Результат пошуку "4n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+11.76 грн
90+ 9.39 грн
240+ 8.87 грн
500+ 8.72 грн
Мінімальне замовлення: 30
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+16.1 грн
25+ 14.66 грн
90+ 11.26 грн
240+ 10.65 грн
500+ 10.46 грн
2500+ 10.21 грн
Мінімальне замовлення: 20
GSFD4N65 GSFD4N65 Good-Ark Semiconductor GSFD4N65.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.74 грн
12+ 23.94 грн
100+ 16.67 грн
500+ 12.22 грн
1000+ 9.93 грн
2500+ 8.88 грн
5000+ 8.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
IXFA34N65X3 IXFA34N65X3 IXYS media-3321432.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+602.92 грн
50+ 474.38 грн
100+ 369.33 грн
500+ 362.68 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+488.08 грн
3+ 334.2 грн
7+ 315.52 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+585.7 грн
3+ 416.47 грн
7+ 378.63 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS media-3321279.pdf MOSFET MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+588.2 грн
10+ 497.3 грн
30+ 392.58 грн
120+ 362.02 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=786EDC5E-AA3E-4B40-B9C8-EE04A1A33A90&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+548.97 грн
30+ 422.03 грн
120+ 377.62 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Littelfuse 804948123555761ds100683cixfa-fp-fh34n65x2_.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH34N65X3 IXFH34N65X3 Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=ef61d523-5f56-49ae-a1e9-f5e1f9a55ce3&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh34n65x3-datasheet Description: MOSFET 34A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2025 pF @ 25 V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.77 грн
30+ 377.36 грн
120+ 337.62 грн
IXFH34N65X3 IXFH34N65X3 IXYS media-3322021.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.2 грн
10+ 444.59 грн
30+ 366.67 грн
120+ 322.83 грн
IXFH54N65X3 IXFH54N65X3 IXYS media-3321213.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 54A 650V X3 TO
на замовлення 630 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
1+874.16 грн
10+ 759.31 грн
30+ 642.34 грн
60+ 606.47 грн
120+ 603.81 грн
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=786EDC5E-AA3E-4B40-B9C8-EE04A1A33A90&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+457.72 грн
50+ 351.71 грн
100+ 314.69 грн
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 IXYS media-3321279.pdf MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+499.85 грн
50+ 393.41 грн
100+ 335.45 грн
250+ 306.22 грн
IXFP34N65X2M IXFP34N65X2M IXYS media-3320187.pdf MOSFET 650V/34A OVERMOLDED TO-220
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.2 грн
10+ 444.59 грн
50+ 368 грн
100+ 322.17 грн
250+ 312.2 грн
500+ 279.65 грн
IXFP34N65X3 IXFP34N65X3 IXYS media-3322676.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 749 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
1+592.08 грн
10+ 582.85 грн
50+ 404.53 грн
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.42 грн
4+ 105.17 грн
9+ 94.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+152.91 грн
3+ 131.06 грн
9+ 112.92 грн
24+ 106.28 грн
50+ 105.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTH24N65X2 IXTH24N65X2 Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_24n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.6 грн
30+ 318.38 грн
120+ 284.87 грн
IXTH34N65X2 IXTH34N65X2 Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_34n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+481.43 грн
30+ 370.21 грн
120+ 331.25 грн
IXTH34N65X2 IXTH34N65X2 IXYS media-3319832.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.13 грн
10+ 436.19 грн
30+ 344.09 грн
120+ 315.52 грн
270+ 302.9 грн
IXTH64N65X IXTH64N65X IXYS media-3319323.pdf MOSFET 650V/64A Power MOSFET
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1037.68 грн
10+ 901.4 грн
30+ 720.06 грн
60+ 719.39 грн
120+ 696.14 грн
270+ 625.73 грн
510+ 605.8 грн
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS IXT_24N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+404.18 грн
3+ 350.08 грн
4+ 263.21 грн
11+ 248.27 грн
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_24n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.64 грн
50+ 302.79 грн
100+ 259.54 грн
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS IXTP24N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+319.23 грн
3+ 276.78 грн
5+ 203.43 грн
13+ 192.63 грн
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS media-3323831.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+338.66 грн
10+ 280.35 грн
50+ 235.81 грн
100+ 197.28 грн
250+ 191.31 грн
500+ 176.69 грн
1000+ 152.12 грн
