Результат пошуку "6N80" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FQA6N80 FQA6N80 Fairchild Semiconductor FAIRS09594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+81.34 грн
Мінімальне замовлення: 254
FQAF6N80 FQAF6N80 Fairchild Semiconductor FAIRS09690-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 4.4A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+118.94 грн
Мінімальне замовлення: 173
FQB6N80TM ON-Semicoductor fqb6n80-d.pdf N-MOSFET 5.8A 800V 158W 1.95Ω FQB6N80TM TFQB6n80tm
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI FQP6N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.63 грн
10+ 89.28 грн
26+ 84.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI FQP6N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+177.15 грн
10+ 111.26 грн
26+ 101.23 грн
500+ 97.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP6N80C FQP6N80C onsemi / Fairchild FQPF6N80C_D-2313685.pdf MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.85 грн
10+ 135.04 грн
100+ 96.51 грн
250+ 95.16 грн
500+ 83.68 грн
1000+ 67.49 грн
5000+ 63.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP6N80C FQP6N80C ON Semiconductor fqpf6n80c.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQP6N80C FQP6N80C onsemi fqpf6n80c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.15 грн
50+ 123.08 грн
100+ 101.27 грн
500+ 80.42 грн
1000+ 68.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP6N80C ON-Semicoductor fqpf6n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
FQPF6N80C FQPF6N80C ON Semiconductor fqpf6n80c.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQPF6N80C FQPF6N80C onsemi fqpf6n80c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+151.85 грн
50+ 117.34 грн
100+ 96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
HI1206N800R-10 HI1206N800R-10 Laird-Signal Integrity Products hi1206n800r-10-datasheet Description: FERRITE BEAD 80 OHM 1206 1LN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Filter Type: Power, Signal Line
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Height (Max): 0.043" (1.10mm)
Current Rating (Max): 3A
DC Resistance (DCR) (Max): 35mOhm
Part Status: Active
Number of Lines: 1
Impedance @ Frequency: 80 Ohms @ 100 MHz
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.48 грн
6000+ 4.16 грн
9000+ 3.96 грн
15000+ 3.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
HI1206N800R-10 HI1206N800R-10 Laird-Signal Integrity Products hi1206n800r-10-datasheet Description: FERRITE BEAD 80 OHM 1206 1LN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Filter Type: Power, Signal Line
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Height (Max): 0.043" (1.10mm)
Current Rating (Max): 3A
DC Resistance (DCR) (Max): 35mOhm
Part Status: Active
Number of Lines: 1
Impedance @ Frequency: 80 Ohms @ 100 MHz
на замовлення 103801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+14.6 грн
26+ 10.83 грн
32+ 8.94 грн
50+ 7.24 грн
100+ 6.51 грн
250+ 5.5 грн
500+ 4.84 грн
1000+ 4.13 грн
Мінімальне замовлення: 20
HI1206N800R-10 HI1206N800R-10 Laird Performance Materials hi1206n800r_10_datasheet-2947039.pdf Ferrite Beads 80ohms 100MHz 3A Monolithic 1206 SMD
на замовлення 57001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.35 грн
37+ 8.54 грн
100+ 6.61 грн
250+ 5.6 грн
500+ 4.93 грн
1000+ 4.18 грн
3000+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 21
HI1206N800R-10 HI1206N800R-10 LAIRD 40849355371245752hi1206n800r-10.pdf Ferrite Beads High Current Chip 80Ohm 25% 100MHz 3A 0.035Ohm DCR 1206 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 15000
IXFH16N80P IXFH16N80P IXYS media-3320744.pdf MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+654.29 грн
10+ 588.28 грн
30+ 448.79 грн
120+ 405.6 грн
270+ 401.55 грн
SIHA6N80AE-GE3 SIHA6N80AE-GE3 Vishay Semiconductors siha6n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.74 грн
10+ 91.58 грн
100+ 62.76 грн
500+ 53.38 грн
1000+ 41.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA6N80AE-GE3 SIHA6N80AE-GE3 Vishay Siliconix siha6n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.57 грн
10+ 62.5 грн
100+ 48.58 грн
500+ 38.65 грн
1000+ 31.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHA6N80AE-GE3 SIHA6N80AE-GE3 Vishay Siliconix siha6n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.92 грн
50+ 58.59 грн
100+ 46.42 грн
