Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (3324) > Сторінка 3 з 56

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 56  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1N4448WSQ 1N4448WSQ Yangjie Technology 1N4448WSQ.pdf Description: Diodes - Rectifiers - Single SOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.55 грн
15000+1.41 грн
30000+1.33 грн
60000+1.17 грн
120000+1.01 грн
300000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1N5400 1N5400 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
167+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
1N5400 1N5400 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 411 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
100+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1N5400G 1N5400G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5402G YANGJIE TECHNOLOGY 1n5400-d.pdf 1N5402G-YAN THT universal diodes
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+92.24 грн
182+6.49 грн
500+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404 1N5404 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tape
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+54.65 грн
12+37.68 грн
31+13.81 грн
37+11.31 грн
100+8.82 грн
250+7.07 грн
500+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404 1N5404 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+65.58 грн
7+46.96 грн
19+16.57 грн
25+13.58 грн
100+10.58 грн
250+8.48 грн
500+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404G 1N5404G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Case: DO27
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407 1N5407 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.58 грн
13+32.44 грн
35+11.98 грн
43+9.82 грн
100+7.57 грн
250+6.07 грн
500+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407 1N5407 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 941 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+55.90 грн
8+40.43 грн
21+14.37 грн
26+11.78 грн
100+9.08 грн
250+7.29 грн
500+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5407G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408 1N5408 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+45.69 грн
14+31.86 грн
36+11.65 грн
44+9.57 грн
100+7.49 грн
250+5.99 грн
500+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408 1N5408 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+54.82 грн
8+39.70 грн
22+13.98 грн
27+11.48 грн
100+8.98 грн
250+7.19 грн
500+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408G 1N5408G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+52.85 грн
12+37.18 грн
31+13.64 грн
38+11.15 грн
100+8.65 грн
250+6.99 грн
500+6.24 грн
1250+5.16 грн
2500+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408G 1N5408G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+63.42 грн
7+46.34 грн
19+16.37 грн
25+13.38 грн
100+10.38 грн
250+8.38 грн
500+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819 1N5819 YANGJIE TECHNOLOGY 1N581x_ser.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V; tape
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: tape
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.85 грн
93+4.49 грн
167+2.50 грн
500+1.87 грн
1000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819 1N5819 YANGJIE TECHNOLOGY 1N581x_ser.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V; tape
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
28+11.82 грн
56+5.60 грн
100+2.99 грн
500+2.25 грн
1000+2.02 грн
5000+1.62 грн
15000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822 1N5822 YANGJIE TECHNOLOGY 1N582x_SER.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO27; Ufmax: 0.525V; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tape
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+24.19 грн
37+11.31 грн
100+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822 1N5822 YANGJIE TECHNOLOGY 1N582x_SER.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO27; Ufmax: 0.525V; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+29.02 грн
23+14.10 грн
100+9.53 грн
500+6.80 грн
1250+5.13 грн
2500+4.76 грн
5000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822 Yangjie Technology en.CD00001626.pdf 1N5820 SERIES_I2105.pdf 1N5822.pdf 1n5820-d.pdf 1n5820.pdf 1N5820-1N5822%2C1N6864.pdf 1N5820-D.PDF Діод Шотткі вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 40; If, А = 3; Тексп, °C = -55...+125; DO-27
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS355Q 1SS355Q Yangjie Technology 1SS355Q.pdf Description: SOD-323 80V 0.15A Diodes Recti
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.38 грн
15000+1.25 грн
30000+1.16 грн
60000+1.01 грн
120000+0.94 грн
300000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 2N7002 YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
200+2.40 грн
450+0.94 грн
500+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 2N7002 YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
125+2.88 грн
275+1.17 грн
500+1.00 грн
3000+0.90 грн
12000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A 2N7002A YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
225+2.15 грн
475+0.91 грн
525+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A 2N7002A YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 575 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
125+2.58 грн
300+1.13 грн
500+0.98 грн
