Результат пошуку "irf3" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3205PBF IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

IR/Infineon irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 5582 шт
5335 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
71 шт - РАДІОМАГ-Львів
28 шт - РАДІОМАГ-Харків
139 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF IRF3205SPBF
Код товару: 36593
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3205spbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
у наявності: 127 шт
93 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+55.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF
Код товару: 34997
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3205z.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності: 424 шт
319 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+55.00 грн
10+45.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF
Код товару: 34305
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3415pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+55.00 грн
10+49.50 грн
100+44.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBF IRF3703PBF
Код товару: 33794
Додати до обраних Обраний товар

IR IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+108.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZS IRF3704ZS
Код товару: 99466
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3704z-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 20 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 7,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1220/8,7
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF
Код товару: 43009
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 339 шт
252 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBF IRF3710SPBF
Код товару: 43364
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
6 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+68.00 грн
10+63.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 44978
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 190954
Додати до обраних Обраний товар

JSMICRO IRF3710ZPBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
28 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3717PBF IRF3717PBF
Код товару: 26533
Додати до обраних Обраний товар

IR IRF3717PBF.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/22
Монтаж: SMD
у наявності: 12 шт
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+20.00 грн
10+18.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF
Код товару: 33009
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності: 79 шт
50 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908 description IRF3007PBF THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.25 грн
14+81.32 грн
38+76.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF IRF3007PBF Infineon Technologies infineon-irf3007-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+106.25 грн
500+95.63 грн
1000+88.19 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF IRF3007PBF Infineon Technologies irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908 description Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF IRF3007PBF Infineon Technologies infineon-irf3007-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+106.25 грн
500+95.63 грн
1000+88.19 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF International Rectifier HiRel Products irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908 description Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+106.25 грн
500+95.63 грн
1000+88.19 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies irf3007spbf.pdf Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.47 грн
10+131.90 грн
100+95.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3007S_DataSheet_v01_01_EN-3362967.pdf MOSFETs MOSFET 75V D2PAK
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.21 грн
10+153.10 грн
100+96.07 грн
500+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3007s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+215.63 грн
4000+213.57 грн
8000+211.49 грн
12000+201.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies irf3007spbf.pdf Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.28 грн
1600+66.50 грн
2400+66.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3007s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+231.04 грн
4000+228.82 грн
8000+226.60 грн
12000+216.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+466.35 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+437.30 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies Infineon-IRF300P226-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016038801939199d Description: MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10030 pF @ 50 V
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+698.78 грн
25+420.60 грн
100+356.17 грн
500+312.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+765.01 грн
50+687.37 грн
100+487.12 грн
200+395.85 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+765.01 грн
50+687.37 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 IRF300P226 INFINEON 2718692.pdf Description: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.016 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+788.30 грн
5+749.27 грн
10+709.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 IRF300P227 Infineon Technologies Infineon-IRF300P227-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8bb678da7c74 Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4893 pF @ 50 V
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.40 грн
25+318.07 грн
100+266.72 грн
500+222.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 IRF300P227 INFINEON INFN-S-A0004165546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+555.80 грн
5+510.82 грн
10+465.85 грн
50+396.33 грн
100+332.39 грн
250+325.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 146nC
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+100.13 грн
10+77.69 грн
25+66.50 грн
30+31.68 грн
81+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF Infineon irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 841 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+145.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 146nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.15 грн
10+96.81 грн
25+79.80 грн
30+38.01 грн
81+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+79.53 грн
500+71.58 грн
1000+66.01 грн
10000+56.75 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+50.14 грн
247+49.64 грн
500+49.14 грн
1000+43.54 грн
3000+37.59 грн
10000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN-3362740.pdf MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 16480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.66 грн
25+63.85 грн
100+53.78 грн
500+48.41 грн
1000+43.80 грн
2000+41.22 грн
5000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+79.53 грн
500+71.58 грн
1000+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+56.05 грн
14+53.48 грн
100+52.94 грн
500+50.53 грн
1000+43.00 грн
3000+38.48 грн
10000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+79.53 грн
500+71.58 грн
1000+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 16530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.10 грн
50+55.45 грн
100+54.56 грн
500+45.64 грн
1000+41.90 грн
2000+38.75 грн
5000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+79.53 грн
500+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.25 грн
10+103.52 грн
100+63.90 грн
500+53.42 грн
1000+43.71 грн
5000+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON (шт)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+140.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205S JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF Infineon irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 226 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRL Infineon N-MOSFET 110A 55V 200W IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.34 грн
10+92.98 грн
22+43.34 грн
59+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF Infineon irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 707 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+138.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.21 грн
10+115.86 грн
22+52.00 грн
59+49.17 грн
1600+47.65 грн
2400+47.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+108.70 грн
169+72.66 грн
200+67.59 грн
1600+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 164800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.73 грн
1600+54.49 грн
2400+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF International Rectifier HiRel Products irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 328
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 44800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.79 грн
250+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205S_DataSheet_v01_01_EN-3362870.pdf MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 7698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.26 грн
10+118.30 грн
100+72.16 грн
500+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.65 грн
10+117.95 грн
50+101.83 грн
100+78.79 грн
250+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 164800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+54.13 грн
1600+51.09 грн
2400+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z International Rectifier irf3205z.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 5582 шт
5335 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
71 шт - РАДІОМАГ-Львів
28 шт - РАДІОМАГ-Харків
139 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF
Код товару: 36593
Додати до обраних Обраний товар

irf3205spbf-datasheet.pdf
IRF3205SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
у наявності: 127 шт
93 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+55.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF
Код товару: 34997
Додати до обраних Обраний товар

description irf3205z.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності: 424 шт
319 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+45.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF
Код товару: 34305
Додати до обраних Обраний товар

irf3415pbf-datasheet.pdf
IRF3415PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+49.50 грн
100+44.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBF
Код товару: 33794
Додати до обраних Обраний товар

IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF3703PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+108.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZS
Код товару: 99466
Додати до обраних Обраний товар

irf3704z-datasheet.pdf
IRF3704ZS
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 20 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 7,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1220/8,7
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF
Код товару: 43009
Додати до обраних Обраний товар

irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 339 шт
252 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBF
Код товару: 43364
Додати до обраних Обраний товар

irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
6 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+68.00 грн
10+63.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF
Код товару: 44978
Додати до обраних Обраний товар

irf3710zpbf-datasheet.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF
Код товару: 190954
Додати до обраних Обраний товар

IRF3710ZPBF.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
28 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3717PBF
Код товару: 26533
Додати до обраних Обраний товар

description IRF3717PBF.pdf
IRF3717PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/22
Монтаж: SMD
у наявності: 12 шт
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+18.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF
Код товару: 33009
Додати до обраних Обраний товар

description irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
IRF3808PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності: 79 шт
50 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF description irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF3007PBF THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.25 грн
14+81.32 грн
38+76.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF description infineon-irf3007-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3007PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+106.25 грн
500+95.63 грн
1000+88.19 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF description irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908
IRF3007PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF description infineon-irf3007-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3007PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+106.25 грн
500+95.63 грн
1000+88.19 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF description irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+106.25 грн
500+95.63 грн
1000+88.19 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF irf3007spbf.pdf
IRF3007STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.47 грн
10+131.90 грн
100+95.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF Infineon_IRF3007S_DataSheet_v01_01_EN-3362967.pdf
IRF3007STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET 75V D2PAK
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.21 грн
10+153.10 грн
100+96.07 грн
500+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF infineon-irf3007s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3007STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+215.63 грн
4000+213.57 грн
8000+211.49 грн
12000+201.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF irf3007spbf.pdf
IRF3007STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+70.28 грн
1600+66.50 грн
2400+66.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF infineon-irf3007s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3007STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+231.04 грн
4000+228.82 грн
8000+226.60 грн
12000+216.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf
IRF300P226
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+466.35 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf
IRF300P226
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+437.30 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 Infineon-IRF300P226-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016038801939199d
IRF300P226
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10030 pF @ 50 V
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+698.78 грн
25+420.60 грн
100+356.17 грн
500+312.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf
IRF300P226
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+765.01 грн
50+687.37 грн
100+487.12 грн
200+395.85 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf
IRF300P226
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+765.01 грн
50+687.37 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 2718692.pdf
IRF300P226
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.016 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+788.30 грн
5+749.27 грн
10+709.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 Infineon-IRF300P227-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8bb678da7c74
IRF300P227
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4893 pF @ 50 V
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+529.40 грн
25+318.07 грн
100+266.72 грн
500+222.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 INFN-S-A0004165546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF300P227
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+555.80 грн
5+510.82 грн
10+465.85 грн
50+396.33 грн
100+332.39 грн
250+325.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 146nC
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.13 грн
10+77.69 грн
25+66.50 грн
30+31.68 грн
81+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 841 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+145.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 146nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.15 грн
10+96.81 грн
25+79.80 грн
30+38.01 грн
81+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+79.53 грн
500+71.58 грн
1000+66.01 грн
10000+56.75 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
245+50.14 грн
247+49.64 грн
500+49.14 грн
1000+43.54 грн
3000+37.59 грн
10000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN-3362740.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 16480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.66 грн
25+63.85 грн
100+53.78 грн
500+48.41 грн
1000+43.80 грн
2000+41.22 грн
5000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+79.53 грн
500+71.58 грн
1000+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+56.05 грн
14+53.48 грн
100+52.94 грн
500+50.53 грн
1000+43.00 грн
3000+38.48 грн
10000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+79.53 грн
500+71.58 грн
1000+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 16530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.10 грн
50+55.45 грн
100+54.56 грн
500+45.64 грн
1000+41.90 грн
2000+38.75 грн
5000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+79.53 грн
500+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.25 грн
10+103.52 грн
100+63.90 грн
500+53.42 грн
1000+43.71 грн
5000+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON (шт)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+140.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205S description
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 226 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRL
Виробник: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 200W IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.34 грн
10+92.98 грн
22+43.34 грн
59+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 707 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.21 грн
10+115.86 грн
22+52.00 грн
59+49.17 грн
1600+47.65 грн
2400+47.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+108.70 грн
169+72.66 грн
200+67.59 грн
1600+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 164800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+57.73 грн
1600+54.49 грн
2400+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
328+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 328
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 44800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.79 грн
250+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF Infineon_IRF3205S_DataSheet_v01_01_EN-3362870.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 7698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.26 грн
10+118.30 грн
100+72.16 грн
500+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.65 грн
10+117.95 грн
50+101.83 грн
100+78.79 грн
250+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 164800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+54.13 грн
1600+51.09 грн
2400+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z irf3205z.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]