Результат пошуку "50n65" : > 60

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1
Код товару: 189326
2 Додати до обраних Обраний товар
IXYH50N65C3H1.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AD
Напруга колектор-емітер Vces, В: 650 В
Напруга насичення Vce, В: 2,1 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 130 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 50 А
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 22/80
у наявності: 15 шт
  • 3 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65F5ATMA1 AIGB50N65F5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+472.93 грн
10+305.03 грн
100+219.89 грн
500+192.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65H5ATMA1 AIGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+178.57 грн
2000+167.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65H5ATMA1 AIGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.95 грн
10+287.77 грн
100+207.45 грн
500+181.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.49 грн
10+275.23 грн
100+197.26 грн
500+169.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+159.20 грн
2000+147.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies infineon_aikb50n65df5_datasheet_en.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 6 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+438.88 грн
10+288.98 грн
100+179.81 грн
500+164.01 грн
1000+154.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies infineon_aikb50n65dh5_datasheet_en.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 382 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+438.88 грн
10+288.98 грн
100+187.34 грн
500+164.01 грн
1000+154.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKBE50N65RF5ATMA1 AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKBE50N65RF5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be5aabe714146 Description: IGBT TRENCH FS 650V 96A TO263-7
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+737.96 грн
10+487.51 грн
100+369.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKBE50N65RF5ATMA1 AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon Technologies infineon_aikbe50n65rf5_datasheet_en.pdf IGBTs SIC_DISCRETE
на замовлення 26 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+746.97 грн
10+504.42 грн
100+333.30 грн
1000+314.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d081326247f3a Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.39 грн
30+312.27 грн
120+261.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Gate charge: 308nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+975.59 грн
2+646.10 грн
5+610.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Gate charge: 308nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+870.44 грн
2+544.22 грн
5+514.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Gate charge: 308nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+768.03 грн
2+487.34 грн
6+460.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T BIDW50N65T Bourns Inc. BIDW50N65T.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.35 грн
30+270.83 грн
120+225.78 грн
510+180.89 грн
1020+169.59 грн
2010+166.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T BIDW50N65T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDW50N65T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+509.97 грн
10+300.23 грн
100+218.18 грн
600+187.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CXG50N65HSEU CREATEK Createk Microelectronics Transistor IGBT ; 650V; 30V; 100A; 200A; 378W; 4,0V~5,5V; 200nC; -55°C~150°C; CXG50N65HSEU TCXG50n65hseu
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+129.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ENGNTBL050N65GN1TXG ENGNTBL050N65GN1TXG onsemi NTBL050N65GN1-D.PDF Description: GAN FET, 650V, 39M, TOLL
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+304.80 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ENGNTBL050N65GN1TXG ENGNTBL050N65GN1TXG onsemi NTBL050N65GN1-D.PDF Description: GAN FET, 650V, 39M, TOLL
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+717.33 грн
10+474.44 грн
50+381.90 грн
100+337.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ENGNTBT050N65GN1TXG ENGNTBT050N65GN1TXG onsemi NTBT050N65GN1-D.PDF Description: GAN FET, 650V, 39M, TOLT
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+304.80 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ENGNTBT050N65GN1TXG ENGNTBT050N65GN1TXG onsemi NTBT050N65GN1-D.PDF Description: GAN FET, 650V, 39M, TOLT
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+717.33 грн
10+474.44 грн
50+381.90 грн
100+337.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi FCMT250N65S3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+144.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi FCMT250N65S3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.65 грн
10+262.17 грн
50+205.96 грн
100+176.32 грн
500+159.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi FCMT250N65S3-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+471.35 грн
10+304.56 грн
100+194.86 грн
500+173.04 грн
1000+154.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F FCP150N65F onsemi FCP150N65F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.44 грн
10+298.23 грн
50+236.42 грн
100+203.22 грн
500+173.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F FCP150N65F onsemi FCP150N65F-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 771 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+497.69 грн
10+263.02 грн
100+204.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65F FCPF150N65F onsemi FCPF150N65F-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.75 грн
10+304.96 грн
50+242.00 грн
100+208.11 грн
500+178.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65F FCPF150N65F onsemi FCPF150N65F-D.PDF MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
на замовлення 948 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+509.10 грн
10+268.22 грн
100+213.67 грн
500+210.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3L1-F154 FCPF250N65S3L1-F154 onsemi FCPF250N65S3L1-F154-D.PDF Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.24 грн
10+214.87 грн
50+167.72 грн
100+143.15 грн
500+118.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 onsemi FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.17 грн
10+220.52 грн
50+172.72 грн
100+147.66 грн
500+122.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 onsemi FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 862 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+373.92 грн