3000+0.87 грн
15000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KC 2N7002KC Yangjie Technology 2N7002KC.pdf Description: SOT-23 N 60V 0.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.38 грн
15000+1.25 грн
30000+1.16 грн
60000+1.01 грн
120000+0.94 грн
300000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCDW 2N7002KCDW Yangjie Technology 2N7002KCDW.pdf Description: SOT-363 N 60V 0.3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.33 грн
15000+2.08 грн
30000+2.00 грн
60000+1.72 грн
120000+1.56 грн
300000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCDWQ 2N7002KCDWQ Yangjie Technology 2N7002KCDWQ.pdf Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.63 грн
15000+3.33 грн
30000+3.16 грн
60000+2.73 грн
120000+2.50 грн
300000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCE 2N7002KCE Yangjie Technology 2N7002KCE.pdf Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.73 грн
15000+1.58 грн
30000+1.41 грн
60000+1.25 грн
120000+1.17 грн
300000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCQ 2N7002KCQ Yangjie Technology 2N7002KCQ.pdf Description: SOT-23 N 60V 0.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.85 грн
15000+2.58 грн
30000+2.41 грн
60000+2.11 грн
120000+1.95 грн
300000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCW 2N7002KCW Yangjie Technology 2N7002KCW.pdf Description: SOT-323 N 60V 0.3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.64 грн
15000+1.50 грн
30000+1.41 грн
60000+1.25 грн
120000+1.09 грн
300000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCWQ 2N7002KCWQ Yangjie Technology 2N7002KCWQ.pdf Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.20 грн
15000+2.91 грн
30000+2.75 грн
60000+2.42 грн
120000+2.11 грн
300000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCX 2N7002KCX Yangjie Technology 2N7002KCX.pdf Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.68 грн
15000+2.41 грн
30000+2.25 грн
60000+2.03 грн
120000+1.80 грн
300000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002W 2N7002W YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002W.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
200+2.33 грн
475+0.92 грн
500+0.83 грн
3000+0.73 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002W 2N7002W YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002W.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
125+2.80 грн
275+1.15 грн
500+1.00 грн
3000+0.88 грн
15000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-Q 2SA1037-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.26 грн
15000+1.14 грн
30000+1.06 грн
60000+0.93 грн
120000+0.86 грн
300000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-Q YANGJIE TECHNOLOGY 2SA1037-Q-YAN PNP SMD transistors
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
93+3.50 грн
1100+1.09 грн
3000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-S 2SA1037-S Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.18 грн
15000+1.06 грн
30000+0.99 грн
60000+0.86 грн
120000+0.79 грн
300000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1576A-Q 2SA1576A-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.64 грн
15000+1.50 грн
30000+1.41 грн
60000+1.17 грн
120000+1.09 грн
300000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1576A-R 2SA1576A-R Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.47 грн
15000+1.33 грн
30000+1.25 грн
60000+1.09 грн
120000+1.01 грн
300000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1576A-S 2SA1576A-S Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.47 грн
15000+1.33 грн
30000+1.25 грн
60000+1.09 грн
120000+1.01 грн
300000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA812-M5 2SA812-M5 Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.12 грн
15000+1.00 грн
30000+0.92 грн
60000+0.78 грн
120000+0.70 грн
300000+0.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA812-M6 2SA812-M6 Yangjie Technology Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A -60V Trans
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.12 грн
15000+1.00 грн
30000+0.92 грн
60000+0.78 грн
120000+0.70 грн
300000+0.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA812-M6 YANGJIE TECHNOLOGY 2SA812-M6-YAN PNP SMD transistors
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
112+2.89 грн
1250+0.97 грн
3400+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1188-Q 2SB1188-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.46 грн
5000+3.16 грн
10000+2.99 грн
20000+2.58 грн
40000+2.34 грн
100000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1188-R 2SB1188-R Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.11 грн
5000+2.83 грн
10000+2.66 грн
20000+2.34 грн
40000+2.11 грн
100000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1197-Q 2SB1197-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.83 грн
15000+2.57 грн
30000+2.41 грн
60000+2.12 грн
120000+1.90 грн
300000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198-R 2SB1198-R Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.89 грн
15000+3.58 грн
30000+3.33 грн
60000+2.97 грн
120000+2.65 грн
300000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198-R YANGJIE TECHNOLOGY 2SB1198-R-YAN PNP SMD transistors
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
36+9.04 грн
735+1.63 грн
2015+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198-RQ 2SB1198-RQ Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.66 грн
