Результат пошуку "50n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1
Код товару: 189326
Додати до обраних Обраний товар

IXYH50N65C3H1.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 22/80
у наявності: 21 шт
17 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65F5ATMA1 AIGB50N65F5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.55 грн
10+270.90 грн
100+195.16 грн
500+180.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65H5ATMA1 AIGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+163.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65H5ATMA1 AIGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.55 грн
10+270.90 грн
100+195.16 грн
500+180.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.13 грн
10+493.10 грн
25+251.38 грн
100+246.85 грн
240+205.33 грн
480+180.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB50N65DF5_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.01 грн
10+289.09 грн
100+181.18 грн
500+177.40 грн
1000+150.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.30 грн
10+262.72 грн
100+188.87 грн
500+173.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+157.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.30 грн
10+262.72 грн
100+188.87 грн
500+173.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+379.59 грн
10+289.09 грн
100+180.42 грн
500+177.40 грн
1000+150.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+157.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIKBE50N65RF5ATMA1 AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKBE50N65RF5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be5aabe714146 Description: IGBT TRENCH FS 650V 96A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+658.18 грн
10+434.38 грн
100+349.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKBE50N65RF5ATMA1 AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKBE50N65RF5_DataSheet_v01_00_EN.pdf IGBTs SIC_DISCRETE
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+706.33 грн
10+477.47 грн
100+334.42 грн
1000+283.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d081326247f3a Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.98 грн
10+319.18 грн
30+290.90 грн
120+249.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+464.14 грн
10+316.87 грн
100+243.83 грн
480+230.24 грн
1200+224.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW50N65DH5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+491.44 грн
10+350.72 грн
25+278.56 грн
100+254.40 грн
240+243.83 грн
480+230.24 грн
1200+224.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+884.10 грн
5+743.10 грн
30+654.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1060.92 грн
5+926.02 грн
30+785.09 грн
150+657.70 грн
600+652.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+806.19 грн
5+673.12 грн
30+594.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+967.43 грн
5+838.81 грн
30+713.38 грн
150+685.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+711.34 грн
5+594.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+853.61 грн
5+740.81 грн
30+630.34 грн
150+612.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T BIDW50N65T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDW50N65T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+340.84 грн
10+215.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T BIDW50N65T Bourns Inc. BIDW50N65T.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.04 грн
30+195.22 грн
120+169.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi fcmt250n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+134.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi fcmt250n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.02 грн
10+233.39 грн
100+166.60 грн
500+149.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi FCMT250N65S3-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+173.50 грн
500+169.29 грн
1000+141.92 грн
3000+129.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F FCP150N65F onsemi fcp150n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.06 грн
50+222.29 грн
100+203.24 грн
500+159.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F FCP150N65F onsemi / Fairchild FCP150N65F-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.22 грн
10+231.79 грн
100+192.50 грн
500+163.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65F FCPF150N65F onsemi / Fairchild FCPF150N65F-D.PDF MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.16 грн
10+194.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65F FCPF150N65F onsemi fcpf150n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.04 грн
50+227.51 грн
100+208.09 грн
500+163.38 грн
1000+159.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3L1-F154 FCPF250N65S3L1-F154 onsemi fcpf250n65s3l1-f154-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.76 грн
50+155.02 грн
100+140.82 грн
500+108.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 onsemi fcpf250n65s3r0l-f154-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.49 грн
50+152.95 грн
100+138.91 грн
500+107.29 грн
1000+99.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 onsemi FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.84 грн
10+145.85 грн
100+117.01 грн
500+104.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65H5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bd7432ff0 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+79.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65H5-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.21 грн
10+170.15 грн
100+103.42 грн
500+89.83 грн
1000+77.00 грн
2000+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65H5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bd7432ff0 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.80 грн
10+154.60 грн
100+107.77 грн
500+87.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.21 грн
10+170.15 грн
100+103.42 грн
500+89.83 грн
1000+77.00 грн
2000+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65S5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bbc6f2fec Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+84.48 грн
2000+76.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65S5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bbc6f2fec Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.80 грн
10+154.60 грн
100+107.77 грн
500+87.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+319.29 грн
30+170.80 грн
120+140.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 Infineon DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+314.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5 IHW50N65R5 Infineon Technologies Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.54 грн
10+177.97 грн
100+120.78 грн
480+101.16 грн
1200+86.06 грн
2640+82.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+326.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW50N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.33 грн
10+141.51 грн
100+100.40 грн
480+77.00 грн
