Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (2892) > Сторінка 3 з 49

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
1N5404 1N5404 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; Ifsm: 150A; DO27; tape; Ufmax: 1V
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.61 грн
11+38.69 грн
30+14.14 грн
37+11.60 грн
100+8.97 грн
250+7.20 грн
500+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404G 1N5404G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; tape; Ufmax: 1.1V
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.00 грн
10+45.97 грн
26+16.85 грн
31+13.80 грн
100+10.75 грн
250+8.63 грн
500+7.62 грн
1250+6.43 грн
2500+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5406 1N5406 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ifsm: 150A; DO27; tape; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Kind of package: tape
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407 1N5407 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ifsm: 150A; DO27; tape; Ufmax: 1V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Type of diode: rectifying
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.58 грн
14+31.07 грн
38+11.43 грн
46+9.40 грн
100+7.28 грн
250+5.84 грн
500+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408 1N5408 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 150A; DO27; tape; Ufmax: 1V
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.34 грн
11+39.28 грн
30+14.39 грн
36+11.77 грн
100+9.14 грн
250+7.36 грн
500+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408G 1N5408G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 200A; DO27; tape; Ufmax: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 3229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.73 грн
10+45.80 грн
26+16.76 грн
31+13.71 грн
100+10.67 грн
250+8.55 грн
500+7.62 грн
1250+6.43 грн
2500+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822 1N5822 YANGJIE TECHNOLOGY 1N582x_SER.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO27; Ufmax: 0.525V; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822 Yangjie Technology 1N582x_Yangjie.pdf Діод Шотткі вивідний, Io, A = 3, Uзвор, В = 40, If, А = 3, Тексп, °C = -55...+125,... Діоди Корпус: DO-27 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1000+4.87 грн
5000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS355Q 1SS355Q Yangjie Technology 1SS355Q.pdf Description: SOD-323 80V 0.15A Diodes Recti
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.27 грн
15000+1.14 грн
30000+1.07 грн
60000+0.93 грн
120000+0.86 грн
300000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 2N7002 YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.5A
Version: ESD
Technology: TRENCH POWER MV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KC 2N7002KC Yangjie Technology 2N7002KC.pdf Description: SOT-23 N 60V 0.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.27 грн
15000+1.14 грн
30000+1.07 грн
60000+0.93 грн
120000+0.86 грн
300000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCDW 2N7002KCDW Yangjie Technology 2N7002KCDW.pdf Description: SOT-363 N 60V 0.3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.14 грн
15000+1.90 грн
30000+1.83 грн
60000+1.57 грн
120000+1.43 грн
300000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCDWQ 2N7002KCDWQ Yangjie Technology 2N7002KCDWQ.pdf Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.32 грн
15000+3.05 грн
30000+2.90 грн
60000+2.50 грн
120000+2.29 грн
300000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCE 2N7002KCE Yangjie Technology 2N7002KCE.pdf Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.58 грн
15000+1.45 грн
30000+1.30 грн
60000+1.14 грн
120000+1.07 грн
300000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCQ 2N7002KCQ Yangjie Technology 2N7002KCQ.pdf Description: SOT-23 N 60V 0.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.61 грн
15000+2.36 грн
30000+2.21 грн
60000+1.93 грн
120000+1.79 грн
300000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCW 2N7002KCW Yangjie Technology 2N7002KCW.pdf Description: SOT-323 N 60V 0.3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.50 грн
15000+1.37 грн
30000+1.30 грн
60000+1.14 грн
120000+1.00 грн
300000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCWQ 2N7002KCWQ Yangjie Technology 2N7002KCWQ.pdf Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.93 грн
15000+2.67 грн
30000+2.51 грн
60000+2.22 грн
120000+1.93 грн
300000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCX 2N7002KCX Yangjie Technology 2N7002KCX.pdf Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.45 грн
15000+2.21 грн
30000+2.06 грн
60000+1.86 грн
120000+1.64 грн
300000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002W 2N7002W YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002W.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-Q 2SA1037-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.16 грн
15000+1.04 грн
30000+0.98 грн
60000+0.85 грн
120000+0.78 грн
300000+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-Q 2SA1037-Q YANGJIE TECHNOLOGY 2SA1037.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Frequency: 140MHz
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...270
