Результат пошуку "4n65" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 1110
Мінімальне замовлення: 1039
Мінімальне замовлення: 620
Мінімальне замовлення: 523
Мінімальне замовлення: 1211
Мінімальне замовлення: 1204
Мінімальне замовлення: 1025
Мінімальне замовлення: 1110
Мінімальне замовлення: 620
Мінімальне замовлення: 620
Мінімальне замовлення: 523
Мінімальне замовлення: 314
Мінімальне замовлення: 1025
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHP074N65E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET E Series Power MOSFET TO-220AB, 79 mohm a. 10V |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SiHP24N65E-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP24N65E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SQW44N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET E SERIES PWR W/FAST BODY DI |
на замовлення 4830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SQW44N65EF-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5858 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF24N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF24N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF24N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ 16 A MDmesh M2 Power MOSFET |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF24N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
STF24N65M2 | STMicroelectronics |
Description: N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP34N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5 |
на замовлення 1508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW34N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650 V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5 |
на замовлення 884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TK14N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TK14N65W,S1F | Toshiba | MOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TK14N65W5,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TO220FMDD4N65F | NextGen Components |
Description: MOSFET TO-220F N 650V 4A Packaging: Tube Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V |
на замовлення 22550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TO252MDD4N65DS | NextGen Components |
Description: MOSFET TO-252 N 650V 4A Packaging: Tape & Reel (TR) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TRS24N65FB,S1Q | Toshiba | Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TRS24N65FB,S1Q | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A (DC) Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMF04N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3A Power dissipation: 4.6W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMF04N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3A Power dissipation: 4.6W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2279 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMP04N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3A Power dissipation: 29W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMP04N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3A Power dissipation: 29W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 598 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMP14N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMP14N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LQH4N652K04M00 | MURATA | 02+ |
на замовлення 1888 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MDF4N65BTH |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDP4N65BTH |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MK45H04N-65 |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NTMT064N65S3H | ON Semiconductor |
на замовлення 2585 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
PFF4N65 | MADE | 09+ TO220F |
на замовлення 926 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
PSC04N65AETR | China Wind |
на замовлення 5046 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
PSC04N65AEX | China Wind |
на замовлення 576 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
PSWC04N65AE-1 | China Wind |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SIHB24N65E-GE3 |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SMD04-12D24N65 |
на замовлення 842 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SMM14N65 |
на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SMM14N65-2 |
на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STI34N65M5 | STMicroelectronics |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
STP34N65M5 | STMicroelectronics |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SVD4N65F | SL | TO-220 09+ |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
TFF4N65 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
TFP4N65 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
WFF4N65 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
74HC04N,652 | NXP USA Inc. |
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14DIP Packaging: Tube Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Logic Type: Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 2V ~ 6V Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA Number of Inputs: 1 Supplier Device Package: 14-DIP Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 14ns @ 6V, 50pF Part Status: Obsolete Number of Circuits: 6 Current - Quiescent (Max): 2 µA |
