| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD8796 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 25V 35A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8796 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 25V 35A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8870 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8870 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8874 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8874 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V |
на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8880 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8880 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8896 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8896 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD8896 | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN302P | UMW |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDN302P | UMW |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23 |
на замовлення 1261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN304P | UMW |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23 |
на замовлення 2952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN304P | UMW |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDN304P | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMWкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN336P | UMW |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN336P | UMW |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23 |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN338P | UMW |
Description: 20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1 |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN338P | UMW |
Description: 20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN359AN | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 |
на замовлення 2269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN359AN | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN360P | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN360P | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN361BN | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 8310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN361BN | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP036N10A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 2174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP045N10A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP8440 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP8860 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP8D5N10C | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS3672 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS3672 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS4435BZ | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS4435BZ | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC |
на замовлення 2791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS6612A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS6612A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS6675 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS6675 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS8884 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS8884 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS8949 | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS8949 | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS8958A | UMW |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS8958A | UMW |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS8978 | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS8978 | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS9435A | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS9435A | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDV301N | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMWкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDV303N | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMWкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDV304P | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV304P Onsemi; FDV304P UMW TFDV304p UMWкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD20N06 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FQD20N06 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAKDrain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD7N10LTM | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FQD7N10LTM | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FQP27P06 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220 |
на замовлення 1889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
GBLC03CI-LF-T7 | UMW |
Description: TVS DIODE 3VWM 7VC SOD323Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Applications: Ethernet, USB Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V Supplier Device Package: SOD-323 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7V Power - Peak Pulse: 250W Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
GBLC03CI-LF-T7 | UMW |
Description: TVS DIODE 3VWM 7VC SOD323Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Applications: Ethernet, USB Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V Supplier Device Package: SOD-323 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7V Power - Peak Pulse: 250W Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| GBLC03CI-LF-T7 | UMW |
GBLC03CI-LF-T7 TVS DIODE 3VWM 7VC SOD323 Супресори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FDD8796 |
![]() |
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 61.00 грн |
| 10+ | 36.53 грн |
| 100+ | 23.69 грн |
| 500+ | 17.07 грн |
| 1000+ | 15.40 грн |
| FDD8870 |
![]() |
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 71.17 грн |
| 10+ | 42.63 грн |
| 100+ | 27.83 грн |
| 500+ | 20.13 грн |
| 1000+ | 18.19 грн |
| FDD8874 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FDD8874 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 54.74 грн |
| 10+ | 32.76 грн |
| 100+ | 21.21 грн |
| 500+ | 15.21 грн |
| 1000+ | 13.70 грн |
| FDD8880 |
![]() |
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.26 грн |
| 10+ | 40.52 грн |
| 100+ | 26.43 грн |
| 500+ | 19.11 грн |
| 1000+ | 17.28 грн |
| FDD8896 |
![]() |
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 93.07 грн |
| 10+ | 56.71 грн |
| 100+ | 37.60 грн |
| 500+ | 27.60 грн |
