Результат пошуку "6n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IGD06N65T6ARMA1 IGD06N65T6ARMA1 Infineon Technologies Infineon_IGD06N65T6_DataSheet_v02_03_EN-3011101.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.36 грн
10+ 97.62 грн
100+ 67.43 грн
250+ 62.25 грн
500+ 56.45 грн
1000+ 48.38 грн
3000+ 45.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD06N65ET6ARMA1 IKD06N65ET6ARMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD06N65ET6_DataSheet_v02_02_EN-3361965.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.33 грн
10+ 80.95 грн
100+ 63.28 грн
250+ 60.73 грн
500+ 60.59 грн
1000+ 58.87 грн
3000+ 53.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFH26N65X2 IXFH26N65X2 IXYS media-3323918.pdf MOSFET MOSFET DISCRETE
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+866.34 грн
10+ 767.46 грн
30+ 657.69 грн
60+ 641.82 грн
IXFH26N65X2 Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=f86fd484-1170-4f6c-9877-b6f365994bed&filename=littelfuse_discrete_mosfets_ixf_26n65x2_datasheet.pdf Description: IXFH26N65X2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+783.86 грн
30+ 610.81 грн
120+ 574.87 грн
510+ 488.92 грн
1020+ 448.45 грн
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS IXFH46N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh46n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+715.18 грн
30+ 549.92 грн
120+ 492.04 грн
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS media-3322517.pdf MOSFET MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+776.17 грн
10+ 656.35 грн
30+ 517.6 грн
120+ 475.5 грн
270+ 447.89 грн
IXFH46N65X3 IXFH46N65X3 Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=10fd64af-6607-473b-bf9b-80b18b016da4&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet Description: MOSFET 46A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+640.53 грн
10+ 528.38 грн
300+ 414.37 грн
IXFH46N65X3 IXFH46N65X3 IXYS media-3320569.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 46A 650V X3 TO
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+695.65 грн
10+ 587.3 грн
30+ 464.46 грн
IXFP26N65X2 IXFP26N65X2 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=f86fd484-1170-4f6c-9877-b6f365994bed&filename=littelfuse_discrete_mosfets_ixf_26n65x2_datasheet.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+714.42 грн
3+ 476.59 грн
7+ 433.92 грн
IXFP26N65X2 IXFP26N65X2 IXYS media-3323918.pdf MOSFET MOSFET DISCRETE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+714.98 грн
10+ 604.76 грн
50+ 476.88 грн
KSM6----N6--5-- KSM6----N6--5-- Essentra Components Plastic_Knobs.pdf Description: SELF-ASSEMBLY PUSH PULL KNOB 1.0
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: M6
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.380" (9.65mm)
Indicator: No Indicator
Part Status: Active
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.6 грн
5+ 69.59 грн
10+ 62.61 грн
25+ 52.16 грн
50+ 46.96 грн
100+ 45.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD6N65E-GE3 SIHD6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihd6n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.32 грн
10+ 64.68 грн
100+ 47.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD6N65E-GE3 SIHD6N65E-GE3 Vishay Siliconix sihd6n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.4 грн
75+ 58.08 грн
150+ 47.78 грн
525+ 40.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHF6N65E-GE3 SIHF6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihf6n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.33 грн
10+ 144.44 грн
100+ 100.07 грн
250+ 92.48 грн
500+ 84.2 грн
1000+ 71.08 грн
2000+ 69.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHJ6N65E-T1-GE3 SIHJ6N65E-T1-GE3 Vishay Semiconductors sihj6n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 5912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.78 грн
10+ 126.19 грн
100+ 86.96 грн
250+ 80.06 грн
500+ 73.15 грн
1000+ 62.39 грн
3000+ 60.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N65E-GE3 SIHP6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp6n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.2 грн
10+ 128.57 грн
100+ 88.34 грн
250+ 82.13 грн
500+ 74.53 грн
1000+ 61.9 грн
2000+ 60.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHU6N65E-GE3 SIHU6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihu6n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.19 грн
10+ 100.79 грн
75+ 69.01 грн
300+ 64.11 грн
525+ 58.25 грн
1050+ 49.9 грн
2550+ 46.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB6N65K3 STB6N65K3 STMicroelectronics MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.47 грн
10+ 85.71 грн
100+ 57.9 грн
500+ 49.07 грн
1000+ 39.89 грн
2000+ 37.54 грн
5000+ 35.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140850.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.07 грн
10+ 117.18 грн
100+ 93.26 грн
500+ 74.06 грн
