Результат пошуку "50n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1
Код товару: 189326
Додати до обраних Обраний товар

IXYH50N65C3H1.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 22/80
у наявності: 19 шт
15 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1075.81 грн
5+939.01 грн
30+796.11 грн
150+666.93 грн
600+661.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+981.00 грн
5+850.58 грн
30+723.39 грн
150+694.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+865.59 грн
5+751.21 грн
30+639.18 грн
150+621.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 Infineon DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+315.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW50N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+330.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+300.90 грн
10+192.77 грн
30+161.71 грн
60+160.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+385.39 грн
10+303.07 грн
20+255.48 грн
30+248.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 Infineon DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951 80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+272.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+358.60 грн
3+320.95 грн
10+307.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS IXFB150N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2308.24 грн
10+2192.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS IXYH50N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+892.38 грн
3+774.06 грн
10+659.28 грн
30+591.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65F1A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.15 грн
3+180.85 грн
10+154.05 грн
30+142.57 грн
120+133.96 грн
240+132.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65SEK.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.15 грн
3+180.85 грн
10+154.05 грн
30+142.57 грн
120+133.96 грн
240+132.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65SEU.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.15 грн
3+180.85 грн
10+154.05 грн
30+142.57 грн
120+133.96 грн
240+132.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5 Infineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 ON Semiconductor fcmt250n65s3-d.pdf
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3L1 ON Semiconductor fcpf250n65s3l1-d.pdf
на замовлення 9840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L ON Semiconductor fcpf250n65s3r0l-d.pdf
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5 Infineon technologies Part_Number_Guide_Web.pdf
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5 Infineon technologies
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N65DH5XKSA1 Infineon Infineon-IKFW50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c23ecaa840da9
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5 Infineon
на замовлення 12360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
на замовлення 42 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5 Infineon Part_Number_Guide_Web.pdf
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5 Infineon technologies
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
M34350N6-562SP MTTSUBIS
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
M34350N6562SP
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WG ON Semiconductor ngtb50n65fl2w-d.pdf
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTB150N65S3HF ON Semiconductor ntb150n65s3hf-d.pdf
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL050N65S3HF ON Semiconductor nthl050n65s3hf-d.pdf
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP150N65S3HF ON Semiconductor ntp150n65s3hf-d.pdf
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF150N65S3HF ON Semiconductor ntpf150n65s3hf-d.pdf
на замовлення 805 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB150N65S3F ON Semiconductor nvb150n65s3f-d.pdf
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L050N65S3F ON Semiconductor nvh4l050n65s3f-d.pdf
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HF ON Semiconductor nvhl050n65s3hf-d.pdf
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65DFBHWQ
на замовлення 47 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YGW50N65F1A LUXIN-SEMI Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N60H3FKSA1; YGW50N65F1A LUXIN-SEMI TYGW50n65f1a
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YGW50N65T1 LUXIN-SEMI Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N60TFKSA1; RGS00TS65EHRC11; YGW50N65T1 LUXIN-SEMI TYGW50n65t1
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R850F MOT 650V 4A 20W 850mOhm@10V, TO-220F Single FETs, MOSFETs ; SUPER JUNCTION N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF850N65Z; MOT65R850F TO-220F MOT T65R850F MOT
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
YGW60N65FMA1 LUXIN-SEMI Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 180A; 273W; 4,7V~6,3V; 145nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N65EH5XKSA1; IKZ50N65EH5XKSA1; YGW60N65FMA1 LUXIN-SEMI TYGW60n65fma1
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YGW60N65T1 LUXIN-SEMI Transistor IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 416W; 4,3V~6,4V; 158nC; -40°C~150°C; Similar to: IKW50N65EH5XKSA1; IKW60N60H3FKSA1; YGW60N65T1 LUXIN-SEMI TYGW60n65t1
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1
Код товару: 168638
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-AIKW50N65DH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d08132bd27f3c Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1
Код товару: 85495
Додати до обраних Обраний товар

DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5
Код товару: 182512
Додати до обраних Обраний товар

Part_Number_Guide_Web.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1
Код товару: 178408
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bed62757f8 Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5
Код товару: 187321
Додати до обраних Обраний товар

Part_Number_Guide_Web.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1
Код товару: 162192
Додати до обраних Обраний товар

DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5 Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1
Код товару: 125871
Додати до обраних Обраний товар

DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951 Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1
Код товару: 208262
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IKW50N65WR5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624c330ffd014c7099770661b8 Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WAG
Код товару: 154577
Додати до обраних Обраний товар

ngtb50n65fl2wa-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XYH50N65C3H1
Код товару: 167754
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1
Код товару: 189326
Додати до обраних Обраний товар

IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 22/80
у наявності: 19 шт
15 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1.pdf
BGH50N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1075.81 грн
5+939.01 грн
30+796.11 грн
150+666.93 грн
600+661.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1.pdf
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+981.00 грн
5+850.58 грн
30+723.39 грн
150+694.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1.pdf
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+865.59 грн
5+751.21 грн
30+639.18 грн
150+621.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5
Виробник: Infineon
IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+315.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+330.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5-DTE.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.90 грн
10+192.77 грн
30+161.71 грн
60+160.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf
IKW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+385.39 грн
10+303.07 грн
20+255.48 грн
30+248.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951
Виробник: Infineon
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+272.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5.pdf
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.60 грн
3+320.95 грн
10+307.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2.pdf
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2308.24 грн
10+2192.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+892.38 грн
3+774.06 грн
10+659.28 грн
30+591.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A.pdf
LGEGW50N65F1A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.15 грн
3+180.85 грн
10+154.05 грн
30+142.57 грн
120+133.96 грн
240+132.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK.pdf
LGEGW50N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.15 грн
3+180.85 грн
10+154.05 грн
30+142.57 грн
120+133.96 грн
240+132.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU.pdf
LGEGW50N65SEU
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.15 грн
3+180.85 грн
10+154.05 грн
30+142.57 грн
120+133.96 грн
240+132.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5
Виробник: Infineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 fcmt250n65s3-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3L1 fcpf250n65s3l1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 9840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L fcpf250n65s3r0l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5 Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N65DH5XKSA1 Infineon-IKFW50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c23ecaa840da9
Виробник: Infineon
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5
Виробник: Infineon
на замовлення 12360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5 Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
на замовлення 42 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5 Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: Infineon
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
M34350N6-562SP
Виробник: MTTSUBIS
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
M34350N6562SP
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WG ngtb50n65fl2w-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTB150N65S3HF ntb150n65s3hf-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL050N65S3HF nthl050n65s3hf-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP150N65S3HF ntp150n65s3hf-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF150N65S3HF ntpf150n65s3hf-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 805 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB150N65S3F nvb150n65s3f-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L050N65S3F nvh4l050n65s3f-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HF nvhl050n65s3hf-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65DFBHWQ
на замовлення 47 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YGW50N65F1A
Виробник: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N60H3FKSA1; YGW50N65F1A LUXIN-SEMI TYGW50n65f1a
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YGW50N65T1
Виробник: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N60TFKSA1; RGS00TS65EHRC11; YGW50N65T1 LUXIN-SEMI TYGW50n65t1
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R850F
Виробник: MOT
650V 4A 20W 850mOhm@10V, TO-220F Single FETs, MOSFETs ; SUPER JUNCTION N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF850N65Z; MOT65R850F TO-220F MOT T65R850F MOT
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
YGW60N65FMA1
Виробник: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 180A; 273W; 4,7V~6,3V; 145nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N65EH5XKSA1; IKZ50N65EH5XKSA1; YGW60N65FMA1 LUXIN-SEMI TYGW60n65fma1
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YGW60N65T1
Виробник: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 416W; 4,3V~6,4V; 158nC; -40°C~150°C; Similar to: IKW50N65EH5XKSA1; IKW60N60H3FKSA1; YGW60N65T1 LUXIN-SEMI TYGW60n65t1
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1
Код товару: 168638
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-AIKW50N65DH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d08132bd27f3c
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1
Код товару: 85495
Додати до обраних Обраний товар

DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5
IGW50N65F5FKSA1
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5
Код товару: 182512
Додати до обраних Обраний товар

Part_Number_Guide_Web.pdf
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1
Код товару: 178408
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bed62757f8
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5
Код товару: 187321
Додати до обраних Обраний товар

Part_Number_Guide_Web.pdf
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1
Код товару: 162192
Додати до обраних Обраний товар

DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1
Код товару: 125871
Додати до обраних Обраний товар

DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1
Код товару: 208262
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IKW50N65WR5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624c330ffd014c7099770661b8
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WAG
Код товару: 154577
Додати до обраних Обраний товар

ngtb50n65fl2wa-d.pdf
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XYH50N65C3H1
Код товару: 167754
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]