Результат пошуку "50n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1
Код товару: 189326
Додати до обраних Обраний товар

IXYH50N65C3H1.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 22/80
у наявності: 21 шт
17 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65F5ATMA1 AIGB50N65F5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.54 грн
10+272.83 грн
100+196.55 грн
500+181.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65H5ATMA1 AIGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.54 грн
10+272.83 грн
100+196.55 грн
500+181.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65H5ATMA1 AIGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+164.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+504.70 грн
10+496.61 грн
25+253.17 грн
100+248.61 грн
240+206.80 грн
480+181.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+158.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB50N65DF5_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.90 грн
10+291.15 грн
100+182.47 грн
500+178.66 грн
1000+151.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.21 грн
10+264.59 грн
100+190.22 грн
500+174.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.21 грн
10+264.59 грн
100+190.22 грн
500+174.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+158.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+382.29 грн
10+291.15 грн
100+181.71 грн
500+178.66 грн
1000+151.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKBE50N65RF5ATMA1 AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKBE50N65RF5_DataSheet_v01_00_EN.pdf IGBTs SIC_DISCRETE
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+711.36 грн
10+480.87 грн
100+336.80 грн
1000+285.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKBE50N65RF5ATMA1 AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKBE50N65RF5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be5aabe714146 Description: IGBT TRENCH FS 650V 96A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+662.87 грн
10+437.48 грн
100+351.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW50N65DF5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.44 грн
10+319.13 грн
100+245.57 грн
480+231.88 грн
1200+226.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d081326247f3a Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.06 грн
10+321.45 грн
30+292.97 грн
120+251.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW50N65DH5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.94 грн
10+353.22 грн
25+280.54 грн
100+256.21 грн
240+245.57 грн
480+231.88 грн
1200+226.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+890.40 грн
5+748.40 грн
30+658.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1068.48 грн
5+932.62 грн
30+790.69 грн
150+662.39 грн
600+656.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+811.94 грн
5+677.91 грн
30+598.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+974.32 грн
5+844.78 грн
30+718.46 грн
150+688.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+716.41 грн
5+598.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+859.70 грн
5+746.09 грн
30+634.83 грн
150+614.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T BIDW50N65T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDW50N65T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+306.01 грн
10+216.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T BIDW50N65T Bourns Inc. BIDW50N65T.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.57 грн
30+196.62 грн
120+171.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi fcmt250n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.62 грн
10+235.05 грн
100+167.78 грн
500+150.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi FCMT250N65S3-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.94 грн
10+198.47 грн
100+149.77 грн
500+146.73 грн
1000+143.69 грн
3000+130.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi fcmt250n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+135.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F FCP150N65F onsemi fcp150n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.17 грн
50+223.87 грн
100+204.69 грн
500+160.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F FCP150N65F onsemi / Fairchild FCP150N65F-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.21 грн
10+233.44 грн
100+193.87 грн
500+164.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65F FCPF150N65F onsemi / Fairchild FCPF150N65F-D.PDF MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.25 грн
10+195.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65F FCPF150N65F onsemi fcpf150n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.22 грн
50+229.13 грн
100+209.57 грн
500+164.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3L1-F154 FCPF250N65S3L1-F154 onsemi fcpf250n65s3l1-f154-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+314.98 грн
50+156.13 грн
100+141.82 грн
500+109.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 onsemi fcpf250n65s3r0l-f154-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.69 грн
50+154.04 грн
100+139.90 грн
500+108.06 грн
1000+100.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 onsemi FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.81 грн
10+146.01 грн
100+117.84 грн
500+104.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65H5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bd7432ff0 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.55 грн
10+155.70 грн
100+108.54 грн
500+88.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65H5-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.10 грн
10+171.37 грн
100+104.16 грн
500+90.47 грн
1000+77.55 грн
2000+76.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65H5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bd7432ff0 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65S5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bbc6f2fec Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.08 грн
2000+76.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65S5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bbc6f2fec Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.55 грн
10+155.70 грн
100+108.54 грн
500+88.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGB50N65S5_DataSheet_v02_02_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.10 грн
10+171.37 грн
100+104.16 грн
500+90.47 грн
1000+77.55 грн
2000+76.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+321.56 грн
30+172.01 грн
120+141.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 Infineon DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+316.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies DS_IGW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af900f52c5c25 Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.91 грн
30+149.52 грн
120+122.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW50N65H5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.56 грн
10+197.60 грн
100+127.73 грн
480+91.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5 IHW50N65R5 Infineon Technologies Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.51 грн
10+179.24 грн
100+121.64 грн
480+101.88 грн
1200+86.67 грн
