Результат пошуку "3N60" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SPP03N60C3XKSA1 SPP03N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP_A03N60C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42dfb1c492b Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 623918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
799+25.5 грн
Мінімальне замовлення: 799
SPS03N60C3AKMA1 SPS03N60C3AKMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3-11
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+30.2 грн
Мінімальне замовлення: 666
SPU03N60C3BKMA1 SPU03N60C3BKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SP_03N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.75 грн
8+ 45.83 грн
20+ 40.03 грн
55+ 37.96 грн
500+ 36.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
SPU03N60C3BKMA1 SPU03N60C3BKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SP_03N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+66.9 грн
5+ 57.11 грн
20+ 48.04 грн
55+ 45.55 грн
500+ 43.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics STB13N60M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.69 грн
5+ 95.94 грн
10+ 84.89 грн
26+ 80.06 грн
200+ 76.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics STB13N60M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 874 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+140.03 грн
5+ 119.55 грн
10+ 101.87 грн
26+ 96.07 грн
200+ 91.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics stb13n60m2-1850166.pdf MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.56 грн
10+ 132.58 грн
100+ 92.1 грн
250+ 88.12 грн
500+ 76.86 грн
1000+ 65.33 грн
2000+ 62.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics en.DM00082928.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+151.23 грн
10+ 120.71 грн
100+ 96.11 грн
500+ 76.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics en.DM00082928.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.65 грн
2000+ 65.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB33N60DM2 STB33N60DM2 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+296.73 грн
10+ 239.63 грн
100+ 193.85 грн
500+ 161.71 грн
STB33N60DM2 STB33N60DM2 STMicroelectronics stb33n60dm2-1850172.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+317.71 грн
10+ 262.88 грн
25+ 216 грн
100+ 184.86 грн
250+ 174.92 грн
500+ 164.32 грн
1000+ 137.82 грн
STB33N60DM6 STB33N60DM6 STMicroelectronics stb33n60dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.38 грн
10+ 293.95 грн
100+ 237.84 грн
STB33N60M2 STB33N60M2 STMicroelectronics stb33n60m2-1850311.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.24 грн
10+ 236.21 грн
100+ 162.99 грн
500+ 145.11 грн
1000+ 123.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD13N60DM2 STD13N60DM2 STMicroelectronics en.DM00286120.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 4748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.98 грн
10+ 95.04 грн
100+ 75.67 грн
500+ 60.08 грн
1000+ 50.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60DM2 STD13N60DM2 STMicroelectronics std13n60dm2-1850491.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.55 грн
10+ 105.15 грн
100+ 72.88 грн
250+ 70.9 грн
500+ 60.43 грн
1000+ 51.81 грн
2500+ 49.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60DM2 STD13N60DM2 STMicroelectronics en.DM00286120.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD13N60DM2 STD13N60DM2 STMicroelectronics en.dm00286120.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics STB13N60M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.6 грн
5+ 83.51 грн
12+ 70.4 грн
32+ 66.26 грн
500+ 63.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics STB13N60M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+119.52 грн
5+ 104.07 грн
12+ 84.48 грн
32+ 79.51 грн
500+ 76.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics dm00070267.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics en.DM00082928.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 8669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.03 грн
10+ 107.12 грн
100+ 85.27 грн
500+ 67.71 грн
1000+ 57.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics en.DM00082928.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.4 грн
5000+ 55.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics en.DM00082928.pdf MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.78 грн
10+ 117.34 грн
100+ 81.5 грн
250+ 80.17 грн
500+ 68.91 грн
1000+ 58.44 грн
2500+ 55.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics stf13n60dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.56 грн
10+ 84.89 грн
11+ 77.3 грн
29+ 73.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics stf13n60dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+135.57 грн
3+ 117.83 грн
10+ 101.87 грн
