Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (129400) > Сторінка 34 з 2157

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 215 430 645 860 1075 1290 1505 1720 1935 2150 2157  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW13NB60 STW13NB60 STMicroelectronics STW13NB60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60 STP11NM60 STMicroelectronics en.CD00005066.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.92 грн
50+174.98 грн
100+159.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06 STP80NF55-06 STMicroelectronics en.CD00002670.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STY60NM50 STY60NM50 STMicroelectronics en.CD00002391.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: MAX247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1544.67 грн
30+1051.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STE53NC50 STE53NC50 STMicroelectronics en.CD00002866.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOTOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2832.95 грн
10+2040.85 грн
100+1865.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP55NF06 STP55NF06 STMicroelectronics en.CD00002311.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 20475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.95 грн
50+95.09 грн
100+85.64 грн
500+64.81 грн
1000+59.81 грн
2000+55.60 грн
5000+50.22 грн
10000+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE06-10 STP80NE06-10 STMicroelectronics STP80NE06-10.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB80 STP4NB80 STMicroelectronics STP4NB80_FP.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH15NB50FI STH15NB50FI STMicroelectronics STH15NB50FI%2C%20STW15NB50.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
Packaging: Tube
Package / Case: ISOWATT-218-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOWATT-218
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW9NK90Z STW9NK90Z STMicroelectronics en.CD00003327.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.72 грн
30+204.80 грн
120+169.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK90Z STP9NK90Z STMicroelectronics en.CD00003327.pdf description Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.55 грн
50+178.77 грн
100+162.78 грн
500+126.49 грн
1000+118.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NB90 STP6NB90 STMicroelectronics STP6NB90.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NE08 STP50NE08 STMicroelectronics STP50NE08.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP75NF75 STP75NF75 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2975NF75%28FP%29.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.15 грн
50+115.72 грн
100+104.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NB80 STW11NB80 STMicroelectronics STW11NB80.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW80NE06-10 STW80NE06-10 STMicroelectronics STW80NE06-10.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VNP5N07 VNP5N07 STMicroelectronics VNP5N07.pdf Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
Part Status: Obsolete
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: TO-220
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 3.5A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 55V (Max)
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 200mOhm (Max)
Output Configuration: Low Side
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Through Hole
Output Type: N-Channel
Package / Case: TO-220-3
Features: Status Flag
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VNP35N07 VNP35N07 STMicroelectronics en.CD00000045.pdf description Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
Packaging: Tube
Features: Status Flag
Package / Case: TO-220-3
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 280mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 55V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TO-220
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VNP20N07 VNP20N07 STMicroelectronics en.CD00000218.pdf Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
Packaging: Tube
Features: Status Flag
Package / Case: TO-220-3
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 50mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 55V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 14A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TO-220
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VNB20N07 VNB20N07 STMicroelectronics en.CD00000232.pdf description Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Packaging: Tube
Features: Status Flag
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 50mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 55V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 14A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VNP10N07 VNP10N07 STMicroelectronics en.CD00000216.pdf Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 100mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 55V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 14A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TO-220
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VNP10N07FI VNP10N07FI STMicroelectronics en.CD00000230.pdf Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 ISOWATT220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOWATT-220-3
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 100mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 55V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 14A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: ISOWATT-220
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU931T BU931T STMicroelectronics en.CD00000005.pdf Description: TRANS NPN DARL 400V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 250mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH310 STTH310 STMicroelectronics en.CD00003263.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.39 грн
19+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
STTH208 STTH208 STMicroelectronics en.CD00003262.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 2A DO15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.56 грн
12+26.73 грн
100+20.46 грн
500+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STTH110 STTH110 STMicroelectronics en.CD00003261.pdf description Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.28 грн
15+20.99 грн
100+11.33 грн
500+9.13 грн
1000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
STTH302 STTH302 STMicroelectronics en.CD00002693.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 200 V
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.55 грн
28+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BYT01-400 BYT01-400 STMicroelectronics BYT01-400.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO15
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-15
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS1150 STPS1150 STMicroelectronics en.CD00003321.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.33 грн
38+8.08 грн
100+7.47 грн
