Результат пошуку "6n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IGD06N65T6ARMA1 IGD06N65T6ARMA1 Infineon Technologies Infineon_IGD06N65T6_DataSheet_v02_03_EN-3011101.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.95 грн
10+ 97.28 грн
100+ 67.19 грн
250+ 62.03 грн
500+ 56.26 грн
1000+ 48.21 грн
3000+ 45.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD06N65ET6ARMA1 IKD06N65ET6ARMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD06N65ET6_DataSheet_v02_02_EN-3361965.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.94 грн
10+ 80.67 грн
100+ 63.07 грн
250+ 60.52 грн
500+ 60.38 грн
1000+ 58.66 грн
3000+ 53.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFH26N65X2 IXFH26N65X2 IXYS media-3323918.pdf MOSFET MOSFET DISCRETE
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+863.35 грн
10+ 764.8 грн
30+ 655.42 грн
60+ 640.29 грн
IXFH26N65X2 Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=f86fd484-1170-4f6c-9877-b6f365994bed&filename=littelfuse_discrete_mosfets_ixf_26n65x2_datasheet.pdf Description: IXFH26N65X2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+781.15 грн
30+ 608.7 грн
120+ 572.88 грн
510+ 487.22 грн
1020+ 446.9 грн
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS IXFH46N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh46n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.42 грн
30+ 385.26 грн
120+ 356.97 грн
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS media-3322517.pdf MOSFET MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+773.48 грн
10+ 654.08 грн
30+ 515.81 грн
120+ 473.85 грн
270+ 445.66 грн
IXFH46N65X3 IXFH46N65X3 Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=10fd64af-6607-473b-bf9b-80b18b016da4&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet Description: MOSFET 46A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+638.31 грн
10+ 526.55 грн
300+ 412.94 грн
IXFH46N65X3 IXFH46N65X3 IXYS media-3320569.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 46A 650V X3 TO
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+693.24 грн
10+ 585.27 грн
30+ 462.16 грн
IXFP26N65X2 IXFP26N65X2 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=f86fd484-1170-4f6c-9877-b6f365994bed&filename=littelfuse_discrete_mosfets_ixf_26n65x2_datasheet.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+711.95 грн
3+ 465.12 грн
7+ 422.96 грн
IXFP26N65X2 IXFP26N65X2 IXYS media-3323918.pdf MOSFET MOSFET DISCRETE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+712.5 грн
10+ 602.67 грн
50+ 475.92 грн
KSM6----N6--5-- KSM6----N6--5-- Essentra Components Plastic_Knobs.pdf Description: SELF-ASSEMBLY PUSH PULL KNOB 1.0
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: M6
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.380" (9.65mm)
Indicator: No Indicator
Part Status: Active
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.3 грн
5+ 69.35 грн
10+ 62.4 грн
25+ 51.98 грн
50+ 46.79 грн
100+ 45.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD6N65E-GE3 SIHD6N65E-GE3 Vishay Siliconix sihd6n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.14 грн
75+ 57.88 грн
150+ 47.62 грн
525+ 40.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD6N65E-GE3 SIHD6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihd6n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.74 грн
10+ 94.12 грн
100+ 65.27 грн
250+ 60.45 грн
500+ 54.81 грн
1000+ 47.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHF6N65E-GE3 SIHF6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihf6n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.72 грн
10+ 143.94 грн
100+ 99.72 грн
250+ 92.16 грн
500+ 83.9 грн
1000+ 70.84 грн
2000+ 69.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHJ6N65E-T1-GE3 SIHJ6N65E-T1-GE3 Vishay Semiconductors sihj6n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 5912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.25 грн
10+ 125.75 грн
100+ 86.66 грн
250+ 79.78 грн
500+ 72.9 грн
1000+ 62.17 грн
3000+ 60.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N65E-GE3 SIHP6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp6n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.66 грн
10+ 128.13 грн
100+ 88.03 грн
250+ 81.84 грн
500+ 74.28 грн
1000+ 61.35 грн
2000+ 60.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHU6N65E-GE3 SIHU6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihu6n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
на замовлення 2701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.76 грн
10+ 100.44 грн
75+ 68.77 грн
300+ 63.89 грн
525+ 58.05 грн
1050+ 49.72 грн
2550+ 49.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB6N65K3 STB6N65K3 STMicroelectronics MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.11 грн
10+ 85.42 грн
100+ 57.7 грн
500+ 48.9 грн
1000+ 39.75 грн
2000+ 37.41 грн
5000+ 35.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140850.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics std16n65m2-1850321.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 5531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.88 грн
