f154-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.97 грн
10+177.78 грн
100+132.40 грн
500+116.33 грн
1000+109.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGB50N65H5_DataSheet_v02_02_EN-3361683.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.22 грн
10+201.55 грн
100+131.63 грн
500+107.91 грн
1000+100.26 грн
2000+96.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 Infineon DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+311.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5 IHW50N65R5 Infineon Technologies Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN-1731583.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.18 грн
10+212.99 грн
100+150.00 грн
480+133.17 грн
1200+114.03 грн
2640+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+364.02 грн
3+298.16 грн
4+258.29 грн
10+244.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+436.82 грн
3+371.55 грн
4+309.95 грн
10+293.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW50N65R6_DataSheet_v01_20_EN-2583084.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+331.25 грн
10+308.92 грн
25+157.66 грн
100+129.34 грн
240+124.75 грн
480+100.26 грн
1200+97.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N65EH5XKSA1 IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW50N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3361941.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+653.58 грн
10+632.80 грн
25+341.33 грн
100+297.71 грн
240+296.94 грн
480+272.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ150N65EH7XKSA1 IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ150N65EH7_DataSheet_v01_20_EN-3421508.pdf IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+946.44 грн
10+923.24 грн
25+539.55 грн
100+472.97 грн
240+472.20 грн
480+455.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65EH5_DataSheet_v01_10_EN-3361847.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.43 грн
10+275.48 грн
100+193.63 грн
480+172.20 грн
1200+147.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5 IKW50N65ES5 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN-1226692.pdf IGBTs Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+387.51 грн
10+311.56 грн
100+218.88 грн
480+194.39 грн
1200+166.84 грн
2640+156.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN-1226692.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.94 грн
25+253.47 грн
100+184.44 грн
240+183.68 грн
480+150.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3362248.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.19 грн
10+456.78 грн
25+206.64 грн
100+174.49 грн
240+164.54 грн
480+153.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.75 грн
5+210.46 грн
13+199.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+555.30 грн
5+262.27 грн
13+239.16 грн
120+235.34 грн
240+229.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65F5_DS_v02_01_EN-1226899.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+414.29 грн
10+384.61 грн
25+195.16 грн
100+164.54 грн
480+132.40 грн
1200+127.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+420.68 грн
5+228.00 грн
12+215.25 грн
60+207.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+504.82 грн
5+284.12 грн
12+258.29 грн
60+248.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 Infineon DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951 80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+269.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1 IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362121.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+567.87 грн
10+531.59 грн
25+301.54 грн
100+253.32 грн
240+252.55 грн
1200+228.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3361987.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+710.72 грн
10+616.96 грн
25+381.13 грн
100+339.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+419.82 грн
3+350.77 грн
4+268.66 грн
10+254.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+503.79 грн
3+437.11 грн
4+322.39 грн
10+305.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH50N65EH7XKSA1 IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKWH50N65EH7_DataSheet_v01_10_EN-3421704.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.04 грн
10+283.40 грн
100+199.75 грн
480+176.79 грн
1200+151.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH50N65WR6XKSA1 IKWH50N65WR6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKWH50N65WR6_DataSheet_v01_10_EN-3361893.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.83 грн
10+234.99 грн
25+159.95 грн
100+133.93 грн
240+125.51 грн
480+117.86 грн
1200+107.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKY150N65EH7XKSA1 IKY150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY150N65EH7_DataSheet_v01_10_EN-3421241.pdf IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1017.87 грн
10+748.98 грн
100+563.27 грн
480+534.19 грн
1200+453.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1 IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA50N65EH7_DataSheet_v01_10_EN-3421412.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.90 грн
10+490.22 грн
25+272.45 грн
100+237.25 грн
240+235.72 грн
480+205.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1 IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362298.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+573.22 грн
10+561.51 грн
25+309.95 грн
100+279.34 грн
240+278.58 грн
480+255.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65SS5XKSA1 IKZA50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362265.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+665.19 грн
10+654.81 грн
25+423.22 грн
100+407.91 грн
240+407.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2083.65 грн
2+1829.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2500.38 грн
2+2279.95 грн
25+2150.54 грн
100+2110.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS media-3322674.pdf MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2585.75 грн
10+2206.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C8B86E1D378BF&compId=IXFN150N65X2.pdf?ci_sign=b8e5f0c766f20f8a34422d633165129f8ae5bd95 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate charge: 355nC
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3772.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C8B86E1D378BF&compId=IXFN150N65X2.pdf?ci_sign=b8e5f0c766f20f8a34422d633165129f8ae5bd95 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate charge: 355nC