500+7.00 грн
1000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60FT4 STGD3NB60FT4 STMicroelectronics STGx3NB60F%28D%29.pdf Description: IGBT 600V 6A 60W DPAK
Power - Max: 60 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 16 nC
Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 125µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12.5ns/105ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 STMicroelectronics en.CD00003024.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4 STB120NF10T4 STMicroelectronics en.CD00003356.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 8155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.70 грн
10+250.08 грн
100+179.18 грн
500+152.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPS140A STPS140A STMicroelectronics en.CD00001107.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 40 V
на замовлення 46360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.52 грн
25+12.16 грн
100+10.03 грн
500+7.01 грн
1000+5.94 грн
2000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
STPS3L60S STPS3L60S STMicroelectronics en.CD00001711.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 60 V
на замовлення 20416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.36 грн
16+20.08 грн
100+15.89 грн
500+11.28 грн
1000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CLT3-4BT6-TR CLT3-4BT6-TR STMicroelectronics cd00002914.pdf Description: TVS DEVICE MIXED 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Applications: General Purpose
Technology: Mixed Technology
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.96 грн
10+143.91 грн
100+111.80 грн
500+85.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STPS20H100CG-TR STPS20H100CG-TR STMicroelectronics en.CD00001292.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.89 грн
10+45.61 грн
100+44.99 грн
500+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LCP1511DRL LCP1511DRL STMicroelectronics CD00000854.pdf Description: THYRISTOR 30A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH108A STTH108A STMicroelectronics en.CD00003259.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 34824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.15 грн
15+20.76 грн
100+15.43 грн
500+10.91 грн
1000+9.29 грн
2000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STTH112U STTH112U STMicroelectronics en.CD00003260.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 35569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.56 грн
13+24.54 грн
100+15.63 грн
500+11.06 грн
1000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STPS2L60A STPS2L60A STMicroelectronics en.CD00003166.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 35164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.07 грн
15+21.29 грн
100+13.53 грн
500+9.53 грн
1000+8.50 грн
2000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4 MJD112T4 STMicroelectronics MJD112T4.pdf description Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 7547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.78 грн
10+41.98 грн
100+27.38 грн
500+19.79 грн
1000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STPS1L60A STPS1L60A STMicroelectronics en.CD00002285.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
на замовлення 38408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.66 грн
19+16.38 грн
100+9.36 грн
500+7.31 грн
1000+6.25 грн
2000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
STPS340S STPS340S STMicroelectronics en.CD00000844.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 9315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.72 грн
21+15.03 грн
100+14.90 грн
500+11.79 грн
1000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STPS340U STPS340U STMicroelectronics en.CD00000844.pdf description Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 12653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.93 грн
16+19.86 грн
100+12.54 грн
500+8.81 грн
1000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STPS340B-TR STPS340B-TR STMicroelectronics en.CD00000844.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 7982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.61 грн
10+72.03 грн
100+48.10 грн
500+35.52 грн
1000+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STPS2150A STPS2150A STMicroelectronics en.CD00003322.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 150 V
на замовлення 33697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.42 грн
14+23.03 грн
100+14.65 грн
500+10.34 грн
1000+9.25 грн
2000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
STPS1L30U STPS1L30U STMicroelectronics en.CD00001323.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 395 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 13025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.93 грн
16+19.48 грн
100+12.28 грн
500+8.62 грн
1000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4 MJD122T4 STMicroelectronics mjd122t4.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 9875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.06 грн
10+45.98 грн
100+30.24 грн
500+22.00 грн
1000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNF3LL STS8DNF3LL STMicroelectronics en.CD00002234.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.24 грн
10+77.17 грн
100+51.76 грн
500+38.37 грн
1000+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4 MJD127T4 STMicroelectronics mjd122t4.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 6572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.57 грн
10+42.59 грн
100+27.88 грн
500+20.21 грн
1000+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STD50NH02LT4 STD50NH02LT4 STMicroelectronics en.CD00003108.pdf Description: MOSFET N-CH 24V 50A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4 MJD50T4 STMicroelectronics MJD50.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS25NH3LL STS25NH3LL STMicroelectronics en.CD00002900.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF3LLT4 STD35NF3LLT4 STMicroelectronics en.CD00002679.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.16 грн
10+47.42 грн
100+41.19 грн
500+36.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40ZT4 STD5NK40ZT4 STMicroelectronics ST%28D%2CP%295NK40Z%28FP%2C-1%29.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 25 V
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.73 грн
10+80.79 грн
100+54.57 грн
500+40.66 грн
1000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4 MJD47T4 STMicroelectronics MJD47.pdf Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 9407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.77 грн
10+66.60 грн
100+44.25 грн
500+32.52 грн
1000+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 STD1NK60T4 STMicroelectronics std1nk60t4.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.13 грн
10+68.11 грн
100+45.42 грн
500+33.48 грн
1000+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics en.CD00000831.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.66 грн
10+57.76 грн
100+38.21 грн
