Результат пошуку "irf3" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 289
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 289
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 289
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 300
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 17
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 300
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 17
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 24
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 386
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 258
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 386
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 14
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 386
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 386
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 328
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 74
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 325
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF3205PBF Код товару: 25094
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR/Infineon |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 55 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76 Монтаж: THT |
у наявності: 5666 шт
5388 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ 91 шт - РАДІОМАГ-Львів 28 шт - РАДІОМАГ-Харків 147 шт - РАДІОМАГ-Одеса |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3205SPBF Код товару: 36593
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 55 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146 Монтаж: SMD |
у наявності: 127 шт
93 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ 8 шт - РАДІОМАГ-Харків 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3205ZPBF Код товару: 34997
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 55 V Idd,A: 75 A Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110 Монтаж: THT |
у наявності: 424 шт
319 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ 7 шт - РАДІОМАГ-Львів 23 шт - РАДІОМАГ-Харків 44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3415PBF Код товару: 34305
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 150 V Idd,A: 43 A Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200 Монтаж: THT |
у наявності: 10 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3703PBF Код товару: 33794
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 30 V Idd,A: 210 A Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209 Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3704ZS Код товару: 99466
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 20 V Idd,A: 47 A Rds(on), Ohm: 7,9 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1220/8,7 Монтаж: SMD |
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710PBF Код товару: 43009
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 57 A Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130 Монтаж: THT |
у наявності: 375 шт
288 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ 14 шт - РАДІОМАГ-Львів 16 шт - РАДІОМАГ-Харків 23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710SPBF Код товару: 43364
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Rds(on), Ohm: 57 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 40 Монтаж: SMD |
у наявності: 14 шт
6 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ 6 шт - РАДІОМАГ-Львів |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF Код товару: 190954
Додати до обраних
Обраний товар
|
JSMICRO |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 60 A Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146 Монтаж: THT |
у наявності: 54 шт
28 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF Код товару: 44978
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 59 A Rds(on), Ohm: 18 mOhm Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3717PBF Код товару: 26533
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: SO-8 Uds,V: 20 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2890/22 Монтаж: SMD |
у наявності: 12 шт
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3808PBF Код товару: 33009
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 75 V Idd,A: 140 A Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150 Монтаж: THT |
у наявності: 79 шт
50 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Харків 3 шт - РАДІОМАГ-Одеса 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
IRF3007PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF3007PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 2477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF3007PBF | International Rectifier HiRel Products |
![]() ![]() |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF3007PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3007STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3007STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3007STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF300P226 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 556W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF300P226 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF300P226 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF300P226 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF300P226 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF300P227 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF300P227 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF3205 | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3205-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 188 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF3205PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 146nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF3205PBF | Infineon |
![]() |
на замовлення 841 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF3205PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 146nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1439 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3205PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3205PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 19854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3205PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3205PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 33378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3205PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 19864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3205PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 42289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3205PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3205PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON (шт) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205S | JSMicro Semiconductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3205SPBF | Infineon |
![]() |
на замовлення 226 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3205STRL | Infineon |
N-MOSFET 110A 55V 200W IRF3205S TIRF3205s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 92 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF3205STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF3205STRLPBF | Infineon |
![]() |
на замовлення 707 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF3205STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 798 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF3205STRLPBF | International Rectifier HiRel Products |
![]() |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 159200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3205STRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 159200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3205STRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 17600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF3205Z | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3205Z | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF3205ZLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3205ZLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3205ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3205ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
IRF3205PBF Код товару: 25094
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 5666 шт
5388 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
91 шт - РАДІОМАГ-Львів
28 шт - РАДІОМАГ-Харків
147 шт - РАДІОМАГ-Одеса
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
91 шт - РАДІОМАГ-Львів
28 шт - РАДІОМАГ-Харків
147 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 30.00 грн |
10+ | 29.00 грн |
100+ | 28.00 грн |
1000+ | 27.00 грн |
IRF3205SPBF Код товару: 36593
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