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 IXYS media-3319832.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.06 грн
10+ 401.05 грн
50+ 330.8 грн
100+ 290.28 грн
250+ 287.62 грн
500+ 256.4 грн
1000+ 236.48 грн
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_34n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.34 грн
50+ 340.6 грн
100+ 304.75 грн
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.38 грн
4+ 110.71 грн
9+ 92.03 грн
25+ 87.18 грн
300+ 83.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 525 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+160.06 грн
3+ 137.96 грн
9+ 110.43 грн
25+ 104.62 грн
300+ 100.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 Littelfuse Inc. a Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.67 грн
50+ 143.15 грн
100+ 117.78 грн
500+ 93.53 грн
1000+ 79.36 грн
2000+ 75.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Mounting: THT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
On-state resistance: 96mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+722.51 грн
2+ 500.11 грн
3+ 480.76 грн
6+ 455.02 грн
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS media-3322105.pdf MOSFET MSFT 34A 650V X2
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+723.04 грн
10+ 610.35 грн
30+ 480.92 грн
120+ 441.73 грн
270+ 402.54 грн
510+ 385.27 грн
1020+ 369.33 грн
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.75 грн
5+ 94.8 грн
10+ 87.88 грн
20+ 85.8 грн
26+ 83.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+137.71 грн
5+ 118.13 грн
10+ 105.45 грн
20+ 102.96 грн
26+ 99.64 грн
70+ 96.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS a Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.92 грн
10+ 143.16 грн
100+ 113.98 грн
500+ 90.51 грн
1000+ 76.8 грн
2000+ 72.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS media-3322412.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.42 грн
10+ 157.36 грн
70+ 108.27 грн
560+ 91.67 грн
1050+ 81.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H onsemi ntmt064n65s3h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+316.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H onsemi ntmt064n65s3h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+596.4 грн
10+ 491.9 грн
100+ 409.94 грн
500+ 339.45 грн
1000+ 305.51 грн
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H onsemi NTMT064N65S3H_D-2318988.pdf MOSFET 650V 64MOHM MOSFET
на замовлення 6401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+637.8 грн
10+ 539.31 грн
25+ 437.75 грн
100+ 390.58 грн
250+ 367.33 грн
500+ 344.75 грн
1000+ 310.21 грн
SIHA24N65EF-GE3 SIHA24N65EF-GE3 Vishay Siliconix siha24n65ef.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.99 грн
50+ 292 грн
100+ 250.28 грн
500+ 208.78 грн
1000+ 178.77 грн
SIHB24N65E-GE3 SIHB24N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+410.73 грн
10+ 345.28 грн
25+ 243.78 грн
100+ 217.88 грн
250+ 212.56 грн
500+ 198.61 грн
1000+ 178.02 грн
SIHB24N65E-GE3 SIHB24N65E-GE3 Vishay Siliconix sihb24n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.7 грн
50+ 292.69 грн
100+ 250.87 грн
500+ 209.28 грн
1000+ 179.19 грн
SIHB24N65EF-GE3 SIHB24N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n65ef.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+416.93 грн
10+ 345.28 грн
25+ 283.64 грн
100+ 242.45 грн
250+ 229.17 грн
500+ 216.55 грн
1000+ 184 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65EFT1-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n65ef.pdf MOSFET N-CHANNEL 650V
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+416.93 грн
10+ 345.28 грн
25+ 283.64 грн
100+ 245.11 грн
800+ 207.91 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65EFT1-GE3 Vishay Siliconix sihb24n65ef.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+234.84 грн
1600+ 193.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65EFT1-GE3 Vishay Siliconix sihb24n65ef.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.73 грн
10+ 314.48 грн
100+ 254.41 грн
SIHF074N65E-GE3 SIHF074N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihf074n65e.pdf MOSFET E Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 79 mohm a. 10V
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+544.8 грн
10+ 460.63 грн
25+ 363.35 грн
100+ 333.46 грн
250+ 313.53 грн
500+ 294.27 грн
1000+ 265.04 грн
SIHF074N65E-GE3 SIHF074N65E-GE3 Vishay Siliconix sihf074n65e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.45 грн
10+ 420.21 грн
100+ 350.17 грн
500+ 289.96 грн
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 Vishay Siliconix sihg24n6.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.92 грн
10+ 320.3 грн
100+ 259.12 грн
500+ 216.15 грн