500+ 36.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHB6N80AE-GE3 SIHB6N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihb6n80ae.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.79 грн
50+ 105.41 грн
100+ 86.73 грн
500+ 68.87 грн
1000+ 58.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHB6N80E-GE3 SIHB6N80E-GE3 Vishay / Siliconix sihb6n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.69 грн
10+ 159.88 грн
100+ 110.68 грн
250+ 101.91 грн
500+ 92.46 грн
1000+ 78.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD6N80AE-GE3 SIHD6N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihd6n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.32 грн
75+ 47.31 грн
150+ 37.49 грн
525+ 29.82 грн
1050+ 29.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHD6N80AE-GE3 SIHD6N80AE-GE3 Vishay Semiconductors sihd6n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252)
на замовлення 4187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.91 грн
10+ 63.41 грн
100+ 45.28 грн
500+ 40.15 грн
1000+ 33.07 грн
3000+ 32.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD6N80AE-GE3 Vishay sihd6n80ae.pdf Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHD6N80E-GE3 SIHD6N80E-GE3 Vishay Siliconix sihd6n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+98.55 грн
10+ 78.66 грн
100+ 62.61 грн
500+ 53.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD6N80E-GE3 SIHD6N80E-GE3 Vishay Semiconductors sihd6n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.38 грн
10+ 122.62 грн
100+ 85.03 грн
250+ 81.66 грн
500+ 77.61 грн
1000+ 70.19 грн
3000+ 61.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80AE-GE3 SIHP6N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihp6n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.69 грн
50+ 85.98 грн
100+ 68.13 грн
500+ 54.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80AE-GE3 SIHP6N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihp6n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.68 грн
10+ 96.24 грн
100+ 65.26 грн
500+ 55.14 грн
1000+ 44.81 грн
2000+ 42.18 грн
5000+ 40.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80E-BE3 SIHP6N80E-BE3 Vishay / Siliconix sihp6n80e.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.43 грн
10+ 121.85 грн
100+ 91.78 грн
250+ 88.41 грн
500+ 85.03 грн
1000+ 84.36 грн
2500+ 82.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP6N80E-BE3 SIHP6N80E-BE3 Vishay Siliconix sihp6n80e.pdf Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.88 грн
50+ 123.99 грн
100+ 102.02 грн
500+ 81.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP6N80E-GE3 SIHP6N80E-GE3 Vishay / Siliconix sihp6n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.43 грн
10+ 140.47 грн
100+ 97.18 грн
250+ 90.43 грн
500+ 81.66 грн
1000+ 68.16 грн
2000+ 67.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHU6N80AE-GE3 SIHU6N80AE-GE3 Vishay Semiconductors sihu6n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251)
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.78 грн
10+ 81.49 грн
100+ 55.27 грн
500+ 46.84 грн
1000+ 38.13 грн
3000+ 36.98 грн
6000+ 35.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHU6N80E-GE3 SIHU6N80E-GE3 Vishay Siliconix sihu6n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.04 грн
10+ 122.81 грн
100+ 97.74 грн
500+ 77.62 грн
1000+ 65.86 грн
3000+ 62.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA06N80C3 SPA06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.7 грн
4+ 107.56 грн
10+ 94.9 грн
11+ 82.25 грн
28+ 78.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3 SPA06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+154.44 грн
3+ 134.03 грн
10+ 113.88 грн
11+ 98.7 грн
28+ 93.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA06N80C3 SPA06N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPA06N80C3_DS_v02_92_EN-1732185.pdf MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.11 грн
10+ 128.06 грн
100+ 87.73 грн
250+ 84.36 грн
500+ 71.54 грн
1000+ 63.37 грн
2500+ 60.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3XKSA1 SPA06N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPA06N80C3_DS_v02_92_EN-1732185.pdf MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.75 грн
10+ 101.67 грн
100+ 78.28 грн
250+ 76.94 грн
500+ 74.24 грн
1000+ 60.33 грн
2500+ 60.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3XKSA1 SPA06N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP_A06N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a601163854727600cf Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 13207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.2 грн