10+192.08 грн
100+151.98 грн
500+126.40 грн
1000+125.64 грн
2000+124.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies infineon-igb50n65h5-datasheet-en.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.89 грн
10+161.92 грн
100+112.84 грн
500+86.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies infineon-igb50n65h5-datasheet-en.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N65S5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+266.98 грн
10+161.31 грн
12+82.35 грн
33+77.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies infineon-igb50n65s5-datasheet-cn.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 7877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.14 грн
10+173.45 грн
100+120.94 грн
500+92.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies infineon-igb50n65s5-datasheet-cn.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.80 грн
2000+85.23 грн
3000+82.15 грн
5000+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+303.10 грн
6+173.20 грн
16+163.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies infineon-igw50n65f5-datasheet-en.pdf Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.07 грн
30+178.80 грн
120+147.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 Infineon info-tigw50n65f5.pdf IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+352.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies infineon_igw50n65f5_datasheet_en.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 960 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+384.46 грн
10+210.25 грн
100+150.47 грн
480+129.41 грн
1200+119.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5 IGW50N65H5 Infineon Technologies Infineon_IGW50N65H5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 556 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+326.52 грн
10+210.25 грн
100+136.18 грн
480+114.36 грн
1200+106.08 грн
2640+99.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies infineon-igw50n65h5-datasheet-en.pdf Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.39 грн
30+155.45 грн
120+127.33 грн
510+100.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies infineon_igw50n65h5_datasheet_en.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 504 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+318.62 грн
10+161.79 грн
100+116.62 грн
480+99.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5 IHW50N65R5 Infineon Technologies Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 256 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+334.42 грн
10+215.44 грн
100+140.69 грн
480+117.37 грн
1200+108.34 грн
2640+101.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW50N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Gate charge: 230nC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+257.25 грн
10+250.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 Infineon Technologies DS_IHW50N65R5_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146ae23713f0115 Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns
Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.36 грн
30+158.02 грн
120+129.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 Infineon Technologies infineon_ihw50n65r5_datasheet_en.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 330 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+323.01 грн
10+175.64 грн
100+125.64 грн
480+103.83 грн
1200+103.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw50n65r6-datasheet-cn.pdf Description: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 251 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.60 грн
30+155.37 грн
120+127.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw50n65r6-datasheet-cn.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
на замовлення 168 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+317.75 грн
10+173.04 грн
100+122.63 грн
480+102.32 грн
1200+100.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65EH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+410.53 грн
5+219.90 грн
13+208.01 грн
60+199.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df77c98ca4461 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.76 грн
30+228.45 грн
120+189.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies infineon_ikw50n65eh5_datasheet_en.pdf IGBTs INDUSTRY
на замовлення 203 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+455.55 грн
10+253.51 грн
100+181.32 грн
480+163.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+412.36 грн
4+245.37 грн
11+231.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65ES5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef20150147874f758c0 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.76 грн
30+228.45 грн
120+189.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon_ikw50n65es5_datasheet_en.pdf IGBTs INDUSTRY
на замовлення 100 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+455.55 грн
10+274.27 грн
100+187.34 грн
480+165.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bed62757f8 Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.95 грн
30+242.63 грн
120+201.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Manufacturer series: F5
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 305W
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Mounting: THT
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+326.87 грн
7+156.22 грн
17+147.73 грн
60+146.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 Infineon infineon-ikw50n65f5-datasheet-en.pdf IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5 IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 Транзистори
на замовлення 12 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
4+248.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw50n65f5-datasheet-en.pdf Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.88 грн
30+205.57 грн
120+170.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies infineon_ikw50n65f5_datasheet_en.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+412.54 грн
10+228.42 грн
100+164.01 грн
480+159.50 грн
1200+142.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1
Код товару: 189326
2 Додати до обраних Обраний товар
IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AD
Напруга колектор-емітер Vces, В: 650 В
Напруга насичення Vce, В: 2,1 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 130 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 50 А
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 22/80
у наявності: 15 шт