на замовлення 16584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
74HC164N,652 | NXP USA Inc. |
Description: IC 8BIT SHIFT REGISTER 14-DIP Packaging: Tube Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Output Type: Push-Pull Mounting Type: Through Hole Number of Elements: 1 Function: Serial to Parallel Logic Type: Shift Register Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 2V ~ 6V Supplier Device Package: 14-DIP Part Status: Obsolete Number of Bits per Element: 8 |
на замовлення 274640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
74HC174N,652 | NXP USA Inc. |
Description: IC FF D-TYPE SNGL 6BIT 16DIP Packaging: Tube Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Output Type: Non-Inverted Mounting Type: Through Hole Number of Elements: 1 Function: Master Reset Type: D-Type Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 2V ~ 6V Current - Quiescent (Iq): 8 µA Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA Trigger Type: Positive Edge Clock Frequency: 107 MHz Input Capacitance: 3.5 pF Supplier Device Package: 16-DIP Max Propagation Delay @ V, Max CL: 28ns @ 6V, 50pF Part Status: Obsolete Number of Bits per Element: 6 |
на замовлення 47478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
74HC194N,652 | NXP USA Inc. |
Description: IC 4BIT BI-DIR SHIFT REG 16DIP Packaging: Tube Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Output Type: Push-Pull Mounting Type: Through Hole Number of Elements: 1 Function: Universal Logic Type: Register, Bidirectional Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 2V ~ 6V Supplier Device Package: 16-DIP Part Status: Obsolete Number of Bits per Element: 4 |
на замовлення 9058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
74HC4024N,652 | NXP USA Inc. |
Description: IC BINARY COUNTER 7-BIT 14DIP Packaging: Tube Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Number of Elements: 1 Logic Type: Binary Counter Reset: Asynchronous Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Direction: Up Trigger Type: Negative Edge Supplier Device Package: 14-DIP Part Status: Obsolete Voltage - Supply: 2 V ~ 6 V Count Rate: 90 MHz Number of Bits per Element: 7 |
на замовлення 10984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
74HC564N,652 | NXP USA Inc. |
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20DIP Packaging: Tube Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm) Output Type: Tri-State, Inverted Mounting Type: Through Hole Number of Elements: 1 Function: Standard Type: D-Type Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 2V ~ 6V Current - Quiescent (Iq): 8 µA Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA Trigger Type: Positive Edge Clock Frequency: 137 MHz Input Capacitance: 3.5 pF Supplier Device Package: 20-DIP Max Propagation Delay @ V, Max CL: 28ns @ 6V, 50pF Part Status: Obsolete Number of Bits per Element: 8 |
на замовлення 1204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
74HC74N,652 | NXP USA Inc. |
Description: IC FF D-TYPE DUAL 1BIT 14DIP Packaging: Tube Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Output Type: Complementary Mounting Type: Through Hole Number of Elements: 2 Function: Set(Preset) and Reset Type: D-Type Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 2V ~ 6V Current - Quiescent (Iq): 40 µA Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA Trigger Type: Positive Edge Clock Frequency: 82 MHz Input Capacitance: 3.5 pF Supplier Device Package: 14-DIP Max Propagation Delay @ V, Max CL: 37ns @ 6V, 50pF Part Status: Obsolete Number of Bits per Element: 1 |
на замовлення 32774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
74HCT04N,652 | NXP USA Inc. |
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14DIP Packaging: Tube Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Logic Type: Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Current - Output High, Low: 4mA, 4mA Number of Inputs: 1 Supplier Device Package: 14-DIP Input Logic Level - High: 2V Input Logic Level - Low: 0.8V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 19ns @ 4.5V, 50pF Number of Circuits: 6 Current - Quiescent (Max): 2 µA |
на замовлення 22469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
74HCT164N,652 | NXP USA Inc. |
Description: IC SHIFT REG 8BIT SI-PO 14DIP Packaging: Tube Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Output Type: Push-Pull Mounting Type: Through Hole Number of Elements: 1 Function: Serial to Parallel Logic Type: Shift Register Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Supplier Device Package: 14-DIP Number of Bits per Element: 8 |
на замовлення 30791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
74HCT174N,652 | NXP USA Inc. |
Description: IC FF D-TYPE SNGL 6BIT 16DIP Packaging: Tube Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Output Type: Non-Inverted Mounting Type: Through Hole Number of Elements: 1 Function: Master Reset Type: D-Type Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Current - Quiescent (Iq): 8 µA Current - Output High, Low: 4mA, 5.2mA Trigger Type: Positive Edge Clock Frequency: 69 MHz Input Capacitance: 3.5 pF Supplier Device Package: 16-DIP Max Propagation Delay @ V, Max CL: 35ns @ 4.5V, 50pF Part Status: Obsolete Number of Bits per Element: 6 |