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4526.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS media-3320042.pdf MOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3900.95 грн
10+3508.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C5 IXYA50N65C5 IXYS IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.97 грн
10+390.77 грн
100+273.98 грн
500+243.37 грн
1000+208.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+784.70 грн
2+522.17 грн
5+493.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+941.64 грн
2+650.70 грн
5+592.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS media-3321896.pdf IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1094.66 грн
10+655.69 грн
120+493.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3 IXYP50N65C3 IXYS media-3320402.pdf IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+633.94 грн
10+345.01 грн
500+278.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB150N65S3HF NTB150N65S3HF onsemi ntb150n65s3hf-d.pdf MOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.54 грн
10+327.40 грн
100+231.13 грн
500+202.04 грн
800+173.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTD250N65S3H NTD250N65S3H onsemi ntd250n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 250MOHM DPAK
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.68 грн
10+181.30 грн
100+123.22 грн
500+107.14 грн
1000+97.20 грн
2500+91.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1
Код товару: 189326
Додати до обраних Обраний товар

IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 22/80
у наявності: 22 шт
17 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN-1129111.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+519.65 грн
10+496.39 грн
25+261.74 грн
240+217.35 грн
480+191.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon_AIKB50N65DF5_DataSheet_v02_01_EN-3360644.pdf
AIKB50N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+455.36 грн
10+306.28 грн
100+192.09 грн
500+179.85 грн
1000+159.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon_AIKB50N65DH5_DataSheet_v02_01_EN-3360584.pdf
AIKB50N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+465.19 грн
10+306.28 грн
100+192.09 грн
250+191.33 грн
500+159.95 грн
1000+159.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon_AIKBE50N65RF5_DataSheet_v01_00_EN-3369286.pdf
AIKBE50N65RF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs SIC_DISCRETE
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+747.33 грн
10+506.95 грн
100+345.92 грн
500+327.56 грн
1000+300.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon_AIKW50N65DF5_DS_v02_01_EN-1730881.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+492.86 грн
10+372.29 грн
25+282.40 грн
100+264.03 грн
240+246.43 грн
480+244.90 грн
1200+238.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon_AIKW50N65RF5_DataSheet_v02_04_EN-1957308.pdf
AIKW50N65RF5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs SIC_DISCRETE
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+800.01 грн
10+614.32 грн
25+490.57 грн
100+451.54 грн
240+433.94 грн
480+413.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+946.10 грн
2+606.67 грн
5+573.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1135.32 грн
2+756.01 грн
5+687.83 грн
600+679.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+817.32 грн
2+633.78 грн
5+598.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+980.78 грн
2+789.79 грн
5+718.44 грн
150+690.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+721.16 грн
2+566.81 грн
5+535.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+865.40 грн
2+706.34 грн
5+642.87 грн
30+639.04 грн
150+618.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T Bourns_7_25_2022_BIDW50N65T_datasheet-3005216.pdf
BIDW50N65T
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+406.26 грн
10+227.95 грн
100+196.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH150N65F-F155 FCH150N65F_D-2037211.pdf
FCH150N65F-F155
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+620.55 грн
10+360.85 грн
100+263.27 грн
450+262.50 грн
900+247.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 fcmt250n65s3-d.pdf
FCMT250N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.04 грн
10+186.58 грн
100+159.19 грн
500+151.53 грн
1000+142.35 грн
3000+136.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F fcp150n65f-d.pdf
FCP150N65F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+441.08 грн
10+256.99 грн
100+203.57 грн
500+191.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65F fcpf150n65f-d.pdf
FCPF150N65F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.61 грн
10+206.83 грн
100+179.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 fcpf250n65s3r0l-f154-d.pdf
FCPF250N65S3R0L-F154
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.97 грн
10+177.78 грн
100+132.40 грн
500+116.33 грн
1000+109.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 Infineon_IGB50N65H5_DataSheet_v02_02_EN-3361683.pdf
IGB50N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.22 грн
10+201.55 грн
100+131.63 грн
500+107.91 грн
1000+100.26 грн
2000+96.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5
Виробник: Infineon
IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+311.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5 Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN-1731583.pdf
IHW50N65R5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.18 грн
10+212.99 грн
100+150.00 грн
480+133.17 грн
1200+114.03 грн
2640+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+364.02 грн
3+298.16 грн
4+258.29 грн
10+244.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.82 грн
3+371.55 грн
4+309.95 грн
10+293.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 Infineon_IHW50N65R6_DataSheet_v01_20_EN-2583084.pdf
IHW50N65R6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+331.25 грн
10+308.92 грн
25+157.66 грн
100+129.34 грн
240+124.75 грн
480+100.26 грн
1200+97.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon_IKFW50N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3361941.pdf
IKFW50N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+653.58 грн
10+632.80 грн
25+341.33 грн
100+297.71 грн
240+296.94 грн
480+272.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon_IKQ150N65EH7_DataSheet_v01_20_EN-3421508.pdf
IKQ150N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+946.44 грн