10+ 132.87 грн
100+ 92.16 грн
500+ 77.71 грн
1000+ 64.58 грн
2500+ 61.28 грн
5000+ 59.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140850.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.56 грн
10+ 116.77 грн
100+ 92.94 грн
500+ 73.8 грн
1000+ 62.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+191.33 грн
5+ 156.17 грн
7+ 133.97 грн
17+ 126.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+229.6 грн
5+ 194.62 грн
7+ 160.76 грн
17+ 152.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+109.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+97.45 грн
5000+ 90.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5-1850551.pdf MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.44 грн
10+ 179.54 грн
25+ 147.18 грн
100+ 125.86 грн
250+ 118.98 грн
500+ 112.1 грн
1000+ 96.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 7981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.12 грн
10+ 161.83 грн
100+ 130.94 грн
500+ 109.23 грн
1000+ 93.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD6N65M2 STD6N65M2 STMicroelectronics en.DM00127825.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.74 грн
10+ 73.36 грн
100+ 57.04 грн
500+ 45.37 грн
1000+ 36.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD6N65M2 STD6N65M2 STMicroelectronics stb6n65m2-1850048.pdf MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
4+101.1 грн
10+ 81.46 грн
100+ 55.23 грн
500+ 46.77 грн
1000+ 38.1 грн
2500+ 35.83 грн
5000+ 34.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.73 грн
10+ 82.39 грн
28+ 78.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+171.27 грн
10+ 102.67 грн
28+ 93.7 грн
500+ 91.99 грн
1000+ 90.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics stf16n65m2-1850541.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.24 грн
10+ 100.44 грн
100+ 77.71 грн
500+ 68.77 грн
1000+ 65.27 грн
2000+ 62.38 грн
5000+ 60.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.05 грн
50+ 115.01 грн
100+ 94.63 грн
500+ 75.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics STF16N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.16 грн
3+ 177.67 грн
6+ 138.98 грн
17+ 131.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics STF16N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+254.6 грн
3+ 221.4 грн
6+ 166.78 грн
17+ 157.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics stf16n65m5-1850542.pdf MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH
на замовлення 11971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.07 грн
25+ 131.29 грн
100+ 101.79 грн
500+ 97.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics en.CD00218186.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215 грн
50+ 163.97 грн
100+ 140.55 грн
500+ 117.24 грн
1000+ 100.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF26N65DM2 STMicroelectronics stf26n65dm2-1850822.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.61 грн
10+ 226.2 грн
25+ 165.75 грн
100+ 148.55 грн
250+ 142.36 грн
500+ 135.49 грн
1000+ 121.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N65K3 STF6N65K3 STMicroelectronics stf6n65k3-1850651.pdf MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.92 грн
10+ 91.74 грн
100+ 70.15 грн
250+ 65.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N65K3 STF6N65K3 STMicroelectronics cd0029732.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 25
STF6N65M2 STF6N65M2 STMicroelectronics stf6n65m2-1379793.pdf MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.1 грн
10+ 82.25 грн
100+ 57.63 грн
500+ 54.54 грн
1000+ 44.43 грн
2000+ 40.37 грн
5000+ 38.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
STL16N65M2 STL16N65M2 STMicroelectronics stl16n65m2-1851064.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.1 грн
10+ 139.2 грн
100+ 96.28 грн
250+ 94.91 грн
500+ 81.84 грн
1000+ 68.77 грн
3000+ 65.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL16N65M2 STL16N65M2 STMicroelectronics en.DM00141948.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.23 грн
10+ 125.23 грн
100+ 99.68 грн
500+ 79.15 грн
1000+ 67.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M2 STP16N65M2 STMicroelectronics stp16n65m2-1851504.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.47 грн
10+ 85.42 грн
100+ 70.84 грн
250+ 69.46 грн
500+ 66.5 грн
1000+ 64.58 грн
2000+ 63.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M5 STP16N65M5 STMicroelectronics stf16n65m5-1850542.pdf MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.69 грн
25+ 182.7 грн
100+ 136.17 грн
500+ 121.04 грн
1000+ 103.16 грн
2000+ 96.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M5 STP16N65M5 STMicroelectronics 1684623289557307cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP16N65M5 STP16N65M5 STMicroelectronics en.CD00218186.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.26 грн
50+ 163.61 грн
100+ 140.23 грн