11+ 92.76 грн
29+ 87.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics en.DM00285795.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.73 грн
50+ 99.95 грн
100+ 82.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics stf13n60dm2-1850620.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.37 грн
10+ 109.72 грн
100+ 78.85 грн
250+ 78.18 грн
500+ 67.58 грн
1000+ 56.25 грн
2000+ 53.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics stf13n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.49 грн
10+ 81.44 грн
12+ 70.4 грн
32+ 66.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics stf13n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 482 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+115.25 грн
10+ 97.73 грн
12+ 84.48 грн
32+ 79.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics 690272105093487dm00070271.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics en.DM00070271.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.96 грн
50+ 88.25 грн
100+ 72.61 грн
500+ 57.66 грн
1000+ 48.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics stf13n60m2-1850540.pdf MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.4 грн
10+ 75.13 грн
100+ 58.77 грн
250+ 58.17 грн
500+ 52.87 грн
1000+ 48.9 грн
2000+ 47.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF33N60DM2 STF33N60DM2 STMicroelectronics stf33n60dm2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.25 грн
50+ 246.71 грн
100+ 211.47 грн
500+ 176.41 грн
1000+ 151.05 грн
2000+ 142.23 грн
STF33N60DM2 STF33N60DM2 STMicroelectronics stf33n60dm2-1850705.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.31 грн
10+ 328.41 грн
25+ 235.22 грн
100+ 202.09 грн
250+ 200.76 грн
500+ 179.56 грн
1000+ 153.72 грн
STF33N60DM6 STF33N60DM6 STMicroelectronics stf33n60dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.78 грн
50+ 205.61 грн
100+ 176.23 грн
500+ 147.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF33N60M2 STF33N60M2 STMicroelectronics en.DM00078147.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.78 грн
50+ 205.61 грн
100+ 176.23 грн
500+ 147.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF33N60M2 STF33N60M2 STMicroelectronics stf33n60m2-1850852.pdf MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.65 грн
10+ 258.31 грн
25+ 158.36 грн
100+ 145.11 грн
250+ 144.44 грн
500+ 136.49 грн
1000+ 126.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF43N60DM2 STF43N60DM2 STMicroelectronics STF43N60DM2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.86 грн
50+ 318.94 грн
100+ 273.37 грн
500+ 228.04 грн
STF43N60DM2 STF43N60DM2 STMicroelectronics stf43n60dm2-1850571.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+332.39 грн
10+ 323.84 грн
25+ 245.82 грн
100+ 224.61 грн
250+ 223.95 грн
500+ 206.73 грн
1000+ 186.19 грн
STFH13N60M2 STFH13N60M2 STMicroelectronics stfh13n60m2-1850882.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.41 грн
10+ 96.77 грн
100+ 74.21 грн
500+ 72.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60DM2 STL13N60DM2 STMicroelectronics en.DM00290959.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 11207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.9 грн
10+ 109.74 грн
100+ 87.32 грн
500+ 69.34 грн
1000+ 58.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60DM2 STL13N60DM2 STMicroelectronics stl13n60dm2-1851008.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.87 грн
10+ 120.39 грн
100+ 83.49 грн
250+ 76.86 грн
500+ 70.23 грн
1000+ 59.76 грн
3000+ 55.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60DM2 STL13N60DM2 STMicroelectronics en.DM00290959.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.85 грн
6000+ 57.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL13N60M2 STL13N60M2 STMicroelectronics en.DM00116759.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.86 грн
10+ 101.39 грн
100+ 80.7 грн
500+ 64.08 грн
1000+ 54.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60M6 STL13N60M6 STMicroelectronics stl13n60m6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL13N60M6 STL13N60M6 STMicroelectronics stl13n60m6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.71 грн
10+ 99.66 грн
100+ 79.32 грн
500+ 62.98 грн
1000+ 53.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60M6 STL13N60M6 STMicroelectronics stl13n60m6-1588884.pdf MOSFET N-channel 600 V, 330 mOhm typ 7 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
3+133.73 грн
10+ 108.96 грн
100+ 75.53 грн
250+ 72.88 грн
500+ 63.48 грн
1000+ 54.27 грн
3000+ 50.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL33N60DM2 STL33N60DM2 STMicroelectronics en.DM00128601.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.55 грн
10+ 264.83 грн
100+ 214.23 грн
500+ 178.71 грн
1000+ 153.02 грн