на замовлення 17293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
74HCT194N,652 | NXP USA Inc. |
Description: IC 4BIT BI UNIV SHIFT REG 16-DIP Packaging: Tube Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Output Type: Push-Pull Mounting Type: Through Hole Number of Elements: 1 Function: Universal Logic Type: Register, Bidirectional Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Supplier Device Package: 16-DIP Number of Bits per Element: 4 |
на замовлення 6305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
74HCT534N,652 | NXP USA Inc. |
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20DIP Packaging: Tube Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm) Output Type: Tri-State, Inverted Mounting Type: Through Hole Number of Elements: 1 Function: Standard Type: D-Type Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Current - Quiescent (Iq): 8 µA Current - Output High, Low: 6mA, 6mA Trigger Type: Positive Edge Clock Frequency: 40 MHz Input Capacitance: 3.5 pF Supplier Device Package: 20-DIP Max Propagation Delay @ V, Max CL: 30ns @ 4.5V, 50pF Part Status: Obsolete Number of Bits per Element: 8 |
на замовлення 3476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
74HCT74N,652 | NXP USA Inc. |
Description: IC FF D-TYPE DUAL 1BIT 14DIP Packaging: Tube Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Output Type: Complementary Mounting Type: Through Hole Number of Elements: 2 Function: Set(Preset) and Reset Type: D-Type Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Current - Quiescent (Iq): 40 µA Current - Output High, Low: 4mA, 4mA Trigger Type: Positive Edge Clock Frequency: 59 MHz Input Capacitance: 3.5 pF Supplier Device Package: 14-DIP Max Propagation Delay @ V, Max CL: 44ns @ 4.5V, 50pF Number of Bits per Element: 1 |
на замовлення 31405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXP4N65F Код товару: 201270 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IXFP34N65X2 Код товару: 180236 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IXTP4N65X2 Код товару: 154844 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
SIHP074N65E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET E Series Power MOSFET TO-220AB, 79 mohm a. 10V
MOSFET E Series Power MOSFET TO-220AB, 79 mohm a. 10V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 554.72 грн |
10+ | 468.69 грн |
25+ | 368.93 грн |
100+ | 339.63 грн |
250+ | 319.65 грн |
500+ | 299.67 грн |
1000+ | 269.7 грн |
SiHP24N65E-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 397.01 грн |
10+ | 328.54 грн |
25+ | 229.08 грн |
100+ | 207.77 грн |
250+ | 199.11 грн |
500+ | 191.12 грн |
1000+ | 175.14 грн |
SIHP24N65E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 404.78 грн |
10+ | 334.67 грн |
100+ | 235.74 грн |
500+ | 209.1 грн |
1000+ | 181.13 грн |
SQW44N65EF-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET E SERIES PWR W/FAST BODY DI
MOSFET E SERIES PWR W/FAST BODY DI
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 531.42 грн |
10+ | 450.31 грн |
25+ | 376.25 грн |
100+ | 326.31 грн |
250+ | 315.65 грн |
480+ | 287.68 грн |
960+ | 267.71 грн |
SQW44N65EF-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5858 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5858 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 490.57 грн |
10+ | 404.83 грн |
STF24N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 184.52 грн |
8+ | 110.99 грн |
20+ | 104.75 грн |
STF24N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 221.42 грн |
8+ | 138.31 грн |
20+ | 125.7 грн |
500+ | 124.03 грн |
1000+ | 120.7 грн |
STF24N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ 16 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ 16 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 198.89 грн |
10+ | 183.8 грн |
25+ | 137.18 грн |
100+ | 117.87 грн |
500+ | 105.22 грн |
1000+ | 91.23 грн |
2000+ | 85.91 грн |
STF24N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)STF24N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
Description: N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 190.18 грн |
50+ | 145.16 грн |
100+ | 124.43 грн |
STP34N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 365.15 грн |
10+ | 355.34 грн |
25+ | 251.06 грн |
100+ | 231.08 грн |
250+ | 210.44 грн |
500+ | 207.11 грн |
1000+ | 187.13 грн |
STW34N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650 V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
MOSFET N-Ch 650 V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 453.72 грн |
10+ | 376.79 грн |
25+ | 201.11 грн |
100+ | 200.45 грн |
250+ | 195.12 грн |
600+ | 191.12 грн |
1200+ | 189.13 грн |
TK14N65W,S1F |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 216.11 грн |
TK14N65W,S1F |
Виробник: Toshiba
MOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
MOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 215.21 грн |
10+ | 185.33 грн |
30+ | 156.49 грн |
120+ | 132.52 грн |
270+ | 128.53 грн |
510+ | 117.2 грн |
1020+ | 99.22 грн |
