Результат пошуку "60n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU
Код товару: 204981
1 Додати до обраних Обраний товар
Китай fgh60n60sfd-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,5 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 120 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 378 Вт
у наявності: 103 шт
  • 84 шт - склад
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+165.00 грн
10+154.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU
Код товару: 71883
3 Додати до обраних Обраний товар
FAIR/ON fgh60n60sfd-datasheet.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,5 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 120 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 378 Вт
у наявності: 28 шт
  • 3 шт - склад
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 3 шт
  • 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+228.00 грн
10+211.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD FGH60N60SMD
Код товару: 60291
4 Додати до обраних Обраний товар
FAIR/ON FGH60N60SMDcvd.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,9 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 120 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 300 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 18/115
у наявності: 65 шт
  • 50 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+185.00 грн
10+172.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C2 IXGH60N60C2
Код товару: 30178
Додати до обраних Обраний товар
media?resourcetype=datasheets&itemid=1CDD0539-2F10-487C-B7E2-A0D6F656C239&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGH60N60C2-Datasheet.PDF Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,5 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 75 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 480 Вт
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+193.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60BCSG APT60N60BCSG Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1373.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60BCSG APT60N60BCSG Microchip Technology APT47N60B_SC3(G)_F.pdf MOSFETs MOSFET Superjunction 600 V 60 A TO-247
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI660N60 DAMI660N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.9mΩ
Mechanical mounting: screw
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3515.24 грн
3+2878.99 грн
10+2745.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60E FCP260N60E onsemi FCPF260N60E-D.PDF FAIR-S-A0002365478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs PWM Controller mWSaver
на замовлення 3601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60E FCP260N60E Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+128.01 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60E FCP260N60E onsemi FCPF260N60E-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.32 грн
50+135.23 грн
100+122.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E onsemi FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E Fairchild Semiconductor fcpf260n60e-d.pdf Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+151.04 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E onsemi FCPF260N60E-D.PDF Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.55 грн
10+196.56 грн
50+153.42 грн
100+130.95 грн
500+108.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N60UFDTU FGA60N60UFDTU ON-Semiconductor info-tfga60n60ufdtu.pdf IGBT 600V 120A 298W   FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+449.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTU FGH60N60SFTU Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
на замовлення 9688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+273.64 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI FGH60N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+477.69 грн
10+293.74 грн
30+275.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD FGH60N60SMD onsemi fgh60n60smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 19873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.61 грн
30+309.34 грн
120+259.90 грн
510+209.91 грн
1020+200.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD FGH60N60SMD onsemi fgh60n60smd-d.pdf IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
на замовлення 7446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ON-Semiconductor info-tfgh60n60smd.pdf IGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+241.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3 IGW60N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW60N60H3_DS_v01_01_en.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW60N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+412.97 грн
10+343.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW60N60H3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd4fd82c0023 Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.38 грн
30+246.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60EH3XKSA1 IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af Description: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+685.94 грн
30+365.44 грн
120+308.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3 IKW60N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKW60N60H3_DS_v01_02_en.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW60N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+455.81 грн
3+403.79 грн
5+386.01 грн
10+355.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW60N60H3-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd87e517004f Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.48 грн
30+304.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N60X3HV IXFT60N60X3HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e Description: MOSFET ULTRA 600V 60A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+856.04 грн
30+502.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+486.81 грн
3+399.55 грн
10+358.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N60SWG NGTB60N60SWG onsemi ngtb60n60sw-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+267.54 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 Panjit International Inc. PJMD360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.33 грн
10+80.30 грн
100+53.96 грн
500+40.04 грн
1000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 Panjit International Inc. PJMD360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 Panjit PJMD360N60EC.pdf MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.54 грн
10+80.15 грн
100+54.02 грн
500+40.20 грн
1000+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC_T0_00001 Panjit PJMP360N60EC.pdf MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMP360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.17 грн
50+59.21 грн
100+52.94 грн
500+39.36 грн
1000+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT FGH60N60SFD 60A 600V TO-247
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+437.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT FGH60N60SMD 60A 600V TO-247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4+198.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DT60N600KOC AEG 05+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E ON Semiconductor FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf
на замовлення 49650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU fgh60n60sfd-d.pdf FGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
на замовлення 108 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTU fairchild FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fgh60n60sf-d.pdf 2011+
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTU fairchild fgh60n60ufd-d.pdf 2011+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G160N60 FAIRCHIL 09+ QSOP20
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60DH3E Infineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N60 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=149785A1-B564-42F4-8374-95E201CAB2BA&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN60N60-Datasheet.PDF description MODULE
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK60N60B2D1 IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK60N60C2D1 IXYS IXG%28K%2CX%29%2060N60C2D1.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60 ABB 07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60C2 IXYS 60A/600V/IGBT/1U
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60C2D1 IXYS SOP8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR60N60U1 IXYS 00+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX60N60C2D1 IXYS IXG%28K%2CX%29%2060N60C2D1.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT60N60
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL160N60 FSC
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL160N60FD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL160N60UF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL160N60UFD FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL160N60UFD(G160N
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL160N60UFDTU===Fairchild
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU
Код товару: 204981