STL33N60DM2 STL33N60DM2 STMicroelectronics stl33n60dm2-1850990.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+350.95 грн
10+ 290.31 грн
100+ 204.74 грн
500+ 181.55 грн
1000+ 155.71 грн
3000+ 146.43 грн
STL33N60M2 STL33N60M2 STMicroelectronics stl33n60m2-1850956.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ 22 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+326.98 грн
10+ 270.5 грн
25+ 228.59 грн
100+ 190.82 грн
250+ 184.86 грн
500+ 169.62 грн
1000+ 145.11 грн
STO33N60M6 STO33N60M6 STMicroelectronics sto33n60m6-1510861.pdf MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
1+342.44 грн
10+ 283.45 грн
100+ 199.44 грн
500+ 177.57 грн
1800+ 162.99 грн
STP13N60M2 STP13N60M2 STMicroelectronics en.DM00070267.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.45 грн
50+ 100.55 грн
100+ 82.73 грн
500+ 65.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP13N60M2 STP13N60M2 STMicroelectronics stp13n60m2-1851446.pdf MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.14 грн
10+ 110.49 грн
100+ 78.85 грн
250+ 66.92 грн
500+ 57.84 грн
1000+ 53.8 грн
2000+ 53.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP33N60DM2 STP33N60DM2 STMicroelectronics stb33n60dm2-1850172.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+320.03 грн
25+ 249.93 грн
100+ 186.85 грн
500+ 165.65 грн
1000+ 137.82 грн
2000+ 131.19 грн
STP33N60DM2 STP33N60DM2 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+292.43 грн
50+ 223.41 грн
100+ 191.49 грн
STP33N60DM6 STP33N60DM6 STMicroelectronics stp33n60dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.71 грн
10+ 270.83 грн
100+ 219.11 грн
500+ 182.78 грн
1000+ 156.5 грн
STP33N60M2 STP33N60M2 STMicroelectronics en.DM00078147.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.78 грн
50+ 205.61 грн
100+ 176.23 грн
500+ 147.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP33N60M2 STP33N60M2 STMicroelectronics stf33n60m2-1850852.pdf MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.33 грн
10+ 254.5 грн
25+ 196.79 грн
100+ 168.3 грн
250+ 165.65 грн
500+ 149.74 грн
1000+ 127.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP33N60M6 STP33N60M6 STMicroelectronics stp33n60m6-1851622.pdf MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.14 грн
10+ 219.45 грн
25+ 188.17 грн
100+ 163.66 грн
250+ 162.33 грн
500+ 152.39 грн
1000+ 136.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP43N60DM2 STP43N60DM2 STMicroelectronics stp43n60dm2-1851538.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.57 грн
10+ 438.13 грн
25+ 304.12 грн
100+ 260.39 грн
500+ 231.9 грн
1000+ 202.75 грн
2000+ 186.85 грн
SPP03N60C3XKSA1 Infineon-SPP_A03N60C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42dfb1c492b
SPP03N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 623918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
799+25.5 грн
Мінімальне замовлення: 799
SPS03N60C3AKMA1
SPS03N60C3AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3-11
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
666+30.2 грн
Мінімальне замовлення: 666
SPU03N60C3BKMA1 SP_03N60C3.pdf
SPU03N60C3BKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+55.75 грн
8+ 45.83 грн
20+ 40.03 грн
55+ 37.96 грн
500+ 36.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
SPU03N60C3BKMA1 SP_03N60C3.pdf
SPU03N60C3BKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+66.9 грн
5+ 57.11 грн
20+ 48.04 грн
55+ 45.55 грн
500+ 43.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
STB13N60M2 STB13N60M2.pdf
STB13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+116.69 грн
5+ 95.94 грн
10+ 84.89 грн
26+ 80.06 грн
200+ 76.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
STB13N60M2 STB13N60M2.pdf
STB13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 874 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+140.03 грн
5+ 119.55 грн
10+ 101.87 грн
26+ 96.07 грн
200+ 91.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB13N60M2 stb13n60m2-1850166.pdf
STB13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161.56 грн
10+ 132.58 грн
100+ 92.1 грн
250+ 88.12 грн
500+ 76.86 грн
1000+ 65.33 грн
2000+ 62.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB13N60M2 en.DM00082928.pdf
STB13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+151.23 грн
10+ 120.71 грн
100+ 96.11 грн
500+ 76.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB13N60M2 en.DM00082928.pdf
STB13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+71.65 грн
2000+ 65.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB33N60DM2 ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf
STB33N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+296.73 грн
10+ 239.63 грн
100+ 193.85 грн
500+ 161.71 грн
STB33N60DM2 stb33n60dm2-1850172.pdf
STB33N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+317.71 грн
10+ 262.88 грн
25+ 216 грн