500+ 116.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M5 ST en.CD00218186.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+132.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP26N65DM2 STP26N65DM2 STMicroelectronics stp26n65dm2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.39 грн
10+ 184.83 грн
100+ 149.56 грн
500+ 124.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU16N65M2 STU16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140964.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 10491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.49 грн
75+ 120.16 грн
150+ 98.87 грн
525+ 78.51 грн
1050+ 66.61 грн
2025+ 63.28 грн
5025+ 59.9 грн
10050+ 57.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU16N65M2 STU16N65M2 STMicroelectronics stp16n65m2-1851504.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.5 грн
10+ 133.66 грн
100+ 96.28 грн
250+ 88.03 грн
500+ 80.47 грн
1000+ 65.27 грн
3000+ 63.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU6N65M2 STU6N65M2 STMicroelectronics stf6n65m2-1379793.pdf MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.04 грн
10+ 49.27 грн
100+ 36.86 грн
500+ 34.11 грн
1000+ 29.16 грн
3000+ 27.37 грн
6000+ 27.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW56N65DM2 STW56N65DM2 STMicroelectronics stw56n65dm2-1852254.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+828.84 грн
25+ 652.5 грн
100+ 507.55 грн
250+ 447.72 грн
600+ 402.33 грн
STW56N65M2 STW56N65M2 STMicroelectronics stw56n65m2-1852163.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ 49 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+651.52 грн
10+ 571.03 грн
25+ 433.97 грн
100+ 398.2 грн
250+ 351.44 грн
600+ 315.67 грн
1200+ 301.92 грн
STW56N65M2 STW56N65M2 STMicroelectronics en.DM00151747.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 49A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+599.62 грн
30+ 460.72 грн
TRS16N65FB,S1Q TRS16N65FB,S1Q Toshiba TRS16N65FB_datasheet_en_20200703-1891865.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+431.67 грн
10+ 337.72 грн
120+ 251.03 грн
270+ 240.71 грн
510+ 223.52 грн
1020+ 185 грн
TRS16N65FB,S1Q TRS16N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20200703.pdf?did=69235 Description: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.01 грн
30+ 303.54 грн
120+ 260.17 грн
WMJ26N65C2 WMJ26N65C2 WAYON WMx26N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+324.8 грн
3+ 240.71 грн
7+ 134.68 грн
17+ 127.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ26N65C2 WMJ26N65C2 WAYON WMx26N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+389.76 грн
3+ 299.96 грн
7+ 161.62 грн
17+ 153.02 грн
IGD06N65T6ARMA1 Infineon_IGD06N65T6_DataSheet_v02_03_EN-3011101.pdf
IGD06N65T6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.95 грн
10+ 97.28 грн
100+ 67.19 грн
250+ 62.03 грн
500+ 56.26 грн
1000+ 48.21 грн
3000+ 45.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD06N65ET6ARMA1 Infineon_IKD06N65ET6_DataSheet_v02_02_EN-3361965.pdf
IKD06N65ET6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.94 грн
10+ 80.67 грн
100+ 63.07 грн
250+ 60.52 грн
500+ 60.38 грн
1000+ 58.66 грн
3000+ 53.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFH26N65X2 media-3323918.pdf
IXFH26N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET DISCRETE
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+863.35 грн
10+ 764.8 грн
30+ 655.42 грн
60+ 640.29 грн
IXFH26N65X2 media?resourcetype=datasheets&itemid=f86fd484-1170-4f6c-9877-b6f365994bed&filename=littelfuse_discrete_mosfets_ixf_26n65x2_datasheet.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: IXFH26N65X2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+781.15 грн
30+ 608.7 грн
120+ 572.88 грн
510+ 487.22 грн
1020+ 446.9 грн
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2.pdf
IXFH46N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH46N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh46n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXFH46N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+501.42 грн
30+ 385.26 грн
120+ 356.97 грн
IXFH46N65X2 media-3322517.pdf
IXFH46N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+773.48 грн
10+ 654.08 грн
30+ 515.81 грн
120+ 473.85 грн
270+ 445.66 грн
IXFH46N65X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=10fd64af-6607-473b-bf9b-80b18b016da4&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet
IXFH46N65X3
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET 46A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+638.31 грн
10+ 526.55 грн
300+ 412.94 грн
IXFH46N65X3 media-3320569.pdf
IXFH46N65X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 46A 650V X3 TO
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+693.24 грн
10+ 585.27 грн
30+ 462.16 грн
IXFP26N65X2 media?resourcetype=datasheets&itemid=f86fd484-1170-4f6c-9877-b6f365994bed&filename=littelfuse_discrete_mosfets_ixf_26n65x2_datasheet.pdf
IXFP26N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+711.95 грн
3+ 465.12 грн
7+ 422.96 грн
IXFP26N65X2 media-3323918.pdf
