Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (3305) > Сторінка 3 з 56

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 56  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1N4448WQ 1N4448WQ Yangjie Technology 1N4448WQ.pdf Description: Diodes - Rectifiers - Single SOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.63 грн
15000+1.49 грн
30000+1.40 грн
60000+1.24 грн
120000+1.09 грн
300000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1N4448WS 1N4448WS YANGJIE TECHNOLOGY 1N4448WS.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.5A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
125+3.56 грн
250+1.65 грн
451+0.92 грн
596+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
1N4448WS 1N4448WS YANGJIE TECHNOLOGY 1N4448WS.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.5A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
75+4.27 грн
150+2.06 грн
271+1.10 грн
500+0.83 грн
1000+0.75 грн
3000+0.69 грн
9000+0.66 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
1N4448WSQ 1N4448WSQ Yangjie Technology 1N4448WSQ.pdf Description: Diodes - Rectifiers - Single SOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.54 грн
15000+1.40 грн
30000+1.32 грн
60000+1.16 грн
120000+1.01 грн
300000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1N5400 1N5400 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
109+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
1N5400 1N5400 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
100+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1N5400G 1N5400G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5401 1N5401 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5401G 1N5401G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5402 1N5402 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5402G 1N5402G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.93 грн
10+45.67 грн
25+16.68 грн
31+13.71 грн
100+10.65 грн
250+8.51 грн
500+7.60 грн
1250+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1N5402G 1N5402G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+77.91 грн
6+56.91 грн
15+20.02 грн
25+16.45 грн
100+12.78 грн
250+10.21 грн
500+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404 YANGJIE TECHNOLOGY 1n5400.pdf 1N5404-YAN THT universal diodes
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+63.18 грн
198+5.95 грн
542+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404G YANGJIE TECHNOLOGY 1n5400-d.pdf 1N5404G-YAN THT universal diodes
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+75.56 грн
211+5.55 грн
578+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407 1N5407 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.25 грн
13+31.96 грн
35+11.81 грн
43+9.66 грн
100+7.52 грн
250+6.03 грн
500+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407 1N5407 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 941 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+55.50 грн
8+39.83 грн
21+14.17 грн
26+11.60 грн
100+9.02 грн
250+7.23 грн
500+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5407G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408 1N5408 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.25 грн
13+32.21 грн
35+11.81 грн
43+9.66 грн
100+7.52 грн
250+6.03 грн
500+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408 1N5408 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+55.50 грн
8+40.14 грн
21+14.17 грн
26+11.60 грн
100+9.02 грн
250+7.23 грн
500+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408G 1N5408G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 3329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+53.36 грн
11+37.74 грн
30+13.79 грн
37+11.31 грн
100+8.75 грн
250+7.02 грн
500+6.28 грн
1250+5.29 грн
2500+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408G 1N5408G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3329 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+64.04 грн
7+47.03 грн
18+16.55 грн
25+13.58 грн
100+10.51 грн
250+8.42 грн
500+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819 1N5819 YANGJIE TECHNOLOGY 1N581x_ser.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V; tape
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: tape
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.78 грн
91+4.54 грн
164+2.52 грн
500+1.89 грн
1000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819 1N5819 YANGJIE TECHNOLOGY 1N581x_ser.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V; tape
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
28+11.74 грн
55+5.66 грн
100+3.02 грн
500+2.27 грн
1000+2.04 грн
5000+1.64 грн
15000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822 1N5822 YANGJIE TECHNOLOGY 1N582x_SER.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO27; Ufmax: 0.525V; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tape
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+24.01 грн
36+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822 1N5822 YANGJIE TECHNOLOGY 1N582x_SER.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO27; Ufmax: 0.525V; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+28.82 грн
