Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25591) > Сторінка 150 з 427
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MUR320SBHR5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
MUR320S V7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MUR320SB R5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
MUR310S V6G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MUR315S V6G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MUR320S V6G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MUR320S R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MUR310S R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 100V 3A DO214AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MUR315S R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MUR310S V7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 100V 3A DO214AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
P6KE62CA A0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 53V 85V DO204AC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
P6KE62CAHR0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 53V 85V DO204AC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
P4KE100A R0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 85.5V 137V DO204AL |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
P4KE100AHR0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 85.5V 137V DO204AL |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
BZX55B12 A0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 12V 500MW DO35 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
P4SMA15AHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO214AC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
P4SMA15A M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO214AC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
P4SMA15AHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 12.8VWM 21.2V DO214AC Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 400W Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.2V Voltage - Breakdown (Min): 14.3V Unidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12.8V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
SR503HR0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
GBL202 D2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A GBL Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
GBL202HD2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A GBL Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Average Rectified (Io): 2 A Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Grade: Automotive Supplier Device Package: GBL Technology: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Diode Type: Single Phase Mounting Type: Through Hole Package / Case: 4-SIP, GBL Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
1SMA5949 M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 100V 1.5W DO214AC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
MTZJ9V1SA R0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 8.51V 500MW DO34 Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 6 V Power - Max: 500 mW Part Status: Active Supplier Device Package: DO-34 Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.51 V Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AG, DO-34, Axial Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
SFF1608GHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
BZX585B10 RSG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 10V 200MW SOD523F |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BZX585B10 RKG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 10V 200MW SOD523F |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
3A100 R0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 3A DO204AC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
SMB10J15A R5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AA Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 1000W (1kW) Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V Voltage - Breakdown (Min): 16.7V Unidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41A Applications: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AA, SMB Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SMB10J15A R5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AA Packaging: Cut Tape (CT) Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 1000W (1kW) Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V Voltage - Breakdown (Min): 16.7V Unidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41A Applications: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AA, SMB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SMB10J14CAHR5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 14V 23.2V DO214AA |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 850 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SMB10J14CAHR5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 14V 23.2V DO214AA |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SMB10J14A R5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AA |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 850 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SMB10J14A R5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AA |
на замовлення 4119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SMB10J14CA R5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 850 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SMB10J14CA R5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AA |
на замовлення 735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SMB10J14AHR5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 14V 23.2V DO214AA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SMB10J14AHR5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 14V 23.2V DO214AA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SK215A R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO214AC |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SK215A R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO214AC |
на замовлення 4414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
BZX585B12 RSG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD523F Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V Power - Max: 200 mW Supplier Device Package: SOD-523F Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-79, SOD-523 Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
BZX585B12 RKG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD523F Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V Power - Max: 200 mW Supplier Device Package: SOD-523F Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-79, SOD-523 Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
SS12L R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SUB SMA |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
SS12LS RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123HE Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Supplier Device Package: SOD-123HE Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123H Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SS12LS RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123HE Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Supplier Device Package: SOD-123HE Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123H Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SS12LSHRVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123HE Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Supplier Device Package: SOD-123HE Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123H Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SS12LSHRVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123HE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123H Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123HE Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
.jpg "RS1KAL M3G") |
RS1KAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 500NS, 1A, 800V, FAST RECOVERY R |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RS1KAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 500NS, 1A, 800V, FAST RECOVERY R |
на замовлення 6635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
YBS2206G RAG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.2A YBS |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
YBS2204G RAG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2.2A YBS |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
YBS2207G RAG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2.2A YBS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
YBS2205G RAG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.2A YBS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
1PGSMC5359 R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 24V 5W DO214AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
1PGSMC5359 R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 24V 5W DO214AB |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
HS3KB R5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
HS3KB R5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
BZD27C39PW | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 39V 1W SOD123W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BZD27C39PW | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 39V 1W SOD123W |
на замовлення 2712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BZD27C39PWH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 39V 1W SOD123W |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BZD27C39PWH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 39V 1W SOD123W |
на замовлення 11990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MUR320SBHR5G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR320S V7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR320SB R5G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR310S V6G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR315S V6G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR320S V6G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR320S R7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR310S R7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 100V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Description: DIODE STANDARD 100V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR315S R7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR310S V7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 100V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Description: DIODE STANDARD 100V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P6KE62CA A0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 53V 85V DO204AC