1000+ 62.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics std16n65m2-1850321.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+163.45 грн
10+ 133.33 грн
100+ 92.48 грн
500+ 77.98 грн
1000+ 64.8 грн
2500+ 61.49 грн
5000+ 59.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140850.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+192 грн
5+ 156.72 грн
7+ 137.31 грн
17+ 129.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+230.4 грн
5+ 195.29 грн
7+ 164.77 грн
17+ 155.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+97.79 грн
5000+ 90.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+110.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5-1850551.pdf MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.2 грн
10+ 180.95 грн
100+ 126.98 грн
500+ 111.8 грн
1000+ 96.62 грн
2500+ 90.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 7981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.82 грн
10+ 162.4 грн
100+ 131.4 грн
500+ 109.61 грн
1000+ 93.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD6N65M2 STD6N65M2 STMicroelectronics en.DM00127825.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+ 73.61 грн
100+ 57.24 грн
500+ 45.53 грн
1000+ 37.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD6N65M2 STD6N65M2 STMicroelectronics stb6n65m2-1850048.pdf MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
4+101.45 грн
10+ 81.75 грн
100+ 55.42 грн
500+ 46.93 грн
1000+ 38.23 грн
2500+ 35.96 грн
5000+ 34.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.22 грн
10+ 84.11 грн
28+ 79.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+171.87 грн
10+ 104.81 грн
28+ 95.76 грн
500+ 92.3 грн
1000+ 91.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics stf16n65m2-1850541.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.56 грн
10+ 100.79 грн
100+ 77.98 грн
500+ 69.01 грн
1000+ 65.49 грн
2000+ 62.59 грн
5000+ 60.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.56 грн
50+ 115.41 грн
100+ 94.96 грн
500+ 75.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics STF16N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.9 грн
3+ 178.28 грн
6+ 141.62 грн
17+ 133.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics STF16N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+255.48 грн
3+ 222.17 грн
6+ 169.94 грн
17+ 160.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics stf16n65m5-1850542.pdf MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH
на замовлення 12071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.61 грн
25+ 131.75 грн
100+ 102.14 грн
500+ 98 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics en.CD00218186.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.75 грн
50+ 164.54 грн
100+ 141.04 грн
500+ 117.65 грн
1000+ 100.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF26N65DM2 STMicroelectronics stf26n65dm2-1850822.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.56 грн
10+ 226.98 грн
25+ 166.32 грн
100+ 149.07 грн
250+ 142.86 грн
500+ 135.96 грн
1000+ 121.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N65K3 STF6N65K3 STMicroelectronics stf6n65k3-1850651.pdf MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.52 грн
10+ 92.06 грн
100+ 70.39 грн
250+ 65.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N65K3 STF6N65K3 STMicroelectronics cd0029732.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.2 грн
Мінімальне замовлення: 25
STF6N65M2 STF6N65M2 STMicroelectronics stf6n65m2-1379793.pdf MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.45 грн
10+ 82.54 грн
100+ 57.83 грн
500+ 54.73 грн
1000+ 44.58 грн
2000+ 40.51 грн
5000+ 39.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
STL16N65M2 STL16N65M2 STMicroelectronics stl16n65m2-1851064.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.69 грн
10+ 139.68 грн
100+ 96.62 грн
250+ 93.17 грн
500+ 81.44 грн
1000+ 69.01 грн
3000+ 65.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL16N65M2 STL16N65M2 STMicroelectronics en.DM00141948.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.77 грн
10+ 125.66 грн
100+ 100.03 грн
500+ 79.42 грн
1000+ 67.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M2 STP16N65M2 STMicroelectronics stp16n65m2-1851504.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.03 грн
10+ 88.1 грн
100+ 72.46 грн
250+ 71.08 грн
500+ 68.05 грн
1000+ 64.8 грн
2000+ 63.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M5 STP16N65M5 STMicroelectronics stf16n65m5-1850542.pdf MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.49 грн
25+ 183.33 грн
100+ 136.65 грн
500+ 121.46 грн
1000+ 103.52 грн
2000+ 96.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M5 STP16N65M5 STMicroelectronics 1684623289557307cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP16N65M5 STP16N65M5 STMicroelectronics en.CD00218186.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215 грн
50+ 164.18 грн
100+ 140.72 грн