100+ 184.86 грн
250+ 174.92 грн
500+ 164.32 грн
1000+ 137.82 грн
STB33N60DM6 stb33n60dm6.pdf
STB33N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+363.38 грн
10+ 293.95 грн
100+ 237.84 грн
STB33N60M2 stb33n60m2-1850311.pdf
STB33N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+285.24 грн
10+ 236.21 грн
100+ 162.99 грн
500+ 145.11 грн
1000+ 123.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD13N60DM2 en.DM00286120.pdf
STD13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 4748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.98 грн
10+ 95.04 грн
100+ 75.67 грн
500+ 60.08 грн
1000+ 50.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60DM2 std13n60dm2-1850491.pdf
STD13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.55 грн
10+ 105.15 грн
100+ 72.88 грн
250+ 70.9 грн
500+ 60.43 грн
1000+ 51.81 грн
2500+ 49.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60DM2 en.DM00286120.pdf
STD13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+53.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD13N60DM2 en.dm00286120.pdf
STD13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
STD13N60M2 STB13N60M2.pdf
STD13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.6 грн
5+ 83.51 грн
12+ 70.4 грн
32+ 66.26 грн
500+ 63.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD13N60M2 STB13N60M2.pdf
STD13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.52 грн
5+ 104.07 грн
12+ 84.48 грн
32+ 79.51 грн
500+ 76.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60M2 dm00070267.pdf
STD13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD13N60M2 en.DM00082928.pdf
STD13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 8669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.03 грн
10+ 107.12 грн
100+ 85.27 грн
500+ 67.71 грн
1000+ 57.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60M2 en.DM00082928.pdf
STD13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+60.4 грн
5000+ 55.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD13N60M2 en.DM00082928.pdf
STD13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.78 грн
10+ 117.34 грн
100+ 81.5 грн
250+ 80.17 грн
500+ 68.91 грн
1000+ 58.44 грн
2500+ 55.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60DM2 stf13n60dm2.pdf
STF13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.56 грн
10+ 84.89 грн
11+ 77.3 грн
29+ 73.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF13N60DM2 stf13n60dm2.pdf
STF13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+135.57 грн
3+ 117.83 грн
10+ 101.87 грн
11+ 92.76 грн
29+ 87.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF13N60DM2 en.DM00285795.pdf
STF13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.73 грн
50+ 99.95 грн
100+ 82.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60DM2 stf13n60dm2-1850620.pdf
STF13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.37 грн
10+ 109.72 грн
100+ 78.85 грн
250+ 78.18 грн
500+ 67.58 грн
1000+ 56.25 грн
2000+ 53.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60M2 stf13n60m2.pdf
STF13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.49 грн
10+ 81.44 грн
12+ 70.4 грн
32+ 66.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF13N60M2 stf13n60m2.pdf
STF13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 482 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.25 грн
10+ 97.73 грн
12+ 84.48 грн
32+ 79.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60M2 690272105093487dm00070271.pdf
STF13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF13N60M2 en.DM00070271.pdf
STF13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.96 грн
50+ 88.25 грн
100+ 72.61 грн
500+ 57.66 грн
1000+ 48.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60M2 stf13n60m2-1850540.pdf
STF13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.4 грн
10+ 75.13 грн
100+ 58.77 грн
250+ 58.17 грн
500+ 52.87 грн
1000+ 48.9 грн
2000+ 47.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF33N60DM2 stf33n60dm2.pdf
STF33N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+323.25 грн
50+ 246.71 грн
100+ 211.47 грн
500+ 176.41 грн
1000+ 151.05 грн
2000+ 142.23 грн
STF33N60DM2 stf33n60dm2-1850705.pdf
STF33N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+346.31 грн
10+ 328.41 грн
25+ 235.22 грн
100+ 202.09 грн
250+ 200.76 грн
500+ 179.56 грн
1000+ 153.72 грн
STF33N60DM6 stf33n60dm6.pdf
STF33N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+268.78 грн
50+ 205.61 грн
100+ 176.23 грн
500+ 147.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF33N60M2 en.DM00078147.pdf
STF33N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+268.78 грн
50+ 205.61 грн
100+ 176.23 грн
500+ 147.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF33N60M2 stf33n60m2-1850852.pdf
STF33N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+273.65 грн