10+923.24 грн
25+539.55 грн
100+472.97 грн
240+472.20 грн
480+455.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 Infineon_IKW50N65EH5_DataSheet_v01_10_EN-3361847.pdf
IKW50N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+421.43 грн
10+275.48 грн
100+193.63 грн
480+172.20 грн
1200+147.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5 Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN-1226692.pdf
IKW50N65ES5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+387.51 грн
10+311.56 грн
100+218.88 грн
480+194.39 грн
1200+166.84 грн
2640+156.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN-1226692.pdf
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+458.94 грн
25+253.47 грн
100+184.44 грн
240+183.68 грн
480+150.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1 Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3362248.pdf
IKW50N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+465.19 грн
10+456.78 грн
25+206.64 грн
100+174.49 грн
240+164.54 грн
480+153.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+462.75 грн
5+210.46 грн
13+199.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+555.30 грн
5+262.27 грн
13+239.16 грн
120+235.34 грн
240+229.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 Infineon_IKW50N65F5_DS_v02_01_EN-1226899.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+414.29 грн
10+384.61 грн
25+195.16 грн
100+164.54 грн
480+132.40 грн
1200+127.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b
IKW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+420.68 грн
5+228.00 грн
12+215.25 грн
60+207.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b
IKW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+504.82 грн
5+284.12 грн
12+258.29 грн
60+248.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951
Виробник: Infineon
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+269.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1 Infineon_IKW50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362121.pdf
IKW50N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+567.87 грн
10+531.59 грн
25+301.54 грн
100+253.32 грн
240+252.55 грн
1200+228.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 Infineon_IKW50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3361987.pdf
IKW50N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+710.72 грн
10+616.96 грн
25+381.13 грн
100+339.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+419.82 грн
3+350.77 грн
4+268.66 грн
10+254.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+503.79 грн
3+437.11 грн
4+322.39 грн
10+305.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon_IKWH50N65EH7_DataSheet_v01_10_EN-3421704.pdf
IKWH50N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+433.04 грн
10+283.40 грн
100+199.75 грн
480+176.79 грн
1200+151.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH50N65WR6XKSA1 Infineon_IKWH50N65WR6_DataSheet_v01_10_EN-3361893.pdf
IKWH50N65WR6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.83 грн
10+234.99 грн
25+159.95 грн
100+133.93 грн
240+125.51 грн
480+117.86 грн
1200+107.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKY150N65EH7XKSA1 Infineon_IKY150N65EH7_DataSheet_v01_10_EN-3421241.pdf
IKY150N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1017.87 грн
10+748.98 грн
100+563.27 грн
480+534.19 грн
1200+453.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon_IKZA50N65EH7_DataSheet_v01_10_EN-3421412.pdf
IKZA50N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.90 грн
10+490.22 грн
25+272.45 грн
100+237.25 грн
240+235.72 грн
480+205.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon_IKZA50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362298.pdf
IKZA50N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+573.22 грн
10+561.51 грн
25+309.95 грн
100+279.34 грн
240+278.58 грн
480+255.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65SS5XKSA1 Infineon_IKZA50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362265.pdf
IKZA50N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+665.19 грн
10+654.81 грн
25+423.22 грн
100+407.91 грн
240+407.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2083.65 грн
2+1829.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2500.38 грн
2+2279.95 грн
25+2150.54 грн
100+2110.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 media-3322674.pdf
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2585.75 грн
10+2206.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C8B86E1D378BF&compId=IXFN150N65X2.pdf?ci_sign=b8e5f0c766f20f8a34422d633165129f8ae5bd95
IXFN150N65X2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate charge: 355nC
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3772.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C8B86E1D378BF&compId=IXFN150N65X2.pdf?ci_sign=b8e5f0c766f20f8a34422d633165129f8ae5bd95
IXFN150N65X2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate charge: 355nC
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4526.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2 media-3320042.pdf
IXFN150N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3900.95 грн
10+3508.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C5
IXYA50N65C5
Виробник: IXYS
IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+516.97 грн
10+390.77 грн
100+273.98 грн
500+243.37 грн
1000+208.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+784.70 грн
2+522.17 грн
5+493.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+941.64 грн
2+650.70 грн
5+592.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 media-3321896.pdf
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1094.66 грн
10+655.69 грн
120+493.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3 media-3320402.pdf
IXYP50N65C3
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+633.94 грн
10+345.01 грн
500+278.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB150N65S3HF ntb150n65s3hf-d.pdf
NTB150N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+420.54 грн
10+327.40 грн
100+231.13 грн
500+202.04 грн
800+173.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTD250N65S3H ntd250n65s3h-d.pdf
NTD250N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 250MOHM DPAK
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.68 грн
10+181.30 грн
100+123.22 грн
500+107.14 грн
1000+97.20 грн
2500+91.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]