500+ 117.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M5 ST en.CD00218186.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+131.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP26N65DM2 STP26N65DM2 STMicroelectronics stp26n65dm2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.19 грн
10+ 185.47 грн
100+ 150.08 грн
500+ 125.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU16N65M2 STU16N65M2 STMicroelectronics stp16n65m2-1851504.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.08 грн
10+ 134.13 грн
100+ 96.62 грн
250+ 88.34 грн
500+ 80.75 грн
1000+ 65.49 грн
3000+ 63.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU16N65M2 STU16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140964.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 10491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.03 грн
75+ 120.58 грн
150+ 99.21 грн
525+ 78.78 грн
1050+ 66.84 грн
2025+ 63.5 грн
5025+ 60.11 грн
10050+ 58.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU6N65M2 STU6N65M2 STMicroelectronics stf6n65m2-1379793.pdf MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.32 грн
10+ 49.44 грн
100+ 36.99 грн
500+ 34.23 грн
1000+ 29.26 грн
3000+ 27.47 грн
6000+ 27.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW56N65DM2 STW56N65DM2 STMicroelectronics stw56n65dm2-1852254.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+831.72 грн
25+ 654.76 грн
100+ 509.32 грн
250+ 449.27 грн
600+ 403.73 грн
STW56N65M2 STW56N65M2 STMicroelectronics stw56n65m2-1852163.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ 49 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+653.78 грн
10+ 573.02 грн
25+ 435.47 грн
100+ 399.59 грн
250+ 352.66 грн
600+ 316.77 грн
1200+ 302.97 грн
STW56N65M2 STW56N65M2 STMicroelectronics en.DM00151747.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 49A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+601.71 грн
30+ 462.32 грн
120+ 413.65 грн
TRS16N65FB,S1Q TRS16N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20200703.pdf?did=69235 Description: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.4 грн
30+ 304.59 грн
120+ 261.08 грн
TRS16N65FB,S1Q TRS16N65FB,S1Q Toshiba TRS16N65FB_datasheet_en_20200703-1891865.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.17 грн
10+ 338.89 грн
120+ 251.9 грн
270+ 241.55 грн
510+ 224.29 грн
1020+ 185.65 грн
WMJ26N65C2 WMJ26N65C2 WAYON WMx26N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.96 грн
3+ 237.23 грн
7+ 137.31 грн
17+ 130.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ26N65C2 WMJ26N65C2 WAYON WMx26N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+382.76 грн
3+ 295.63 грн
7+ 164.77 грн
17+ 156.14 грн
900+ 152.69 грн
IGD06N65T6ARMA1 Infineon_IGD06N65T6_DataSheet_v02_03_EN-3011101.pdf
IGD06N65T6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.36 грн
10+ 97.62 грн
100+ 67.43 грн
250+ 62.25 грн
500+ 56.45 грн
1000+ 48.38 грн
3000+ 45.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD06N65ET6ARMA1 Infineon_IKD06N65ET6_DataSheet_v02_02_EN-3361965.pdf
IKD06N65ET6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.33 грн
10+ 80.95 грн
100+ 63.28 грн
250+ 60.73 грн
500+ 60.59 грн
1000+ 58.87 грн
3000+ 53.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFH26N65X2 media-3323918.pdf
IXFH26N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET DISCRETE
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+866.34 грн
10+ 767.46 грн
30+ 657.69 грн
60+ 641.82 грн
IXFH26N65X2 media?resourcetype=datasheets&itemid=f86fd484-1170-4f6c-9877-b6f365994bed&filename=littelfuse_discrete_mosfets_ixf_26n65x2_datasheet.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: IXFH26N65X2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+783.86 грн
30+ 610.81 грн
120+ 574.87 грн
510+ 488.92 грн
1020+ 448.45 грн
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2.pdf
IXFH46N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH46N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh46n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXFH46N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+715.18 грн
30+ 549.92 грн
120+ 492.04 грн
IXFH46N65X2 media-3322517.pdf
IXFH46N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+776.17 грн
10+ 656.35 грн
30+ 517.6 грн
120+ 475.5 грн
270+ 447.89 грн
IXFH46N65X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=10fd64af-6607-473b-bf9b-80b18b016da4&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet
IXFH46N65X3
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET 46A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+640.53 грн
10+ 528.38 грн
300+ 414.37 грн
IXFH46N65X3 media-3320569.pdf
IXFH46N65X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 46A 650V X3 TO
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+695.65 грн
10+ 587.3 грн
30+ 464.46 грн
IXFP26N65X2 media?resourcetype=datasheets&itemid=f86fd484-1170-4f6c-9877-b6f365994bed&filename=littelfuse_discrete_mosfets_ixf_26n65x2_datasheet.pdf
IXFP26N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+714.42 грн
3+ 476.59 грн
7+ 433.92 грн
IXFP26N65X2 media-3323918.pdf