IXFP26N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET DISCRETE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+712.5 грн
10+ 602.67 грн
50+ 475.92 грн
KSM6----N6--5-- Plastic_Knobs.pdf
KSM6----N6--5--
Виробник: Essentra Components
Description: SELF-ASSEMBLY PUSH PULL KNOB 1.0
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: M6
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.380" (9.65mm)
Indicator: No Indicator
Part Status: Active
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.3 грн
5+ 69.35 грн
10+ 62.4 грн
25+ 51.98 грн
50+ 46.79 грн
100+ 45.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD6N65E-GE3 sihd6n65e.pdf
SIHD6N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.14 грн
75+ 57.88 грн
150+ 47.62 грн
525+ 40.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD6N65E-GE3 sihd6n65e.pdf
SIHD6N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.74 грн
10+ 94.12 грн
100+ 65.27 грн
250+ 60.45 грн
500+ 54.81 грн
1000+ 47.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHF6N65E-GE3 sihf6n65e.pdf
SIHF6N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+175.72 грн
10+ 143.94 грн
100+ 99.72 грн
250+ 92.16 грн
500+ 83.9 грн
1000+ 70.84 грн
2000+ 69.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHJ6N65E-T1-GE3 sihj6n65e.pdf
SIHJ6N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 5912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+153.25 грн
10+ 125.75 грн
100+ 86.66 грн
250+ 79.78 грн
500+ 72.9 грн
1000+ 62.17 грн
3000+ 60.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N65E-GE3 sihp6n65e.pdf
SIHP6N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+155.66 грн
10+ 128.13 грн
100+ 88.03 грн
250+ 81.84 грн
500+ 74.28 грн
1000+ 61.35 грн
2000+ 60.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHU6N65E-GE3 sihu6n65e.pdf
SIHU6N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
на замовлення 2701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.76 грн
10+ 100.44 грн
75+ 68.77 грн
300+ 63.89 грн
525+ 58.05 грн
1050+ 49.72 грн
2550+ 49.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB6N65K3
STB6N65K3
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+105.11 грн
10+ 85.42 грн
100+ 57.7 грн
500+ 48.9 грн
1000+ 39.75 грн
2000+ 37.41 грн
5000+ 35.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD16N65M2 en.DM00140850.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+65.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M2 std16n65m2-1850321.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 5531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+162.88 грн
10+ 132.87 грн
100+ 92.16 грн
500+ 77.71 грн
1000+ 64.58 грн
2500+ 61.28 грн
5000+ 59.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M2 en.DM00140850.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+146.56 грн
10+ 116.77 грн
100+ 92.94 грн
500+ 73.8 грн
1000+ 62.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N65M5 std16n65m5.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+191.33 грн
5+ 156.17 грн
7+ 133.97 грн
17+ 126.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N65M5 std16n65m5.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+229.6 грн
5+ 194.62 грн
7+ 160.76 грн
17+ 152.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M5 std16n65m5.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+109.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M5 en.CD00288956.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+97.45 грн
5000+ 90.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M5 std16n65m5-1850551.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+217.44 грн
10+ 179.54 грн
25+ 147.18 грн
100+ 125.86 грн
250+ 118.98 грн
500+ 112.1 грн
1000+ 96.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M5 en.CD00288956.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 7981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.12 грн
10+ 161.83 грн
100+ 130.94 грн
500+ 109.23 грн
1000+ 93.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD6N65M2 en.DM00127825.pdf
STD6N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.74 грн
10+ 73.36 грн
100+ 57.04 грн
500+ 45.37 грн
1000+ 36.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD6N65M2 stb6n65m2-1850048.pdf
STD6N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.1 грн
10+ 81.46 грн
100+ 55.23 грн
500+ 46.77 грн
1000+ 38.1 грн
2500+ 35.83 грн
5000+ 34.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.73 грн
10+ 82.39 грн
28+ 78.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+171.27 грн
10+ 102.67 грн
28+ 93.7 грн
500+ 91.99 грн
1000+ 90.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M2 stf16n65m2-1850541.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.24 грн
10+ 100.44 грн
100+ 77.71 грн
500+ 68.77 грн
1000+ 65.27 грн
2000+ 62.38 грн
5000+ 60.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.05 грн
50+ 115.01 грн
100+ 94.63 грн
500+ 75.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M5 STF16N65M5.pdf
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+212.16 грн
3+ 177.67 грн
6+ 138.98 грн