TK14N65W5,S1F |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 275.18 грн |
30+ | 210.3 грн |
TO220FMDD4N65F |
Виробник: NextGen Components
Description: MOSFET TO-220F N 650V 4A
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Description: MOSFET TO-220F N 650V 4A
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 22550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 90.13 грн |
TO252MDD4N65DS |
Виробник: NextGen Components
Description: MOSFET TO-252 N 650V 4A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Description: MOSFET TO-252 N 650V 4A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 45.6 грн |
TRS24N65FB,S1Q |
Виробник: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A
Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 542.29 грн |
10+ | 384.44 грн |
120+ | 331.64 грн |
270+ | 292.35 грн |
510+ | 263.04 грн |
1020+ | 251.06 грн |
TRS24N65FB,S1Q |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 499.21 грн |
30+ | 383.51 грн |
WMF04N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 32.12 грн |
14+ | 26.36 грн |
16+ | 22.27 грн |
25+ | 19.56 грн |
54+ | 15.12 грн |
147+ | 14.29 грн |
WMF04N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 38.55 грн |
8+ | 32.85 грн |
10+ | 26.72 грн |
25+ | 23.47 грн |
54+ | 18.15 грн |
147+ | 17.15 грн |
WMP04N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 53.04 грн |
19+ | 18.45 грн |
25+ | 16.58 грн |
57+ | 14.22 грн |
156+ | 13.46 грн |
WMP04N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 598 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 63.65 грн |
12+ | 22.99 грн |
25+ | 19.89 грн |
57+ | 17.06 грн |
156+ | 16.15 грн |
WMP14N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 56.78 грн |
8+ | 47.31 грн |
23+ | 36.42 грн |
WMP14N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 68.13 грн |
5+ | 58.95 грн |
23+ | 43.7 грн |
61+ | 41.29 грн |
74HC04N,652 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-DIP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 14ns @ 6V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-DIP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 14ns @ 6V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 16584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1110+ | 17.96 грн |
74HC164N,652 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC 8BIT SHIFT REGISTER 14-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 14-DIP
Part Status: Obsolete
Number of Bits per Element: 8
Description: IC 8BIT SHIFT REGISTER 14-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 14-DIP
Part Status: Obsolete
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 274640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1039+ | 19.29 грн |
74HC174N,652 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC FF D-TYPE SNGL 6BIT 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 8 µA
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 107 MHz
Input Capacitance: 3.5 pF
Supplier Device Package: 16-DIP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 28ns @ 6V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Bits per Element: 6
Description: IC FF D-TYPE SNGL 6BIT 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 8 µA
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 107 MHz
Input Capacitance: 3.5 pF
Supplier Device Package: 16-DIP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 28ns @ 6V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Bits per Element: 6
на замовлення 47478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
620+ | 31.93 грн |
74HC194N,652 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC 4BIT BI-DIR SHIFT REG 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Universal
Logic Type: Register, Bidirectional
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Obsolete
Number of Bits per Element: 4
Description: IC 4BIT BI-DIR SHIFT REG 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Universal
Logic Type: Register, Bidirectional
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Obsolete
Number of Bits per Element: 4
на замовлення 9058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
523+ | 37.91 грн |
74HC4024N,652 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC BINARY COUNTER 7-BIT 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Binary Counter
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Direction: Up
Trigger Type: Negative Edge
Supplier Device Package: 14-DIP
Part Status: Obsolete
Voltage - Supply: 2 V ~ 6 V
Count Rate: 90 MHz
Number of Bits per Element: 7
Description: IC BINARY COUNTER 7-BIT 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Binary Counter
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Direction: Up
Trigger Type: Negative Edge
Supplier Device Package: 14-DIP
Part Status: Obsolete
Voltage - Supply: 2 V ~ 6 V
Count Rate: 90 MHz
Number of Bits per Element: 7
на замовлення 10984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1211+ | 16.63 грн |
74HC564N,652 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Tri-State, Inverted
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 8 µA
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 137 MHz
Input Capacitance: 3.5 pF