IXFP26N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET DISCRETE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+714.98 грн
10+ 604.76 грн
50+ 476.88 грн
KSM6----N6--5-- Plastic_Knobs.pdf
KSM6----N6--5--
Виробник: Essentra Components
Description: SELF-ASSEMBLY PUSH PULL KNOB 1.0
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: M6
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.380" (9.65mm)
Indicator: No Indicator
Part Status: Active
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.6 грн
5+ 69.59 грн
10+ 62.61 грн
25+ 52.16 грн
50+ 46.96 грн
100+ 45.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD6N65E-GE3 sihd6n65e.pdf
SIHD6N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.32 грн
10+ 64.68 грн
100+ 47.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD6N65E-GE3 sihd6n65e.pdf
SIHD6N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.4 грн
75+ 58.08 грн
150+ 47.78 грн
525+ 40.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHF6N65E-GE3 sihf6n65e.pdf
SIHF6N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.33 грн
10+ 144.44 грн
100+ 100.07 грн
250+ 92.48 грн
500+ 84.2 грн
1000+ 71.08 грн
2000+ 69.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHJ6N65E-T1-GE3 sihj6n65e.pdf
SIHJ6N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 5912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+153.78 грн
10+ 126.19 грн
100+ 86.96 грн
250+ 80.06 грн
500+ 73.15 грн
1000+ 62.39 грн
3000+ 60.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N65E-GE3 sihp6n65e.pdf
SIHP6N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+156.2 грн
10+ 128.57 грн
100+ 88.34 грн
250+ 82.13 грн
500+ 74.53 грн
1000+ 61.9 грн
2000+ 60.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHU6N65E-GE3 sihu6n65e.pdf
SIHU6N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.19 грн
10+ 100.79 грн
75+ 69.01 грн
300+ 64.11 грн
525+ 58.25 грн
1050+ 49.9 грн
2550+ 46.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB6N65K3
STB6N65K3
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+105.47 грн
10+ 85.71 грн
100+ 57.9 грн
500+ 49.07 грн
1000+ 39.89 грн
2000+ 37.54 грн
5000+ 35.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD16N65M2 en.DM00140850.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.07 грн
10+ 117.18 грн
100+ 93.26 грн
500+ 74.06 грн
1000+ 62.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N65M2 std16n65m2-1850321.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.45 грн
10+ 133.33 грн
100+ 92.48 грн
500+ 77.98 грн
1000+ 64.8 грн
2500+ 61.49 грн
5000+ 59.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M2 en.DM00140850.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M5 std16n65m5.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+192 грн
5+ 156.72 грн
7+ 137.31 грн
17+ 129.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N65M5 std16n65m5.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+230.4 грн
5+ 195.29 грн
7+ 164.77 грн
17+ 155.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M5 en.CD00288956.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+97.79 грн
5000+ 90.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M5 std16n65m5.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+110.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M5 std16n65m5-1850551.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+218.2 грн
10+ 180.95 грн
100+ 126.98 грн
500+ 111.8 грн
1000+ 96.62 грн
2500+ 90.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M5 en.CD00288956.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 7981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.82 грн
10+ 162.4 грн
100+ 131.4 грн
500+ 109.61 грн
1000+ 93.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD6N65M2 en.DM00127825.pdf
STD6N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.06 грн
10+ 73.61 грн
100+ 57.24 грн
500+ 45.53 грн
1000+ 37.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD6N65M2 stb6n65m2-1850048.pdf
STD6N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.45 грн
10+ 81.75 грн
100+ 55.42 грн
500+ 46.93 грн
1000+ 38.23 грн
2500+ 35.96 грн
5000+ 34.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.22 грн
10+ 84.11 грн
28+ 79.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+171.87 грн
10+ 104.81 грн
28+ 95.76 грн
500+ 92.3 грн
1000+ 91.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M2 stf16n65m2-1850541.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.56 грн
10+ 100.79 грн
100+ 77.98 грн
500+ 69.01 грн
1000+ 65.49 грн
2000+ 62.59 грн
5000+ 60.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.56 грн
50+ 115.41 грн
100+ 94.96 грн
500+ 75.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M5 STF16N65M5.pdf
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+212.9 грн
3+ 178.28 грн
6+ 141.62 грн
17+ 133.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M5 STF16N65M5.pdf
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+255.48 грн
3+ 222.17 грн