22+14.31 грн
100+9.60 грн
500+6.85 грн
1250+5.17 грн
2500+4.80 грн
5000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822 Yangjie Technology en.CD00001626.pdf 1N5820 SERIES_I2105.pdf 1N5822.pdf 1n5820-d.pdf 1n5820.pdf 1N5820-1N5822%2C1N6864.pdf 1N5820-D.PDF Діод Шотткі вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 40; If, А = 3; Тексп, °C = -55...+125; DO-27
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS355Q 1SS355Q Yangjie Technology 1SS355Q.pdf Description: SOD-323 80V 0.15A Diodes Recti
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.37 грн
15000+1.24 грн
30000+1.16 грн
60000+1.01 грн
120000+0.93 грн
300000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 2N7002 YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
200+2.38 грн
450+0.93 грн
500+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 2N7002 YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
125+2.86 грн
275+1.16 грн
500+0.99 грн
3000+0.89 грн
12000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A 2N7002A YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
225+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KC 2N7002KC Yangjie Technology 2N7002KC.pdf Description: SOT-23 N 60V 0.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.37 грн
15000+1.24 грн
30000+1.16 грн
60000+1.01 грн
120000+0.93 грн
300000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCDW 2N7002KCDW Yangjie Technology 2N7002KCDW.pdf Description: SOT-363 N 60V 0.3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.32 грн
15000+2.06 грн
30000+1.98 грн
60000+1.71 грн
120000+1.55 грн
300000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCDWQ 2N7002KCDWQ Yangjie Technology 2N7002KCDWQ.pdf Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.60 грн
15000+3.30 грн
30000+3.14 грн
60000+2.71 грн
120000+2.48 грн
300000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCE 2N7002KCE Yangjie Technology 2N7002KCE.pdf Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.72 грн
15000+1.57 грн
30000+1.40 грн
60000+1.24 грн
120000+1.16 грн
300000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCQ 2N7002KCQ Yangjie Technology 2N7002KCQ.pdf Description: SOT-23 N 60V 0.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.83 грн
15000+2.56 грн
30000+2.40 грн
60000+2.09 грн
120000+1.94 грн
300000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCW 2N7002KCW Yangjie Technology 2N7002KCW.pdf Description: SOT-323 N 60V 0.3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.63 грн
15000+1.49 грн
30000+1.40 грн
60000+1.24 грн
120000+1.09 грн
300000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCWQ 2N7002KCWQ Yangjie Technology 2N7002KCWQ.pdf Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.17 грн
15000+2.89 грн
30000+2.73 грн
60000+2.40 грн
120000+2.09 грн
300000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCX 2N7002KCX Yangjie Technology 2N7002KCX.pdf Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.66 грн
15000+2.40 грн
30000+2.23 грн
60000+2.02 грн
120000+1.78 грн
300000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002W 2N7002W YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002W.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
200+2.31 грн
475+0.92 грн
500+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002W 2N7002W YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002W.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
125+2.77 грн
275+1.14 грн
500+0.99 грн
3000+0.88 грн
15000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-Q 2SA1037-Q YANGJIE TECHNOLOGY 2SA1037.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
Application: automotive industry
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
175+2.56 грн
350+1.18 грн
500+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-R 2SA1037-R YANGJIE TECHNOLOGY 2SA1037.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-S 2SA1037-S YANGJIE TECHNOLOGY 2SA1037.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 270...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-Q 2SA1037-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.25 грн
15000+1.13 грн
30000+1.06 грн
60000+0.92 грн
120000+0.85 грн
300000+0.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-Q 2SA1037-Q YANGJIE TECHNOLOGY 2SA1037.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
125+3.07 грн
225+1.47 грн
500+1.28 грн
3000+1.13 грн
15000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-S 2SA1037-S Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.18 грн
15000+1.06 грн
30000+0.98 грн
60000+0.85 грн
120000+0.78 грн
300000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1576A-Q 2SA1576A-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.63 грн
15000+1.49 грн
30000+1.40 грн
60000+1.16 грн
120000+1.09 грн
300000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1576A-R 2SA1576A-R Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.46 грн
15000+1.32 грн
30000+1.24 грн
60000+1.09 грн
120000+1.01 грн
