Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR (49653) > Сторінка 823 з 828

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 82 164 246 328 410 492 574 656 738 818 819 820 821 822 823 824 825 826 827 828  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MBR2560CT MBR2560CT TAIWAN SEMICONDUCTOR mbr2560ct-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 12.5Ax2; TO220AB; tube
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 12.5A x2
Max. load current: 25A
Max. off-state voltage: 60V
Max. forward impulse current: 200A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.31 грн
10+65.18 грн
50+60.95 грн
100+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4925DCS RLG TSM4925DCS RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM4925D_B15.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7.1A; 1.3W; SOP8
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SOP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.1A
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C39 R0G BZX55C39 R0G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 39V; tape; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 39V
Kind of package: tape
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 895 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
140+3.37 грн
165+2.59 грн
500+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1608GH TAIWAN SEMICONDUCTOR HERF1601G SERIES_I2105.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 8Ax2; ITO220AB; 80ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: ITO220AB
Max. load current: 16A
Reverse recovery time: 80ns
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C3V9 R0G BZX55C3V9 R0G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.9V; tape; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.9V
Kind of package: tape
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.67 грн
47+9.06 грн
100+5.43 грн
250+4.35 грн
500+3.67 грн
1000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C36 R0G BZX55C36 R0G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 36V; tape; DO35; single diode
Tolerance: ±5%
Mounting: THT
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 36V
Case: DO35
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
130+3.60 грн
155+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C33 R0G BZX55C33 R0G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 33V; tape; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 33V
Kind of package: tape
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
130+3.60 грн
155+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1002 TAIWAN SEMICONDUCTOR GBU1007_ser.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 10A; Ifsm: 220A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 220A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE180CIT C0G TAIWAN SEMICONDUCTOR pdf.php?pn=TSM60NE180CIT Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 63W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 63W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE285CIT C0G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.5A; 56W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 56W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSL34 SSL34 TAIWAN SEMICONDUCTOR SSL32 SERIES_K2310.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.76 грн
17+25.48 грн
100+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSL34 V6G SSL34 V6G TAIWAN SEMICONDUCTOR SSL34-V6G.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.00 грн
15+28.53 грн
25+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20J BYG20J TAIWAN SEMICONDUCTOR BYG20J-R3G.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.26 грн
25+17.44 грн
100+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20JH TAIWAN SEMICONDUCTOR BYG20DH SERIES_A2102.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: superfast switching
Reverse recovery time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM100N06CZ C0G TSM100N06CZ C0G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM100N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N1R4CH C5G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM70N1R4_D1706.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N1R4CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM70N1R4_D1706.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N380CH C5G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.6A; 125W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 125W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N380CI C0G TSM70N380CI C0G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM70N380_E1706.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.6A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N380CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.6A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N600CH C5G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 83W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N600CI C0G TSM70N600CI C0G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N600CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.6nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N750CH C5G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.6A; 62.5W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N750CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.6A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N900CH C5G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.7A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N900CI C0G TSM70N900CI C0G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.7A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N900CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.7A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70NB1R4CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM70NB1R4CP_C1612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 1.8A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMB4S TAIWAN SEMICONDUCTOR RMB2S_ser.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 0.8A; Ifsm: 30A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 30A
Case: MBS; TO269AA
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE36CA R0 P6KE36CA R0 TAIWAN SEMICONDUCTOR P6KE_SER.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 36V; 12.6A; bidirectional; ±5%; DO15; reel,tape; 600W
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: P6KE