Supplier Device Package: 20-DIP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 28ns @ 6V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Bits per Element: 8
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Tri-State, Inverted
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 8 µA
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 137 MHz
Input Capacitance: 3.5 pF
Supplier Device Package: 20-DIP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 28ns @ 6V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1204+ | 18.62 грн |
74HC74N,652 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC FF D-TYPE DUAL 1BIT 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 82 MHz
Input Capacitance: 3.5 pF
Supplier Device Package: 14-DIP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 37ns @ 6V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Bits per Element: 1
Description: IC FF D-TYPE DUAL 1BIT 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 82 MHz
Input Capacitance: 3.5 pF
Supplier Device Package: 14-DIP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 37ns @ 6V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Bits per Element: 1
на замовлення 32774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1025+ | 19.29 грн |
74HCT04N,652 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-DIP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 19ns @ 4.5V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-DIP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 19ns @ 4.5V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 22469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1110+ | 17.96 грн |
74HCT164N,652 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC SHIFT REG 8BIT SI-PO 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 14-DIP
Number of Bits per Element: 8
Description: IC SHIFT REG 8BIT SI-PO 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 14-DIP
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 30791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
620+ | 31.93 грн |
74HCT174N,652 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC FF D-TYPE SNGL 6BIT 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 8 µA
Current - Output High, Low: 4mA, 5.2mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 69 MHz
Input Capacitance: 3.5 pF
Supplier Device Package: 16-DIP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 35ns @ 4.5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Bits per Element: 6
Description: IC FF D-TYPE SNGL 6BIT 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 8 µA
Current - Output High, Low: 4mA, 5.2mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 69 MHz
Input Capacitance: 3.5 pF
Supplier Device Package: 16-DIP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 35ns @ 4.5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Bits per Element: 6
на замовлення 17293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
620+ | 31.93 грн |
74HCT194N,652 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC 4BIT BI UNIV SHIFT REG 16-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Universal
Logic Type: Register, Bidirectional
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-DIP
Number of Bits per Element: 4
Description: IC 4BIT BI UNIV SHIFT REG 16-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Universal
Logic Type: Register, Bidirectional
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-DIP
Number of Bits per Element: 4
на замовлення 6305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
523+ | 37.91 грн |
74HCT534N,652 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Tri-State, Inverted
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 8 µA
Current - Output High, Low: 6mA, 6mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 40 MHz
Input Capacitance: 3.5 pF
Supplier Device Package: 20-DIP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 30ns @ 4.5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Bits per Element: 8
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Tri-State, Inverted
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 8 µA
Current - Output High, Low: 6mA, 6mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 40 MHz
Input Capacitance: 3.5 pF
Supplier Device Package: 20-DIP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 30ns @ 4.5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 3476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
314+ | 63.86 грн |
74HCT74N,652 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC FF D-TYPE DUAL 1BIT 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 59 MHz
Input Capacitance: 3.5 pF
Supplier Device Package: 14-DIP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 44ns @ 4.5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
Description: IC FF D-TYPE DUAL 1BIT 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 59 MHz
Input Capacitance: 3.5 pF
Supplier Device Package: 14-DIP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 44ns @ 4.5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
на замовлення 31405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1025+ | 19.29 грн |