300000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1576A-S 2SA1576A-S Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.46 грн
15000+1.32 грн
30000+1.24 грн
60000+1.09 грн
120000+1.01 грн
300000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA812-M5 2SA812-M5 Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.11 грн
15000+0.99 грн
30000+0.91 грн
60000+0.78 грн
120000+0.70 грн
300000+0.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA812-M6 2SA812-M6 Yangjie Technology Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A -60V Trans
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.11 грн
15000+0.99 грн
30000+0.91 грн
60000+0.78 грн
120000+0.70 грн
300000+0.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA812-M6 YANGJIE TECHNOLOGY 2SA812-M6-YAN PNP SMD transistors
на замовлення 5325 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
112+2.88 грн
1250+0.95 грн
3400+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1188-Q 2SB1188-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.43 грн
5000+3.14 грн
10000+2.97 грн
20000+2.56 грн
40000+2.33 грн
100000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1188-R 2SB1188-R Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.09 грн
5000+2.81 грн
10000+2.64 грн
20000+2.33 грн
40000+2.09 грн
100000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1197-Q 2SB1197-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.81 грн
15000+2.55 грн
30000+2.40 грн
60000+2.10 грн
120000+1.88 грн
300000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198-R 2SB1198-R Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.86 грн
15000+3.55 грн
30000+3.30 грн
60000+2.95 грн
120000+2.64 грн
300000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198-R YANGJIE TECHNOLOGY 2SB1198-R-YAN PNP SMD transistors
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
36+9.00 грн
735+1.61 грн
2015+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198-RQ 2SB1198-RQ Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.63 грн
15000+4.21 грн
30000+3.96 грн
60000+3.49 грн
120000+3.18 грн
300000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC1623-L6 Yangjie Technology Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.1A 60V Transis
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.11 грн
15000+0.99 грн
30000+0.91 грн
60000+0.78 грн
120000+0.70 грн
300000+0.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2383P-O 2SC2383P-O Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.03 грн
5000+6.36 грн
10000+5.95 грн
20000+5.27 грн
40000+4.73 грн
100000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
1N4448WQ 1N4448WQ.pdf
1N4448WQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Diodes - Rectifiers - Single SOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.63 грн
15000+1.49 грн
30000+1.40 грн
60000+1.24 грн
120000+1.09 грн
300000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1N4448WS 1N4448WS.pdf
1N4448WS
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.5A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
125+3.56 грн
250+1.65 грн
451+0.92 грн
596+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
1N4448WS 1N4448WS.pdf
1N4448WS
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.5A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
75+4.27 грн
150+2.06 грн
271+1.10 грн
500+0.83 грн
1000+0.75 грн
3000+0.69 грн
9000+0.66 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
1N4448WSQ 1N4448WSQ.pdf
1N4448WSQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Diodes - Rectifiers - Single SOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.54 грн
15000+1.40 грн
30000+1.32 грн
60000+1.16 грн
120000+1.01 грн
300000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1N5400 1N5400_SER.pdf
1N5400
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
109+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
1N5400 1N5400_SER.pdf
1N5400
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
100+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1N5400G 1N5400G_SER.pdf
1N5400G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5401 1N5400_SER.pdf
1N5401
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5401G 1N5400G_SER.pdf
1N5401G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5402 1N5400_SER.pdf
1N5402
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5402G 1N5400G_SER.pdf
1N5402G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.93 грн
10+45.67 грн
25+16.68 грн
31+13.71 грн
100+10.65 грн
250+8.51 грн
500+7.60 грн
1250+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1N5402G 1N5400G_SER.pdf
1N5402G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.91 грн
6+56.91 грн
15+20.02 грн
25+16.45 грн
100+12.78 грн
250+10.21 грн
500+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404 1n5400.pdf
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
1N5404-YAN THT universal diodes
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.18 грн
198+5.95 грн
542+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404G 1n5400-d.pdf
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
1N5404G-YAN THT universal diodes
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.56 грн
