Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25053) > Сторінка 151 з 418
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBR15100CTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
HER3005PT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
HER3001PT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
HER3002PT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BZD27C47P RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BZD27C47P RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
BZT55C12 L1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Supplier Device Package: Mini MELF Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 9.1 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SMAJ120CAHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 133V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V Power - Peak Pulse: 400W Power Line Protection: No Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SMAJ120CAHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 133V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V Power - Peak Pulse: 400W Power Line Protection: No Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SMAJ120CA M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SMAJ120CA R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SMAJ120CAHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PGSMAJ45CA E3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PGSMAJ45CA E3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
на замовлення 5393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TSM220NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
TSM220NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V |
на замовлення 3129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TSSA3U60 R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
BZX585B11 RSG | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±2% Package / Case: SC-79, SOD-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Supplier Device Package: SOD-523F Part Status: Active Power - Max: 200 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
BZX585B11 RKG | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±2% Package / Case: SC-79, SOD-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Supplier Device Package: SOD-523F Part Status: Active Power - Max: 200 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
RS3B R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
RS3B R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HS1B M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
P6SMB160A M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
ESH1GM RSG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Micro SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
ESH1GM RSG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Micro SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V |
на замовлення 1726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TSM60N380CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
TSM60N380CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
BZV55B4V3 L0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
P4SMA22CA R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
P4SMA22CAHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
RSFML RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
RSFML RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
на замовлення 1521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
S10KC R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
S10KC R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
на замовлення 582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
S10JCHR7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
S10JCHR7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
S10MC R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
S10MC R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
S10JC R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
S10JC R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
SA30CA A0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 33.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
SA30CA B0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 33.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
SA30CAHR0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
SA30CAHA0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: Automotive Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 33.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
SA30CAHB0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: Automotive Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 33.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
BZW06-31B R0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
BZW06-31B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
BZW06-31 B0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
BZW06-31B B0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
TSM6968SDCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.04W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
TSM6968SDCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.04W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
S3D V7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
S3D V7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
на замовлення 1667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
S3D V6G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
S3D R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
S3D R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
S3DHR7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
S3DHM6G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
RS3D R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
RS3D V6G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
MBR15100CTHC0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HER3005PT C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247AD
Description: DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HER3001PT C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 50V 30A TO247AD
Description: DIODE ARRAY GP 50V 30A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HER3002PT C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 100V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: DIODE ARRAY GP 100V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZD27C47P RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZD27C47P RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZT55C12 L1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 500MW MINI MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: Mini MELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 9.1 V
Description: DIODE ZENER 12V 500MW MINI MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: Mini MELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 9.1 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMAJ120CAHR3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMAJ120CAHR3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 35.18 грн |
11+ | 28.92 грн |
100+ | 20.09 грн |
500+ | 14.72 грн |
SMAJ120CA M2G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMAJ120CA R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMAJ120CAHM2G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PGSMAJ45CA E3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AC
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AC
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1800+ | 9.98 грн |
3600+ | 8.81 грн |
PGSMAJ45CA E3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AC
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AC
на замовлення 5393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.73 грн |
13+ | 25.06 грн |
100+ | 17.08 грн |
500+ | 12.02 грн |
TSM220NB06LCR RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TSM220NB06LCR RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V
на замовлення 3129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 95.73 грн |
10+ | 57.99 грн |
100+ | 38.18 грн |
500+ | 27.85 грн |
1000+ | 25.28 грн |
TSSA3U60 R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
BZX585B11 RSG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD523F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD523F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZX585B11 RKG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD523F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD523F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS3B R7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS3B R7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 34.37 грн |
13+ | 25.45 грн |
HS1B M2G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P6SMB160A M4G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 136VWM 219VC DO214AA
Description: TVS DIODE 136VWM 219VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ESH1GM RSG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ESH1GM RSG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 29.46 грн |
17+ | 19.15 грн |
100+ | 12.91 грн |
500+ | 9.40 грн |
1000+ | 8.49 грн |
TSM60N380CP ROG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TSM60N380CP ROG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZV55B4V3 L0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW MINI MELF
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW MINI MELF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P4SMA22CA R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P4SMA22CAHM2G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSFML RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
RSFML RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
S10KC R7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S10KC R7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
S10JCHR7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S10JCHR7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
S10MC R7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S10MC R7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S10JC R7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S10JC R7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SA30CA A0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SA30CA B0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SA30CAHR0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SA30CAHA0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SA30CAHB0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZW06-31B R0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZW06-31B A0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZW06-31 B0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZW06-31B B0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TSM6968SDCA RVG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TSM6968SDCA RVG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 76.91 грн |
10+ | 49.72 грн |
S3D V7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
S3D V7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
S3D V6G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D R7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D R7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3DHR7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3DHM6G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS3D R7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS3D V6G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.