1 Додати до обраних Обраний товар
fgh60n60sfd-d.pdf
FGH60N60SFDTU
Виробник: Китай
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,5 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 120 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 378 Вт
у наявності: 103 шт
  • 84 шт - склад
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+165.00 грн
10+154.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU
Код товару: 71883
3 Додати до обраних Обраний товар
fgh60n60sfd-datasheet.pdf
FGH60N60SFDTU
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,5 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 120 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 378 Вт
у наявності: 28 шт
  • 3 шт - склад
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 3 шт
  • 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+228.00 грн
10+211.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD
Код товару: 60291
4 Додати до обраних Обраний товар
FGH60N60SMDcvd.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,9 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 120 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 300 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 18/115
у наявності: 65 шт
  • 50 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+185.00 грн
10+172.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C2
Код товару: 30178
Додати до обраних Обраний товар
media?resourcetype=datasheets&itemid=1CDD0539-2F10-487C-B7E2-A0D6F656C239&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGH60N60C2-Datasheet.PDF
IXGH60N60C2
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,5 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 75 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 480 Вт
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+193.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60BCSG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT60N60BCSG
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1373.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60BCSG APT47N60B_SC3(G)_F.pdf
APT60N60BCSG
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET Superjunction 600 V 60 A TO-247
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI660N60
DAMI660N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.9mΩ
Mechanical mounting: screw
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3515.24 грн
3+2878.99 грн
10+2745.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60E FCPF260N60E-D.PDF FAIR-S-A0002365478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP260N60E
Виробник: onsemi
MOSFETs PWM Controller mWSaver
на замовлення 3601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60E FAIR-S-A0002365478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP260N60E
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
159+128.01 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60E FCPF260N60E-D.PDF
FCP260N60E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+275.32 грн
50+135.23 грн
100+122.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf
FCPF260N60E
Виробник: onsemi
MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E fcpf260n60e-d.pdf
FCPF260N60E
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
135+151.04 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E-D.PDF
FCPF260N60E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+308.55 грн
10+196.56 грн
50+153.42 грн
100+130.95 грн
500+108.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N60UFDTU info-tfga60n60ufdtu.pdf
FGA60N60UFDTU
Виробник: ON-Semiconductor
IGBT 600V 120A 298W   FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+449.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTU FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGH60N60SFTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
на замовлення 9688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+273.64 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD FGH60N60SMD.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+477.69 грн
10+293.74 грн
30+275.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD fgh60n60smd-d.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 19873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+554.61 грн
30+309.34 грн
120+259.90 грн
510+209.91 грн
1020+200.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD fgh60n60smd-d.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: onsemi
IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
на замовлення 7446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD info-tfgh60n60smd.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: ON-Semiconductor
IGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+241.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3 Infineon_IGW60N60H3_DS_v01_01_en.pdf
IGW60N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3-DTE.pdf
IGW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+412.97 грн
10+343.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 Infineon-IGW60N60H3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd4fd82c0023
IGW60N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+449.38 грн
30+246.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60DH3EXKSA1
IKFW60N60DH3EXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af
IKFW60N60EH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+685.94 грн
30+365.44 грн
120+308.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3 Infineon_IKW60N60H3_DS_v01_02_en.pdf
IKW60N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+455.81 грн
3+403.79 грн
5+386.01 грн
10+355.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3FKSA1 Infineon-IKW60N60H3-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd87e517004f
IKW60N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+547.48 грн
30+304.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N60X3HV littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e
IXFT60N60X3HV
Виробник: IXYS
Description: MOSFET ULTRA 600V 60A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+856.04 грн
30+502.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+486.81 грн
3+399.55 грн
10+358.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N60SWG ngtb60n60sw-d.pdf
NGTB60N60SWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+267.54 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.33 грн
10+80.30 грн
100+53.96 грн
500+40.04 грн
1000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC.pdf
PJMF360N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.54 грн
10+80.15 грн
100+54.02 грн
500+40.20 грн
1000+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC.pdf
PJMP360N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC.pdf
PJMP360N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.17 грн
50+59.21 грн
100+52.94 грн
500+39.36 грн
1000+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT FGH60N60SFD 60A 600V TO-247
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+437.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT FGH60N60SMD 60A 600V TO-247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+198.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DT60N600KOC
Виробник: AEG
05+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 49650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU fgh60n60sfd-d.pdf
FGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
на замовлення 108 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTU FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fgh60n60sf-d.pdf
Виробник: fairchild
2011+
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTU fgh60n60ufd-d.pdf
Виробник: fairchild
2011+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G160N60
Виробник: FAIRCHIL
09+ QSOP20
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60DH3E
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N60 description media?resourcetype=datasheets&itemid=149785A1-B564-42F4-8374-95E201CAB2BA&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN60N60-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MODULE
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK60N60B2D1
Виробник: IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK60N60C2D1 IXG%28K%2CX%29%2060N60C2D1.pdf
Виробник: IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60
Виробник: ABB
07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60C2
Виробник: IXYS
60A/600V/IGBT/1U
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60C2D1
Виробник: IXYS
SOP8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR60N60U1
Виробник: IXYS
00+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX60N60C2D1 IXG%28K%2CX%29%2060N60C2D1.pdf
Виробник: IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT60N60
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL160N60
Виробник: FSC
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL160N60FD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL160N60UF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL160N60UFD
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL160N60UFD(G160N
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL160N60UFDTU===Fairchild
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]