50+ 79.28 грн
100+ 65.24 грн
500+ 55.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD06N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363740.pdf MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 34250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.15 грн
10+ 64.34 грн
100+ 55.81 грн
250+ 55.74 грн
500+ 55.14 грн
1000+ 53.11 грн
2500+ 52.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD06N80C3ATMA1 Infineon Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+167.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPP06N80C3 SPP06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP06N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.68 грн
8+ 105.45 грн
22+ 99.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3 SPP06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP06N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+192.6 грн
3+ 169.07 грн
8+ 126.54 грн
22+ 119.79 грн
250+ 118.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP06N80C3 SPP06N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf description MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.96 грн
10+ 124.18 грн
100+ 85.71 грн
250+ 79.63 грн
500+ 71.54 грн
1000+ 61.89 грн
2500+ 58.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3 Infineon description Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
SPP06N80C3XKSA1 SPP06N80C3XKSA1 Infineon Technologies spp06n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 24863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
SPP06N80C3XKSA1 SPP06N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.4 грн
10+ 91.58 грн
100+ 72.21 грн
500+ 65.26 грн
1000+ 57.63 грн
2500+ 57.57 грн
5000+ 56.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3XKSA1 SPP06N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP06N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a304340f610c2014101afea0d5580 Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.36 грн
50+ 109.88 грн
100+ 90.4 грн
500+ 71.79 грн
1000+ 60.91 грн
2000+ 57.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB6N80K5 STB6N80K5 STMicroelectronics 725201003193875dm00085379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB6N80K5 STB6N80K5 STMicroelectronics stb6n80k5-1850256.pdf MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.23 грн
10+ 120.3 грн
100+ 83.68 грн
250+ 76.94 грн
500+ 70.19 грн
1000+ 58.71 грн
2000+ 56.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD6N80K5 STD6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
на замовлення 11037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+148.93 грн
10+ 119.3 грн
100+ 94.91 грн
500+ 75.36 грн
1000+ 63.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD6N80K5 STD6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.22 грн
5000+ 62.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD6N80K5 STD6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085379.pdf MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+159.83 грн
10+ 131.16 грн
100+ 91.11 грн
250+ 90.43 грн
500+ 76.26 грн
1000+ 65.26 грн
2500+ 61.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N80K5 STF6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085454.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.99 грн
50+ 127.61 грн
100+ 105.01 грн
500+ 83.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP6N80K5 STP6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085379.pdf MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.33 грн
10+ 87.7 грн
100+ 72.89 грн
250+ 71.54 грн
500+ 70.86 грн
1000+ 67.15 грн
5000+ 64.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMK06N80M3 WMK06N80M3 WAYON WMx06N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.68 грн
7+ 56.03 грн
10+ 44.99 грн
34+ 24.46 грн
93+ 23.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
WMK06N80M3 WMK06N80M3 WAYON WMx06N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.82 грн
10+ 53.99 грн
34+ 29.36 грн
93+ 27.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
WML06N80M3 WML06N80M3 WAYON WMx06N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.99 грн
10+ 36.98 грн
25+ 32.69 грн
27+ 31 грн
74+ 29.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
WML06N80M3 WML06N80M3 WAYON WMx06N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 468 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+63.59 грн