1200+75.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW50N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e1c8ed727b Description: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 251 W
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.80 грн
30+128.80 грн
120+104.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N65DH5XKSA1 IKFW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c23ecaa840da9 Description: IGBT TRENCH 650V 59A HSIP247-3-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/131ns
Switching Energy: 1.46mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12.2Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 124 W
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+534.05 грн
30+297.35 грн
120+249.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ150N65EH7XKSA1 IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikq150n65eh7-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507e0bc2038 IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+812.02 грн
10+494.83 грн
100+366.88 грн
480+356.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df77c98ca4461 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.28 грн
30+198.84 грн
120+164.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65EH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+361.09 грн
10+218.77 грн
100+157.77 грн
480+132.86 грн
1200+130.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5 IKW50N65ES5 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN.pdf IGBTs Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+397.20 грн
10+259.57 грн
100+183.44 грн
480+162.30 грн
1200+138.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65ES5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef20150147874f758c0 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.28 грн
30+198.97 грн
120+164.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.44 грн
10+218.77 грн
100+157.77 грн
480+131.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bed62757f8 Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 273 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.42 грн
30+185.81 грн
120+153.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+370.78 грн
10+204.88 грн
100+127.58 грн
480+120.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.28 грн
10+152.55 грн
30+132.89 грн
60+132.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+296.73 грн
10+190.10 грн
30+159.47 грн
60+158.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5 IKW50N65H5 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+344.36 грн
10+226.58 грн
100+150.98 грн
480+134.37 грн
1200+115.50 грн
2640+108.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.72 грн
10+239.84 грн
20+209.96 грн
30+204.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1
Код товару: 189326
Додати до обраних Обраний товар

IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 22/80
у наявності: 21 шт
17 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65F5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB50N65F5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+420.55 грн
10+270.90 грн
100+195.16 грн
500+180.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65H5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB50N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+163.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65H5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB50N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+420.55 грн
10+270.90 грн
100+195.16 грн
500+180.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+501.13 грн
10+493.10 грн
25+251.38 грн
100+246.85 грн
240+205.33 грн
480+180.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon_AIKB50N65DF5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
AIKB50N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+406.01 грн
10+289.09 грн
100+181.18 грн
500+177.40 грн
1000+150.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB50N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.30 грн
10+262.72 грн
100+188.87 грн
500+173.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB50N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+157.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB50N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.30 грн
10+262.72 грн
100+188.87 грн
500+173.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon-AIKB50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
AIKB50N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.59 грн
10+289.09 грн
100+180.42 грн
500+177.40 грн
1000+150.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB50N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+157.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon-AIKBE50N65RF5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be5aabe714146
AIKBE50N65RF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 96A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+658.18 грн
10+434.38 грн
100+349.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon_AIKBE50N65RF5_DataSheet_v01_00_EN.pdf
AIKBE50N65RF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs SIC_DISCRETE
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+706.33 грн
10+477.47 грн
100+334.42 грн
1000+283.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d081326247f3a
AIKW50N65DF5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+431.98 грн
10+319.18 грн
30+290.90 грн
120+249.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.14 грн
10+316.87 грн
100+243.83 грн
480+230.24 грн
1200+224.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon_AIKW50N65DH5_DS_v02_01_EN.pdf
AIKW50N65DH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.44 грн
10+350.72 грн
25+278.56 грн
100+254.40 грн
240+243.83 грн
480+230.24 грн
1200+224.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+884.10 грн
5+743.10 грн
30+654.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1060.92 грн
5+926.02 грн
30+785.09 грн
150+657.70 грн
600+652.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+806.19 грн
5+673.12 грн
30+594.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+967.43 грн
5+838.81 грн
30+713.38 грн
150+685.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+711.34 грн
5+594.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+853.61 грн
5+740.81 грн
30+630.34 грн
150+612.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T Bourns_7-25-2022_BIDW50N65T_datasheet.pdf
BIDW50N65T
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+340.84 грн
10+215.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T BIDW50N65T.pdf
BIDW50N65T
Виробник: Bourns Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.04 грн
30+195.22 грн
120+169.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 fcmt250n65s3-d.pdf
FCMT250N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+134.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 fcmt250n65s3-d.pdf
FCMT250N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+365.02 грн
10+233.39 грн