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihg24n6.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+424.68 грн
10+ 351.39 грн
25+ 261.05 грн
100+ 227.84 грн
250+ 222.53 грн
500+ 205.26 грн
1000+ 177.36 грн
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 Vishay sihg24n6.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+181.34 грн
Мінімальне замовлення: 500
SiHG44N65EF-GE3 SiHG44N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg44n65ef.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+681.97 грн
10+ 576.74 грн
25+ 455.02 грн
100+ 418.48 грн
250+ 393.24 грн
500+ 363.35 грн
1000+ 350.06 грн
SiHG64N65E-GE3 Vishay Siliconix sihg64n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 369 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7497 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+862.98 грн
10+ 732.34 грн
100+ 633.4 грн
500+ 538.69 грн
SiHG64N65E-GE3 SiHG64N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihg64n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+924.54 грн
10+ 802.86 грн
25+ 679.54 грн
50+ 646.32 грн
100+ 600.49 грн
250+ 585.21 грн
500+ 542.7 грн
SiHH14N65E-T1-GE3 SiHH14N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh14n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+365.78 грн
10+ 302.5 грн
25+ 248.43 грн
100+ 213.23 грн
250+ 200.61 грн
500+ 189.31 грн
1000+ 162.08 грн
SiHH24N65E-T1-GE3 SiHH24N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh24n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2814 pF @ 100 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.75 грн
10+ 363.34 грн
100+ 302.79 грн
500+ 250.73 грн
SiHH24N65EF-T1-GE3 SiHH24N65EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh24n65ef.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
1+537.05 грн
10+ 453.75 грн
25+ 357.37 грн
100+ 328.81 грн
250+ 309.54 грн
500+ 289.62 грн
1000+ 263.71 грн
SIHP054N65E-GE3 SIHP054N65E-GE3 Vishay Siliconix sihp054n65e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3769 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+312.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHP054N65E-GE3 SIHP054N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp054n65e.pdf MOSFET E Series Power MOSFET TO-220AB, 58 mohm a. 10V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+590.53 грн
10+ 498.82 грн
25+ 392.58 грн
100+ 361.36 грн
250+ 340.1 грн
500+ 326.81 грн
1000+ 277 грн
BXP4N65D BXP4N65.pdf
BXP4N65D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+11.76 грн
90+ 9.39 грн
240+ 8.87 грн
500+ 8.72 грн
Мінімальне замовлення: 30
BXP4N65D BXP4N65.pdf
BXP4N65D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+16.1 грн
25+ 14.66 грн
90+ 11.26 грн
240+ 10.65 грн
500+ 10.46 грн
2500+ 10.21 грн
Мінімальне замовлення: 20
GSFD4N65 GSFD4N65.pdf
GSFD4N65
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.74 грн
12+ 23.94 грн
100+ 16.67 грн
500+ 12.22 грн
1000+ 9.93 грн
2500+ 8.88 грн
5000+ 8.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
IXFA34N65X3 media-3321432.pdf
IXFA34N65X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+602.92 грн
50+ 474.38 грн
100+ 369.33 грн
500+ 362.68 грн
IXFH34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+488.08 грн
3+ 334.2 грн
7+ 315.52 грн
IXFH34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+585.7 грн
3+ 416.47 грн
7+ 378.63 грн
IXFH34N65X2 media-3321279.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+588.2 грн
10+ 497.3 грн
30+ 392.58 грн
120+ 362.02 грн
IXFH34N65X2 media?resourcetype=datasheets&itemid=786EDC5E-AA3E-4B40-B9C8-EE04A1A33A90&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet
IXFH34N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+548.97 грн
30+ 422.03 грн
120+ 377.62 грн
IXFH34N65X2 804948123555761ds100683cixfa-fp-fh34n65x2_.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH34N65X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=ef61d523-5f56-49ae-a1e9-f5e1f9a55ce3&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh34n65x3-datasheet
IXFH34N65X3
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET 34A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2025 pF @ 25 V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+490.77 грн
30+ 377.36 грн
120+ 337.62 грн
IXFH34N65X3 media-3322021.pdf
IXFH34N65X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+526.2 грн
10+ 444.59 грн
30+ 366.67 грн
120+ 322.83 грн
IXFH54N65X3 media-3321213.pdf
IXFH54N65X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 54A 650V X3 TO
на замовлення 630 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+874.16 грн
10+ 759.31 грн
30+ 642.34 грн
60+ 606.47 грн
120+ 603.81 грн
IXFP34N65X2 media?resourcetype=datasheets&itemid=786EDC5E-AA3E-4B40-B9C8-EE04A1A33A90&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet
IXFP34N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+457.72 грн
50+ 351.71 грн
100+ 314.69 грн
IXFP34N65X2 media-3321279.pdf
IXFP34N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+499.85 грн
50+ 393.41 грн
100+ 335.45 грн
250+ 306.22 грн
IXFP34N65X2M media-3320187.pdf
IXFP34N65X2M
Виробник: IXYS
MOSFET 650V/34A OVERMOLDED TO-220
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+526.2 грн
10+ 444.59 грн
50+ 368 грн
100+ 322.17 грн
250+ 312.2 грн
500+ 279.65 грн
IXFP34N65X3 media-3322676.pdf
IXFP34N65X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 749 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+592.08 грн
10+ 582.85 грн
50+ 404.53 грн
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.42 грн
4+ 105.17 грн
9+ 94.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+152.91 грн
3+ 131.06 грн
9+ 112.92 грн
24+ 106.28 грн
50+ 105.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTH24N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_24n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTH24N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+414.6 грн
30+ 318.38 грн
120+ 284.87 грн
IXTH34N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_34n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTH34N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+481.43 грн
30+ 370.21 грн
120+ 331.25 грн
IXTH34N65X2 media-3319832.pdf
IXTH34N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+516.13 грн
10+ 436.19 грн
30+ 344.09 грн
120+ 315.52 грн
270+ 302.9 грн
IXTH64N65X media-3319323.pdf
IXTH64N65X
Виробник: IXYS
MOSFET 650V/64A Power MOSFET
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1037.68 грн
10+ 901.4 грн
30+ 720.06 грн
60+ 719.39 грн
120+ 696.14 грн
270+ 625.73 грн
510+ 605.8 грн
IXTP24N65X2 IXT_24N65X2.pdf
IXTP24N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+404.18 грн
3+ 350.08 грн
4+ 263.21 грн
11+ 248.27 грн
IXTP24N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_24n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTP24N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+396.64 грн
50+ 302.79 грн
100+ 259.54 грн
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M.pdf
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+319.23 грн
3+ 276.78 грн
5+ 203.43 грн
13+ 192.63 грн
IXTP24N65X2M media-3323831.pdf
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+338.66 грн
10+ 280.35 грн
50+ 235.81 грн
100+ 197.28 грн
250+ 191.31 грн
500+ 176.69 грн
1000+ 152.12 грн
IXTP34N65X2 media-3319832.pdf
IXTP34N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+475.06 грн
10+ 401.05 грн
50+ 330.8 грн
100+ 290.28 грн
250+ 287.62 грн
500+ 256.4 грн
1000+ 236.48 грн
IXTP34N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_34n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTP34N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+443.34 грн
50+ 340.6 грн
100+ 304.75 грн
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.38 грн
4+ 110.71 грн
9+ 92.03 грн
25+ 87.18 грн
300+ 83.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 525 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.06 грн
3+ 137.96 грн
9+ 110.43 грн
25+ 104.62 грн
300+ 100.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP4N65X2 a
IXTP4N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+184.67 грн
50+ 143.15 грн
100+ 117.78 грн
500+ 93.53 грн
1000+ 79.36 грн
2000+ 75.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTQ34N65X2M
IXTQ34N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Mounting: THT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
On-state resistance: 96mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+722.51 грн
2+ 500.11 грн
3+ 480.76 грн
6+ 455.02 грн
IXTQ34N65X2M media-3322105.pdf
IXTQ34N65X2M
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT 34A 650V X2
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+723.04 грн
10+ 610.35 грн
30+ 480.92 грн
120+ 441.73 грн
270+ 402.54 грн
510+ 385.27 грн
1020+ 369.33 грн
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+114.75 грн
5+ 94.8 грн
10+ 87.88 грн
20+ 85.8 грн
26+ 83.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+137.71 грн
5+ 118.13 грн
10+ 105.45 грн
20+ 102.96 грн
26+ 99.64 грн
70+ 96.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY4N65X2 a
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+178.92 грн
10+ 143.16 грн
100+ 113.98 грн
500+ 90.51 грн
1000+ 76.8 грн
2000+ 72.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY4N65X2 media-3322412.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.42 грн
10+ 157.36 грн
70+ 108.27 грн
560+ 91.67 грн
1050+ 81.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMT064N65S3H ntmt064n65s3h-d.pdf
