| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD6680AS | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 55A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD6685 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD6685 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD7030BL | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD7030BL | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8586 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 20V 35A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8586 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 20V 35A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD86113LZ | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD86113LZ | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8796 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 25V 35A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8796 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 25V 35A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8870 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8870 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8874 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8874 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V |
на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8880 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8880 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8896 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8896 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD8896 | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDN304P | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMWкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN361BN | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN361BN | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 8310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP036N10A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 2174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP045N10A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP8440 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP8860 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP8D5N10C | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS3672 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS3672 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS6612A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS6612A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS6675 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS6675 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS6681Z | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS6681Z | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS8884 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS8884 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS8958A | UMW |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS8958A | UMW |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS8978 | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS8978 | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDS9435A | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS9435A | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDV301N | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMWкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDV303N | UMW |
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDV303N | UMW |
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDV303N | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMWкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDV304P | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV304P Onsemi; FDV304P UMW TFDV304p UMWкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD13N06LTM | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FQD13N06LTM | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD13N10LTM | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FQD13N10LTM | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD19N10LTM | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FQD19N10LTM | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD20N06 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FQD20N06 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAKDrain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD7N10LTM | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FQD7N10LTM | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FQP27P06 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 1951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDD6685 |
![]() |
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.83 грн |
| 11+ | 28.84 грн |
| 100+ | 18.51 грн |
| 500+ | 13.21 грн |
| FDD7030BL |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 15.96 грн |
| FDD8586 |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 16.93 грн |
| FDD86113LZ |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 25.43 грн |
| FDD8796 |
![]() |
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.16 грн |
| 10+ | 36.62 грн |
| 100+ | 23.75 грн |
| 500+ | 17.11 грн |
| 1000+ | 15.44 грн |
| FDD8870 |
![]() |
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.35 грн |
| 10+ | 42.74 грн |
| 100+ | 27.90 грн |
| 500+ | 20.18 грн |
| 1000+ | 18.24 грн |
| FDD8874 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDD8874 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.89 грн |
| 10+ | 32.85 грн |
| 100+ | 21.27 грн |
| 500+ | 15.25 грн |
| 1000+ | 13.73 грн |
| FDD8880 |
![]() |
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.43 грн |
| 10+ | 40.62 грн |
| 100+ | 26.49 грн |
| 500+ | 19.16 грн |
| 1000+ | 17.33 грн |
| FDD8896 |
![]() |
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.31 грн |
| 10+ | 56.86 грн |
| 100+ | 37.70 грн |
| 500+ | 27.67 грн |
| 1000+ | 25.19 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 19.36 грн |
| FDN304P |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 2.68 грн |
| FDN361BN |
![]() |
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.66 грн |
| 20+ | 15.86 грн |
| FDN361BN |
![]() |
на замовлення 8310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.72 грн |
| 6000+ | 4.98 грн |
| FDP036N10A |
![]() |
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.54 грн |
| 10+ | 74.07 грн |
| 100+ | 49.55 грн |
| 500+ | 36.65 грн |
| 1000+ | 33.48 грн |
| 2000+ | 30.81 грн |
| FDP045N10A |
![]() |
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.80 грн |
| 10+ | 103.74 грн |
| 100+ | 71.01 грн |
| 500+ | 53.49 грн |
| FDP8440 |
![]() |
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.97 грн |
| 10+ | 73.62 грн |
| 100+ | 49.40 грн |
| 500+ | 36.64 грн |
| FDP8860 |
![]() |
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 169.37 грн |
| 10+ | 105.18 грн |
| 100+ | 71.99 грн |
| 500+ | 54.26 грн |
| FDP8D5N10C |
![]() |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 158.39 грн |
| 10+ | 97.86 грн |
| 100+ | 66.72 грн |
| 500+ | 50.11 грн |
| 1000+ | 46.09 грн |
| FDS6612A |
![]() |
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.77 грн |
| 13+ | 24.24 грн |
| 100+ | 15.53 грн |
| 500+ | 11.01 грн |
| 1000+ | 9.86 грн |
| FDS6675 |
![]() |
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.57 грн |
| 10+ | 42.28 грн |
| 100+ | 27.67 грн |
| 500+ | 20.04 грн |
| 1000+ | 18.13 грн |
| FDS6681Z |
![]() |
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.25 грн |
| 10+ | 52.25 грн |
| 100+ | 34.41 грн |
| 500+ | 25.09 грн |
| 1000+ | 22.77 грн |
| FDS8884 |
![]() |
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.77 грн |
| 13+ | 24.39 грн |
| 100+ | 15.59 грн |
| 500+ | 11.06 грн |
| 1000+ | 9.90 грн |
| FDS8958A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDS8958A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.02 грн |
| 10+ | 34.66 грн |
| 100+ | 22.39 грн |
| 500+ | 16.06 грн |
| 1000+ | 14.46 грн |
| FDS8978 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.97 грн |
| 10+ | 30.81 грн |
| 100+ | 19.77 грн |
| 500+ | 14.11 грн |
| 1000+ | 12.67 грн |
| FDS8978 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDS9435A |
![]() |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.85 грн |
| FDS9435A |
![]() |
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.20 грн |
| 13+ | 23.41 грн |
| 100+ | 14.90 грн |
| 500+ | 10.53 грн |
| 1000+ | 9.41 грн |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.19 грн |
| FDV303N |
![]() |
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.17 грн |
| 24+ | 12.68 грн |
| 100+ | 7.94 грн |
| 500+ | 5.50 грн |
| 1000+ | 4.87 грн |
| FDV303N |
![]() |
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.49 грн |
| 6000+ | 3.89 грн |
| FDV303N |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 2.83 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV304P Onsemi; FDV304P UMW TFDV304p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV304P Onsemi; FDV304P UMW TFDV304p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 2.55 грн |
| FQD13N06LTM |
![]() |
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.65 грн |
| 10+ | 39.87 грн |
| 100+ | 26.02 грн |
| 500+ | 18.82 грн |
| 1000+ | 17.01 грн |
| FQD13N10LTM |
![]() |
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.68 грн |
| 10+ | 51.42 грн |
| 100+ | 33.88 грн |
| 500+ | 24.74 грн |
| 1000+ | 22.46 грн |
| FQD19N10LTM |
![]() |
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.89 грн |
| 10+ | 32.54 грн |
| 100+ | 20.96 грн |
| 500+ | 14.99 грн |
| 1000+ | 13.49 грн |
| FQD20N06 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FQD20N06 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.41 грн |
| 10+ | 47.57 грн |
| 100+ | 31.25 грн |
| 500+ | 22.75 грн |
| 1000+ | 20.64 грн |




