Результат пошуку "50n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1
Код товару: 189326
Додати до обраних Обраний товар

IXYH50N65C3H1.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 22/80
у наявності: 22 шт
17 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+504.54 грн
10+496.46 грн
25+253.10 грн
100+248.54 грн
240+206.73 грн
480+181.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB50N65DF5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+432.72 грн
10+291.06 грн
100+182.41 грн
250+181.65 грн
500+170.25 грн
1000+151.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+382.18 грн
10+291.06 грн
100+182.41 грн
500+178.61 грн
1000+151.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKBE50N65RF5ATMA1 AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKBE50N65RF5-DataSheet-v01_00-EN.pdf IGBTs SIC_DISCRETE
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+711.15 грн
10+480.73 грн
100+336.70 грн
1000+285.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.30 грн
10+319.03 грн
100+245.50 грн
480+231.81 грн
1200+226.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N65DH5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.79 грн
10+353.12 грн
25+280.46 грн
100+256.14 грн
240+245.50 грн
480+231.81 грн
1200+226.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65RF5XKSA1 AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N65RF5-DataSheet-v02_04-EN.pdf IGBTs SIC_DISCRETE
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+538.24 грн
10+426.54 грн
100+335.94 грн
480+270.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+939.58 грн
2+602.50 грн
5+569.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1127.50 грн
2+750.80 грн
5+683.09 грн
600+674.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+811.69 грн
2+631.79 грн
5+596.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+974.03 грн
2+787.31 грн
5+716.34 грн
150+689.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+716.20 грн
2+565.28 грн
5+534.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+859.44 грн
2+704.43 грн
5+641.29 грн
30+634.64 грн
150+616.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T BIDW50N65T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDW50N65T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+345.82 грн
10+216.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi FCMT250N65S3-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.23 грн
500+174.81 грн
1000+141.37 грн
3000+130.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F FCP150N65F onsemi / Fairchild FCP150N65F-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.08 грн
10+235.12 грн
100+193.81 грн
500+165.69 грн
1000+164.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65F FCPF150N65F onsemi / Fairchild FCPF150N65F-D.PDF MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.16 грн
10+195.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 onsemi FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.17 грн
10+147.72 грн
100+118.57 грн
500+104.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65H5-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.02 грн
10+171.31 грн
100+104.13 грн
500+90.45 грн
1000+77.52 грн
2000+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.02 грн
10+171.31 грн
100+104.13 грн
500+90.45 грн
1000+77.52 грн
2000+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 Infineon DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+313.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW50N65H5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.47 грн
10+197.54 грн
100+127.69 грн
480+91.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5 IHW50N65R5 Infineon Technologies Infineon-IHW50N65R5-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.43 грн
10+179.18 грн
100+121.61 грн
480+101.85 грн
1200+86.65 грн
2640+82.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.04 грн
4+257.31 грн
11+243.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+346.84 грн
4+320.64 грн
11+291.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65EH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+363.56 грн
10+220.26 грн
100+158.85 грн
480+133.77 грн
1200+131.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5 IKW50N65ES5 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65ES5-DS-v02_03-EN.pdf IGBTs Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+399.91 грн
10+261.34 грн
100+184.69 грн
480+163.41 грн
1200+139.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.31 грн
10+206.28 грн
100+128.45 грн
480+121.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.61 грн
7+145.68 грн
18+137.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+315.13 грн
7+181.53 грн
18+165.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5 IKW50N65H5 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+346.71 грн
10+228.13 грн
100+152.01 грн
480+135.29 грн
1200+116.29 грн
2640+109.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+336.78 грн
5+226.43 грн
12+213.76 грн
30+205.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+404.14 грн
5+282.17 грн
12+256.52 грн
30+247.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 Infineon DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951 80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+270.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1 IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+556.86 грн
10+409.93 грн
100+288.06 грн
480+255.38 грн
1200+218.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+749.28 грн
10+437.03 грн
100+321.50 грн
480+320.74 грн
1200+305.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.76 грн
3+269.97 грн
4+266.81 грн
10+252.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+376.52 грн
3+336.43 грн
4+320.17 грн
10+303.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65WR5-DataSheet-v01_30-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.96 грн
10+186.17 грн
100+126.93 грн
480+105.65 грн
1200+91.21 грн
2640+86.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH50N65EH7XKSA1 IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH50N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378.63 грн
10+225.51 грн
100+184.69 грн
480+135.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH50N65WR6XKSA1 IKWH50N65WR6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKWH50N65WR6_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.98 грн
10+154.71 грн
100+100.33 грн
480+88.93 грн
1200+84.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKY150N65EH7XKSA1 IKY150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY150N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507ba8f202d IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+994.01 грн
10+591.73 грн
100+440.83 грн
480+430.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZ50N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd8175c56052a IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.88 грн