211+5.55 грн
578+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407 1N5400_SER.pdf
1N5407
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.25 грн
13+31.96 грн
35+11.81 грн
43+9.66 грн
100+7.52 грн
250+6.03 грн
500+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407 1N5400_SER.pdf
1N5407
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 941 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.50 грн
8+39.83 грн
21+14.17 грн
26+11.60 грн
100+9.02 грн
250+7.23 грн
500+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5400G_SER.pdf
1N5407G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408 1N5400_SER.pdf
1N5408
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.25 грн
13+32.21 грн
35+11.81 грн
43+9.66 грн
100+7.52 грн
250+6.03 грн
500+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408 1N5400_SER.pdf
1N5408
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.50 грн
8+40.14 грн
21+14.17 грн
26+11.60 грн
100+9.02 грн
250+7.23 грн
500+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408G 1N5400G_SER.pdf
1N5408G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 3329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.36 грн
11+37.74 грн
30+13.79 грн
37+11.31 грн
100+8.75 грн
250+7.02 грн
500+6.28 грн
1250+5.29 грн
2500+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408G 1N5400G_SER.pdf
1N5408G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3329 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.04 грн
7+47.03 грн
18+16.55 грн
25+13.58 грн
100+10.51 грн
250+8.42 грн
500+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819 1N581x_ser.pdf
1N5819
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V; tape
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: tape
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.78 грн
91+4.54 грн
164+2.52 грн
500+1.89 грн
1000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819 1N581x_ser.pdf
1N5819
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V; tape
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.74 грн
55+5.66 грн
100+3.02 грн
500+2.27 грн
1000+2.04 грн
5000+1.64 грн
15000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822 1N582x_SER.pdf
1N5822
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO27; Ufmax: 0.525V; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tape
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+24.01 грн
36+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822 1N582x_SER.pdf
1N5822
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO27; Ufmax: 0.525V; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.82 грн
22+14.31 грн
100+9.60 грн
500+6.85 грн
1250+5.17 грн
2500+4.80 грн
5000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822 en.CD00001626.pdf 1N5820 SERIES_I2105.pdf 1N5822.pdf 1n5820-d.pdf 1n5820.pdf 1N5820-1N5822%2C1N6864.pdf 1N5820-D.PDF
Виробник: Yangjie Technology
Діод Шотткі вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 40; If, А = 3; Тексп, °C = -55...+125; DO-27
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS355Q 1SS355Q.pdf
1SS355Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOD-323 80V 0.15A Diodes Recti
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.37 грн
15000+1.24 грн
30000+1.16 грн
60000+1.01 грн
120000+0.93 грн
300000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 2N7002.pdf
2N7002
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
200+2.38 грн
450+0.93 грн
500+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 2N7002.pdf
2N7002
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
125+2.86 грн
275+1.16 грн
500+0.99 грн
3000+0.89 грн
12000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A 2N7002A.pdf
2N7002A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
225+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KC 2N7002KC.pdf
2N7002KC
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 0.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.37 грн
15000+1.24 грн
30000+1.16 грн
60000+1.01 грн
120000+0.93 грн
300000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCDW 2N7002KCDW.pdf
2N7002KCDW
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-363 N 60V 0.3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.32 грн
15000+2.06 грн
30000+1.98 грн
60000+1.71 грн
120000+1.55 грн
300000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCDWQ 2N7002KCDWQ.pdf
2N7002KCDWQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.60 грн
15000+3.30 грн
30000+3.14 грн
60000+2.71 грн
120000+2.48 грн
300000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCE 2N7002KCE.pdf
2N7002KCE
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.72 грн
15000+1.57 грн
30000+1.40 грн
60000+1.24 грн
120000+1.16 грн
300000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCQ 2N7002KCQ.pdf
2N7002KCQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 0.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.83 грн
15000+2.56 грн
30000+2.40 грн
60000+2.09 грн
120000+1.94 грн
300000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCW 2N7002KCW.pdf
2N7002KCW