2640+82.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+328.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 Infineon Technologies DS_IHW50N65R5_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146ae23713f0115 Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns
Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.42 грн
30+135.24 грн
120+110.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW50N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e1c8ed727b Description: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 251 W
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.55 грн
30+129.72 грн
120+105.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N65DH5XKSA1 IKFW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c23ecaa840da9 Description: IGBT TRENCH 650V 59A HSIP247-3-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/131ns
Switching Energy: 1.46mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12.2Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 124 W
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+537.86 грн
30+299.46 грн
120+251.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ150N65EH7XKSA1 IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikq150n65eh7-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507e0bc2038 IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+817.80 грн
10+498.36 грн
100+369.49 грн
480+358.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df77c98ca4461 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.91 грн
30+200.26 грн
120+165.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65EH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+363.67 грн
10+220.33 грн
100+158.90 грн
480+133.81 грн
1200+131.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5 IKW50N65ES5 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN.pdf IGBTs Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.03 грн
10+261.42 грн
100+184.75 грн
480+163.46 грн
1200+139.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65ES5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef20150147874f758c0 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.91 грн
30+200.39 грн
120+165.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.42 грн
10+206.34 грн
100+128.49 грн
480+121.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bed62757f8 Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 273 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.88 грн
30+187.14 грн
120+154.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.04 грн
10+153.64 грн
30+133.84 грн
60+133.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+298.85 грн
10+191.46 грн
30+160.61 грн
60+159.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5 IKW50N65H5 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65H5_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+346.81 грн
10+228.20 грн
100+152.06 грн
480+135.33 грн
1200+116.32 грн
2640+109.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1
Код товару: 189326
Додати до обраних Обраний товар

IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 22/80
у наявності: 21 шт
17 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65F5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB50N65F5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+423.54 грн
10+272.83 грн
100+196.55 грн
500+181.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65H5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB50N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+423.54 грн
10+272.83 грн
100+196.55 грн
500+181.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65H5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB50N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+164.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+504.70 грн
10+496.61 грн
25+253.17 грн
100+248.61 грн
240+206.80 грн
480+181.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB50N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+158.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon_AIKB50N65DF5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
AIKB50N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.90 грн
10+291.15 грн
100+182.47 грн
500+178.66 грн
1000+151.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB50N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+411.21 грн
10+264.59 грн
100+190.22 грн
500+174.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB50N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+411.21 грн
10+264.59 грн
100+190.22 грн
500+174.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB50N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+158.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon-AIKB50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
AIKB50N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.29 грн
10+291.15 грн
100+181.71 грн
500+178.66 грн
1000+151.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon_AIKBE50N65RF5_DataSheet_v01_00_EN.pdf
AIKBE50N65RF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs SIC_DISCRETE
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+711.36 грн
10+480.87 грн
100+336.80 грн
1000+285.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon-AIKBE50N65RF5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be5aabe714146
AIKBE50N65RF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 96A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+662.87 грн
10+437.48 грн
100+351.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon_AIKW50N65DF5_DS_v02_01_EN.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.44 грн
10+319.13 грн
100+245.57 грн
480+231.88 грн
1200+226.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d081326247f3a
AIKW50N65DF5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+435.06 грн
10+321.45 грн
30+292.97 грн
120+251.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon_AIKW50N65DH5_DS_v02_01_EN.pdf
AIKW50N65DH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+494.94 грн
10+353.22 грн
25+280.54 грн
100+256.21 грн
240+245.57 грн
480+231.88 грн
1200+226.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+890.40 грн
5+748.40 грн
30+658.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1068.48 грн
5+932.62 грн
30+790.69 грн
150+662.39 грн
600+656.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+811.94 грн
5+677.91 грн
30+598.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+974.32 грн
5+844.78 грн
30+718.46 грн
150+688.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+716.41 грн
5+598.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+859.70 грн
5+746.09 грн
30+634.83 грн
150+614.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T Bourns_7-25-2022_BIDW50N65T_datasheet.pdf
BIDW50N65T
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.01 грн
10+216.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T BIDW50N65T.pdf
BIDW50N65T
Виробник: Bourns Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.57 грн
30+196.62 грн
120+171.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 fcmt250n65s3-d.pdf
FCMT250N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.62 грн
10+235.05 грн
100+167.78 грн
