Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (6261) > Сторінка 105 з 105

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BTA201-800E,112 BTA201-800E,112 WeEn Semiconductors BTA201-800E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 10mA; TO92; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 10mA
Case: TO92
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA201-800E,116 BTA201-800E,116 WeEn Semiconductors BTA201-800E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 10mA; TO92; reel,tape; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 10mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA201-800E,412 BTA201-800E,412 WeEn Semiconductors BTA201-800E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 10mA; TO92; bulk; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 10mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA201-800ER,112 BTA201-800ER,112 WeEn Semiconductors BTA201-800ER_112.pdf BTA201-800ER.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 10mA; TO92; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 10mA
Case: TO92
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA201-800ER,116 BTA201-800ER,116 WeEn Semiconductors BTA201-800ER.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 10mA; TO92; reel,tape; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 10mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA201-800ER,126 BTA201-800ER,126 WeEn Semiconductors BTA201-800ER.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 10mA; TO92; Ammo Pack; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 10mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA201-800ER,412 BTA201-800ER,412 WeEn Semiconductors BTA201-800ER.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 10mA; TO92; bulk; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 10mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ106A,127 BUJ106A,127 WeEn Semiconductors BUJ106A.pdf PHGLS23280-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 10A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 10A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 14...33
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV30B-600PJ BYV30B-600PJ WeEn Semiconductors BYV30B-600P.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 30A; 75ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.35V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: D2PAK; SOT404
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC75W-600PT2Q WeEn Semiconductors BYC75W-600PT2.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 75A; Ifsm: 700A; TO247-2; tube; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 75A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward impulse current: 700A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 150A
Reverse recovery time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC75W-600PQ BYC75W-600PQ WeEn Semiconductors BYC75W-600P.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 75A; Ifsm: 750A; TO247AC Modified
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 75A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 750A
Case: TO247AC Modified
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Reverse recovery time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65HFW1Q WeEn Semiconductors Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Gate charge: 138nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65DHWQ WeEn Semiconductors WG50N65DHW.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 111W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 111W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 265ns
Gate charge: 160nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
N0118GA,412 N0118GA,412 WeEn Semiconductors N0118GA.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.51A; Igt: 7uA; TO92; THT
Case: TO92
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 9A
Gate current: 7µA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.51A
Max. load current: 0.8A
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N0118GA,116 N0118GA,116 WeEn Semiconductors N0118GA.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.51A; Igt: 7uA; TO92; THT
Case: TO92
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 9A
Gate current: 7µA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.51A
Max. load current: 0.8A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
N0118GAML N0118GAML WeEn Semiconductors N0118GA.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.51A; Igt: 7uA; TO92; THT
Case: TO92
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 9A
Gate current: 7µA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.51A
Max. load current: 0.8A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CQ WNS20H100CQ WeEn Semiconductors WNS20H100C.PDF Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.63 грн
17+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CQ WNS20S100CQ WeEn Semiconductors WNS20S100C.PDF Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.8V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.46 грн
11+38.71 грн
25+33.25 грн
50+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-800E BT137-800E WeEn Semiconductors BT137-800E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; Igt: 10/25mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Gate current: 10/25mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E BT137-600E WeEn Semiconductors BT137-600E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; Igt: 10/25mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Gate current: 10/25mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT136-600E BT136-600E WeEn Semiconductors BT136-600E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; Igt: 10/25mA; TO220AB; tube; Ifsm: 25A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 10/25mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA201-800E,112 BTA201-800E.pdf
BTA201-800E,112
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 10mA; TO92; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 10mA
Case: TO92
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA201-800E,116 BTA201-800E.pdf
BTA201-800E,116
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 10mA; TO92; reel,tape; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 10mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA201-800E,412 BTA201-800E.pdf
BTA201-800E,412
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 10mA; TO92; bulk; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 10mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA201-800ER,112 BTA201-800ER_112.pdf BTA201-800ER.pdf
BTA201-800ER,112
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 10mA; TO92; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 10mA
Case: TO92
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA201-800ER,116 BTA201-800ER.pdf
BTA201-800ER,116
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 10mA; TO92; reel,tape; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 10mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA201-800ER,126 BTA201-800ER.pdf
BTA201-800ER,126
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 10mA; TO92; Ammo Pack; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 10mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA201-800ER,412 BTA201-800ER.pdf
BTA201-800ER,412
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 10mA; TO92; bulk; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 10mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ106A,127 BUJ106A.pdf PHGLS23280-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BUJ106A,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 10A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 10A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 14...33
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV30B-600PJ BYV30B-600P.pdf
BYV30B-600PJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 30A; 75ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.35V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: D2PAK; SOT404
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC75W-600PT2Q BYC75W-600PT2.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 75A; Ifsm: 700A; TO247-2; tube; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 75A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward impulse current: 700A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 150A
Reverse recovery time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC75W-600PQ BYC75W-600P.pdf
BYC75W-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 75A; Ifsm: 750A; TO247AC Modified
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 75A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 750A
Case: TO247AC Modified
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Reverse recovery time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65HFW1Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Gate charge: 138nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65DHWQ WG50N65DHW.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 111W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 111W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 265ns
Gate charge: 160nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
N0118GA,412 N0118GA.pdf
N0118GA,412
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.51A; Igt: 7uA; TO92; THT
Case: TO92
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 9A
Gate current: 7µA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.51A
Max. load current: 0.8A
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N0118GA,116 N0118GA.pdf
N0118GA,116
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.51A; Igt: 7uA; TO92; THT
Case: TO92
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 9A
Gate current: 7µA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.51A
Max. load current: 0.8A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
N0118GAML N0118GA.pdf
N0118GAML
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.51A; Igt: 7uA; TO92; THT
Case: TO92
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 9A
Gate current: 7µA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.51A
Max. load current: 0.8A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CQ WNS20H100C.PDF
WNS20H100CQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.63 грн
17+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CQ WNS20S100C.PDF
WNS20S100CQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.8V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+61.46 грн
11+38.71 грн
25+33.25 грн
50+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-800E BT137-800E.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137-800E
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; Igt: 10/25mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Gate current: 10/25mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E BT137-600E.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137-600E
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; Igt: 10/25mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Gate current: 10/25mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT136-600E BT136-600E.pdf _ween_psg2020.pdf
BT136-600E
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; Igt: 10/25mA; TO220AB; tube; Ifsm: 25A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 10/25mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.