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-323 N 60V 0.3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.63 грн
15000+1.49 грн
30000+1.40 грн
60000+1.24 грн
120000+1.09 грн
300000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCWQ 2N7002KCWQ.pdf
2N7002KCWQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.17 грн
15000+2.89 грн
30000+2.73 грн
60000+2.40 грн
120000+2.09 грн
300000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCX 2N7002KCX.pdf
2N7002KCX
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.66 грн
15000+2.40 грн
30000+2.23 грн
60000+2.02 грн
120000+1.78 грн
300000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002W 2N7002W.pdf
2N7002W
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
200+2.31 грн
475+0.92 грн
500+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002W 2N7002W.pdf
2N7002W
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
125+2.77 грн
275+1.14 грн
500+0.99 грн
3000+0.88 грн
15000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-Q 2SA1037.pdf
2SA1037-Q
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
Application: automotive industry
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
175+2.56 грн
350+1.18 грн
500+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-R 2SA1037.pdf
2SA1037-R
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-S 2SA1037.pdf
2SA1037-S
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 270...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-Q
2SA1037-Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.25 грн
15000+1.13 грн
30000+1.06 грн
60000+0.92 грн
120000+0.85 грн
300000+0.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-Q 2SA1037.pdf
2SA1037-Q
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
125+3.07 грн
225+1.47 грн
500+1.28 грн
3000+1.13 грн
15000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-S
2SA1037-S
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.18 грн
15000+1.06 грн
30000+0.98 грн
60000+0.85 грн
120000+0.78 грн
300000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1576A-Q
2SA1576A-Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.63 грн
15000+1.49 грн
30000+1.40 грн
60000+1.16 грн
120000+1.09 грн
300000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1576A-R
2SA1576A-R
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.46 грн
15000+1.32 грн
30000+1.24 грн
60000+1.09 грн
120000+1.01 грн
300000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1576A-S
2SA1576A-S
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.46 грн
15000+1.32 грн
30000+1.24 грн
60000+1.09 грн
120000+1.01 грн
300000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA812-M5
2SA812-M5
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.11 грн
15000+0.99 грн
30000+0.91 грн
60000+0.78 грн
120000+0.70 грн
300000+0.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA812-M6
2SA812-M6
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A -60V Trans
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.11 грн
15000+0.99 грн
30000+0.91 грн
60000+0.78 грн
120000+0.70 грн
300000+0.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA812-M6
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
2SA812-M6-YAN PNP SMD transistors
на замовлення 5325 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
112+2.88 грн
1250+0.95 грн
3400+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1188-Q
2SB1188-Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+3.43 грн
5000+3.14 грн
10000+2.97 грн
20000+2.56 грн
40000+2.33 грн
100000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1188-R
2SB1188-R
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+3.09 грн
5000+2.81 грн
10000+2.64 грн
20000+2.33 грн
40000+2.09 грн
100000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1197-Q
2SB1197-Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.81 грн
15000+2.55 грн
30000+2.40 грн
60000+2.10 грн
120000+1.88 грн
300000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198-R
2SB1198-R
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.86 грн
15000+3.55 грн
30000+3.30 грн
60000+2.95 грн
120000+2.64 грн
300000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198-R
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
2SB1198-R-YAN PNP SMD transistors
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.00 грн
735+1.61 грн
2015+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198-RQ
2SB1198-RQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.63 грн
15000+4.21 грн
30000+3.96 грн
60000+3.49 грн
120000+3.18 грн
300000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC1623-L6
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.1A 60V Transis
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.11 грн
15000+0.99 грн
30000+0.91 грн
60000+0.78 грн
120000+0.70 грн
300000+0.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2383P-O
2SC2383P-O
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+7.03 грн
5000+6.36 грн
10000+5.95 грн
20000+5.27 грн
40000+4.73 грн
100000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 56  [ Наступна Сторінка >> ]