15000+4.24 грн
30000+3.99 грн
60000+3.51 грн
120000+3.20 грн
300000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC1623-L6 Yangjie Technology Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.1A 60V Transis
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.12 грн
15000+1.00 грн
30000+0.92 грн
60000+0.78 грн
120000+0.70 грн
300000+0.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2383P-O 2SC2383P-O Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.08 грн
5000+6.41 грн
10000+5.99 грн
20000+5.31 грн
40000+4.76 грн
100000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2383P-Y 2SC2383P-Y Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.08 грн
5000+6.41 грн
10000+5.99 грн
20000+5.31 грн
40000+4.76 грн
100000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-R 2SC2412-R YANGJIE TECHNOLOGY 2SC2412.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 180...390
Frequency: 160MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
175+2.72 грн
375+1.15 грн
500+1.03 грн
3000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-Q 2SC2412-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.38 грн
15000+1.25 грн
30000+1.16 грн
60000+1.01 грн
120000+0.94 грн
300000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-Q YANGJIE TECHNOLOGY 2SC2412-Q-YAN NPN SMD transistors
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
91+3.55 грн
1075+1.11 грн
2950+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-R 2SC2412-R Yangjie Technology Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.15A 60V Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.47 грн
15000+1.33 грн
30000+1.25 грн
60000+1.09 грн
120000+1.01 грн
300000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-R 2SC2412-R YANGJIE TECHNOLOGY 2SC2412.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 180...390
Frequency: 160MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
100+3.27 грн
225+1.43 грн
500+1.24 грн
3000+1.10 грн
15000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-S 2SC2412-S Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.30 грн
15000+1.16 грн
30000+1.08 грн
60000+0.94 грн
120000+0.86 грн
300000+0.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3052-E 2SC3052-E YANGJIE TECHNOLOGY Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.2A; 0.15W; SOT23
Frequency: 180MHz
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.15W
Collector current: 0.2A
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 150...300
Polarisation: bipolar
на замовлення 13025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
225+2.15 грн
275+1.56 грн
500+0.93 грн
3000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
1N4448WSQ 1N4448WSQ.pdf
1N4448WSQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Diodes - Rectifiers - Single SOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.55 грн
15000+1.41 грн
30000+1.33 грн
60000+1.17 грн
120000+1.01 грн
300000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1N5400 1N5400_SER.pdf
1N5400
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
167+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
1N5400 1N5400_SER.pdf
1N5400
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 411 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
100+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1N5400G 1N5400G_SER.pdf
1N5400G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5402G 1n5400-d.pdf
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
1N5402G-YAN THT universal diodes
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.24 грн
182+6.49 грн
500+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404 1N5400_SER.pdf
1N5404
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tape
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+54.65 грн
12+37.68 грн
31+13.81 грн
37+11.31 грн
100+8.82 грн
250+7.07 грн
500+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404 1N5400_SER.pdf
1N5404
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.58 грн
7+46.96 грн
19+16.57 грн
25+13.58 грн
100+10.58 грн
250+8.48 грн
500+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404G 1N5400G_SER.pdf
1N5404G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Case: DO27
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407 1N5400_SER.pdf
1N5407
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.58 грн
13+32.44 грн
35+11.98 грн
43+9.82 грн
100+7.57 грн
250+6.07 грн
500+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407 1N5400_SER.pdf
1N5407
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 941 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.90 грн
8+40.43 грн
21+14.37 грн
26+11.78 грн
100+9.08 грн
250+7.29 грн
500+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5400G_SER.pdf
1N5407G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408 1N5400_SER.pdf
1N5408
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.69 грн
14+31.86 грн
36+11.65 грн
44+9.57 грн
100+7.49 грн
250+5.99 грн
500+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408 1N5400_SER.pdf
1N5408
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.82 грн
8+39.70 грн
22+13.98 грн
27+11.48 грн
100+8.98 грн
250+7.19 грн
500+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408G 1N5400G_SER.pdf
1N5408G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.85 грн
12+37.18 грн
31+13.64 грн
38+11.15 грн
100+8.65 грн