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.41 грн
35+12.36 грн
100+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C16 R0G BZX55C16 R0G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 16V; tape; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 16V
Kind of package: tape
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ43A TAIWAN SEMICONDUCTOR tvs-diodes-smaj-datasheet?assetguid=13c2a823-03b8-4d1f-9ddc-9b44670aed9d eaton-smaje-tvs-diode-power-esd-suppressor-data-sheet.pdf 3372_SMAJ43A000S0CT.pdf smaj%20series(400w,5v_440v).pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 47.8V; 5.8A; unidirectional; ±5%; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8V
Max. forward impulse current: 5.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK320B SK320B TAIWAN SEMICONDUCTOR SK320B%20N1457%20REV.A.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 200V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.64 грн
22+19.55 грн
100+13.21 грн
500+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SK320A SK320A TAIWAN SEMICONDUCTOR SK320A%20N0949%20REV.B.pdf SK32A SERIES_W2304.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 200V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.61 грн
24+18.12 грн
100+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SK320BH TAIWAN SEMICONDUCTOR SK32BH SERIES_B2212.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 200V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK320AH TAIWAN SEMICONDUCTOR SK32AH SERIES_B2304.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 200V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBS34 SBS34 TAIWAN SEMICONDUCTOR SBS34_ser.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 40V; If: 3A; Ifsm: 80A; ABS
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Case: ABS
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: Schottky
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.81 грн
10+48.00 грн
100+34.03 грн
500+26.07 грн
1000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA15A TAIWAN SEMICONDUCTOR tvs-diodes-p4sma-datasheet?assetguid=d4a000f4-a1f8-43e4-ba75-ac288263ba41 eaton-p4sma-tvs-diode-power-esd-suppressor-data-sheet.pdf P4SMA SERIES_S2102.pdf SMAP4SMA15AS0A.pdf P4SMAx.pdf P4SMA.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 14.3V; 20A; unidirectional; SMA; P4SMA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Breakdown voltage: 14.3V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Manufacturer series: P4SMA
Max. forward impulse current: 20A
Max. off-state voltage: 12.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA15AH TAIWAN SEMICONDUCTOR P4SMAH SERIES_A2102.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 14.3V; 20A; unidirectional; SMA; P4SMA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Breakdown voltage: 14.3V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Manufacturer series: P4SMA
Max. forward impulse current: 20A
Max. off-state voltage: 12.8V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR820 MUR820 TAIWAN SEMICONDUCTOR MUR820%28PbF%29.pdf MUR820%2C%20RURP820.pdf MUR820 SERIES_K2103.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 25ns
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 25ns
Max. forward voltage: 0.975V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 100A
Max. off-state voltage: 200V
Case: TO220AC
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.73 грн
11+38.77 грн
50+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MUR820H TAIWAN SEMICONDUCTOR MUR820%20SERIES_K2103.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; TO220AC; 25ns
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 25ns
Load current: 8A
Max. off-state voltage: 200V
Application: automotive industry
Case: TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRI20100CT TAIWAN SEMICONDUCTOR pdf.php?pn=MBRI20100CT Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; I2PAK; Ufmax: 950mV
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Case: I2PAK
Max. forward voltage: 0.95V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55C24 L0G BZV55C24 L0G TAIWAN SEMICONDUCTOR BZV55C2V4 SERIES_H2301.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; MiniMELF glass; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: MiniMELF glass
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 4313 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
90+5.20 грн
110+4.01 грн
250+3.55 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ7V5CA SMBJ7V5CA TAIWAN SEMICONDUCTOR SMBJ.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 8.33÷9.21V; 48A; bidirectional; ±5%; DO214AA,SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 7.5V
Breakdown voltage: 8.33...9.21V
Max. forward impulse current: 48A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.2mA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1J F3 US1J F3 TAIWAN SEMICONDUCTOR US1A_M.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
на замовлення 392 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.29 грн
23+18.45 грн
29+14.81 грн
100+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA15CA TAIWAN SEMICONDUCTOR P4SMA.pdf eaton-p4sma-tvs-diode-power-esd-suppressor-data-sheet.pdf P4SMA SERIES_S2102.pdf SMAP4SMA15CASC.pdf tvs-diodes-p4sma-datasheet?assetguid=d4a000f4-a1f8-43e4-ba75-ac288263ba41 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 14.3V; 20A; bidirectional; SMA; P4SMA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 14.3V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Manufacturer series: P4SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C20 R0G BZX55C20 R0G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 20V; tape; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 20V
Kind of package: tape
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.85 грн
57+7.45 грн
100+4.53 грн
500+3.15 грн
1000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5S15AH TAIWAN SEMICONDUCTOR TLD5S10AH SERIES_D2103.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3.6kW; 16.7÷18.5V; 148A; unidirectional; ±5%; DO218AB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3.6kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 148A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Manufacturer series: TLD5S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA4S12AH TAIWAN SEMICONDUCTOR SMA4S12AH SERIES_C2103.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 13.4÷14.8V; 20.5A; unidirectional; ±5%; SOD128