  • 3 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65F5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB50N65F5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+472.93 грн
10+305.03 грн
100+219.89 грн
500+192.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65H5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB50N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+178.57 грн
2000+167.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65H5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB50N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+445.95 грн
10+287.77 грн
100+207.45 грн
500+181.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB50N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+428.49 грн
10+275.23 грн
100+197.26 грн
500+169.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB50N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+159.20 грн
2000+147.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 infineon_aikb50n65df5_datasheet_en.pdf
AIKB50N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 6 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+438.88 грн
10+288.98 грн
100+179.81 грн
500+164.01 грн
1000+154.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 infineon_aikb50n65dh5_datasheet_en.pdf
AIKB50N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 382 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+438.88 грн
10+288.98 грн
100+187.34 грн
500+164.01 грн
1000+154.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon-AIKBE50N65RF5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be5aabe714146
AIKBE50N65RF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 96A TO263-7
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+737.96 грн
10+487.51 грн
100+369.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKBE50N65RF5ATMA1 infineon_aikbe50n65rf5_datasheet_en.pdf
AIKBE50N65RF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs SIC_DISCRETE
на замовлення 26 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+746.97 грн
10+504.42 грн
100+333.30 грн
1000+314.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d081326247f3a
AIKW50N65DF5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+563.39 грн
30+312.27 грн
120+261.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1.pdf
BGH50N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Gate charge: 308nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+975.59 грн
2+646.10 грн
5+610.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1.pdf
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Gate charge: 308nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+870.44 грн
2+544.22 грн
5+514.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1.pdf
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Gate charge: 308nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+768.03 грн
2+487.34 грн
6+460.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T BIDW50N65T.pdf
BIDW50N65T
Виробник: Bourns Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+494.35 грн
30+270.83 грн
120+225.78 грн
510+180.89 грн
1020+169.59 грн
2010+166.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T Bourns_7-25-2022_BIDW50N65T_datasheet.pdf
BIDW50N65T
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+509.97 грн
10+300.23 грн
100+218.18 грн
600+187.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CXG50N65HSEU CREATEK
Виробник: Createk Microelectronics
Transistor IGBT ; 650V; 30V; 100A; 200A; 378W; 4,0V~5,5V; 200nC; -55°C~150°C; CXG50N65HSEU TCXG50n65hseu
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+129.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ENGNTBL050N65GN1TXG NTBL050N65GN1-D.PDF
ENGNTBL050N65GN1TXG
Виробник: onsemi
Description: GAN FET, 650V, 39M, TOLL
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1200+304.80 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ENGNTBL050N65GN1TXG NTBL050N65GN1-D.PDF
ENGNTBL050N65GN1TXG
Виробник: onsemi
Description: GAN FET, 650V, 39M, TOLL
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+717.33 грн
10+474.44 грн
50+381.90 грн
100+337.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ENGNTBT050N65GN1TXG NTBT050N65GN1-D.PDF
ENGNTBT050N65GN1TXG
Виробник: onsemi
Description: GAN FET, 650V, 39M, TOLT
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1200+304.80 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ENGNTBT050N65GN1TXG NTBT050N65GN1-D.PDF
ENGNTBT050N65GN1TXG
Виробник: onsemi
Description: GAN FET, 650V, 39M, TOLT
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+717.33 грн
10+474.44 грн
50+381.90 грн
100+337.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3-D.PDF
FCMT250N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+144.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3-D.PDF
FCMT250N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+408.65 грн
10+262.17 грн
50+205.96 грн
100+176.32 грн
500+159.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3-D.PDF
FCMT250N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+471.35 грн
10+304.56 грн
100+194.86 грн
500+173.04 грн
1000+154.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F FCP150N65F-D.pdf
FCP150N65F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+459.44 грн
10+298.23 грн
50+236.42 грн
100+203.22 грн
500+173.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F FCP150N65F-D.pdf
FCP150N65F
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 771 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+497.69 грн
10+263.02 грн
100+204.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65F FCPF150N65F-D.PDF
FCPF150N65F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+469.75 грн
10+304.96 грн
50+242.00 грн
100+208.11 грн
500+178.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65F FCPF150N65F-D.PDF
FCPF150N65F
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
на замовлення 948 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+509.10 грн
10+268.22 грн
100+213.67 грн
500+210.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3L1-F154 FCPF250N65S3L1-F154-D.PDF
FCPF250N65S3L1-F154
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+337.24 грн
10+214.87 грн
50+167.72 грн
100+143.15 грн
500+118.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF
FCPF250N65S3R0L-F154
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+345.17 грн
10+220.52 грн
50+172.72 грн
100+147.66 грн
500+122.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF
FCPF250N65S3R0L-F154
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 862 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+373.92 грн
10+192.08 грн