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
150+3.10 грн
300+1.44 грн
500+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-S 2SA1037-S Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.08 грн
15000+0.98 грн
30000+0.91 грн
60000+0.78 грн
120000+0.72 грн
300000+0.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1576A-Q 2SA1576A-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.50 грн
15000+1.37 грн
30000+1.30 грн
60000+1.07 грн
120000+1.00 грн
300000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1576A-R 2SA1576A-R Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.34 грн
15000+1.22 грн
30000+1.14 грн
60000+1.00 грн
120000+0.93 грн
300000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1576A-S 2SA1576A-S Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.34 грн
15000+1.22 грн
30000+1.14 грн
60000+1.00 грн
120000+0.93 грн
300000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA812-M5 2SA812-M5 Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.03 грн
15000+0.91 грн
30000+0.84 грн
60000+0.71 грн
120000+0.64 грн
300000+0.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA812-M6 2SA812-M6 Yangjie Technology Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A -60V Trans
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.03 грн
15000+0.91 грн
30000+0.84 грн
60000+0.71 грн
120000+0.64 грн
300000+0.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1188-Q 2SB1188-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.16 грн
5000+2.90 грн
10000+2.74 грн
20000+2.36 грн
40000+2.14 грн
100000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1188-R 2SB1188-R Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+2.85 грн
5000+2.59 грн
10000+2.44 грн
20000+2.14 грн
40000+1.93 грн
100000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1197-Q 2SB1197-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.59 грн
15000+2.35 грн
30000+2.21 грн
60000+1.94 грн
120000+1.74 грн
300000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198-R 2SB1198-R Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.56 грн
15000+3.28 грн
30000+3.05 грн
60000+2.72 грн
120000+2.43 грн
300000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198-RQ 2SB1198-RQ Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.27 грн
15000+3.89 грн
30000+3.66 грн
60000+3.22 грн
120000+2.93 грн
300000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC1623-L6 Yangjie Technology Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.1A 60V Transis
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.03 грн
15000+0.91 грн
30000+0.84 грн
60000+0.71 грн
120000+0.64 грн
300000+0.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2383P-O 2SC2383P-O Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+6.49 грн
5000+5.87 грн
10000+5.49 грн
20000+4.86 грн
40000+4.36 грн
100000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2383P-Y 2SC2383P-Y Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+6.49 грн
5000+5.87 грн
10000+5.49 грн
20000+4.86 грн
40000+4.36 грн
100000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-Q 2SC2412-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.27 грн
15000+1.14 грн
30000+1.07 грн
60000+0.93 грн
120000+0.86 грн
300000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-Q 2SC2412-Q YANGJIE TECHNOLOGY 2SC2412.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 160MHz
Application: automotive industry
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
300+1.52 грн
350+1.28 грн
500+1.11 грн
3000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-R 2SC2412-R Yangjie Technology Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.15A 60V Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.34 грн
15000+1.22 грн
30000+1.14 грн
60000+1.00 грн
120000+0.93 грн
300000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-R 2SC2412-R YANGJIE TECHNOLOGY 2SC2412.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 160MHz
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
300+1.60 грн
325+1.33 грн
500+1.16 грн
3000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-S 2SC2412-S Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.19 грн
15000+1.07 грн
30000+0.99 грн
60000+0.86 грн
120000+0.79 грн
300000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-S 2SC2412-S YANGJIE TECHNOLOGY 2SC2412.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 270...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 160MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3052-E 2SC3052-E YANGJIE TECHNOLOGY Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.2A; 0.15W; SOT23
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 150...300
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Frequency: 180MHz
Collector current: 0.2A
на замовлення 12825 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
200+2.50 грн
250+1.80 грн
500+1.08 грн
3000+0.97 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3052-E 2SC3052-E Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.19 грн
15000+1.07 грн
30000+0.99 грн
60000+0.86 грн
120000+0.79 грн
300000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3052-F 2SC3052-F Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.19 грн