500+27.99 грн
1000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HNC60T4 STD1HNC60T4 STMicroelectronics CD00002325.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 STB4NK60ZT4 STMicroelectronics en.CD00003002.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 4261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.56 грн
10+112.05 грн
100+76.92 грн
500+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW13NB60 STW13NB60.pdf
STW13NB60
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60 en.CD00005066.pdf
STP11NM60
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+348.92 грн
50+174.98 грн
100+159.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06 en.CD00002670.pdf
STP80NF55-06
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STY60NM50 en.CD00002391.pdf
STY60NM50
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: MAX247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1544.67 грн
30+1051.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STE53NC50 en.CD00002866.pdf
STE53NC50
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOTOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2832.95 грн
10+2040.85 грн
100+1865.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP55NF06 description en.CD00002311.pdf
STP55NF06
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 20475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.95 грн
50+95.09 грн
100+85.64 грн
500+64.81 грн
1000+59.81 грн
2000+55.60 грн
5000+50.22 грн
10000+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE06-10 STP80NE06-10.pdf
STP80NE06-10
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB80 STP4NB80_FP.pdf
STP4NB80
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH15NB50FI STH15NB50FI%2C%20STW15NB50.pdf
STH15NB50FI
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
Packaging: Tube
Package / Case: ISOWATT-218-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOWATT-218
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW9NK90Z en.CD00003327.pdf
STW9NK90Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+378.72 грн
30+204.80 грн
120+169.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK90Z description en.CD00003327.pdf
STP9NK90Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.55 грн
50+178.77 грн
100+162.78 грн
500+126.49 грн
1000+118.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NB90 STP6NB90.pdf
STP6NB90
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NE08 STP50NE08.pdf
STP50NE08
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP75NF75 ST%28B%2CP%2975NF75%28FP%29.pdf
STP75NF75
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.15 грн
50+115.72 грн
100+104.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NB80 STW11NB80.pdf
STW11NB80
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW80NE06-10 STW80NE06-10.pdf
STW80NE06-10
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VNP5N07 VNP5N07.pdf
VNP5N07
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
Part Status: Obsolete
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: TO-220
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 3.5A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 55V (Max)
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 200mOhm (Max)
Output Configuration: Low Side
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Through Hole
Output Type: N-Channel
Package / Case: TO-220-3
Features: Status Flag
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VNP35N07 description en.CD00000045.pdf
VNP35N07
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
Packaging: Tube
Features: Status Flag
Package / Case: TO-220-3
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 280mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 55V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TO-220
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VNP20N07 en.CD00000218.pdf
VNP20N07
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
Packaging: Tube
Features: Status Flag
Package / Case: TO-220-3
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 50mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 55V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 14A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TO-220
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VNB20N07 description en.CD00000232.pdf
VNB20N07
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Packaging: Tube
Features: Status Flag
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 50mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 55V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 14A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VNP10N07 en.CD00000216.pdf
VNP10N07
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 100mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 55V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 14A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TO-220
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VNP10N07FI en.CD00000230.pdf
VNP10N07FI
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 ISOWATT220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOWATT-220-3
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 100mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 55V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 14A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: ISOWATT-220
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU931T en.CD00000005.pdf
BU931T
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN DARL 400V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 250mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH310 en.CD00003263.pdf
STTH310
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.39 грн
19+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
STTH208 en.CD00003262.pdf
STTH208
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 800V 2A DO15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.56 грн
12+26.73 грн
100+20.46 грн
500+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STTH110 description en.CD00003261.pdf
STTH110
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.28 грн
15+20.99 грн
100+11.33 грн
500+9.13 грн
1000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
STTH302 en.CD00002693.pdf
STTH302
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 200 V
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.55 грн
28+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BYT01-400 BYT01-400.pdf
BYT01-400
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO15
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-15
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS1150 en.CD00003321.pdf
STPS1150
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.33 грн
38+8.08 грн
100+7.47 грн
500+7.00 грн
1000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60FT4 STGx3NB60F%28D%29.pdf
STGD3NB60FT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 6A 60W DPAK
Power - Max: 60 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 16 nC
Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 125µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12.5ns/105ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 en.CD00003024.pdf
STB11NK50ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4 en.CD00003356.pdf
STB120NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 8155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.70 грн
10+250.08 грн
100+179.18 грн
500+152.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPS140A en.CD00001107.pdf
STPS140A
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 40 V
на замовлення 46360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.52 грн
25+12.16 грн
100+10.03 грн
500+7.01 грн
1000+5.94 грн
2000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
STPS3L60S en.CD00001711.pdf
STPS3L60S
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 60 V
на замовлення 20416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.36 грн
16+20.08 грн
100+15.89 грн
500+11.28 грн
1000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CLT3-4BT6-TR cd00002914.pdf
CLT3-4BT6-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: TVS DEVICE MIXED 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Applications: General Purpose
Technology: Mixed Technology
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.96 грн
10+143.91 грн
100+111.80 грн
500+85.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STPS20H100CG-TR en.CD00001292.pdf
STPS20H100CG-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.89 грн
10+45.61 грн
100+44.99 грн
500+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LCP1511DRL CD00000854.pdf
LCP1511DRL
Виробник: STMicroelectronics
Description: THYRISTOR 30A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH108A en.CD00003259.pdf
STTH108A
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 34824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.15 грн
15+20.76 грн
100+15.43 грн
500+10.91 грн
1000+9.29 грн
2000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STTH112U en.CD00003260.pdf
STTH112U
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 1200V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 35569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.56 грн
13+24.54 грн
100+15.63 грн
500+11.06 грн
1000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STPS2L60A en.CD00003166.pdf
STPS2L60A
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 35164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.07 грн
15+21.29 грн
100+13.53 грн
500+9.53 грн
1000+8.50 грн
2000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4 description MJD112T4.pdf
MJD112T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 7547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.78 грн
10+41.98 грн
100+27.38 грн
500+19.79 грн
1000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STPS1L60A en.CD00002285.pdf
STPS1L60A
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
на замовлення 38408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.66 грн
19+16.38 грн
100+9.36 грн
500+7.31 грн
1000+6.25 грн
2000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
STPS340S en.CD00000844.pdf
STPS340S
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 9315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.72 грн
21+15.03 грн
100+14.90 грн
500+11.79 грн
1000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STPS340U description en.CD00000844.pdf
STPS340U
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 12653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.93 грн
16+19.86 грн
100+12.54 грн
500+8.81 грн
1000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STPS340B-TR en.CD00000844.pdf
STPS340B-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 7982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.61 грн
10+72.03 грн
100+48.10 грн
500+35.52 грн
1000+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STPS2150A en.CD00003322.pdf
STPS2150A
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 150 V
на замовлення 33697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.42 грн
14+23.03 грн
100+14.65 грн
500+10.34 грн
1000+9.25 грн
2000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
STPS1L30U en.CD00001323.pdf
STPS1L30U
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 395 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 13025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.93 грн
16+19.48 грн
100+12.28 грн
500+8.62 грн
1000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4 mjd122t4.pdf
MJD122T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 9875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.06 грн
10+45.98 грн
100+30.24 грн
500+22.00 грн
1000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNF3LL description en.CD00002234.pdf
STS8DNF3LL
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.24 грн
10+77.17 грн
100+51.76 грн
500+38.37 грн
1000+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4 mjd122t4.pdf
MJD127T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 6572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.57 грн
10+42.59 грн
100+27.88 грн
500+20.21 грн
1000+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STD50NH02LT4 en.CD00003108.pdf
STD50NH02LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 24V 50A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4 MJD50.pdf
MJD50T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS25NH3LL en.CD00002900.pdf
STS25NH3LL
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF3LLT4 en.CD00002679.pdf
STD35NF3LLT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.16 грн
10+47.42 грн
100+41.19 грн
500+36.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40ZT4 ST%28D%2CP%295NK40Z%28FP%2C-1%29.pdf
STD5NK40ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 400V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 25 V
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.73 грн
10+80.79 грн
100+54.57 грн
500+40.66 грн
1000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4 MJD47.pdf
MJD47T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 9407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.77 грн
10+66.60 грн
100+44.25 грн
500+32.52 грн
1000+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 std1nk60t4.pdf
STD1NK60T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.13 грн
10+68.11 грн
100+45.42 грн
500+33.48 грн
1000+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4 en.CD00000831.pdf
MJD31CT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.66 грн
10+57.76 грн
100+38.21 грн
500+27.99 грн
1000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HNC60T4 CD00002325.pdf
STD1HNC60T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 en.CD00003002.pdf
STB4NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 4261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.56 грн
10+112.05 грн
100+76.92 грн
500+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 215 430 645 860 1075 1290 1505 1720 1935 2150 2157  [ Наступна Сторінка >> ]