10+230.75 грн
100+166.45 грн
480+136.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1 IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA50N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.65 грн
10+260.47 грн
100+189.25 грн
480+163.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1 IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA50N65RH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+604.74 грн
10+346.13 грн
100+250.82 грн
480+230.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2062.48 грн
2+1816.19 грн
10+1746.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2474.97 грн
2+2263.26 грн
10+2095.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFB150N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2398.58 грн
10+2191.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFN150N65X2_Datasheet.PDF MOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3591.22 грн
10+3483.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C5 IXYA50N65C5 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA50N65C5_Datasheet.pdf IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+530.26 грн
10+381.96 грн
100+268.30 грн
500+238.65 грн
1000+204.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+779.29 грн
2+518.57 грн
5+490.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+935.15 грн
2+646.22 грн
5+588.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH50N65C3H1_Datasheet.PDF IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+988.69 грн
10+590.86 грн
120+440.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3 IXYP50N65C3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_50N65C3_Datasheet.PDF IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+603.86 грн
10+332.14 грн
100+266.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F7348019C600E1&compId=LGEGW50N65F1A.pdf?ci_sign=8858ec95c174a9d9d63b9fb28a8b89b0b3230d80 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.26 грн
8+119.55 грн
22+112.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F7348019C600E1&compId=LGEGW50N65F1A.pdf?ci_sign=8858ec95c174a9d9d63b9fb28a8b89b0b3230d80 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+210.77 грн
3+183.51 грн
8+143.46 грн
22+134.91 грн
240+131.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D54E7A593BC0DF&compId=LGEGW50N65SEK.pdf?ci_sign=c5d945964622134594153b007f535b3b10d3c7f5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.26 грн
8+119.55 грн
22+112.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D54E7A593BC0DF&compId=LGEGW50N65SEK.pdf?ci_sign=c5d945964622134594153b007f535b3b10d3c7f5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+210.77 грн
3+183.51 грн
8+143.46 грн
22+134.91 грн
240+131.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5565FA8D780DF&compId=LGEGW50N65SEU.pdf?ci_sign=decfb58dbd5a843f7109b8b70fed4d222b1ab442 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.26 грн
8+119.55 грн
22+112.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1
Код товару: 189326
Додати до обраних Обраний товар

IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 22/80
у наявності: 22 шт
17 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+504.54 грн
10+496.46 грн
25+253.10 грн
100+248.54 грн
240+206.73 грн
480+181.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon-AIKB50N65DF5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
AIKB50N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+432.72 грн
10+291.06 грн
100+182.41 грн
250+181.65 грн
500+170.25 грн
1000+151.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon-AIKB50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
AIKB50N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.18 грн
10+291.06 грн
100+182.41 грн
500+178.61 грн
1000+151.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon-AIKBE50N65RF5-DataSheet-v01_00-EN.pdf
AIKBE50N65RF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs SIC_DISCRETE
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+711.15 грн
10+480.73 грн
100+336.70 грн
1000+285.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.30 грн
10+319.03 грн
100+245.50 грн
480+231.81 грн
1200+226.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon-AIKW50N65DH5-DS-v02_01-EN.pdf
AIKW50N65DH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+494.79 грн
10+353.12 грн
25+280.46 грн
100+256.14 грн
240+245.50 грн
480+231.81 грн
1200+226.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon-AIKW50N65RF5-DataSheet-v02_04-EN.pdf
AIKW50N65RF5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs SIC_DISCRETE
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+538.24 грн
10+426.54 грн
100+335.94 грн
480+270.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+939.58 грн
2+602.50 грн
5+569.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1127.50 грн
2+750.80 грн
5+683.09 грн
600+674.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+811.69 грн
2+631.79 грн
5+596.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+974.03 грн
2+787.31 грн
5+716.34 грн
150+689.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+716.20 грн
2+565.28 грн
5+534.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+859.44 грн
2+704.43 грн
5+641.29 грн
30+634.64 грн
150+616.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T Bourns_7-25-2022_BIDW50N65T_datasheet.pdf
BIDW50N65T
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+345.82 грн
10+216.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3-D.PDF
FCMT250N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.23 грн
500+174.81 грн
1000+141.37 грн
3000+130.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F FCP150N65F-D.pdf
FCP150N65F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+422.08 грн
10+235.12 грн
100+193.81 грн
500+165.69 грн
1000+164.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65F FCPF150N65F-D.PDF
FCPF150N65F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.16 грн
10+195.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF
FCPF250N65S3R0L-F154
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.17 грн
10+147.72 грн
100+118.57 грн
500+104.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 Infineon-IGB50N65H5-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IGB50N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.02 грн
10+171.31 грн
100+104.13 грн
500+90.45 грн
1000+77.52 грн
2000+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 Infineon-IGB50N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.02 грн
10+171.31 грн
100+104.13 грн
500+90.45 грн
1000+77.52 грн
2000+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5
Виробник: Infineon
IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+313.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 Infineon-IGW50N65H5-DS-v02_01-EN.pdf
IGW50N65H5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.47 грн
