Результат пошуку "irf3" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3205PBF IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

IR/Infineon irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 5470 шт
5221 шт - склад
55 шт - РАДІОМАГ-Київ
45 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Харків
127 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF IRF3205SPBF
Код товару: 36593
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3205spbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
у наявності: 111 шт
77 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+55.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF
Код товару: 34997
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3205z.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності: 423 шт
319 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
43 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+55.00 грн
10+45.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF
Код товару: 34305
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3415pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+55.00 грн
10+49.50 грн
100+44.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBF IRF3703PBF
Код товару: 33794
Додати до обраних Обраний товар

IR IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+108.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZS IRF3704ZS
Код товару: 99466
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3704z-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 20 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 7,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1220/8,7
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF
Код товару: 43009
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 339 шт
252 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBF IRF3710SPBF
Код товару: 43364
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
6 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+68.00 грн
10+63.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 44978
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 190954
Додати до обраних Обраний товар

JSMICRO IRF3710ZPBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
28 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3717PBF IRF3717PBF
Код товару: 26533
Додати до обраних Обраний товар

IR IRF3717PBF.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/22
Монтаж: SMD
у наявності: 12 шт
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+20.00 грн
10+18.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF
Код товару: 33009
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності: 79 шт
50 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908 description IRF3007PBF THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.95 грн
14+81.12 грн
38+76.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF IRF3007PBF Infineon Technologies infineonirf3007datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+106.00 грн
500+95.40 грн
1000+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF IRF3007PBF Infineon Technologies infineonirf3007datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+106.00 грн
500+95.40 грн
1000+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF International Rectifier HiRel Products irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908 description Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+106.00 грн
500+95.40 грн
1000+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3007s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+215.12 грн
4000+213.05 грн
8000+210.98 грн
12000+201.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3007s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+104.54 грн
4800+95.52 грн
7200+88.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3007S_DataSheet_v01_01_EN-3362967.pdf MOSFETs MOSFET 75V D2PAK
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.01 грн
10+145.79 грн
100+91.31 грн
500+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3007s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+230.48 грн
4000+228.27 грн
8000+226.05 грн
12000+215.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+436.99 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+793.35 грн
50+700.39 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+443.23 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+793.35 грн
50+700.39 грн
100+485.95 грн
200+388.40 грн
400+358.23 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 IRF300P226 INFINEON 2718692.pdf Description: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.019 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+786.41 грн
5+747.47 грн
10+707.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 IRF300P227 INFINEON INFN-S-A0004165546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+579.01 грн
5+554.47 грн
10+529.07 грн
50+350.58 грн
100+271.37 грн
250+266.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 IRF300P227 Infineon Technologies infineon-irf300p227-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+548.74 грн
50+459.86 грн
100+359.57 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.27 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+99.89 грн
10+77.50 грн
25+66.34 грн
30+31.60 грн
80+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF Infineon irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 841 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+145.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.87 грн
10+96.58 грн
25+79.61 грн
30+37.92 грн
80+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+79.33 грн
500+71.41 грн
Мінімальне замовлення: 309
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+49.96 грн
248+49.46 грн
500+48.95 грн
1000+43.51 грн
3000+37.68 грн
10000+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+79.33 грн
500+71.41 грн
1000+65.85 грн
Мінімальне замовлення: 309
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+55.53 грн
14+52.49 грн
100+51.97 грн
500+49.62 грн
1000+42.60 грн
3000+38.31 грн
10000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+79.33 грн
500+71.41 грн
1000+65.85 грн
Мінімальне замовлення: 309
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+79.33 грн
500+71.41 грн
1000+65.85 грн
10000+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 309
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.97 грн
10+103.27 грн
100+63.66 грн
500+50.54 грн
1000+41.43 грн
5000+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN-3362740.pdf MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 15785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.12 грн
25+60.92 грн
100+51.24 грн
500+46.11 грн
1000+41.73 грн
2000+39.24 грн
5000+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON (шт)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+139.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205S JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF Infineon irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 226 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRL Infineon N-MOSFET 110A 55V 200W IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.99 грн
10+92.75 грн
22+43.23 грн
59+40.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF Infineon irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 707 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+138.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+178.78 грн
10+115.59 грн
22+51.88 грн
59+49.05 грн
1600+47.54 грн
2400+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+107.63 грн
170+72.00 грн
200+66.94 грн
1600+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.00 грн
25600+65.79 грн
38400+61.22 грн
51200+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF International Rectifier HiRel Products irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+93.27 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205S_DataSheet_v01_01_EN-3362870.pdf MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.91 грн
10+112.81 грн
100+68.82 грн
500+45.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 164800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.12 грн
1600+53.94 грн
2400+46.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.39 грн
250+71.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 164800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+54.08 грн
1600+51.06 грн
2400+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.31 грн
10+121.90 грн
50+104.12 грн
100+79.39 грн
250+71.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z International Rectifier irf3205z.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z International Rectifier irf3205z.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZLPBF IRF3205ZLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+94.34 грн
500+84.90 грн
1000+78.30 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+73.47 грн
10+51.88 грн
20+48.11 грн
26+43.39 грн
71+40.56 грн
500+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 5470 шт
5221 шт - склад
55 шт - РАДІОМАГ-Київ
45 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Харків
127 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF
Код товару: 36593
Додати до обраних Обраний товар

irf3205spbf-datasheet.pdf
IRF3205SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
у наявності: 111 шт
77 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+55.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF
Код товару: 34997
Додати до обраних Обраний товар

description irf3205z.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності: 423 шт
319 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
43 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+45.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF
Код товару: 34305
Додати до обраних Обраний товар

irf3415pbf-datasheet.pdf
IRF3415PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+49.50 грн
100+44.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBF
Код товару: 33794
Додати до обраних Обраний товар

IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF3703PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+108.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZS
Код товару: 99466
Додати до обраних Обраний товар

irf3704z-datasheet.pdf
IRF3704ZS
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 20 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 7,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1220/8,7
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF
Код товару: 43009
Додати до обраних Обраний товар

irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 339 шт
252 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBF
Код товару: 43364
Додати до обраних Обраний товар

irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
6 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+68.00 грн
10+63.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF
Код товару: 44978
Додати до обраних Обраний товар

irf3710zpbf-datasheet.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF
Код товару: 190954
Додати до обраних Обраний товар

IRF3710ZPBF.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
28 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3717PBF
Код товару: 26533
Додати до обраних Обраний товар

description IRF3717PBF.pdf
IRF3717PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/22
Монтаж: SMD
у наявності: 12 шт
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+18.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF
Код товару: 33009
Додати до обраних Обраний товар

description irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
IRF3808PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності: 79 шт
50 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF description irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF3007PBF THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.95 грн
14+81.12 грн
38+76.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF description infineonirf3007datasheetv0101en.pdf
IRF3007PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
231+106.00 грн
500+95.40 грн
1000+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF description infineonirf3007datasheetv0101en.pdf
IRF3007PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
231+106.00 грн
500+95.40 грн
1000+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF description irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
231+106.00 грн
500+95.40 грн
1000+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF infineon-irf3007s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3007STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+215.12 грн
4000+213.05 грн
8000+210.98 грн
12000+201.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF infineon-irf3007s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3007STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+104.54 грн
4800+95.52 грн
7200+88.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF Infineon_IRF3007S_DataSheet_v01_01_EN-3362967.pdf
IRF3007STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET 75V D2PAK
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.01 грн
10+145.79 грн
100+91.31 грн
500+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF infineon-irf3007s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3007STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+230.48 грн
4000+228.27 грн
8000+226.05 грн
12000+215.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf
IRF300P226
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+436.99 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf
IRF300P226
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+793.35 грн
50+700.39 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf
IRF300P226
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+443.23 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf
IRF300P226
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+793.35 грн
50+700.39 грн
100+485.95 грн
200+388.40 грн
400+358.23 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 2718692.pdf
IRF300P226
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.019 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+786.41 грн
5+747.47 грн
10+707.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 INFN-S-A0004165546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF300P227
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+579.01 грн
5+554.47 грн
10+529.07 грн
50+350.58 грн
100+271.37 грн
250+266.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 infineon-irf300p227-datasheet-v02_02-en.pdf
IRF300P227
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+548.74 грн
50+459.86 грн
100+359.57 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.27 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+99.89 грн
10+77.50 грн
25+66.34 грн
30+31.60 грн
80+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 841 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+145.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.87 грн
10+96.58 грн
25+79.61 грн
30+37.92 грн
80+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
309+79.33 грн
500+71.41 грн
Мінімальне замовлення: 309
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
245+49.96 грн
248+49.46 грн
500+48.95 грн
1000+43.51 грн
3000+37.68 грн
10000+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
309+79.33 грн
500+71.41 грн
1000+65.85 грн
Мінімальне замовлення: 309
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+55.53 грн
14+52.49 грн
100+51.97 грн
500+49.62 грн
1000+42.60 грн
3000+38.31 грн
10000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
309+79.33 грн
500+71.41 грн
1000+65.85 грн
Мінімальне замовлення: 309
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
309+79.33 грн
500+71.41 грн
1000+65.85 грн
10000+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 309
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.97 грн
10+103.27 грн
100+63.66 грн
500+50.54 грн
1000+41.43 грн
5000+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN-3362740.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 15785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.12 грн
25+60.92 грн
100+51.24 грн
500+46.11 грн
1000+41.73 грн
2000+39.24 грн
5000+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON (шт)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+139.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205S description
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 226 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRL
Виробник: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 200W IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.99 грн
10+92.75 грн
22+43.23 грн
59+40.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 707 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.78 грн
10+115.59 грн
22+51.88 грн
59+49.05 грн
1600+47.54 грн
2400+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
114+107.63 грн
170+72.00 грн
200+66.94 грн
1600+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+72.00 грн
25600+65.79 грн
38400+61.22 грн
51200+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
263+93.27 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF Infineon_IRF3205S_DataSheet_v01_01_EN-3362870.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.91 грн
10+112.81 грн
100+68.82 грн
500+45.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 164800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+57.12 грн
1600+53.94 грн
2400+46.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.39 грн
250+71.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 164800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+54.08 грн
1600+51.06 грн
2400+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+180.31 грн
10+121.90 грн
50+104.12 грн
100+79.39 грн
250+71.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z irf3205z.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z irf3205z.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
260+94.34 грн
500+84.90 грн
1000+78.30 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72
IRF3205ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72
IRF3205ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+73.47 грн
10+51.88 грн
20+48.11 грн
26+43.39 грн
71+40.56 грн
500+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]