у наявності: 127 шт
93 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 55.00 грн |
IRF3205ZPBF Код товару: 34997
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності: 424 шт
319 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 55.00 грн |
10+ | 45.00 грн |
IRF3415PBF Код товару: 34305
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 55.00 грн |
10+ | 49.50 грн |
100+ | 44.70 грн |
IRF3703PBF Код товару: 33794
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 108.00 грн |
IRF3704ZS Код товару: 99466
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 20 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 7,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1220/8,7
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 20 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 7,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1220/8,7
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 39.00 грн |
10+ | 34.70 грн |
IRF3710PBF Код товару: 43009
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 375 шт
288 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 40.00 грн |
10+ | 36.00 грн |
100+ | 32.40 грн |
IRF3710SPBF Код товару: 43364
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
6 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 68.00 грн |
10+ | 63.40 грн |
IRF3710ZPBF Код товару: 190954
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
28 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 45.00 грн |
10+ | 40.50 грн |
IRF3710ZPBF Код товару: 44978
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 49.50 грн |
10+ | 44.60 грн |
100+ | 39.90 грн |
IRF3717PBF Код товару: 26533
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/22
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/22
Монтаж: SMD
у наявності: 12 шт
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 20.00 грн |
10+ | 18.00 грн |
IRF3808PBF Код товару: 33009
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності: 79 шт
50 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 74.00 грн |
10+ | 68.00 грн |
IRF3007PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF3007PBF THT N channel transistors
IRF3007PBF THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 126.72 грн |
14+ | 82.27 грн |
38+ | 77.49 грн |
IRF3007PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
289+ | 106.25 грн |
500+ | 95.63 грн |
1000+ | 88.19 грн |
IRF3007PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
289+ | 106.25 грн |
500+ | 95.63 грн |
1000+ | 88.19 грн |
IRF3007PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
289+ | 106.25 грн |
500+ | 95.63 грн |
1000+ | 88.19 грн |
IRF3007STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 143.29 грн |
4000+ | 142.30 грн |
8000+ | 141.31 грн |
12000+ | 135.32 грн |
IRF3007STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 154.31 грн |
IRF3007STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET 75V D2PAK
MOSFETs MOSFET 75V D2PAK
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 214.29 грн |
10+ | 151.38 грн |
100+ | 94.90 грн |
250+ | 87.25 грн |
500+ | 72.32 грн |
800+ | 70.03 грн |
IRF300P226 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.016 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.016 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 797.57 грн |
5+ | 758.08 грн |
10+ | 717.73 грн |
50+ | 472.74 грн |
100+ | 369.41 грн |
250+ | 362.05 грн |
IRF300P226 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
300+ | 412.83 грн |
IRF300P226 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 765.01 грн |
50+ | 687.37 грн |
100+ | 487.12 грн |
200+ | 398.64 грн |
IRF300P226 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
300+ | 439.10 грн |
IRF300P226 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 765.01 грн |
50+ | 687.37 грн |
IRF300P227 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 562.34 грн |
5+ | 516.83 грн |
10+ | 471.33 грн |
50+ | 400.99 грн |
100+ | 336.30 грн |
250+ | 329.68 грн |
IRF300P227 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 516.55 грн |
50+ | 432.36 грн |
100+ | 353.08 грн |
200+ | 323.87 грн |
IRF3205 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 40.67 грн |
IRF3205-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 24.32 грн |
IRF3205PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 83.28 грн |
10+ | 65.21 грн |
30+ | 31.97 грн |
81+ | 30.29 грн |
IRF3205PBF |
![]() |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 841 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 145.95 грн |
IRF3205PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 99.93 грн |
10+ | 81.26 грн |
30+ | 38.36 грн |
81+ | 36.35 грн |
10000+ | 34.92 грн |
IRF3205PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
386+ | 79.53 грн |
500+ | 71.58 грн |
IRF3205PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
258+ | 47.66 грн |
IRF3205PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 16638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 116.07 грн |
10+ | 101.21 грн |
25+ | 56.17 грн |
100+ | 54.41 грн |
500+ | 48.98 грн |
1000+ | 43.47 грн |
2000+ | 41.71 грн |
IRF3205PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
386+ | 79.53 грн |
500+ | 71.58 грн |
1000+ | 66.01 грн |
10000+ | 56.75 грн |
IRF3205PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 43.44 грн |
500+ | 43.09 грн |
1000+ | 40.04 грн |
3000+ | 35.76 грн |
10000+ | 32.79 грн |
IRF3205PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 117.62 грн |
10+ | 104.74 грн |
100+ | 64.65 грн |
500+ | 54.05 грн |
1000+ | 44.23 грн |
5000+ | 40.47 грн |
IRF3205PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
386+ | 79.53 грн |
500+ | 71.58 грн |
1000+ | 66.01 грн |
IRF3205PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
386+ | 79.53 грн |
500+ | 71.58 грн |
1000+ | 66.01 грн |
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON (шт) |
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 140.11 грн |
IRF3205S | ![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 30.94 грн |
IRF3205SPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 226 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 64.22 грн |
IRF3205STRL |
на замовлення 92 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 45.93 грн |
IRF3205STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 154.54 грн |
10+ | 99.97 грн |
22+ | 43.85 грн |
59+ | 41.45 грн |
IRF3205STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 707 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 138.94 грн |
IRF3205STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 798 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 185.44 грн |
10+ | 124.58 грн |
22+ | 52.62 грн |
59+ | 49.75 грн |
IRF3205STRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
328+ | 93.49 грн |
IRF3205STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 159200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 50.85 грн |
IRF3205STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 79.72 грн |
250+ | 72.12 грн |
IRF3205STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 159200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 47.30 грн |
1600+ | 46.31 грн |
2400+ | 41.83 грн |
IRF3205STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 177.72 грн |
10+ | 119.34 грн |
50+ | 103.02 грн |
100+ | 79.72 грн |
250+ | 72.12 грн |
IRF3205STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
74+ | 165.92 грн |
111+ | 111.16 грн |
200+ | 102.98 грн |
800+ | 76.13 грн |
1600+ | 66.55 грн |
IRF3205STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 7708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 176.79 грн |
10+ | 117.06 грн |
100+ | 71.63 грн |
500+ | 66.66 грн |
800+ | 48.29 грн |
IRF3205STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 72.18 грн |
8000+ | 65.95 грн |
12000+ | 61.36 грн |
16000+ | 55.81 грн |
IRF3205Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 56.24 грн |
IRF3205Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 56.24 грн |
IRF3205ZLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
Description: INFINEON - IRF3205ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 153.68 грн |
10+ | 121.05 грн |
100+ | 97.87 грн |
500+ | 73.50 грн |
1000+ | 60.49 грн |
IRF3205ZLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
325+ | 94.56 грн |
500+ | 85.11 грн |
1000+ | 78.49 грн |
IRF3205ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 103.02 грн |
10+ | 64.57 грн |
17+ | 55.80 грн |
47+ | 52.62 грн |
IRF3205ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 123.63 грн |
10+ | 80.47 грн |
17+ | 66.97 грн |
47+ | 63.14 грн |
500+ | 61.23 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]