10+197.54 грн
100+127.69 грн
480+91.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5 Infineon-IHW50N65R5-DS-v02_04-EN.pdf
IHW50N65R5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.43 грн
10+179.18 грн
100+121.61 грн
480+101.85 грн
1200+86.65 грн
2640+82.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.04 грн
4+257.31 грн
11+243.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+346.84 грн
4+320.64 грн
11+291.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 Infineon-IKW50N65EH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW50N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.56 грн
10+220.26 грн
100+158.85 грн
480+133.77 грн
1200+131.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5 Infineon-IKW50N65ES5-DS-v02_03-EN.pdf
IKW50N65ES5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+399.91 грн
10+261.34 грн
100+184.69 грн
480+163.41 грн
1200+139.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1 Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW50N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+373.31 грн
10+206.28 грн
100+128.45 грн
480+121.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.61 грн
7+145.68 грн
18+137.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+315.13 грн
7+181.53 грн
18+165.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5 Infineon-IKW50N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKW50N65H5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+346.71 грн
10+228.13 грн
100+152.01 грн
480+135.29 грн
1200+116.29 грн
2640+109.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b
IKW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+336.78 грн
5+226.43 грн
12+213.76 грн
30+205.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b
IKW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+404.14 грн
5+282.17 грн
12+256.52 грн
30+247.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951
Виробник: Infineon
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+270.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1 Infineon_IKW50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW50N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+556.86 грн
10+409.93 грн
100+288.06 грн
480+255.38 грн
1200+218.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 Infineon-IKW50N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW50N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+749.28 грн
10+437.03 грн
100+321.50 грн
480+320.74 грн
1200+305.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.76 грн
3+269.97 грн
4+266.81 грн
10+252.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+376.52 грн
3+336.43 грн
4+320.17 грн
10+303.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 Infineon-IKW50N65WR5-DataSheet-v01_30-EN.pdf
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.96 грн
10+186.17 грн
100+126.93 грн
480+105.65 грн
1200+91.21 грн
2640+86.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon-IKWH50N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKWH50N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+378.63 грн
10+225.51 грн
100+184.69 грн
480+135.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH50N65WR6XKSA1 Infineon_IKWH50N65WR6_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKWH50N65WR6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.98 грн
10+154.71 грн
100+100.33 грн
480+88.93 грн
1200+84.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKY150N65EH7XKSA1 Infineon-IKY150N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507ba8f202d
IKY150N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+994.01 грн
10+591.73 грн
100+440.83 грн
480+430.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1 Infineon-IKZ50N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd8175c56052a
IKZ50N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.88 грн
10+230.75 грн
100+166.45 грн
480+136.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon-IKZA50N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKZA50N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+417.65 грн
10+260.47 грн
100+189.25 грн
480+163.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon-IKZA50N65RH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKZA50N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+604.74 грн
10+346.13 грн
100+250.82 грн
480+230.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2062.48 грн
2+1816.19 грн
10+1746.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2474.97 грн
2+2263.26 грн
10+2095.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFB150N65X2_Datasheet.PDF
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2398.58 грн
10+2191.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFN150N65X2_Datasheet.PDF
IXFN150N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3591.22 грн
10+3483.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C5 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA50N65C5_Datasheet.pdf
IXYA50N65C5
Виробник: IXYS
IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+530.26 грн
10+381.96 грн
100+268.30 грн
500+238.65 грн
1000+204.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+779.29 грн
2+518.57 грн
5+490.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+935.15 грн
2+646.22 грн
5+588.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH50N65C3H1_Datasheet.PDF
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+988.69 грн
10+590.86 грн
120+440.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_50N65C3_Datasheet.PDF
IXYP50N65C3
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+603.86 грн
10+332.14 грн
100+266.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F7348019C600E1&compId=LGEGW50N65F1A.pdf?ci_sign=8858ec95c174a9d9d63b9fb28a8b89b0b3230d80
LGEGW50N65F1A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.26 грн
8+119.55 грн
22+112.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F7348019C600E1&compId=LGEGW50N65F1A.pdf?ci_sign=8858ec95c174a9d9d63b9fb28a8b89b0b3230d80
LGEGW50N65F1A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.77 грн
3+183.51 грн
8+143.46 грн
22+134.91 грн
240+131.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D54E7A593BC0DF&compId=LGEGW50N65SEK.pdf?ci_sign=c5d945964622134594153b007f535b3b10d3c7f5
LGEGW50N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.26 грн
8+119.55 грн
22+112.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D54E7A593BC0DF&compId=LGEGW50N65SEK.pdf?ci_sign=c5d945964622134594153b007f535b3b10d3c7f5
LGEGW50N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.77 грн
3+183.51 грн
8+143.46 грн
22+134.91 грн
240+131.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5565FA8D780DF&compId=LGEGW50N65SEU.pdf?ci_sign=decfb58dbd5a843f7109b8b70fed4d222b1ab442
LGEGW50N65SEU
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.26 грн
8+119.55 грн
22+112.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]