17+ 131.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M5 STF16N65M5.pdf
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+254.6 грн
3+ 221.4 грн
6+ 166.78 грн
17+ 157.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M5 stf16n65m5-1850542.pdf
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH
на замовлення 11971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+158.07 грн
25+ 131.29 грн
100+ 101.79 грн
500+ 97.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M5 en.CD00218186.pdf
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215 грн
50+ 163.97 грн
100+ 140.55 грн
500+ 117.24 грн
1000+ 100.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF26N65DM2 stf26n65dm2-1850822.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+273.61 грн
10+ 226.2 грн
25+ 165.75 грн
100+ 148.55 грн
250+ 142.36 грн
500+ 135.49 грн
1000+ 121.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N65K3 stf6n65k3-1850651.pdf
STF6N65K3
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+174.92 грн
10+ 91.74 грн
100+ 70.15 грн
250+ 65.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N65K3 cd0029732.pdf
STF6N65K3
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 25
STF6N65M2 stf6n65m2-1379793.pdf
STF6N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.1 грн
10+ 82.25 грн
100+ 57.63 грн
500+ 54.54 грн
1000+ 44.43 грн
2000+ 40.37 грн
5000+ 38.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
STL16N65M2 stl16n65m2-1851064.pdf
STL16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.1 грн
10+ 139.2 грн
100+ 96.28 грн
250+ 94.91 грн
500+ 81.84 грн
1000+ 68.77 грн
3000+ 65.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL16N65M2 en.DM00141948.pdf
STL16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.23 грн
10+ 125.23 грн
100+ 99.68 грн
500+ 79.15 грн
1000+ 67.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M2 stp16n65m2-1851504.pdf
STP16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.47 грн
10+ 85.42 грн
100+ 70.84 грн
250+ 69.46 грн
500+ 66.5 грн
1000+ 64.58 грн
2000+ 63.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M5 stf16n65m5-1850542.pdf
STP16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.69 грн
25+ 182.7 грн
100+ 136.17 грн
500+ 121.04 грн
1000+ 103.16 грн
2000+ 96.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M5 1684623289557307cd002.pdf
STP16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP16N65M5 en.CD00218186.pdf
STP16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.26 грн
50+ 163.61 грн
100+ 140.23 грн
500+ 116.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M5 en.CD00218186.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+132.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP26N65DM2 stp26n65dm2.pdf
STP26N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+228.39 грн
10+ 184.83 грн
100+ 149.56 грн
500+ 124.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU16N65M2 en.DM00140964.pdf
STU16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 10491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.49 грн
75+ 120.16 грн
150+ 98.87 грн
525+ 78.51 грн
1050+ 66.61 грн
2025+ 63.28 грн
5025+ 59.9 грн
10050+ 57.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU16N65M2 stp16n65m2-1851504.pdf
STU16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.5 грн
10+ 133.66 грн
100+ 96.28 грн
250+ 88.03 грн
500+ 80.47 грн
1000+ 65.27 грн
3000+ 63.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU6N65M2 stf6n65m2-1379793.pdf
STU6N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.04 грн
10+ 49.27 грн
100+ 36.86 грн
500+ 34.11 грн
1000+ 29.16 грн
3000+ 27.37 грн
6000+ 27.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW56N65DM2 stw56n65dm2-1852254.pdf
STW56N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+828.84 грн
25+ 652.5 грн
100+ 507.55 грн
250+ 447.72 грн
600+ 402.33 грн
STW56N65M2 stw56n65m2-1852163.pdf
STW56N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ 49 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+651.52 грн
10+ 571.03 грн
25+ 433.97 грн
100+ 398.2 грн
250+ 351.44 грн
600+ 315.67 грн
1200+ 301.92 грн
STW56N65M2 en.DM00151747.pdf
STW56N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 49A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+599.62 грн
30+ 460.72 грн
TRS16N65FB,S1Q TRS16N65FB_datasheet_en_20200703-1891865.pdf
TRS16N65FB,S1Q
Виробник: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+431.67 грн
10+ 337.72 грн
120+ 251.03 грн
270+ 240.71 грн
510+ 223.52 грн
1020+ 185 грн
TRS16N65FB,S1Q datasheet_en_20200703.pdf?did=69235
TRS16N65FB,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+398.01 грн
30+ 303.54 грн
120+ 260.17 грн
WMJ26N65C2 WMx26N65C2.pdf
WMJ26N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+324.8 грн
3+ 240.71 грн
7+ 134.68 грн
17+ 127.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ26N65C2 WMx26N65C2.pdf
WMJ26N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+389.76 грн
3+ 299.96 грн
7+ 161.62 грн
17+ 153.02 грн
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]