Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25196) > Сторінка 150 з 420

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 168 210 252 294 336 378 420  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS3B R7G RS3B R7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3B R7G RS3B R7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.02 грн
13+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HS1B M2G HS1B M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_K15.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB160A M4G P6SMB160A M4G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_P2102.pdf Description: TVS DIODE 136VWM 219VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1GM RSG ESH1GM RSG Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1GM RSG ESH1GM RSG Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.88 грн
17+20.07 грн
100+13.54 грн
500+9.85 грн
1000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N380CP ROG TSM60N380CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N380_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N380CP ROG TSM60N380CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N380_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55B4V3 L0G BZV55B4V3 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B2V4%20Series_F1804.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW MINI MELF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA22CA R3G P4SMA22CA R3G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA22CAHM2G P4SMA22CAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSFML RVG RSFML RVG Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL%20SERIES_L15.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSFML RVG RSFML RVG Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL%20SERIES_L15.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S10KC R7G S10KC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10KC R7G S10KC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S10JCHR7G S10JCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_B1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10JCHR7G S10JCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_B1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S10MC R7G S10MC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10MC R7G S10MC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10JC R7G S10JC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10JC R7G S10JC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CA A0G SA30CA A0G Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CA B0G SA30CA B0G Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CAHR0G SA30CAHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CAHA0G SA30CAHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CAHB0G SA30CAHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-31B R0G BZW06-31B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_K2105.pdf Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-31B A0G BZW06-31B A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_K2105.pdf Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-31 B0G BZW06-31 B0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_K2105.pdf Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-31B B0G BZW06-31B B0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_K2105.pdf Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6968SDCA RVG TSM6968SDCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6968SDCA RVG TSM6968SDCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.62 грн
10+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S3D V7G S3D V7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3D V7G S3D V7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3D V6G S3D V6G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3D R7G S3D R7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3D R7G S3D R7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3DHR7G S3DHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3DHM6G S3DHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3D R7G RS3D R7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3D V6G RS3D V6G Taiwan Semiconductor Corporation RS3A%20SERIES_J1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3D V7G RS3D V7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3D V6G HS3D V6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3A%20SERIES_J1903.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3D R7G HS3D R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS3A%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB180CA R5G P6SMB180CA R5G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA8.2AHM2G P4SMA8.2AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 7.02V 12.1V DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF6.0A RVG SMF6.0A RVG Taiwan Semiconductor Corporation SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMF6.0A RVG SMF6.0A RVG Taiwan Semiconductor Corporation SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ12AHR5G SMBJ12AHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_Q2004.pdf Description: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5261B RHG MMSZ5261B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5221B%20series_F1804.pdf Description: DIODE ZENER 47V 500MW SOD123F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLHR3G RS1KLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE STD 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLHM2G RS1KLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLHMHG RS1KLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_M15.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLHMQG RS1KLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_M15.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLHMTG RS1KLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLHRTG RS1KLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KL RFG RS1KL RFG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLHRFG RS1KLHRFG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLHRUG RS1KLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLHRVG RS1KLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_M15.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3B R7G RS3A%20SERIES_L2102.pdf
RS3B R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3B R7G RS3A%20SERIES_L2102.pdf
RS3B R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.02 грн
13+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HS1B M2G HS1A%20SERIES_K15.pdf
HS1B M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB160A M4G P6SMB%20SERIES_P2102.pdf
P6SMB160A M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 136VWM 219VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1GM RSG
ESH1GM RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1GM RSG
ESH1GM RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.88 грн
17+20.07 грн
100+13.54 грн
500+9.85 грн
1000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N380CP ROG TSM60N380_A14.pdf
TSM60N380CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N380CP ROG TSM60N380_A14.pdf
TSM60N380CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55B4V3 L0G BZV55B2V4%20Series_F1804.pdf
BZV55B4V3 L0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW MINI MELF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA22CA R3G P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf
P4SMA22CA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA22CAHM2G P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf
P4SMA22CAHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSFML RVG RSFAL%20SERIES_L15.pdf
RSFML RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSFML RVG RSFAL%20SERIES_L15.pdf
RSFML RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S10KC R7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10KC R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10KC R7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10KC R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S10JCHR7G S10GC%20SERIES_B1708.pdf
S10JCHR7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10JCHR7G S10GC%20SERIES_B1708.pdf
S10JCHR7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S10MC R7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10MC R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10MC R7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10MC R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10JC R7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10JC R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10JC R7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10JC R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CA A0G SA%20SERIES_L2105.pdf
SA30CA A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CA B0G SA%20SERIES_L2105.pdf
SA30CA B0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CAHR0G SA%20SERIES_L2105.pdf
SA30CAHR0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CAHA0G SA%20SERIES_L2105.pdf
SA30CAHA0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CAHB0G SA%20SERIES_L2105.pdf
SA30CAHB0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-31B R0G BZW06%20SERIES_K2105.pdf
BZW06-31B R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-31B A0G BZW06%20SERIES_K2105.pdf
BZW06-31B A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-31 B0G BZW06%20SERIES_K2105.pdf
BZW06-31 B0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-31B B0G BZW06%20SERIES_K2105.pdf
BZW06-31B B0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6968SDCA RVG
TSM6968SDCA RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6968SDCA RVG
TSM6968SDCA RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.62 грн
10+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S3D V7G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3D V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3D V7G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3D V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3D V6G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3D V6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3D R7G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3D R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3D R7G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3D R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3DHR7G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3DHR7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3DHM6G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3DHM6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3D R7G RS3A%20SERIES_L2102.pdf
RS3D R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3D V6G RS3A%20SERIES_J1708.pdf
RS3D V6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3D V7G RS3A%20SERIES_L2102.pdf
RS3D V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3D V6G HS3A%20SERIES_J1903.pdf
HS3D V6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3D R7G HS3A%20SERIES_K2102.pdf
HS3D R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB180CA R5G P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf
P6SMB180CA R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA8.2AHM2G P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf
P4SMA8.2AHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 7.02V 12.1V DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF6.0A RVG SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf
SMF6.0A RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMF6.0A RVG SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf
SMF6.0A RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ12AHR5G SMBJ SERIES_Q2004.pdf
SMBJ12AHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5261B RHG MMSZ5221B%20series_F1804.pdf
MMSZ5261B RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 500MW SOD123F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLHR3G RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1KLHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLHM2G RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1KLHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLHMHG RS1AL%20SERIES_M15.pdf
RS1KLHMHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLHMQG RS1AL%20SERIES_M15.pdf
RS1KLHMQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLHMTG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1KLHMTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLHRTG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1KLHRTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KL RFG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1KL RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLHRFG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1KLHRFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLHRUG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1KLHRUG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLHRVG RS1AL%20SERIES_M15.pdf
RS1KLHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 168 210 252 294 336 378 420  [ Наступна Сторінка >> ]