6+ 46.08 грн
25+ 39.23 грн
27+ 37.2 грн
74+ 35.18 грн
500+ 33.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
DD106N800K AEG 05+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA6N80 FAIRS09594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQA6N80
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
254+81.34 грн
Мінімальне замовлення: 254
FQAF6N80 FAIRS09690-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQAF6N80
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 4.4A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
173+118.94 грн
Мінімальне замовлення: 173
FQB6N80TM fqb6n80-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 5.8A 800V 158W 1.95Ω FQB6N80TM TFQB6n80tm
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQP6N80C FQP6N80C.pdf
FQP6N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.63 грн
10+ 89.28 грн
26+ 84.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQP6N80C FQP6N80C.pdf
FQP6N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.15 грн
10+ 111.26 грн
26+ 101.23 грн
500+ 97.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP6N80C FQPF6N80C_D-2313685.pdf
FQP6N80C
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.85 грн
10+ 135.04 грн
100+ 96.51 грн
250+ 95.16 грн
500+ 83.68 грн
1000+ 67.49 грн
5000+ 63.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP6N80C fqpf6n80c.pdf
FQP6N80C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQP6N80C fqpf6n80c-d.pdf
FQP6N80C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+159.15 грн
50+ 123.08 грн
100+ 101.27 грн
500+ 80.42 грн
1000+ 68.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP6N80C fqpf6n80c-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
FQPF6N80C fqpf6n80c.pdf
FQPF6N80C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQPF6N80C fqpf6n80c-d.pdf
FQPF6N80C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+151.85 грн
50+ 117.34 грн
100+ 96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
HI1206N800R-10 hi1206n800r-10-datasheet
HI1206N800R-10
Виробник: Laird-Signal Integrity Products
Description: FERRITE BEAD 80 OHM 1206 1LN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Filter Type: Power, Signal Line
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Height (Max): 0.043" (1.10mm)
Current Rating (Max): 3A
DC Resistance (DCR) (Max): 35mOhm
Part Status: Active
Number of Lines: 1
Impedance @ Frequency: 80 Ohms @ 100 MHz
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.48 грн
6000+ 4.16 грн
9000+ 3.96 грн
15000+ 3.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
HI1206N800R-10 hi1206n800r-10-datasheet
HI1206N800R-10
Виробник: Laird-Signal Integrity Products
Description: FERRITE BEAD 80 OHM 1206 1LN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Filter Type: Power, Signal Line
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Height (Max): 0.043" (1.10mm)
Current Rating (Max): 3A
DC Resistance (DCR) (Max): 35mOhm
Part Status: Active
Number of Lines: 1
Impedance @ Frequency: 80 Ohms @ 100 MHz
на замовлення 103801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.6 грн
26+ 10.83 грн
32+ 8.94 грн
50+ 7.24 грн
100+ 6.51 грн
250+ 5.5 грн
500+ 4.84 грн
1000+ 4.13 грн
Мінімальне замовлення: 20
HI1206N800R-10 hi1206n800r_10_datasheet-2947039.pdf
HI1206N800R-10
Виробник: Laird Performance Materials
Ferrite Beads 80ohms 100MHz 3A Monolithic 1206 SMD
на замовлення 57001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+15.35 грн
37+ 8.54 грн
100+ 6.61 грн
250+ 5.6 грн
500+ 4.93 грн
1000+ 4.18 грн
3000+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 21
HI1206N800R-10 40849355371245752hi1206n800r-10.pdf
HI1206N800R-10
Виробник: LAIRD
Ferrite Beads High Current Chip 80Ohm 25% 100MHz 3A 0.035Ohm DCR 1206 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 15000
IXFH16N80P media-3320744.pdf
IXFH16N80P
Виробник: IXYS
MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+654.29 грн
10+ 588.28 грн
30+ 448.79 грн
120+ 405.6 грн
270+ 401.55 грн
SIHA6N80AE-GE3 siha6n80ae.pdf
SIHA6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.74 грн
10+ 91.58 грн
100+ 62.76 грн
500+ 53.38 грн
1000+ 41.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA6N80AE-GE3 siha6n80ae.pdf
SIHA6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.57 грн
10+ 62.5 грн
100+ 48.58 грн
500+ 38.65 грн
1000+ 31.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHA6N80AE-GE3 siha6n80ae.pdf
