Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13432) > Сторінка 10 з 224

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CMS08(TE12L,Q) CMS08(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3142&prodName=CMS08 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A MFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS09(TE12L,Q) CMS09(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3144&prodName=CMS09 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A MFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS10(TE12L,Q,M) CMS10(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS10_datasheet_en_20131101.pdf?did=3147&prodName=CMS10 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS11(TE12L,Q,M) CMS11(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS11_datasheet_en_20131101.pdf?did=3149&prodName=CMS11 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CMS11(TE12L,Q,M) CMS11(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS11_datasheet_en_20131101.pdf?did=3149&prodName=CMS11 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 12192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.24 грн
13+25.06 грн
100+17.42 грн
500+12.76 грн
1000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CRH01(TE85L,Q,M) CRH01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRH01_datasheet_en_20180404.pdf?did=3154&prodName=CRH01 Description: DIODE STANDARD 200V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 77247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.81 грн
14+22.99 грн
100+17.22 грн
500+12.36 грн
1000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CRH01(TE85L,Q,M) CRH01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRH01_datasheet_en_20180404.pdf?did=3154&prodName=CRH01 Description: DIODE STANDARD 200V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.23 грн
6000+8.36 грн
9000+8.30 грн
15000+7.75 грн
21000+7.73 грн
30000+7.54 грн
75000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS01(TE85L,Q,M) CRS01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS01_datasheet_en_20131101.pdf?did=3157&prodName=CRS01 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.39 грн
6000+7.34 грн
9000+6.97 грн
15000+6.15 грн
21000+5.92 грн
30000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS01(TE85L,Q,M) CRS01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS01_datasheet_en_20131101.pdf?did=3157&prodName=CRS01 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V
на замовлення 68677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.40 грн
14+22.30 грн
100+14.18 грн
500+10.00 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CRS03(TE85L,Q,M) CRS03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS03_datasheet_en_20180905.pdf?did=3159&prodName=CRS03 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.40 грн
6000+6.83 грн
9000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS03(TE85L,Q,M) CRS03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS03_datasheet_en_20180905.pdf?did=3159&prodName=CRS03 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 29589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.85 грн
15+20.54 грн
100+12.29 грн
500+10.68 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CRS04(TE85L,Q,M) CRS04(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS04_datasheet_en_20170417.pdf?did=3161&prodName=CRS04 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 46602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.18 грн
13+24.29 грн
100+15.99 грн
500+11.32 грн
1000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRS04(TE85L,Q,M) CRS04(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS04_datasheet_en_20170417.pdf?did=3161&prodName=CRS04 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 46602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.78 грн
6000+7.14 грн
9000+7.12 грн
15000+6.65 грн
21000+6.63 грн
30000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS05(TE85L,Q,M) CRS05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS05_datasheet_en_20190401.pdf?did=3163&prodName=CRS05 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS06(TE85L,Q,M) CRS06(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS06_datasheet_en_20180911.pdf?did=3165&prodName=CRS06 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.88 грн
6000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS06(TE85L,Q,M) CRS06(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS06_datasheet_en_20180911.pdf?did=3165&prodName=CRS06 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
на замовлення 8205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.63 грн
13+24.60 грн
100+14.75 грн
500+12.82 грн
1000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRS08(TE85L,Q,M) CRS08(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS08_Nov1%2C2013.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
на замовлення 19405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.59 грн
13+25.06 грн
100+18.07 грн
500+12.84 грн
1000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRS08(TE85L,Q,M) CRS08(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS08_Nov1%2C2013.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.90 грн
6000+8.34 грн
9000+8.32 грн
15000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS09(TE85L,Q,M) CRS09(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS09_datasheet_en_20180718.pdf?did=3170&prodName=CRS09 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 105052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.44 грн
12+27.13 грн
100+17.75 грн
500+12.60 грн
1000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CRS09(TE85L,Q,M) CRS09(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS09_datasheet_en_20180718.pdf?did=3170&prodName=CRS09 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.17 грн
6000+7.73 грн
9000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS11(TE85L,Q,M) CRS11(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS11_datasheet_en_20131101.pdf?did=3172&prodName=CRS11 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V
на замовлення 16928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.42 грн
13+25.21 грн
100+15.13 грн
500+13.15 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRS11(TE85L,Q,M) CRS11(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS11_datasheet_en_20131101.pdf?did=3172&prodName=CRS11 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.10 грн
6000+8.40 грн