250+6.99 грн
500+6.24 грн
1250+5.16 грн
2500+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408G 1N5400G_SER.pdf
1N5408G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.42 грн
7+46.34 грн
19+16.37 грн
25+13.38 грн
100+10.38 грн
250+8.38 грн
500+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819 1N581x_ser.pdf
1N5819
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V; tape
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: tape
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.85 грн
93+4.49 грн
167+2.50 грн
500+1.87 грн
1000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819 1N581x_ser.pdf
1N5819
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V; tape
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.82 грн
56+5.60 грн
100+2.99 грн
500+2.25 грн
1000+2.02 грн
5000+1.62 грн
15000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822 1N582x_SER.pdf
1N5822
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO27; Ufmax: 0.525V; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tape
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+24.19 грн
37+11.31 грн
100+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822 1N582x_SER.pdf
1N5822
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO27; Ufmax: 0.525V; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.02 грн
23+14.10 грн
100+9.53 грн
500+6.80 грн
1250+5.13 грн
2500+4.76 грн
5000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822 en.CD00001626.pdf 1N5820 SERIES_I2105.pdf 1N5822.pdf 1n5820-d.pdf 1n5820.pdf 1N5820-1N5822%2C1N6864.pdf 1N5820-D.PDF
Виробник: Yangjie Technology
Діод Шотткі вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 40; If, А = 3; Тексп, °C = -55...+125; DO-27
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS355Q 1SS355Q.pdf
1SS355Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOD-323 80V 0.15A Diodes Recti
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.38 грн
15000+1.25 грн
30000+1.16 грн
60000+1.01 грн
120000+0.94 грн
300000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 2N7002.pdf
2N7002
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
200+2.40 грн
450+0.94 грн
500+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 2N7002.pdf
2N7002
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
125+2.88 грн
275+1.17 грн
500+1.00 грн
3000+0.90 грн
12000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A 2N7002A.pdf
2N7002A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
225+2.15 грн
475+0.91 грн
525+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A 2N7002A.pdf
2N7002A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 575 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
125+2.58 грн
300+1.13 грн
500+0.98 грн
3000+0.87 грн
15000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KC 2N7002KC.pdf
2N7002KC
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 0.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.38 грн
15000+1.25 грн
30000+1.16 грн
60000+1.01 грн
120000+0.94 грн
300000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCDW 2N7002KCDW.pdf
2N7002KCDW
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-363 N 60V 0.3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.33 грн
15000+2.08 грн
30000+2.00 грн
60000+1.72 грн
120000+1.56 грн
300000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCDWQ 2N7002KCDWQ.pdf
2N7002KCDWQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.63 грн
15000+3.33 грн
30000+3.16 грн
60000+2.73 грн
120000+2.50 грн
300000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCE 2N7002KCE.pdf
2N7002KCE
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.73 грн
15000+1.58 грн
30000+1.41 грн
60000+1.25 грн
120000+1.17 грн
300000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCQ 2N7002KCQ.pdf
2N7002KCQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 0.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.85 грн
15000+2.58 грн
30000+2.41 грн
60000+2.11 грн
120000+1.95 грн
300000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCW 2N7002KCW.pdf
2N7002KCW
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-323 N 60V 0.3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.64 грн
15000+1.50 грн
30000+1.41 грн
60000+1.25 грн
120000+1.09 грн
300000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCWQ 2N7002KCWQ.pdf
2N7002KCWQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.20 грн
15000+2.91 грн
30000+2.75 грн
60000+2.42 грн
120000+2.11 грн
300000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCX 2N7002KCX.pdf
2N7002KCX
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.68 грн
15000+2.41 грн
30000+2.25 грн
60000+2.03 грн
120000+1.80 грн
300000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002W 2N7002W.pdf
2N7002W
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
200+2.33 грн
475+0.92 грн
500+0.83 грн
3000+0.73 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002W 2N7002W.pdf
2N7002W
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
125+2.80 грн
275+1.15 грн
500+1.00 грн
3000+0.88 грн
15000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-Q
2SA1037-Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.26 грн
15000+1.14 грн
30000+1.06 грн
60000+0.93 грн
120000+0.86 грн
300000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-Q
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
2SA1037-Q-YAN PNP SMD transistors
