Результат пошуку "44h11" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NJVMJB44H11T4G | onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 98-107 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NJVMJD44H11D3T4G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 2176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NJVMJD44H11G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V |
на замовлення 1636 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NJVMJD44H11G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NJVMJD44H11RLG | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz Application: automotive industry |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NJVMJD44H11RLG | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 267 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NJVMJD44H11RLG | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NJVMJD44H11RLG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Power Transistor, NPN, 8 A, 80 V, 20 Watt |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 63-72 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NJVMJD44H11T4G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NJVMJD44H11T4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR |
на замовлення 4304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NJVMJD44H11T4G-VF01 | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NJVMJK44H11TWG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PWR XTSR 8A/80V LFPAK56 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 91-100 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
NJW44H11G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 10A TO3P-3L Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: TO-3P-3L Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 120 W |
на замовлення 1754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NJW44H11G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN TO-3P POWER TRANS |
на замовлення 443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| D44H11 | STMicroelectronics NV |
NPN, TO-220AB |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
| J44H11G | ON |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| KSE44H11 |
|
на замовлення 5080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| KSH44H11 | FAIRCHILD | 07+ TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| KSH44H11 | FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| KSH44H11TM |
|
на замовлення 2081 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MJB44H11T4 |
|
на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MJB44H11T4G | ON |
09+ SOP |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MJB44H11T4G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 11860 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MJD44H11 | FAIRCHILD |
 07+ TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MJD44H11 | FAIRCHILD |
TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MJD44H11 369A-13 | ON | 09+ SOP |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MJD44H11G | On Semiconductor |
NPN, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 50МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD45H11) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MJD44H11LT4 |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| MJD44H11RLG | ON |
09+ SOP |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MJD44H11RLG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 1868 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MJD44H11T4GMJD45H11T4G |
на замовлення 12893 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| MJD44H11TM |
|
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MJF44H11 |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MTD44H11 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NJVMJB44H11T4G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 6260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| NJVMJD44H11RLG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 3600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| NJVMJD44H11T4 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NJVMJD44H11T4G |
|
на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SRW42EC-X44H116 | TDK | 07+ |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| SRW42EC-X44H116 | TDK | 07+ |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| STD44H11 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| 8340-G211-N1F4-A4H111-1A | E-T-A |
Circuit Breakers Single, two and three pole magnetic circuit breakers with trip-free mechanism and push/pull on/off manual actuation. A choice of fast magnetic only or hydraulically delayed switching characteristics (Stype MO or HM CBE to EN 60934) en |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
KSH44H11ITU Код товару: 128190 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
KSH44H11TF Код товару: 135616 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
MJB44H11G транзистор Код товару: 58814 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
MJD44H11 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 32364 |
ON |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: D-Pak fT: 50 MHz Uceo,V: 80 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 8 А h21: 60 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
MJD44H11-1G (транзистор біполярный NPN) Код товару: 31169 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
MJD44H11AJ Код товару: 189016 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
MJD44H11G Код товару: 118488 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
|
MJD44H11T4G транзистор Код товару: 72049 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
MJD44H11TM(транзистор) Код товару: 60487 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
MJF44H11G Код товару: 169245 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
B39871B3744H110 | RF360 |
SAW Filter RF 868.3MHz 3.7dB 290Ohm//1.3pF SMD 6 Pin DCC6E Automotive |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| B39931B3944H110 | RF360 |
Low-Loss RF Filter for Remote Control Receivers |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| B39931B3944H110 | Qualcomm (RF front-end (RFFE) filters) |