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.4...14.8V
Max. forward impulse current: 20.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMA4S
Tolerance: ±5%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA4F12AH TAIWAN SEMICONDUCTOR SMA4F12AH SERIES_C2103.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 13.4÷14.8V; 20.5A; unidirectional; ±5%; SMA flat
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.4...14.8V
Max. forward impulse current: 20.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA flat
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMA4F
Tolerance: ±5%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM340N06CH X0G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM340N06_D14.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 19A; 40W; IPAK
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.6nC
On-state resistance: 34mΩ
Drain current: 19A
Power dissipation: 40W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS103ACS RLG TS103ACS RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 2; 3÷18VDC; SOP8; 5mV; Ch: dual
Kind of package: reel; tape
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Type of integrated circuit: operational amplifier
Case: SOP8
Operating temperature: -40...85°C
Input offset voltage: 5mV
Slew rate: 0.5V/μs
Voltage supply range: 3...18V DC
Bandwidth: 1MHz
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.05 грн
14+30.81 грн
25+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C4V7 R0G BZX85C4V7 R0G TAIWAN SEMICONDUCTOR BZX85C3V3 SERIES_H2301.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 4.7V; tape; DO41; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 4.7V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Case: DO41
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ30CAH TAIWAN SEMICONDUCTOR SMAJH%20SERIES_A2102.pdf eaton-smaje-automotive-tvs-diode-power-esd-suppressor-data-sheet-elx1062-en.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 33.3V; 8.3A; bidirectional; ±5%; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Manufacturer series: SMAJ
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±5%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ30CA M2G TAIWAN SEMICONDUCTOR SMAJ%20SERIES_U2102.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 8.3A; bidirectional; SMA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Leakage current: 1µA
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20834+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 20834
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C6V2 R0G BZX85C6V2 R0G TAIWAN SEMICONDUCTOR BZX85C3V3 SERIES_H2301.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 6.2V; tape; DO41; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 6.2V
Kind of package: tape
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.79 грн
27+16.08 грн
100+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SR1060 C0 SR1060 C0 TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 10A; TO220AB; Ufmax: 0.7V
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 60V
Case: TO220AB
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Load current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS2045CTH TAIWAN SEMICONDUCTOR MBRS2035CTH SERIES_A2103.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 10Ax2
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.84V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS2045CT TAIWAN SEMICONDUCTOR MBRS2035CT SERIES_N2103.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 10Ax2
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.95V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2560CT mbr2560ct-d.pdf
MBR2560CT
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 12.5Ax2; TO220AB; tube
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 12.5A x2
Max. load current: 25A
Max. off-state voltage: 60V
Max. forward impulse current: 200A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.31 грн
10+65.18 грн
50+60.95 грн
100+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4925DCS RLG TSM4925D_B15.pdf
TSM4925DCS RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7.1A; 1.3W; SOP8
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SOP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.1A
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C39 R0G
BZX55C39 R0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 39V; tape; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 39V
Kind of package: tape
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 895 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
140+3.37 грн
165+2.59 грн
500+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1608GH HERF1601G SERIES_I2105.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 8Ax2; ITO220AB; 80ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: ITO220AB
Max. load current: 16A
Reverse recovery time: 80ns
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C3V9 R0G
BZX55C3V9 R0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.9V; tape; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.9V
Kind of package: tape
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.67 грн
47+9.06 грн
100+5.43 грн
250+4.35 грн
500+3.67 грн
1000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C36 R0G
BZX55C36 R0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 36V; tape; DO35; single diode
Tolerance: ±5%
Mounting: THT
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 36V
Case: DO35
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
130+3.60 грн
155+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C33 R0G
BZX55C33 R0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 33V; tape; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 33V
Kind of package: tape
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
130+3.60 грн
155+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1002 GBU1007_ser.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 10A; Ifsm: 220A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 220A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE180CIT C0G pdf.php?pn=TSM60NE180CIT
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 63W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 63W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE285CIT C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.5A; 56W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 56W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSL34 SSL32 SERIES_K2310.pdf
SSL34
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+43.76 грн
17+25.48 грн
100+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSL34 V6G SSL34-V6G.pdf
SSL34 V6G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+34.00 грн
15+28.53 грн
25+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20J BYG20J-R3G.pdf
BYG20J
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+28.26 грн
25+17.44 грн
100+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20JH BYG20DH SERIES_A2102.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: superfast switching
Reverse recovery time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM100N06CZ C0G TSM100N06.pdf
TSM100N06CZ C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N1R4CH C5G TSM70N1R4_D1706.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N1R4CP ROG TSM70N1R4_D1706.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N380CH C5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.6A; 125W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 125W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N380CI C0G TSM70N380_E1706.pdf
TSM70N380CI C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.6A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N380CP ROG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.6A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N600CH C5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 83W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N600CI C0G
TSM70N600CI C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N600CP ROG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.6nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N750CH C5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.6A; 62.5W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N750CP ROG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.6A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N900CH C5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.7A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N900CI C0G
TSM70N900CI C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.7A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N900CP ROG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.7A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70NB1R4CP ROG TSM70NB1R4CP_C1612.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 1.8A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMB4S RMB2S_ser.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 0.8A; Ifsm: 30A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 30A
Case: MBS; TO269AA
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE36CA R0 P6KE_SER.pdf
P6KE36CA R0
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 36V; 12.6A; bidirectional; ±5%; DO15; reel,tape; 600W
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: P6KE
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.41 грн
35+12.36 грн
100+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C16 R0G
BZX55C16 R0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 16V; tape; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 16V
Kind of package: tape
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ43A tvs-diodes-smaj-datasheet?assetguid=13c2a823-03b8-4d1f-9ddc-9b44670aed9d eaton-smaje-tvs-diode-power-esd-suppressor-data-sheet.pdf 3372_SMAJ43A000S0CT.pdf smaj%20series(400w,5v_440v).pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 47.8V; 5.8A; unidirectional; ±5%; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8V
Max. forward impulse current: 5.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK320B SK320B%20N1457%20REV.A.pdf
SK320B
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 200V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+34.64 грн
22+19.55 грн
100+13.21 грн
500+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SK320A SK320A%20N0949%20REV.B.pdf SK32A SERIES_W2304.pdf
SK320A
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 200V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+24.61 грн
24+18.12 грн
100+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SK320BH SK32BH SERIES_B2212.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 200V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK320AH SK32AH SERIES_B2304.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 200V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBS34 SBS34_ser.pdf
SBS34
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 40V; If: 3A; Ifsm: 80A; ABS
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Case: ABS
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: Schottky
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+63.81 грн
10+48.00 грн
100+34.03 грн
500+26.07 грн
1000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA15A tvs-diodes-p4sma-datasheet?assetguid=d4a000f4-a1f8-43e4-ba75-ac288263ba41 eaton-p4sma-tvs-diode-power-esd-suppressor-data-sheet.pdf P4SMA SERIES_S2102.pdf SMAP4SMA15AS0A.pdf P4SMAx.pdf P4SMA.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 14.3V; 20A; unidirectional; SMA; P4SMA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Breakdown voltage: 14.3V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Manufacturer series: P4SMA
Max. forward impulse current: 20A
Max. off-state voltage: 12.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA15AH P4SMAH SERIES_A2102.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 14.3V; 20A; unidirectional; SMA; P4SMA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Breakdown voltage: 14.3V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Manufacturer series: P4SMA
Max. forward impulse current: 20A
Max. off-state voltage: 12.8V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR820 MUR820%28PbF%29.pdf MUR820%2C%20RURP820.pdf MUR820 SERIES_K2103.pdf
MUR820
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 25ns
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 25ns
Max. forward voltage: 0.975V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 100A
Max. off-state voltage: 200V
Case: TO220AC
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+64.73 грн
11+38.77 грн