10+ 258.31 грн
25+ 158.36 грн
100+ 145.11 грн
250+ 144.44 грн
500+ 136.49 грн
1000+ 126.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF43N60DM2 STF43N60DM2.pdf
STF43N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+417.86 грн
50+ 318.94 грн
100+ 273.37 грн
500+ 228.04 грн
STF43N60DM2 stf43n60dm2-1850571.pdf
STF43N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+332.39 грн
10+ 323.84 грн
25+ 245.82 грн
100+ 224.61 грн
250+ 223.95 грн
500+ 206.73 грн
1000+ 186.19 грн
STFH13N60M2 stfh13n60m2-1850882.pdf
STFH13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.41 грн
10+ 96.77 грн
100+ 74.21 грн
500+ 72.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60DM2 en.DM00290959.pdf
STL13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 11207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.9 грн
10+ 109.74 грн
100+ 87.32 грн
500+ 69.34 грн
1000+ 58.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60DM2 stl13n60dm2-1851008.pdf
STL13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+146.87 грн
10+ 120.39 грн
100+ 83.49 грн
250+ 76.86 грн
500+ 70.23 грн
1000+ 59.76 грн
3000+ 55.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60DM2 en.DM00290959.pdf
STL13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+61.85 грн
6000+ 57.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL13N60M2 en.DM00116759.pdf
STL13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.86 грн
10+ 101.39 грн
100+ 80.7 грн
500+ 64.08 грн
1000+ 54.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60M6 stl13n60m6.pdf
STL13N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL13N60M6 stl13n60m6.pdf
STL13N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.71 грн
10+ 99.66 грн
100+ 79.32 грн
500+ 62.98 грн
1000+ 53.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60M6 stl13n60m6-1588884.pdf
STL13N60M6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 330 mOhm typ 7 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.73 грн
10+ 108.96 грн
100+ 75.53 грн
250+ 72.88 грн
500+ 63.48 грн
1000+ 54.27 грн
3000+ 50.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL33N60DM2 en.DM00128601.pdf
STL33N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+327.55 грн
10+ 264.83 грн
100+ 214.23 грн
500+ 178.71 грн
1000+ 153.02 грн
STL33N60DM2 stl33n60dm2-1850990.pdf
STL33N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+350.95 грн
10+ 290.31 грн
100+ 204.74 грн
500+ 181.55 грн
1000+ 155.71 грн
3000+ 146.43 грн
STL33N60M2 stl33n60m2-1850956.pdf
STL33N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ 22 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+326.98 грн
10+ 270.5 грн
25+ 228.59 грн
100+ 190.82 грн
250+ 184.86 грн
500+ 169.62 грн
1000+ 145.11 грн
STO33N60M6 sto33n60m6-1510861.pdf
STO33N60M6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+342.44 грн
10+ 283.45 грн
100+ 199.44 грн
500+ 177.57 грн
1800+ 162.99 грн
STP13N60M2 en.DM00070267.pdf
STP13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.45 грн
50+ 100.55 грн
100+ 82.73 грн
500+ 65.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP13N60M2 stp13n60m2-1851446.pdf
STP13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.14 грн
10+ 110.49 грн
100+ 78.85 грн
250+ 66.92 грн
500+ 57.84 грн
1000+ 53.8 грн
2000+ 53.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP33N60DM2 stb33n60dm2-1850172.pdf
STP33N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+320.03 грн
25+ 249.93 грн
100+ 186.85 грн
500+ 165.65 грн
1000+ 137.82 грн
2000+ 131.19 грн
STP33N60DM2 ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf
STP33N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+292.43 грн
50+ 223.41 грн
100+ 191.49 грн
STP33N60DM6 stp33n60dm6.pdf
STP33N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+334.71 грн
10+ 270.83 грн
100+ 219.11 грн
500+ 182.78 грн
1000+ 156.5 грн
STP33N60M2 en.DM00078147.pdf
STP33N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+268.78 грн
50+ 205.61 грн
100+ 176.23 грн
500+ 147.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP33N60M2 stf33n60m2-1850852.pdf
STP33N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+288.33 грн
10+ 254.5 грн
25+ 196.79 грн
100+ 168.3 грн
250+ 165.65 грн
500+ 149.74 грн
1000+ 127.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP33N60M6 stp33n60m6-1851622.pdf
STP33N60M6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+248.14 грн
10+ 219.45 грн
25+ 188.17 грн
100+ 163.66 грн
250+ 162.33 грн
500+ 152.39 грн
1000+ 136.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP43N60DM2 stp43n60dm2-1851538.pdf
STP43N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+447.57 грн
10+ 438.13 грн
25+ 304.12 грн
100+ 260.39 грн
500+ 231.9 грн
1000+ 202.75 грн
2000+ 186.85 грн
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]