6+ 169.94 грн
17+ 160.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M5 stf16n65m5-1850542.pdf
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH
на замовлення 12071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+158.61 грн
25+ 131.75 грн
100+ 102.14 грн
500+ 98 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M5 en.CD00218186.pdf
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215.75 грн
50+ 164.54 грн
100+ 141.04 грн
500+ 117.65 грн
1000+ 100.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF26N65DM2 stf26n65dm2-1850822.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+274.56 грн
10+ 226.98 грн
25+ 166.32 грн
100+ 149.07 грн
250+ 142.86 грн
500+ 135.96 грн
1000+ 121.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N65K3 stf6n65k3-1850651.pdf
STF6N65K3
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+175.52 грн
10+ 92.06 грн
100+ 70.39 грн
250+ 65.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N65K3 cd0029732.pdf
STF6N65K3
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+13.2 грн
Мінімальне замовлення: 25
STF6N65M2 stf6n65m2-1379793.pdf
STF6N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.45 грн
10+ 82.54 грн
100+ 57.83 грн
500+ 54.73 грн
1000+ 44.58 грн
2000+ 40.51 грн
5000+ 39.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
STL16N65M2 stl16n65m2-1851064.pdf
STL16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.69 грн
10+ 139.68 грн
100+ 96.62 грн
250+ 93.17 грн
500+ 81.44 грн
1000+ 69.01 грн
3000+ 65.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL16N65M2 en.DM00141948.pdf
STL16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.77 грн
10+ 125.66 грн
100+ 100.03 грн
500+ 79.42 грн
1000+ 67.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M2 stp16n65m2-1851504.pdf
STP16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161.03 грн
10+ 88.1 грн
100+ 72.46 грн
250+ 71.08 грн
500+ 68.05 грн
1000+ 64.8 грн
2000+ 63.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M5 stf16n65m5-1850542.pdf
STP16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+233.49 грн
25+ 183.33 грн
100+ 136.65 грн
500+ 121.46 грн
1000+ 103.52 грн
2000+ 96.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M5 1684623289557307cd002.pdf
STP16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP16N65M5 en.CD00218186.pdf
STP16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215 грн
50+ 164.18 грн
100+ 140.72 грн
500+ 117.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M5 en.CD00218186.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+131.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP26N65DM2 stp26n65dm2.pdf
STP26N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+229.19 грн
10+ 185.47 грн
100+ 150.08 грн
500+ 125.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU16N65M2 stp16n65m2-1851504.pdf
STU16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.08 грн
10+ 134.13 грн
100+ 96.62 грн
250+ 88.34 грн
500+ 80.75 грн
1000+ 65.49 грн
3000+ 63.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU16N65M2 en.DM00140964.pdf
STU16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 10491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.03 грн
75+ 120.58 грн
150+ 99.21 грн
525+ 78.78 грн
1050+ 66.84 грн
2025+ 63.5 грн
5025+ 60.11 грн
10050+ 58.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU6N65M2 stf6n65m2-1379793.pdf
STU6N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.32 грн
10+ 49.44 грн
100+ 36.99 грн
500+ 34.23 грн
1000+ 29.26 грн
3000+ 27.47 грн
6000+ 27.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW56N65DM2 stw56n65dm2-1852254.pdf
STW56N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+831.72 грн
25+ 654.76 грн
100+ 509.32 грн
250+ 449.27 грн
600+ 403.73 грн
STW56N65M2 stw56n65m2-1852163.pdf
STW56N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ 49 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+653.78 грн
10+ 573.02 грн
25+ 435.47 грн
100+ 399.59 грн
250+ 352.66 грн
600+ 316.77 грн
1200+ 302.97 грн
STW56N65M2 en.DM00151747.pdf
STW56N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 49A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+601.71 грн
30+ 462.32 грн
120+ 413.65 грн
TRS16N65FB,S1Q datasheet_en_20200703.pdf?did=69235
TRS16N65FB,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+399.4 грн
30+ 304.59 грн
120+ 261.08 грн
TRS16N65FB,S1Q TRS16N65FB_datasheet_en_20200703-1891865.pdf
TRS16N65FB,S1Q
Виробник: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+433.17 грн
10+ 338.89 грн
120+ 251.9 грн
270+ 241.55 грн
510+ 224.29 грн
1020+ 185.65 грн
WMJ26N65C2 WMx26N65C2.pdf
WMJ26N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+318.96 грн
3+ 237.23 грн
7+ 137.31 грн
17+ 130.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ26N65C2 WMx26N65C2.pdf
WMJ26N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+382.76 грн
3+ 295.63 грн
7+ 164.77 грн
17+ 156.14 грн
900+ 152.69 грн
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]