9000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ10(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ11(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 11V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ12(TE85L,Q) CRZ12(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRY62_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 12V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ13(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 13V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ16(TE85L,Q) CRZ16(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 16V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ16(TE85L,Q) CRZ16(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 16V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ20(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 20V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ22(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 22V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ24(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 24V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ27(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 27V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ30(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ33(TE85L,Q,M) CRZ33(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY62_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 33V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 26.4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ36(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 36V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ39(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 39V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ43(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 43V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ47(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 47V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TMP92FD54AIF TMP92FD54AIF Toshiba Semiconductor and Storage TMP92FD54AIF.pdf Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TMP91FY22FG TMP91FY22FG Toshiba Semiconductor and Storage TMP91FY22F.pdf Description: IC MCU 16BIT 256KB FLASH 100QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 27MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: 900/L1
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 16-Bit
Connectivity: EBI/EMI, IrDA, UART/USART
Peripherals: DMA
Supplier Device Package: 100-QFP (20x14)
Number of I/O: 81
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV229TPH3F 1SV229TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV229_datasheet_en_20140301.pdf?did=2758&prodName=1SV229 Description: DIODE VARACTOR 15V USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 6.5pF @ 10V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C2/C10
Supplier Device Package: USC
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.5
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.39 грн
6000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SV239TPH3F 1SV239TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV239_datasheet_en_20140301.pdf?did=2769&prodName=1SV239 Description: DIODE VARACTOR 15V USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 10V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C2/C10
Supplier Device Package: USC
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.39 грн
6000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SV271TPH3F 1SV271TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV322FTR.jpg Description: RF DIODE PIN 50V USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 50V, 1MHz
Resistance @ If, F: 4.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: USC
Current - Max: 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV279TH3FT 1SV279TH3FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2793&prodName=1SV279 Description: DIODE VARACTOR 15V ESC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV280,H3F 1SV280,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE VARACTOR 15V ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 10V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C2/C10
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.4
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.08 грн
8000+3.81 грн
12000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
1SV281TH3FT 1SV281TH3FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2798&prodName=1SV281 Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV285TPH3F 1SV285TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV285_datasheet_en_20140301.pdf?did=2808&prodName=1SV285 Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 2.35pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 2.3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV304TPH3F 1SV304TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV304_datasheet_en_20140301.pdf?did=2827&prodName=1SV304 Description: DIODE VARACTOR 10V USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: USC
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 3.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV310TPH3F 1SV310TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV310_datasheet_en_20140301.pdf?did=2841&prodName=1SV310 Description: DIODE VARACTOR 10V USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 5.45pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: USC
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 2.1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV311(TPH3,F) 1SV311(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2843&prodName=1SV311 Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV323,H3F 1SV323,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV323_datasheet_en_20140301.pdf?did=2854&prodName=1SV323 Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 7.1pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 4.3
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.29 грн
8000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TMP86FS49AFG(Z) TMP86FS49AFG(Z) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC MCU 8BIT 60KB FLASH 64QFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TMP86FS49AUG(JZ) TMP86FS49AUG(JZ) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC MCU 8BIT 60KB FLASH 64LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP350(TP1,F) TLP350(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350_datasheet_en_20171018.pdf?did=6217&prodName=TLP350 Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: UR
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.20 грн
6000+1.89 грн
9000+1.77 грн
15000+1.53 грн
21000+1.46 грн
30000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LF 2SC2712-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19227&prodName=2SC2712 Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.48 грн