Description: FILTER SAW 3.0X3.0 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| B39931B3944H110 | RF360 |
Signal Conditioning Band Pass Filter, SRD (ISM), 915 MHz, -, Size=3.0x3.0 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
B39971B3744H110 | RF360 | Signal Conditioning DCC6E Q 3.0x3.0 Filter |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
D44H11 | STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 50MHz |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
D44H11 | STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
D44H11 | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
товар відсутній |
| NJVMJB44H11T4G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.2 грн |
| 10+ | 88.87 грн |
| 100+ | 60.57 грн |
| 500+ | 51.32 грн |
| 800+ | 41.74 грн |
| NJVMJD44H11D3T4G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 405.4 грн |
| NJVMJD44H11G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 65.96 грн |
| 10+ | 58.26 грн |
| 75+ | 36.46 грн |
| 525+ | 30.91 грн |
| 1050+ | 25.17 грн |
| 2550+ | 22.52 грн |
| 5100+ | 22.39 грн |
| NJVMJD44H11G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 62.16 грн |
| 75+ | 48.32 грн |
| 150+ | 38.29 грн |
| 525+ | 30.45 грн |
| 1050+ | 24.81 грн |
| 2025+ | 23.35 грн |
| NJVMJD44H11RLG |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 48.9 грн |
| 10+ | 34.68 грн |
| 25+ | 30.69 грн |
| 29+ | 27.73 грн |
| 79+ | 26.21 грн |
| NJVMJD44H11RLG |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 58.68 грн |
| 6+ | 43.21 грн |
| 25+ | 36.82 грн |
| 29+ | 33.27 грн |
| 79+ | 31.46 грн |
| 500+ | 30.63 грн |
| NJVMJD44H11RLG |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 57.16 грн |
| 10+ | 47.34 грн |
| 100+ | 32.78 грн |
| 500+ | 25.7 грн |
| NJVMJD44H11RLG |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Power Transistor, NPN, 8 A, 80 V, 20 Watt
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Power Transistor, NPN, 8 A, 80 V, 20 Watt
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 63-72 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.95 грн |
| 10+ | 51.96 грн |
| 100+ | 31.24 грн |
| 500+ | 26.16 грн |
| 1000+ | 25.03 грн |
| 1800+ | 21.6 грн |
| 3600+ | 18.76 грн |
| NJVMJD44H11T4G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 61.45 грн |
| 10+ | 51.12 грн |
| 100+ | 35.43 грн |
| 500+ | 27.78 грн |
| NJVMJD44H11T4G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR
на замовлення 4304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.69 грн |
| 100+ | 33.8 грн |
| 500+ | 26.95 грн |
| 1000+ | 24.04 грн |
| 2500+ | 20.28 грн |
| 10000+ | 19.35 грн |
| NJVMJD44H11T4G-VF01 |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 62.88 грн |
| NJVMJK44H11TWG |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PWR XTSR 8A/80V LFPAK56
Bipolar Transistors - BJT BIP PWR XTSR 8A/80V LFPAK56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.97 грн |
| 10+ | 57.73 грн |
| 100+ | 39.04 грн |
| 500+ | 33.09 грн |
| 1000+ | 26.95 грн |
| 3000+ | 25.36 грн |
| NJW44H11G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A TO3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 120 W
Description: TRANS NPN 80V 10A TO3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 120 W
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 194.34 грн |
| 30+ | 150.47 грн |
| 120+ | 123.79 грн |
| 510+ | 98.3 грн |
| 1020+ | 83.41 грн |
| NJW44H11G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN TO-3P POWER TRANS
Bipolar Transistors - BJT NPN TO-3P POWER TRANS
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 208.06 грн |
| 10+ | 165.59 грн |
| 120+ | 106.34 грн |
| 270+ | 97.1 грн |
| 510+ | 91.15 грн |
| 1020+ | 80.58 грн |
| 2550+ | 77.94 грн |
| D44H11 |
|
Виробник: STMicroelectronics NV
NPN, TO-220AB
NPN, TO-220AB
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| MJD44H11G | |
|
Виробник: On Semiconductor
NPN, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 50МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD45H11)
NPN, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 50МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD45H11)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| 8340-G211-N1F4-A4H111-1A |
|
Виробник: E-T-A
Circuit Breakers Single, two and three pole magnetic circuit breakers with trip-free mechanism and push/pull on/off manual actuation. A choice of fast magnetic only or hydraulically delayed switching characteristics (Stype MO or HM CBE to EN 60934) en
Circuit Breakers Single, two and three pole magnetic circuit breakers with trip-free mechanism and push/pull on/off manual actuation. A choice of fast magnetic only or hydraulically delayed switching characteristics (Stype MO or HM CBE to EN 60934) en
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7424.69 грн |
| 5+ | 6934.27 грн |
| 10+ | 5302.58 грн |
| 20+ | 5280.78 грн |
| 50+ | 5204.82 грн |
| 100+ | 5171.8 грн |
| 200+ | 5156.61 грн |
| MJD44H11 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 32364 |
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
fT: 50 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 8 А
h21: 60
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
fT: 50 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 8 А
h21: 60
товар відсутній
| MJD44H11-1G (транзистор біполярный NPN) Код товару: 31169 |
товар відсутній
| B39871B3744H110 |
|
Виробник: RF360
SAW Filter RF 868.3MHz 3.7dB 290Ohm//1.3pF SMD 6 Pin DCC6E Automotive
SAW Filter RF 868.3MHz 3.7dB 290Ohm//1.3pF SMD 6 Pin DCC6E Automotive
товар відсутній
| B39931B3944H110 |
|
Виробник: Qualcomm (RF front-end (RFFE) filters)
Description: FILTER SAW 3.0X3.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: FILTER SAW 3.0X3.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
| B39931B3944H110 |
|
Виробник: RF360
Signal Conditioning Band Pass Filter, SRD (ISM), 915 MHz, -, Size=3.0x3.0
Signal Conditioning Band Pass Filter, SRD (ISM), 915 MHz, -, Size=3.0x3.0
товар відсутній
| D44H11 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
товар відсутній
| D44H11 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| D44H11 |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній