| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD5810 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD6670A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 66A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD6670A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 66A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD6676AS | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD6676AS | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD6680AS | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 55A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD6680AS | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 55A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD6685 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD6685 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD7030BL | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD7030BL | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8586 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 20V 35A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8586 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 20V 35A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8796 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 25V 35A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8796 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 25V 35A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8870 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8870 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8874 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8874 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V |
на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8880 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8880 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8896 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8896 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD8896 | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN304P | UMW |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN304P | UMW |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23 |
на замовлення 2452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDN304P | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMWкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN337N | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN337N | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23 |
на замовлення 963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN338P | UMW |
Description: 20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN338P | UMW |
Description: 20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1 |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN339AN | UMW |
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23 |
на замовлення 2897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN339AN | UMW |
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN359AN | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN359AN | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 |
на замовлення 2269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN361BN | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 8310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN361BN | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP036N10A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 2174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP045N10A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP8440 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP8860 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP8D5N10C | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS3672 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS3672 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS6612A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS6612A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS6675 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS6675 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS6679AZ | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC |
на замовлення 642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS6679AZ | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS8878 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC |
на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS8878 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS8884 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS8884 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS8958A | UMW |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS8958A | UMW |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS8978 | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS8978 | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS8984 | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP |
на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS8984 | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDD5810 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDD6670A |
![]() |
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.04 грн |
| 10+ | 40.68 грн |
| 100+ | 26.55 грн |
| 500+ | 19.20 грн |
| 1000+ | 17.36 грн |
| FDD6676AS |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 17.00 грн |
| FDD6680AS |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.49 грн |
| FDD6685 |
![]() |
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 12.59 грн |
| FDD7030BL |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 17.58 грн |
| FDD8586 |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 17.58 грн |
| FDD8796 |
![]() |
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 61.71 грн |
| 10+ | 36.95 грн |
| 100+ | 23.97 грн |
| 500+ | 17.27 грн |
| 1000+ | 15.58 грн |
| FDD8870 |
![]() |
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 72.00 грн |
| 10+ | 43.12 грн |
| 100+ | 28.15 грн |
| 500+ | 20.36 грн |
| 1000+ | 18.41 грн |
| FDD8874 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FDD8874 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 55.38 грн |
| 10+ | 33.14 грн |
| 100+ | 21.46 грн |
| 500+ | 15.39 грн |
| 1000+ | 13.86 грн |
| FDD8880 |
![]() |
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.04 грн |
| 10+ | 40.99 грн |
| 100+ | 26.73 грн |
| 500+ | 19.34 грн |
| 1000+ | 17.48 грн |
| FDD8896 |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.85 грн |
| FDD8896 |
![]() |
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 104.43 грн |
| 10+ | 63.54 грн |
| 100+ | 42.16 грн |
| 500+ | 30.95 грн |
| 1000+ | 28.17 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 19.15 грн |
| FDN304P |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.02 грн |
| FDN304P |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.44 грн |
| 16+ | 19.12 грн |
| 100+ | 12.06 грн |
| 500+ | 8.45 грн |
| 1000+ | 7.52 грн |
| FDN304P |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 2.65 грн |
| FDN337N |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.67 грн |
| FDN337N |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 22.15 грн |
| 24+ | 13.18 грн |
| 50+ | 9.46 грн |
| 100+ | 7.74 грн |
| 500+ | 5.71 грн |
| FDN338P |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
Description: 20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.69 грн |
| FDN338P |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
Description: 20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.78 грн |
| 19+ | 16.46 грн |
| 20+ | 15.47 грн |
| FDN339AN |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.69 грн |
| 19+ | 16.23 грн |
| 50+ | 11.67 грн |
| 100+ | 9.57 грн |
| 500+ | 7.10 грн |
| FDN339AN |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.86 грн |
| 9000+ | 4.82 грн |
| FDN359AN |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.87 грн |
| FDN359AN |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.69 грн |
| 19+ | 16.30 грн |
| 100+ | 10.22 грн |
| 500+ | 7.12 грн |
| 1000+ | 6.32 грн |
| FDN361BN |
![]() |
на замовлення 8310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.78 грн |
| 6000+ | 5.03 грн |
| FDN361BN |
![]() |
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.90 грн |
| 20+ | 16.00 грн |
| FDP036N10A |
![]() |
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 122.63 грн |
| 10+ | 74.74 грн |
| 100+ | 50.00 грн |
| 500+ | 36.98 грн |
| 1000+ | 33.78 грн |
| 2000+ | 31.09 грн |
| FDP045N10A |
![]() |
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 187.51 грн |
| 10+ | 116.03 грн |
| 50+ | 88.36 грн |
| 100+ | 74.54 грн |
| 500+ | 59.82 грн |
| FDP8440 |
![]() |
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.05 грн |
| 10+ | 74.28 грн |
| 100+ | 49.85 грн |
| 500+ | 36.97 грн |
| FDP8860 |
![]() |
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 170.89 грн |
| 10+ | 106.13 грн |
| 100+ | 72.64 грн |
| 500+ | 54.75 грн |
| FDP8D5N10C |
![]() |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 159.81 грн |
| 10+ | 98.74 грн |
| 100+ | 67.33 грн |
| 500+ | 50.56 грн |
| 1000+ | 46.50 грн |
| FDS6612A |
![]() |
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.14 грн |
| 13+ | 24.46 грн |
| 100+ | 15.67 грн |
| 500+ | 11.11 грн |
| 1000+ | 9.95 грн |
| FDS6675 |
![]() |
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 77.53 грн |
| 10+ | 46.55 грн |
| 100+ | 30.41 грн |
| 500+ | 22.04 грн |
| 1000+ | 19.94 грн |
| FDS6679AZ |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 79.91 грн |
| 10+ | 48.45 грн |
| 50+ | 35.81 грн |
| 100+ | 29.76 грн |
| 500+ | 23.01 грн |
| FDS6679AZ |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.01 грн |
| FDS8878 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.25 грн |
| 10+ | 40.23 грн |
| 50+ | 29.61 грн |
| 100+ | 24.54 грн |
| 500+ | 18.84 грн |
| FDS8878 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.22 грн |
| 9000+ | 13.73 грн |
| FDS8884 |
![]() |
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.14 грн |
| 13+ | 24.61 грн |
| 100+ | 15.73 грн |
| 500+ | 11.16 грн |
| 1000+ | 9.99 грн |
| FDS8958A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.28 грн |
| FDS8958A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.13 грн |
| 10+ | 35.96 грн |
| 50+ | 26.36 грн |
| 100+ | 21.81 грн |
| 500+ | 16.67 грн |
| FDS8978 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FDS8978 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.43 грн |
| 10+ | 31.08 грн |
| 100+ | 19.95 грн |
| 500+ | 14.24 грн |
| 1000+ | 12.79 грн |







