Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25053) > Сторінка 151 з 418

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 164 205 246 287 328 369 410 418  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MBR15100CTHC0G MBR15100CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1535CT%20SERIES_I2104.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER3005PT C0G HER3005PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation HER3001PT%20SERIES_G15.pdf Description: DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER3001PT C0G HER3001PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation HER3001PT%20SERIES_I2103.pdf Description: DIODE ARRAY GP 50V 30A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER3002PT C0G HER3002PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation HER3001PT%20SERIES_I2103.pdf Description: DIODE ARRAY GP 100V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C47P RVG BZD27C47P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AA1806.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C47P RVG BZD27C47P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AA1806.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT55C12 L1G BZT55C12 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C2V4_thru_BZT55C75.pdf Description: DIODE ZENER 12V 500MW MINI MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: Mini MELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 9.1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ120CAHR3G SMAJ120CAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SMAJ%20SERIES_U2102.pdf Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ120CAHR3G SMAJ120CAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SMAJ%20SERIES_U2102.pdf Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.18 грн
11+28.92 грн
100+20.09 грн
500+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ120CA M2G SMAJ120CA M2G Taiwan Semiconductor Corporation SMAJ%20SERIES_U2102.pdf Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ120CA R3G SMAJ120CA R3G Taiwan Semiconductor Corporation SMAJ%20SERIES_U2102.pdf Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ120CAHM2G SMAJ120CAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation SMAJ%20SERIES_U2102.pdf Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ45CA E3G PGSMAJ45CA E3G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ%20SERIES_B1805.pdf Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AC
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+9.98 грн
3600+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ45CA E3G PGSMAJ45CA E3G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ%20SERIES_B1805.pdf Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AC
на замовлення 5393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.73 грн
13+25.06 грн
100+17.08 грн
500+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06LCR RLG TSM220NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06LCR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06LCR RLG TSM220NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06LCR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V
на замовлення 3129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.73 грн
10+57.99 грн
100+38.18 грн
500+27.85 грн
1000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSSA3U60 R3G TSSA3U60 R3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA3U60_F1612.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B11 RSG BZX585B11 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD523F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B11 RKG BZX585B11 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD523F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3B R7G RS3B R7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3B R7G RS3B R7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.37 грн
13+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HS1B M2G HS1B M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_K15.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB160A M4G P6SMB160A M4G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_P2102.pdf Description: TVS DIODE 136VWM 219VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1GM RSG ESH1GM RSG Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1GM RSG ESH1GM RSG Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.46 грн
17+19.15 грн
100+12.91 грн
500+9.40 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N380CP ROG TSM60N380CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N380_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N380CP ROG TSM60N380CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N380_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55B4V3 L0G BZV55B4V3 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B2V4%20Series_F1804.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW MINI MELF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA22CA R3G P4SMA22CA R3G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA22CAHM2G P4SMA22CAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSFML RVG RSFML RVG Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL%20SERIES_L15.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSFML RVG RSFML RVG Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL%20SERIES_L15.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S10KC R7G S10KC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10KC R7G S10KC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S10JCHR7G S10JCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_B1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10JCHR7G S10JCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_B1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S10MC R7G S10MC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10MC R7G S10MC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10JC R7G S10JC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10JC R7G S10JC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CA A0G SA30CA A0G Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CA B0G SA30CA B0G Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CAHR0G SA30CAHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CAHA0G SA30CAHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CAHB0G SA30CAHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-31B R0G BZW06-31B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_K2105.pdf Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-31B A0G BZW06-31B A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_K2105.pdf Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-31 B0G BZW06-31 B0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_K2105.pdf Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-31B B0G BZW06-31B B0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_K2105.pdf Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6968SDCA RVG TSM6968SDCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6968SDCA RVG TSM6968SDCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.91 грн
10+49.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S3D V7G S3D V7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3D V7G S3D V7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3D V6G S3D V6G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3D R7G S3D R7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3D R7G S3D R7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3DHR7G S3DHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3DHM6G S3DHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3D R7G RS3D R7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3D V6G RS3D V6G Taiwan Semiconductor Corporation RS3A%20SERIES_J1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR15100CTHC0G MBR1535CT%20SERIES_I2104.pdf
MBR15100CTHC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER3005PT C0G HER3001PT%20SERIES_G15.pdf
HER3005PT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER3001PT C0G HER3001PT%20SERIES_I2103.pdf
HER3001PT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 50V 30A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER3002PT C0G HER3001PT%20SERIES_I2103.pdf
HER3002PT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 100V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C47P RVG BZD27C%20SERIES_AA1806.pdf
BZD27C47P RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C47P RVG BZD27C%20SERIES_AA1806.pdf
BZD27C47P RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT55C12 L1G BZT55C2V4_thru_BZT55C75.pdf
BZT55C12 L1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 500MW MINI MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: Mini MELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 9.1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ120CAHR3G SMAJ%20SERIES_U2102.pdf
SMAJ120CAHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ120CAHR3G SMAJ%20SERIES_U2102.pdf
SMAJ120CAHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.18 грн
11+28.92 грн
100+20.09 грн
500+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ120CA M2G SMAJ%20SERIES_U2102.pdf
SMAJ120CA M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ120CA R3G SMAJ%20SERIES_U2102.pdf
SMAJ120CA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ120CAHM2G SMAJ%20SERIES_U2102.pdf
SMAJ120CAHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ45CA E3G PGSMAJ%20SERIES_B1805.pdf
PGSMAJ45CA E3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AC
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+9.98 грн
3600+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ45CA E3G PGSMAJ%20SERIES_B1805.pdf
PGSMAJ45CA E3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AC
на замовлення 5393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.73 грн
13+25.06 грн
100+17.08 грн
500+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06LCR RLG TSM220NB06LCR_B1804.pdf
TSM220NB06LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06LCR RLG TSM220NB06LCR_B1804.pdf
TSM220NB06LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V
на замовлення 3129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.73 грн
10+57.99 грн
100+38.18 грн
500+27.85 грн
1000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSSA3U60 R3G TSSA3U60_F1612.pdf
TSSA3U60 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B11 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B11 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD523F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B11 RKG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B11 RKG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD523F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3B R7G RS3A%20SERIES_L2102.pdf
RS3B R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3B R7G RS3A%20SERIES_L2102.pdf
RS3B R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.37 грн
13+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HS1B M2G HS1A%20SERIES_K15.pdf
HS1B M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB160A M4G P6SMB%20SERIES_P2102.pdf
P6SMB160A M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 136VWM 219VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1GM RSG
ESH1GM RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1GM RSG
ESH1GM RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.46 грн
17+19.15 грн
100+12.91 грн
500+9.40 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N380CP ROG TSM60N380_A14.pdf
TSM60N380CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N380CP ROG TSM60N380_A14.pdf
TSM60N380CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55B4V3 L0G BZV55B2V4%20Series_F1804.pdf
BZV55B4V3 L0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW MINI MELF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA22CA R3G P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf
P4SMA22CA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA22CAHM2G P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf
P4SMA22CAHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSFML RVG RSFAL%20SERIES_L15.pdf
RSFML RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSFML RVG RSFAL%20SERIES_L15.pdf
RSFML RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S10KC R7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10KC R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10KC R7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10KC R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S10JCHR7G S10GC%20SERIES_B1708.pdf
S10JCHR7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10JCHR7G S10GC%20SERIES_B1708.pdf
S10JCHR7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S10MC R7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10MC R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10MC R7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10MC R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10JC R7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10JC R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10JC R7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10JC R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CA A0G SA%20SERIES_L2105.pdf
SA30CA A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CA B0G SA%20SERIES_L2105.pdf
SA30CA B0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CAHR0G SA%20SERIES_L2105.pdf
SA30CAHR0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CAHA0G SA%20SERIES_L2105.pdf
SA30CAHA0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA30CAHB0G SA%20SERIES_L2105.pdf
SA30CAHB0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-31B R0G BZW06%20SERIES_K2105.pdf
BZW06-31B R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-31B A0G BZW06%20SERIES_K2105.pdf
BZW06-31B A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-31 B0G BZW06%20SERIES_K2105.pdf
BZW06-31 B0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-31B B0G BZW06%20SERIES_K2105.pdf
BZW06-31B B0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6968SDCA RVG
TSM6968SDCA RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6968SDCA RVG
TSM6968SDCA RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.91 грн
10+49.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S3D V7G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3D V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3D V7G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3D V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3D V6G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3D V6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3D R7G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3D R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3D R7G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3D R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3DHR7G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3DHR7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3DHM6G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3DHM6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3D R7G RS3A%20SERIES_L2102.pdf
RS3D R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3D V6G RS3A%20SERIES_J1708.pdf
RS3D V6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 164 205 246 287 328 369 410 418  [ Наступна Сторінка >> ]