NTMT064N65S3H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+316.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMT064N65S3H ntmt064n65s3h-d.pdf
NTMT064N65S3H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+596.4 грн
10+ 491.9 грн
100+ 409.94 грн
500+ 339.45 грн
1000+ 305.51 грн
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H_D-2318988.pdf
NTMT064N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFET 650V 64MOHM MOSFET
на замовлення 6401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+637.8 грн
10+ 539.31 грн
25+ 437.75 грн
100+ 390.58 грн
250+ 367.33 грн
500+ 344.75 грн
1000+ 310.21 грн
SIHA24N65EF-GE3 siha24n65ef.pdf
SIHA24N65EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+382.99 грн
50+ 292 грн
100+ 250.28 грн
500+ 208.78 грн
1000+ 178.77 грн
SIHB24N65E-GE3 sihb24n65e.pdf
SIHB24N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+410.73 грн
10+ 345.28 грн
25+ 243.78 грн
100+ 217.88 грн
250+ 212.56 грн
500+ 198.61 грн
1000+ 178.02 грн
SIHB24N65E-GE3 sihb24n65e.pdf
SIHB24N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+383.7 грн
50+ 292.69 грн
100+ 250.87 грн
500+ 209.28 грн
1000+ 179.19 грн
SIHB24N65EF-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+416.93 грн
10+ 345.28 грн
25+ 283.64 грн
100+ 242.45 грн
250+ 229.17 грн
500+ 216.55 грн
1000+ 184 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EFT1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 650V
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+416.93 грн
10+ 345.28 грн
25+ 283.64 грн
100+ 245.11 грн
800+ 207.91 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EFT1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+234.84 грн
1600+ 193.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
SIHB24N65EFT1-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EFT1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+388.73 грн
10+ 314.48 грн
100+ 254.41 грн
SIHF074N65E-GE3 sihf074n65e.pdf
SIHF074N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET E Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 79 mohm a. 10V
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+544.8 грн
10+ 460.63 грн
25+ 363.35 грн
100+ 333.46 грн
250+ 313.53 грн
500+ 294.27 грн
1000+ 265.04 грн
SIHF074N65E-GE3 sihf074n65e.pdf
SIHF074N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+509.45 грн
10+ 420.21 грн
100+ 350.17 грн
500+ 289.96 грн
SIHG24N65E-GE3 sihg24n6.pdf
SIHG24N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+395.92 грн
10+ 320.3 грн
100+ 259.12 грн
500+ 216.15 грн
SIHG24N65E-GE3 sihg24n6.pdf
SIHG24N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+424.68 грн
10+ 351.39 грн
25+ 261.05 грн
100+ 227.84 грн
250+ 222.53 грн
500+ 205.26 грн
1000+ 177.36 грн
SIHG24N65E-GE3 sihg24n6.pdf
SIHG24N65E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+181.34 грн
Мінімальне замовлення: 500
SiHG44N65EF-GE3 sihg44n65ef.pdf
SiHG44N65EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+681.97 грн
10+ 576.74 грн
25+ 455.02 грн
100+ 418.48 грн
250+ 393.24 грн
500+ 363.35 грн
1000+ 350.06 грн
SiHG64N65E-GE3 sihg64n65e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 369 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7497 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+862.98 грн
10+ 732.34 грн
100+ 633.4 грн
500+ 538.69 грн
SiHG64N65E-GE3 sihg64n65e.pdf
SiHG64N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+924.54 грн
10+ 802.86 грн
25+ 679.54 грн
50+ 646.32 грн
100+ 600.49 грн
250+ 585.21 грн
500+ 542.7 грн
SiHH14N65E-T1-GE3 sihh14n65e.pdf
SiHH14N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+365.78 грн
10+ 302.5 грн
25+ 248.43 грн
100+ 213.23 грн
250+ 200.61 грн
500+ 189.31 грн
1000+ 162.08 грн
SiHH24N65E-T1-GE3 sihh24n65e.pdf
SiHH24N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2814 pF @ 100 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+439.75 грн
10+ 363.34 грн
100+ 302.79 грн
500+ 250.73 грн
SiHH24N65EF-T1-GE3 sihh24n65ef.pdf
SiHH24N65EF-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+537.05 грн
10+ 453.75 грн
25+ 357.37 грн
100+ 328.81 грн
250+ 309.54 грн
500+ 289.62 грн
1000+ 263.71 грн
SIHP054N65E-GE3 sihp054n65e.pdf
SIHP054N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3769 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+312.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHP054N65E-GE3 sihp054n65e.pdf
SIHP054N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET E Series Power MOSFET TO-220AB, 58 mohm a. 10V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+590.53 грн
10+ 498.82 грн
25+ 392.58 грн
100+ 361.36 грн
250+ 340.1 грн
500+ 326.81 грн
1000+ 277 грн
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]