100+166.60 грн
500+149.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3-D.PDF
FCMT250N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.50 грн
500+169.29 грн
1000+141.92 грн
3000+129.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F fcp150n65f-d.pdf
FCP150N65F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.06 грн
50+222.29 грн
100+203.24 грн
500+159.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F FCP150N65F-D.pdf
FCP150N65F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+419.22 грн
10+231.79 грн
100+192.50 грн
500+163.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65F FCPF150N65F-D.PDF
FCPF150N65F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.16 грн
10+194.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65F fcpf150n65f-d.pdf
FCPF150N65F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+445.04 грн
50+227.51 грн
100+208.09 грн
500+163.38 грн
1000+159.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3L1-F154 fcpf250n65s3l1-f154-d.pdf
FCPF250N65S3L1-F154
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.76 грн
50+155.02 грн
100+140.82 грн
500+108.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 fcpf250n65s3r0l-f154-d.pdf
FCPF250N65S3R0L-F154
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.49 грн
50+152.95 грн
100+138.91 грн
500+107.29 грн
1000+99.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF
FCPF250N65S3R0L-F154
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.84 грн
10+145.85 грн
100+117.01 грн
500+104.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 Infineon-IGB50N65H5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bd7432ff0
IGB50N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+79.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 Infineon-IGB50N65H5-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IGB50N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.21 грн
10+170.15 грн
100+103.42 грн
500+89.83 грн
1000+77.00 грн
2000+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 Infineon-IGB50N65H5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bd7432ff0
IGB50N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.80 грн
10+154.60 грн
100+107.77 грн
500+87.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 Infineon-IGB50N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.21 грн
10+170.15 грн
100+103.42 грн
500+89.83 грн
1000+77.00 грн
2000+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 Infineon-IGB50N65S5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bbc6f2fec
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+84.48 грн
2000+76.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 Infineon-IGB50N65S5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bbc6f2fec
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.80 грн
10+154.60 грн
100+107.77 грн
500+87.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5
IGW50N65F5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+319.29 грн
30+170.80 грн
120+140.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5
Виробник: Infineon
IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+314.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5 Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN.pdf
IHW50N65R5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.54 грн
10+177.97 грн
100+120.78 грн
480+101.16 грн
1200+86.06 грн
2640+82.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+326.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 Infineon-IHW50N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IHW50N65R6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.33 грн
10+141.51 грн
100+100.40 грн
480+77.00 грн
1200+75.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 Infineon-IHW50N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e1c8ed727b
IHW50N65R6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 251 W
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.80 грн
30+128.80 грн
120+104.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N65DH5XKSA1 Infineon-IKFW50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c23ecaa840da9
IKFW50N65DH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 59A HSIP247-3-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/131ns
Switching Energy: 1.46mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12.2Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 124 W
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.05 грн
30+297.35 грн
120+249.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ150N65EH7XKSA1 infineon-ikq150n65eh7-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507e0bc2038
IKQ150N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+812.02 грн
10+494.83 грн
100+366.88 грн
480+356.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 Infineon-IKW50N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df77c98ca4461
IKW50N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.28 грн
30+198.84 грн
120+164.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 Infineon-IKW50N65EH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW50N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.09 грн
10+218.77 грн
100+157.77 грн
480+132.86 грн
1200+130.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5 Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN.pdf
IKW50N65ES5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.20 грн
10+259.57 грн
100+183.44 грн
480+162.30 грн
1200+138.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 Infineon-IKW50N65ES5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef20150147874f758c0
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.28 грн
30+198.97 грн
120+164.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN.pdf
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.44 грн
10+218.77 грн
100+157.77 грн
480+131.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1 Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bed62757f8
IKW50N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 273 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+345.42 грн
30+185.81 грн
120+153.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1 Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW50N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+370.78 грн
10+204.88 грн
100+127.58 грн
480+120.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.28 грн
10+152.55 грн
30+132.89 грн
60+132.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.73 грн
10+190.10 грн
30+159.47 грн
60+158.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5 Infineon-IKW50N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKW50N65H5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+344.36 грн
10+226.58 грн
100+150.98 грн
480+134.37 грн
1200+115.50 грн
2640+108.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b
IKW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.72 грн
10+239.84 грн
20+209.96 грн
30+204.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]