6000+2.13 грн
9000+1.99 грн
15000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-Y, LF(D 2SA1162S-Y, LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BS,LF(D SSM3K7002BS,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 39400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.94 грн
45+6.82 грн
100+4.19 грн
500+2.85 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LF 2SC2712-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19227&prodName=2SC2712 Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 16320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.73 грн
42+7.36 грн
100+4.54 грн
500+3.10 грн
1000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
CMS08(TE12L,Q) docget.jsp?did=3142&prodName=CMS08
CMS08(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A MFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS09(TE12L,Q) docget.jsp?did=3144&prodName=CMS09
CMS09(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A MFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS10(TE12L,Q,M) CMS10_datasheet_en_20131101.pdf?did=3147&prodName=CMS10
CMS10(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS11(TE12L,Q,M) CMS11_datasheet_en_20131101.pdf?did=3149&prodName=CMS11
CMS11(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CMS11(TE12L,Q,M) CMS11_datasheet_en_20131101.pdf?did=3149&prodName=CMS11
CMS11(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 12192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.24 грн
13+25.06 грн
100+17.42 грн
500+12.76 грн
1000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CRH01(TE85L,Q,M) CRH01_datasheet_en_20180404.pdf?did=3154&prodName=CRH01
CRH01(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 200V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 77247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.81 грн
14+22.99 грн
100+17.22 грн
500+12.36 грн
1000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CRH01(TE85L,Q,M) CRH01_datasheet_en_20180404.pdf?did=3154&prodName=CRH01
CRH01(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 200V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.23 грн
6000+8.36 грн
9000+8.30 грн
15000+7.75 грн
21000+7.73 грн
30000+7.54 грн
75000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS01(TE85L,Q,M) CRS01_datasheet_en_20131101.pdf?did=3157&prodName=CRS01
CRS01(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.39 грн
6000+7.34 грн
9000+6.97 грн
15000+6.15 грн
21000+5.92 грн
30000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS01(TE85L,Q,M) CRS01_datasheet_en_20131101.pdf?did=3157&prodName=CRS01
CRS01(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V
на замовлення 68677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.40 грн
14+22.30 грн
100+14.18 грн
500+10.00 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CRS03(TE85L,Q,M) CRS03_datasheet_en_20180905.pdf?did=3159&prodName=CRS03
CRS03(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.40 грн
6000+6.83 грн
9000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS03(TE85L,Q,M) CRS03_datasheet_en_20180905.pdf?did=3159&prodName=CRS03
CRS03(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 29589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.85 грн
15+20.54 грн
100+12.29 грн
500+10.68 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CRS04(TE85L,Q,M) CRS04_datasheet_en_20170417.pdf?did=3161&prodName=CRS04
CRS04(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 46602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.18 грн
13+24.29 грн
100+15.99 грн
500+11.32 грн
1000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRS04(TE85L,Q,M) CRS04_datasheet_en_20170417.pdf?did=3161&prodName=CRS04
CRS04(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 46602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.78 грн
6000+7.14 грн
9000+7.12 грн
15000+6.65 грн
21000+6.63 грн
30000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS05(TE85L,Q,M) CRS05_datasheet_en_20190401.pdf?did=3163&prodName=CRS05
CRS05(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS06(TE85L,Q,M) CRS06_datasheet_en_20180911.pdf?did=3165&prodName=CRS06
CRS06(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.88 грн
6000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS06(TE85L,Q,M) CRS06_datasheet_en_20180911.pdf?did=3165&prodName=CRS06
CRS06(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
на замовлення 8205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.63 грн
13+24.60 грн
100+14.75 грн
500+12.82 грн
1000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRS08(TE85L,Q,M) CRS08_Nov1%2C2013.pdf
CRS08(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
на замовлення 19405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.59 грн
13+25.06 грн
100+18.07 грн
500+12.84 грн
1000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRS08(TE85L,Q,M) CRS08_Nov1%2C2013.pdf
CRS08(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.90 грн
6000+8.34 грн
9000+8.32 грн
15000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS09(TE85L,Q,M) CRS09_datasheet_en_20180718.pdf?did=3170&prodName=CRS09
CRS09(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 105052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.44 грн
12+27.13 грн
100+17.75 грн
500+12.60 грн
1000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CRS09(TE85L,Q,M) CRS09_datasheet_en_20180718.pdf?did=3170&prodName=CRS09
CRS09(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.17 грн
6000+7.73 грн
9000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS11(TE85L,Q,M) CRS11_datasheet_en_20131101.pdf?did=3172&prodName=CRS11
CRS11(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V
на замовлення 16928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
13+25.21 грн
100+15.13 грн
500+13.15 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRS11(TE85L,Q,M) CRS11_datasheet_en_20131101.pdf?did=3172&prodName=CRS11
CRS11(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.10 грн
6000+8.40 грн
9000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ10(TE85L,Q) docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ11(TE85L,Q) docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 11V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ12(TE85L,Q) CRY62_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY62
CRZ12(TE85L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 12V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ13(TE85L,Q) docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 13V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ16(TE85L,Q) docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62