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
93+3.50 грн
1100+1.09 грн
3000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-S
2SA1037-S
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.18 грн
15000+1.06 грн
30000+0.99 грн
60000+0.86 грн
120000+0.79 грн
300000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1576A-Q
2SA1576A-Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.64 грн
15000+1.50 грн
30000+1.41 грн
60000+1.17 грн
120000+1.09 грн
300000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1576A-R
2SA1576A-R
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.47 грн
15000+1.33 грн
30000+1.25 грн
60000+1.09 грн
120000+1.01 грн
300000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1576A-S
2SA1576A-S
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.47 грн
15000+1.33 грн
30000+1.25 грн
60000+1.09 грн
120000+1.01 грн
300000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA812-M5
2SA812-M5
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.12 грн
15000+1.00 грн
30000+0.92 грн
60000+0.78 грн
120000+0.70 грн
300000+0.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA812-M6
2SA812-M6
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A -60V Trans
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.12 грн
15000+1.00 грн
30000+0.92 грн
60000+0.78 грн
120000+0.70 грн
300000+0.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA812-M6
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
2SA812-M6-YAN PNP SMD transistors
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
112+2.89 грн
1250+0.97 грн
3400+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1188-Q
2SB1188-Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+3.46 грн
5000+3.16 грн
10000+2.99 грн
20000+2.58 грн
40000+2.34 грн
100000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1188-R
2SB1188-R
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+3.11 грн
5000+2.83 грн
10000+2.66 грн
20000+2.34 грн
40000+2.11 грн
100000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1197-Q
2SB1197-Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.83 грн
15000+2.57 грн
30000+2.41 грн
60000+2.12 грн
120000+1.90 грн
300000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198-R
2SB1198-R
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.89 грн
15000+3.58 грн
30000+3.33 грн
60000+2.97 грн
120000+2.65 грн
300000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198-R
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
2SB1198-R-YAN PNP SMD transistors
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.04 грн
735+1.63 грн
2015+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198-RQ
2SB1198-RQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.66 грн
15000+4.24 грн
30000+3.99 грн
60000+3.51 грн
120000+3.20 грн
300000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC1623-L6
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.1A 60V Transis
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.12 грн
15000+1.00 грн
30000+0.92 грн
60000+0.78 грн
120000+0.70 грн
300000+0.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2383P-O
2SC2383P-O
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+7.08 грн
5000+6.41 грн
10000+5.99 грн
20000+5.31 грн
40000+4.76 грн
100000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2383P-Y
2SC2383P-Y
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+7.08 грн
5000+6.41 грн
10000+5.99 грн
20000+5.31 грн
40000+4.76 грн
100000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-R 2SC2412.pdf
2SC2412-R
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 180...390
Frequency: 160MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
175+2.72 грн
375+1.15 грн
500+1.03 грн
3000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-Q
2SC2412-Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.38 грн
15000+1.25 грн
30000+1.16 грн
60000+1.01 грн
120000+0.94 грн
300000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-Q
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
2SC2412-Q-YAN NPN SMD transistors
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
91+3.55 грн
1075+1.11 грн
2950+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-R
2SC2412-R
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.15A 60V Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.47 грн
15000+1.33 грн
30000+1.25 грн
60000+1.09 грн
120000+1.01 грн
300000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-R 2SC2412.pdf
2SC2412-R
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 180...390
Frequency: 160MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
100+3.27 грн
225+1.43 грн
500+1.24 грн
3000+1.10 грн
15000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-S
2SC2412-S
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.30 грн
15000+1.16 грн
30000+1.08 грн
60000+0.94 грн
120000+0.86 грн
300000+0.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3052-E
2SC3052-E
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.2A; 0.15W; SOT23
Frequency: 180MHz
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.15W
Collector current: 0.2A
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 150...300
Polarisation: bipolar
на замовлення 13025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
225+2.15 грн
275+1.56 грн
500+0.93 грн
3000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 56  [ Наступна Сторінка >> ]