| 1000+ | 25.12 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 19.15 грн |
| FDN302P |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FDN302P |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.37 грн |
| 19+ | 16.12 грн |
| 100+ | 10.10 грн |
| 500+ | 7.04 грн |
| 1000+ | 6.25 грн |
| FDN304P |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.06 грн |
| 16+ | 18.90 грн |
| 100+ | 11.92 грн |
| 500+ | 8.35 грн |
| 1000+ | 7.44 грн |
| FDN304P |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.94 грн |
| FDN304P |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 2.65 грн |
| FDN336P |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.81 грн |
| FDN336P |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.37 грн |
| 19+ | 16.12 грн |
| 100+ | 10.10 грн |
| FDN338P |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
Description: 20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.55 грн |
| 19+ | 16.27 грн |
| 20+ | 15.29 грн |
| FDN338P |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
Description: 20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.57 грн |
| FDN359AN |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.37 грн |
| 19+ | 16.12 грн |
| 100+ | 10.10 грн |
| 500+ | 7.04 грн |
| 1000+ | 6.25 грн |
| FDN359AN |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.81 грн |
| FDN360P |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.03 грн |
| 6000+ | 7.03 грн |
| FDN360P |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.98 грн |
| 14+ | 21.54 грн |
| 100+ | 13.65 грн |
| 500+ | 9.61 грн |
| 1000+ | 8.58 грн |
| FDN361BN |
![]() |
на замовлення 8310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.71 грн |
| 6000+ | 4.97 грн |
| FDN361BN |
![]() |
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.59 грн |
| 20+ | 15.82 грн |
| FDP036N10A |
![]() |
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.22 грн |
| 10+ | 73.88 грн |
| 100+ | 49.43 грн |
| 500+ | 36.55 грн |
| 1000+ | 33.39 грн |
| 2000+ | 30.73 грн |
| FDP045N10A |
![]() |
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 186.13 грн |
| 10+ | 115.00 грн |
| 100+ | 78.70 грн |
| 500+ | 59.28 грн |
| FDP8440 |
![]() |
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 119.66 грн |
| 10+ | 73.43 грн |
| 100+ | 49.28 грн |
| 500+ | 36.54 грн |
| FDP8860 |
![]() |
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 168.93 грн |
| 10+ | 104.91 грн |
| 100+ | 71.81 грн |
| 500+ | 54.12 грн |
| FDP8D5N10C |
![]() |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 157.98 грн |
| 10+ | 97.60 грн |
| 100+ | 66.55 грн |
| 500+ | 49.98 грн |
| 1000+ | 45.97 грн |
| FDS4435BZ |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.17 грн |
| FDS4435BZ |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
на замовлення 2791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 56.31 грн |
| 10+ | 33.44 грн |
| 100+ | 21.56 грн |
| 500+ | 15.42 грн |
| 1000+ | 13.87 грн |
| FDS6612A |
![]() |
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.67 грн |
| 13+ | 24.17 грн |
| 100+ | 15.49 грн |
| 500+ | 10.98 грн |
| 1000+ | 9.84 грн |
| FDS6675 |
![]() |
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.64 грн |
| 10+ | 46.01 грн |
| 100+ | 30.06 грн |
| 500+ | 21.78 грн |
| 1000+ | 19.71 грн |
| FDS8884 |
![]() |
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.67 грн |
| 13+ | 24.33 грн |
| 100+ | 15.55 грн |
| 500+ | 11.03 грн |
| 1000+ | 9.88 грн |
| FDS8949 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.17 грн |
| FDS8949 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 56.31 грн |
| 10+ | 33.44 грн |
| 100+ | 21.56 грн |
| 500+ | 15.42 грн |
| 1000+ | 13.87 грн |
| FDS8958A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDS8958A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FDS8978 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FDS8978 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.83 грн |
| 10+ | 30.73 грн |
| 100+ | 19.72 грн |
| 500+ | 14.07 грн |
| 1000+ | 12.64 грн |
| FDS9435A |
![]() |
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.67 грн |
| 13+ | 24.10 грн |
| 100+ | 15.33 грн |
| 500+ | 10.83 грн |
| 1000+ | 9.68 грн |
| FDS9435A |
![]() |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.10 грн |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 2.16 грн |
| FDV303N |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 2.80 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV304P Onsemi; FDV304P UMW TFDV304p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV304P Onsemi; FDV304P UMW TFDV304p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 2.52 грн |
| FQD20N06 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FQD20N06 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 78.21 грн |
| 10+ | 47.45 грн |
| 100+ | 31.17 грн |
| 500+ | 22.69 грн |
| 1000+ | 20.58 грн |
| FQP27P06 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220
Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 120.44 грн |
| 10+ | 73.50 грн |
| 100+ | 49.14 грн |
| 500+ | 36.30 грн |
| 1000+ | 33.15 грн |
| GBLC03CI-LF-T7 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: TVS DIODE 3VWM 7VC SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: Ethernet, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7V
Power - Peak Pulse: 250W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 3VWM 7VC SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: Ethernet, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7V
Power - Peak Pulse: 250W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.56 грн |
| 6000+ | 8.40 грн |
| GBLC03CI-LF-T7 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: TVS DIODE 3VWM 7VC SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: Ethernet, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7V
Power - Peak Pulse: 250W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 3VWM 7VC SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: Ethernet, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7V
Power - Peak Pulse: 250W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 42.23 грн |
| 13+ | 25.08 грн |
| 100+ | 16.02 грн |
| 500+ | 11.35 грн |
| GBLC03CI-LF-T7 |
![]() |
Виробник: UMW
GBLC03CI-LF-T7 TVS DIODE 3VWM 7VC SOD323 Супресори
GBLC03CI-LF-T7 TVS DIODE 3VWM 7VC SOD323 Супресори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.