SIHA6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.92 грн
50+ 58.59 грн
100+ 46.42 грн
500+ 36.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHB6N80AE-GE3 sihb6n80ae.pdf
SIHB6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.79 грн
50+ 105.41 грн
100+ 86.73 грн
500+ 68.87 грн
1000+ 58.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHB6N80E-GE3 sihb6n80e.pdf
SIHB6N80E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.69 грн
10+ 159.88 грн
100+ 110.68 грн
250+ 101.91 грн
500+ 92.46 грн
1000+ 78.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD6N80AE-GE3 sihd6n80ae.pdf
SIHD6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.32 грн
75+ 47.31 грн
150+ 37.49 грн
525+ 29.82 грн
1050+ 29.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHD6N80AE-GE3 sihd6n80ae.pdf
SIHD6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252)
на замовлення 4187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.91 грн
10+ 63.41 грн
100+ 45.28 грн
500+ 40.15 грн
1000+ 33.07 грн
3000+ 32.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD6N80AE-GE3 sihd6n80ae.pdf
Виробник: Vishay
Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHD6N80E-GE3 sihd6n80e.pdf
SIHD6N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.55 грн
10+ 78.66 грн
100+ 62.61 грн
500+ 53.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD6N80E-GE3 sihd6n80e.pdf
SIHD6N80E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.38 грн
10+ 122.62 грн
100+ 85.03 грн
250+ 81.66 грн
500+ 77.61 грн
1000+ 70.19 грн
3000+ 61.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80AE-GE3 sihp6n80ae.pdf
SIHP6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.69 грн
50+ 85.98 грн
100+ 68.13 грн
500+ 54.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80AE-GE3 sihp6n80ae.pdf
SIHP6N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.68 грн
10+ 96.24 грн
100+ 65.26 грн
500+ 55.14 грн
1000+ 44.81 грн
2000+ 42.18 грн
5000+ 40.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80E-BE3 sihp6n80e.pdf
SIHP6N80E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+172.43 грн
10+ 121.85 грн
100+ 91.78 грн
250+ 88.41 грн
500+ 85.03 грн
1000+ 84.36 грн
2500+ 82.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP6N80E-BE3 sihp6n80e.pdf
SIHP6N80E-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+159.88 грн
50+ 123.99 грн
100+ 102.02 грн
500+ 81.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP6N80E-GE3 sihp6n80e.pdf
SIHP6N80E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+172.43 грн
10+ 140.47 грн
100+ 97.18 грн
250+ 90.43 грн
500+ 81.66 грн
1000+ 68.16 грн
2000+ 67.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHU6N80AE-GE3 sihu6n80ae.pdf
SIHU6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251)
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.78 грн
10+ 81.49 грн
100+ 55.27 грн
500+ 46.84 грн
1000+ 38.13 грн
3000+ 36.98 грн
6000+ 35.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHU6N80E-GE3 sihu6n80e.pdf
SIHU6N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+154.04 грн
10+ 122.81 грн
100+ 97.74 грн
500+ 77.62 грн
1000+ 65.86 грн
3000+ 62.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA06N80C3
SPA06N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.7 грн
4+ 107.56 грн
10+ 94.9 грн
11+ 82.25 грн
28+ 78.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3
SPA06N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+154.44 грн
3+ 134.03 грн
10+ 113.88 грн
11+ 98.7 грн
28+ 93.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA06N80C3 Infineon_SPA06N80C3_DS_v02_92_EN-1732185.pdf
SPA06N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+155.11 грн
10+ 128.06 грн
100+ 87.73 грн
250+ 84.36 грн
500+ 71.54 грн
1000+ 63.37 грн
2500+ 60.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3XKSA1 Infineon_SPA06N80C3_DS_v02_92_EN-1732185.pdf
SPA06N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+152.75 грн
10+ 101.67 грн
100+ 78.28 грн
250+ 76.94 грн
500+ 74.24 грн
1000+ 60.33 грн
2500+ 60.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3XKSA1 SPP_A06N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a601163854727600cf
SPA06N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 13207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.2 грн
50+ 79.28 грн
100+ 65.24 грн
500+ 55.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD06N80C3ATMA1 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf
SPD06N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+53.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD06N80C3ATMA1 Infineon_SPD06N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363740.pdf
SPD06N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 34250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.15 грн
10+ 64.34 грн
100+ 55.81 грн
250+ 55.74 грн
500+ 55.14 грн
1000+ 53.11 грн
2500+ 52.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD06N80C3ATMA1 Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+167.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPP06N80C3 description SPP06N80C3.pdf
SPP06N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.68 грн
8+ 105.45 грн
22+ 99.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3 description SPP06N80C3.pdf
SPP06N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.6 грн
3+ 169.07 грн
8+ 126.54 грн
22+ 119.79 грн
250+ 118.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP06N80C3 description Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf
SPP06N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.96 грн
10+ 124.18 грн
100+ 85.71 грн
250+ 79.63 грн
500+ 71.54 грн
1000+ 61.89 грн
2500+ 58.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3 description
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
SPP06N80C3XKSA1 spp06n80c3_rev2.91.pdf
SPP06N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 24863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
SPP06N80C3XKSA1 Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf
SPP06N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.4 грн
10+ 91.58 грн
100+ 72.21 грн
500+ 65.26 грн
1000+ 57.63 грн
2500+ 57.57 грн
5000+ 56.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3XKSA1 Infineon-SPP06N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a304340f610c2014101afea0d5580
SPP06N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.36 грн
50+ 109.88 грн
100+ 90.4 грн
500+ 71.79 грн
1000+ 60.91 грн
2000+ 57.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB6N80K5 725201003193875dm00085379.pdf
STB6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+61.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB6N80K5 stb6n80k5-1850256.pdf
STB6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.23 грн
10+ 120.3 грн
100+ 83.68 грн
250+ 76.94 грн
500+ 70.19 грн
1000+ 58.71 грн
2000+ 56.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD6N80K5 en.DM00085379.pdf
STD6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
на замовлення 11037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+148.93 грн
10+ 119.3 грн
100+ 94.91 грн
500+ 75.36 грн
1000+ 63.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD6N80K5 en.DM00085379.pdf
STD6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+67.22 грн
5000+ 62.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD6N80K5 en.DM00085379.pdf
STD6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+159.83 грн
10+ 131.16 грн
100+ 91.11 грн
250+ 90.43 грн
500+ 76.26 грн
1000+ 65.26 грн
2500+ 61.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N80K5 en.DM00085454.pdf
STF6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.99 грн
50+ 127.61 грн
100+ 105.01 грн
500+ 83.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP6N80K5 en.DM00085379.pdf
STP6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.33 грн
10+ 87.7 грн
100+ 72.89 грн
250+ 71.54 грн
500+ 70.86 грн
1000+ 67.15 грн
5000+ 64.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMK06N80M3 WMx06N80M3.pdf
WMK06N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+72.68 грн
7+ 56.03 грн
10+ 44.99 грн
34+ 24.46 грн
93+ 23.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
WMK06N80M3 WMx06N80M3.pdf
WMK06N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.82 грн
10+ 53.99 грн
34+ 29.36 грн
93+ 27.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
WML06N80M3 WMx06N80M3.pdf
WML06N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.99 грн
10+ 36.98 грн
25+ 32.69 грн
27+ 31 грн
74+ 29.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
WML06N80M3 WMx06N80M3.pdf
WML06N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 468 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.59 грн
6+ 46.08 грн
25+ 39.23 грн
27+ 37.2 грн
74+ 35.18 грн
500+ 33.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
DD106N800K
Виробник: AEG
05+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]