Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25641) > Сторінка 20 з 428
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TSD30H150CW MNG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 30A, 15 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSD30H150CW MNG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 30A, 15 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSD30H200CW MNG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 30A, 20 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSD30H200CW MNG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 30A, 20 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF10L200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TSF10U60C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF15L60CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF20H150C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB |
на замовлення 981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF20H200C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB |
на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF20L200C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF20L60C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF30H150C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF30H200C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB |
на замовлення 2286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF30H60C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF30L120C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF30L150C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB |
на замовлення 581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF30L200C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TSF30L60C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF30U100C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF30U120C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF30U45C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF30U60C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF40H120C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF40H150C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB |
на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF40L100C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB |
на замовлення 1473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSF40L200C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| TSH248CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Output Type: Analog Voltage Polarization: North Pole, South Pole Mounting Type: Surface Mount Function: Omnipolar Switch Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V Technology: Hall Effect Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release Current - Output (Max): 2mA Current - Supply (Max): 16µA Supplier Device Package: TSOT-23-3 Test Condition: 25°C Part Status: Active |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| TSH248CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Output Type: Analog Voltage Polarization: North Pole, South Pole Mounting Type: Surface Mount Function: Omnipolar Switch Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V Technology: Hall Effect Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release Current - Output (Max): 2mA Current - Supply (Max): 16µA Supplier Device Package: TSOT-23-3 Test Condition: 25°C Part Status: Active |
на замовлення 11483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
TSI10H100CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSI10H120CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSI10H150CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSI10H200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSI10L200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK |
на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TSI20H100CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSI20H120CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSI20H150CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK |
на замовлення 993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSI20H200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSI30H100CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSI30H120CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSI30H150CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSI30H200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
TSM015NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
TSM015NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN |
на замовлення 4988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
TSM018NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
TSM018NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN |
на замовлення 4815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSM020N04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSM024NA04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSM024NA04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM026NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
TSM026NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN |
на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
TSM033NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
TSM033NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSM033NA04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSM033NA04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TSM036N03PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TSM036N03PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TSM040N03CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TSM040N03CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
на замовлення 4529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TSM042N03CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TSM042N03CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
на замовлення 13474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TSD30H150CW MNG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 30A, 15
Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 30A, 15
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSD30H150CW MNG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 30A, 15
Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 30A, 15
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSD30H200CW MNG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 30A, 20
Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 30A, 20
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSD30H200CW MNG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 30A, 20
Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 30A, 20
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSF10L200CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.35 грн |
| 10+ | 101.48 грн |
| 100+ | 81.57 грн |
| 500+ | 62.90 грн |
| TSF10U60C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSF15L60CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSF20H150C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSF20H200C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSF20L200C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSF20L60C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSF30H150C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSF30H200C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSF30H60C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSF30L120C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSF30L150C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSF30L200C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 160.96 грн |
| 10+ | 139.50 грн |
| 100+ | 112.13 грн |
| 500+ | 86.46 грн |
| TSF30L60C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSF30U100C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSF30U120C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSF30U45C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSF30U60C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSF40H120C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSF40H150C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSF40L100C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSF40L200C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 185.55 грн |
| 10+ | 160.65 грн |
| TSH248CX RFG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 22.86 грн |
| 6000+ | 21.21 грн |
| 9000+ | 20.77 грн |
| TSH248CX RFG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
на замовлення 11483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.44 грн |
| 9+ | 34.05 грн |
| 10+ | 32.15 грн |
| 25+ | 28.12 грн |
| 50+ | 26.73 грн |
| 100+ | 25.47 грн |
| 500+ | 22.56 грн |
| 1000+ | 21.63 грн |
| TSI10H100CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSI10H120CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSI10H150CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSI10H200CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSI10L200CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 137.18 грн |
| 10+ | 118.66 грн |
| 100+ | 95.38 грн |
| 500+ | 73.54 грн |
| 1000+ | 60.93 грн |
| 2000+ | 56.73 грн |
| TSI20H100CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSI20H120CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSI20H150CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSI20H200CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSI30H100CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSI30H120CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSI30H150CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSI30H200CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSM015NA03CR RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSM015NA03CR RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSM018NA03CR RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSM018NA03CR RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSM020N04LCR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSM024NA04LCR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSM024NA04LCR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.42 грн |
| 10+ | 86.36 грн |
| TSM026NA03CR RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSM026NA03CR RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSM033NA03CR RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSM033NA03CR RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSM033NA04LCR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSM033NA04LCR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 137.18 грн |
| 10+ | 89.49 грн |
| TSM036N03PQ56 RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSM036N03PQ56 RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 92.77 грн |
| 10+ | 56.35 грн |
| 100+ | 37.32 грн |
| TSM040N03CP ROG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 30.31 грн |
| TSM040N03CP ROG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 4529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 113.39 грн |
| 10+ | 68.95 грн |
| 50+ | 51.48 грн |
| 100+ | 42.99 грн |
| 500+ | 33.65 грн |
| TSM042N03CS RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 56.29 грн |
| 7500+ | 49.27 грн |
| TSM042N03CS RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 13474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 190.30 грн |
| 10+ | 117.89 грн |
| 50+ | 89.79 грн |
| 100+ | 75.77 грн |
| 500+ | 60.85 грн |