100+151.98 грн
500+126.40 грн
1000+125.64 грн
2000+124.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 infineon-igb50n65h5-datasheet-en.pdf
IGB50N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+257.89 грн
10+161.92 грн
100+112.84 грн
500+86.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 infineon-igb50n65h5-datasheet-en.pdf
IGB50N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+88.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+266.98 грн
10+161.31 грн
12+82.35 грн
33+77.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 infineon-igb50n65s5-datasheet-cn.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 7877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.14 грн
10+173.45 грн
100+120.94 грн
500+92.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 infineon-igb50n65s5-datasheet-cn.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+94.80 грн
2000+85.23 грн
3000+82.15 грн
5000+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5.pdf
IGW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+303.10 грн
6+173.20 грн
16+163.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 infineon-igw50n65f5-datasheet-en.pdf
IGW50N65F5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+334.07 грн
30+178.80 грн
120+147.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 info-tigw50n65f5.pdf
IGW50N65F5FKSA1
Виробник: Infineon
IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+352.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 infineon_igw50n65f5_datasheet_en.pdf
IGW50N65F5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 960 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+384.46 грн
10+210.25 грн
100+150.47 грн
480+129.41 грн
1200+119.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5 Infineon_IGW50N65H5_DS_v02_01_EN.pdf
IGW50N65H5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 556 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+326.52 грн
10+210.25 грн
100+136.18 грн
480+114.36 грн
1200+106.08 грн
2640+99.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 infineon-igw50n65h5-datasheet-en.pdf
IGW50N65H5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.39 грн
30+155.45 грн
120+127.33 грн
510+100.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 infineon_igw50n65h5_datasheet_en.pdf
IGW50N65H5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 504 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+318.62 грн
10+161.79 грн
100+116.62 грн
480+99.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5 Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN.pdf
IHW50N65R5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 256 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+334.42 грн
10+215.44 грн
100+140.69 грн
480+117.37 грн
1200+108.34 грн
2640+101.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Gate charge: 230nC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+257.25 грн
10+250.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 DS_IHW50N65R5_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146ae23713f0115
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns
Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+298.36 грн
30+158.02 грн
120+129.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 infineon_ihw50n65r5_datasheet_en.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 330 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+323.01 грн
10+175.64 грн
100+125.64 грн
480+103.83 грн
1200+103.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 infineon-ihw50n65r6-datasheet-cn.pdf
IHW50N65R6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 251 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+293.60 грн
30+155.37 грн
120+127.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 infineon-ihw50n65r6-datasheet-cn.pdf
IHW50N65R6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
на замовлення 168 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+317.75 грн
10+173.04 грн
100+122.63 грн
480+102.32 грн
1200+100.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5.pdf
IKW50N65EH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+410.53 грн
5+219.90 грн
13+208.01 грн
60+199.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 Infineon-IKW50N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df77c98ca4461
IKW50N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+419.76 грн
30+228.45 грн
120+189.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 infineon_ikw50n65eh5_datasheet_en.pdf
IKW50N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 203 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+455.55 грн
10+253.51 грн
100+181.32 грн
480+163.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5.pdf
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+412.36 грн
4+245.37 грн
11+231.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 Infineon-IKW50N65ES5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef20150147874f758c0
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+419.76 грн
30+228.45 грн
120+189.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 infineon_ikw50n65es5_datasheet_en.pdf
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 100 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+455.55 грн
10+274.27 грн
100+187.34 грн
480+165.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1 Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bed62757f8
IKW50N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+445.95 грн
30+242.63 грн
120+201.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5-DTE.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Manufacturer series: F5
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 305W
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Mounting: THT
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+326.87 грн
7+156.22 грн
17+147.73 грн
60+146.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 infineon-ikw50n65f5-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5 IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 Транзистори
на замовлення 12 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+248.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 infineon-ikw50n65f5-datasheet-en.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+380.88 грн
30+205.57 грн
120+170.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 infineon_ikw50n65f5_datasheet_en.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+412.54 грн
10+228.42 грн
100+164.01 грн
480+159.50 грн
1200+142.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.