50+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MUR820H MUR820%20SERIES_K2103.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; TO220AC; 25ns
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 25ns
Load current: 8A
Max. off-state voltage: 200V
Application: automotive industry
Case: TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRI20100CT pdf.php?pn=MBRI20100CT
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; I2PAK; Ufmax: 950mV
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Case: I2PAK
Max. forward voltage: 0.95V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55C24 L0G BZV55C2V4 SERIES_H2301.pdf
BZV55C24 L0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; MiniMELF glass; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: MiniMELF glass
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 4313 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
90+5.20 грн
110+4.01 грн
250+3.55 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ7V5CA SMBJ.pdf
SMBJ7V5CA
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 8.33÷9.21V; 48A; bidirectional; ±5%; DO214AA,SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 7.5V
Breakdown voltage: 8.33...9.21V
Max. forward impulse current: 48A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.2mA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1J F3 US1A_M.pdf
US1J F3
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
на замовлення 392 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.29 грн
23+18.45 грн
29+14.81 грн
100+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA15CA P4SMA.pdf eaton-p4sma-tvs-diode-power-esd-suppressor-data-sheet.pdf P4SMA SERIES_S2102.pdf SMAP4SMA15CASC.pdf tvs-diodes-p4sma-datasheet?assetguid=d4a000f4-a1f8-43e4-ba75-ac288263ba41
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 14.3V; 20A; bidirectional; SMA; P4SMA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 14.3V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Manufacturer series: P4SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C20 R0G
BZX55C20 R0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 20V; tape; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 20V
Kind of package: tape
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.85 грн
57+7.45 грн
100+4.53 грн
500+3.15 грн
1000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5S15AH TLD5S10AH SERIES_D2103.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3.6kW; 16.7÷18.5V; 148A; unidirectional; ±5%; DO218AB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3.6kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 148A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Manufacturer series: TLD5S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA4S12AH SMA4S12AH SERIES_C2103.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 13.4÷14.8V; 20.5A; unidirectional; ±5%; SOD128
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.4...14.8V
Max. forward impulse current: 20.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMA4S
Tolerance: ±5%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA4F12AH SMA4F12AH SERIES_C2103.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 13.4÷14.8V; 20.5A; unidirectional; ±5%; SMA flat
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.4...14.8V
Max. forward impulse current: 20.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA flat
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMA4F
Tolerance: ±5%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM340N06CH X0G TSM340N06_D14.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 19A; 40W; IPAK
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.6nC
On-state resistance: 34mΩ
Drain current: 19A
Power dissipation: 40W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS103ACS RLG
TS103ACS RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 2; 3÷18VDC; SOP8; 5mV; Ch: dual
Kind of package: reel; tape
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Type of integrated circuit: operational amplifier
Case: SOP8
Operating temperature: -40...85°C
Input offset voltage: 5mV
Slew rate: 0.5V/μs
Voltage supply range: 3...18V DC
Bandwidth: 1MHz
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.05 грн
14+30.81 грн
25+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C4V7 R0G BZX85C3V3 SERIES_H2301.pdf
BZX85C4V7 R0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 4.7V; tape; DO41; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 4.7V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Case: DO41
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ30CAH SMAJH%20SERIES_A2102.pdf eaton-smaje-automotive-tvs-diode-power-esd-suppressor-data-sheet-elx1062-en.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 33.3V; 8.3A; bidirectional; ±5%; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Manufacturer series: SMAJ
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±5%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ30CA M2G SMAJ%20SERIES_U2102.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 8.3A; bidirectional; SMA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Leakage current: 1µA
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20834+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 20834
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C6V2 R0G BZX85C3V3 SERIES_H2301.pdf
BZX85C6V2 R0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 6.2V; tape; DO41; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 6.2V
Kind of package: tape
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.79 грн
27+16.08 грн
100+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SR1060 C0
SR1060 C0
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 10A; TO220AB; Ufmax: 0.7V
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 60V
Case: TO220AB
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Load current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS2045CTH MBRS2035CTH SERIES_A2103.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 10Ax2
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.84V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS2045CT MBRS2035CT SERIES_N2103.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 10Ax2
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.95V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 82 164 246 328 410 492 574 656 738 818 819 820 821 822 823 824 825 826 827 828  [ Наступна Сторінка >> ]