CRZ16(TE85L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 16V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ16(TE85L,Q) docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62
CRZ16(TE85L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 16V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ20(TE85L,Q) docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 20V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ22(TE85L,Q) docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 22V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ24(TE85L,Q) docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 24V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ27(TE85L,Q) docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 27V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ30(TE85L,Q) docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ33(TE85L,Q,M) CRY62_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY62
CRZ33(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 33V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 26.4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ36(TE85L,Q) docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 36V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ39(TE85L,Q) docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 39V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ43(TE85L,Q) docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 43V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ47(TE85L,Q) docget.jsp?did=3175&prodName=CRY62
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 47V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TMP92FD54AIF TMP92FD54AIF.pdf
TMP92FD54AIF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TMP91FY22FG TMP91FY22F.pdf
TMP91FY22FG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 16BIT 256KB FLASH 100QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 27MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: 900/L1
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 16-Bit
Connectivity: EBI/EMI, IrDA, UART/USART
Peripherals: DMA
Supplier Device Package: 100-QFP (20x14)
Number of I/O: 81
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV229TPH3F 1SV229_datasheet_en_20140301.pdf?did=2758&prodName=1SV229
1SV229TPH3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 15V USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 6.5pF @ 10V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C2/C10
Supplier Device Package: USC
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.5
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.39 грн
6000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SV239TPH3F 1SV239_datasheet_en_20140301.pdf?did=2769&prodName=1SV239
1SV239TPH3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 15V USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 10V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C2/C10
Supplier Device Package: USC
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.39 грн
6000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SV271TPH3F 1SV322FTR.jpg
1SV271TPH3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 50V USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 50V, 1MHz
Resistance @ If, F: 4.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: USC
Current - Max: 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV279TH3FT docget.jsp?did=2793&prodName=1SV279
1SV279TH3FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 15V ESC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV280,H3F
1SV280,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 15V ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 10V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C2/C10
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.4
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.08 грн
8000+3.81 грн
12000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
1SV281TH3FT docget.jsp?did=2798&prodName=1SV281
1SV281TH3FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV285TPH3F 1SV285_datasheet_en_20140301.pdf?did=2808&prodName=1SV285
1SV285TPH3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 2.35pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 2.3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV304TPH3F 1SV304_datasheet_en_20140301.pdf?did=2827&prodName=1SV304
1SV304TPH3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: USC
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 3.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV310TPH3F 1SV310_datasheet_en_20140301.pdf?did=2841&prodName=1SV310
1SV310TPH3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 5.45pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: USC
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 2.1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV311(TPH3,F) docget.jsp?did=2843&prodName=1SV311
1SV311(TPH3,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV323,H3F 1SV323_datasheet_en_20140301.pdf?did=2854&prodName=1SV323
1SV323,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 7.1pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 4.3
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+4.29 грн
8000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TMP86FS49AFG(Z)
TMP86FS49AFG(Z)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 8BIT 60KB FLASH 64QFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TMP86FS49AUG(JZ)
TMP86FS49AUG(JZ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 8BIT 60KB FLASH 64LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP350(TP1,F) TLP350_datasheet_en_20171018.pdf?did=6217&prodName=TLP350
TLP350(TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: UR
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.20 грн
6000+1.89 грн
9000+1.77 грн
15000+1.53 грн
21000+1.46 грн
30000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LF docget.jsp?did=19227&prodName=2SC2712
2SC2712-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.48 грн
6000+2.13 грн
9000+1.99 грн
15000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-Y, LF(D 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162S-Y, LF(D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BS,LF(D SSM3K7002BS.pdf
SSM3K7002BS,LF(D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 39400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.94 грн
45+6.82 грн
100+4.19 грн
500+2.85 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LF docget.jsp?did=19227&prodName=2SC2712
2SC2712-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 16320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.73 грн
42+7.36 грн
100+4.54 грн
500+3.10 грн
1000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]