Description: TVS DIODE 53V 85V DO204AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P6KE62CAHR0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 53V 85V DO204AC
Description: TVS DIODE 53V 85V DO204AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P4KE100A R0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 85.5V 137V DO204AL
Description: TVS DIODE 85.5V 137V DO204AL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P4KE100AHR0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 85.5V 137V DO204AL
Description: TVS DIODE 85.5V 137V DO204AL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BZX55B12 A0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 500MW DO35
Description: DIODE ZENER 12V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P4SMA15AHM2G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO214AC
Description: TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO214AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P4SMA15A M2G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO214AC
Description: TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO214AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P4SMA15AHR3G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 12.8VWM 21.2V DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.2V
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12.8V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TVS DIODE 12.8VWM 21.2V DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.2V
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12.8V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SR503HR0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBL202 D2G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBL202HD2G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A GBL
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: GBL
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBL
Packaging: Tube
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A GBL
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: GBL
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBL
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1SMA5949 M2G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 100V 1.5W DO214AC
Description: DIODE ZENER 100V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MTZJ9V1SA R0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 8.51V 500MW DO34
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 6 V
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-34
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.51 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AG, DO-34, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE ZENER 8.51V 500MW DO34
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 6 V
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-34
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.51 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AG, DO-34, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SFF1608GHC0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AB
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BZX585B10 RSG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 200MW SOD523F
Description: DIODE ZENER 10V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BZX585B10 RKG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 200MW SOD523F
Description: DIODE ZENER 10V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 3A100 R0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 3A DO204AC
Description: DIODE GEN PURP 3A DO204AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SMB10J15A R5G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AA
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AA
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMB10J15A R5G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMB10J14CAHR5G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 14V 23.2V DO214AA
Description: TVS DIODE 14V 23.2V DO214AA
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SMB10J14CAHR5G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 14V 23.2V DO214AA
Description: TVS DIODE 14V 23.2V DO214AA
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SMB10J14A R5G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AA
Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AA
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SMB10J14A R5G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AA
Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AA
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SMB10J14CA R5G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AA
Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SMB10J14CA R5G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AA
Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AA
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SMB10J14AHR5G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 14V 23.2V DO214AA
Description: TVS DIODE 14V 23.2V DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SMB10J14AHR5G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 14V 23.2V DO214AA
Description: TVS DIODE 14V 23.2V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SK215A R3G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO214AC
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SK215A R3G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO214AC
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO214AC
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZX585B12 RSG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD523F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
Power - Max: 200 mW
Supplier Device Package: SOD-523F
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD523F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
Power - Max: 200 mW
Supplier Device Package: SOD-523F
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BZX585B12 RKG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD523F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
Power - Max: 200 mW
Supplier Device Package: SOD-523F
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD523F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
Power - Max: 200 mW
Supplier Device Package: SOD-523F
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SS12L R3G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SUB SMA
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SUB SMA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SS12LS RVG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123HE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SOD-123HE
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123HE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SOD-123HE
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123H
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SS12LS RVG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123HE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SOD-123HE
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123H
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123HE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SOD-123HE
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123H
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SS12LSHRVG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123HE
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SOD-123HE
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123HE
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SOD-123HE
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123H
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SS12LSHRVG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RS1KAL M3G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 500NS, 1A, 800V, FAST RECOVERY R
Description: 500NS, 1A, 800V, FAST RECOVERY R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RS1KAL M3G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 500NS, 1A, 800V, FAST RECOVERY R
Description: 500NS, 1A, 800V, FAST RECOVERY R
на замовлення 6635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| YBS2206G RAG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.2A YBS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.2A YBS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| YBS2204G RAG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2.2A YBS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2.2A YBS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| YBS2207G RAG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2.2A YBS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2.2A YBS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| YBS2205G RAG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.2A YBS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.2A YBS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1PGSMC5359 R7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 24V 5W DO214AB
Description: DIODE ZENER 24V 5W DO214AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1PGSMC5359 R7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 24V 5W DO214AB
Description: DIODE ZENER 24V 5W DO214AB
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| HS3KB R5G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| HS3KB R5G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 62.50 грн |
| 10+ | 53.10 грн |
| 100+ | 40.70 грн |
| BZD27C39PW |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 39V 1W SOD123W
Description: DIODE ZENER 39V 1W SOD123W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BZD27C39PW |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 39V 1W SOD123W
Description: DIODE ZENER 39V 1W SOD123W
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZD27C39PWH |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 39V 1W SOD123W
Description: DIODE ZENER 39V 1W SOD123W
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZD27C39PWH |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 39V 1W SOD123W
Description: DIODE ZENER 39V 1W SOD123W
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)