500+150.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3-D.PDF
FCMT250N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.94 грн
10+198.47 грн
100+149.77 грн
500+146.73 грн
1000+143.69 грн
3000+130.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 fcmt250n65s3-d.pdf
FCMT250N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+135.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F fcp150n65f-d.pdf
FCP150N65F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.17 грн
50+223.87 грн
100+204.69 грн
500+160.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F FCP150N65F-D.pdf
FCP150N65F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+422.21 грн
10+233.44 грн
100+193.87 грн
500+164.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65F FCPF150N65F-D.PDF
FCPF150N65F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.25 грн
10+195.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65F fcpf150n65f-d.pdf
FCPF150N65F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.22 грн
50+229.13 грн
100+209.57 грн
500+164.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3L1-F154 fcpf250n65s3l1-f154-d.pdf
FCPF250N65S3L1-F154
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.98 грн
50+156.13 грн
100+141.82 грн
500+109.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 fcpf250n65s3r0l-f154-d.pdf
FCPF250N65S3R0L-F154
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.69 грн
50+154.04 грн
100+139.90 грн
500+108.06 грн
1000+100.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF
FCPF250N65S3R0L-F154
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.81 грн
10+146.01 грн
100+117.84 грн
500+104.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 Infineon-IGB50N65H5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bd7432ff0
IGB50N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.55 грн
10+155.70 грн
100+108.54 грн
500+88.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 Infineon-IGB50N65H5-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IGB50N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.10 грн
10+171.37 грн
100+104.16 грн
500+90.47 грн
1000+77.55 грн
2000+76.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 Infineon-IGB50N65H5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bd7432ff0
IGB50N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 Infineon-IGB50N65S5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bbc6f2fec
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+85.08 грн
2000+76.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 Infineon-IGB50N65S5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bbc6f2fec
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.55 грн
10+155.70 грн
100+108.54 грн
500+88.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 Infineon_IGB50N65S5_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.10 грн
10+171.37 грн
100+104.16 грн
500+90.47 грн
1000+77.55 грн
2000+76.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5
IGW50N65F5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.56 грн
30+172.01 грн
120+141.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5
Виробник: Infineon
IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+316.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 DS_IGW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af900f52c5c25
IGW50N65H5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.91 грн
30+149.52 грн
120+122.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 Infineon_IGW50N65H5_DS_v02_01_EN.pdf
IGW50N65H5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.56 грн
10+197.60 грн
100+127.73 грн
480+91.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5 Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN.pdf
IHW50N65R5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.51 грн
10+179.24 грн
100+121.64 грн
480+101.88 грн
1200+86.67 грн
2640+82.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+328.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 DS_IHW50N65R5_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146ae23713f0115
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns
Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.42 грн
30+135.24 грн
120+110.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 Infineon-IHW50N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e1c8ed727b
IHW50N65R6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 251 W
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.55 грн
30+129.72 грн
120+105.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N65DH5XKSA1 Infineon-IKFW50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c23ecaa840da9
IKFW50N65DH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 59A HSIP247-3-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/131ns
Switching Energy: 1.46mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12.2Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 124 W
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+537.86 грн
30+299.46 грн
120+251.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ150N65EH7XKSA1 infineon-ikq150n65eh7-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507e0bc2038
IKQ150N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+817.80 грн
10+498.36 грн
100+369.49 грн
480+358.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 Infineon-IKW50N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df77c98ca4461
IKW50N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+370.91 грн
30+200.26 грн
120+165.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 Infineon-IKW50N65EH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW50N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.67 грн
10+220.33 грн
100+158.90 грн
480+133.81 грн
1200+131.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5 Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN.pdf
IKW50N65ES5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+400.03 грн
10+261.42 грн
100+184.75 грн
480+163.46 грн
1200+139.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 Infineon-IKW50N65ES5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef20150147874f758c0
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+370.91 грн
30+200.39 грн
120+165.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1 Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW50N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+373.42 грн
10+206.34 грн
100+128.49 грн
480+121.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1 Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bed62757f8
IKW50N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 273 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.88 грн
30+187.14 грн
120+154.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.04 грн
10+153.64 грн
30+133.84 грн
60+133.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.85 грн
10+191.46 грн
30+160.61 грн
60+159.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5 Infineon_IKW50N65H5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKW50N65H5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+346.81 грн
10+228.20 грн
100+152.06 грн
480+135.33 грн
1200+116.32 грн
2640+109.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]