15000+1.07 грн
30000+0.99 грн
60000+0.86 грн
120000+0.79 грн
300000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3052-G 2SC3052-G Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.19 грн
15000+1.07 грн
30000+0.99 грн
60000+0.86 грн
120000+0.79 грн
300000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4081-Q 2SC4081-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.50 грн
15000+1.37 грн
30000+1.30 грн
60000+1.07 грн
120000+1.00 грн
300000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4081-S 2SC4081-S Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.34 грн
15000+1.22 грн
30000+1.14 грн
60000+1.00 грн
120000+0.93 грн
300000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4617-Q 2SC4617-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.58 грн
15000+1.45 грн
30000+1.37 грн
60000+1.22 грн
120000+1.07 грн
300000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4617-S 2SC4617-S Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.19 грн
15000+1.07 грн
30000+0.99 грн
60000+0.86 грн
120000+0.79 грн
300000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1766-Q 2SD1766-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.16 грн
5000+2.90 грн
10000+2.74 грн
20000+2.36 грн
40000+2.14 грн
100000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1766-R 2SD1766-R Yangjie Technology 2SD1766-R%20%20SOT-89.pdf Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+2.85 грн
5000+2.59 грн
10000+2.44 грн
20000+2.14 грн
40000+1.93 грн
100000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1781-Q 2SD1781-Q YANGJIE TECHNOLOGY Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.2W; SOT23
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 32V
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 120...270
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Collector current: 0.8A
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
40+11.50 грн
70+6.10 грн
135+3.21 грн
500+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1782-R 2SD1782-R YANGJIE TECHNOLOGY 2SD1782-R.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.2W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 180...390
Frequency: 180MHz
Collector current: 0.5A
Collector-emitter voltage: 80V
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
55+8.60 грн
110+4.00 грн
205+2.10 грн
500+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3324P 3324P Yangjie Technology Description: TVS - Diodes DFN2510 3.3V 4 li
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 65W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V
Voltage - Breakdown (Min): 5V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: DFN2510-10L
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Applications: DVI, HDMI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Steering (Rail to Rail)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.72 грн
15000+3.35 грн
30000+3.20 грн
60000+2.79 грн
120000+2.50 грн
300000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ13A 5.0SMDJ13A YANGJIE TECHNOLOGY Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 14.4÷15.9V; 232.6A; unidirectional; DO214AB,SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
Max. off-state voltage: 13V
Breakdown voltage: 14.4...15.9V
Max. forward impulse current: 232.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AB; SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5mA
Manufacturer series: 5.0SMDJ
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.44 грн
16+28.19 грн
100+24.89 грн
500+22.18 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ33A YANGJIE TECHNOLOGY littelfuse_tvs_diode_5_0smdj_datasheet.pdf?assetguid=2b2f4a8c-2e81-4894-8d41-3d748bb79e68 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 36.7÷40.6V; 93.8A; unidirectional; DO214AB,SMC
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 93.8A
Manufacturer series: 5.0SMDJ
Peak pulse power dissipation: 5kW
Case: DO214AB; SMC
Leakage current: 5µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ40CA YANGJIE TECHNOLOGY littelfuse_tvs_diode_5_0smdj_datasheet.pdf?assetguid=2b2f4a8c-2e81-4894-8d41-3d748bb79e68 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 44.4÷49.1V; 77.5A; bidirectional; DO214AB,SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...49.1V
Max. forward impulse current: 77.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AB; SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: 5.0SMDJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ43A YANGJIE TECHNOLOGY littelfuse_tvs_diode_5_0smdj_datasheet.pdf?assetguid=2b2f4a8c-2e81-4894-8d41-3d748bb79e68 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 47.8÷52.8V; 72A; unidirectional; DO214AB,SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
Max. off-state voltage: 43V
Max. forward impulse current: 72A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AB; SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Breakdown voltage: 47.8...52.8V
Manufacturer series: 5.0SMDJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ43CA YANGJIE TECHNOLOGY littelfuse_tvs_diode_5_0smdj_datasheet.pdf?assetguid=2b2f4a8c-2e81-4894-8d41-3d748bb79e68 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 47.8÷52.8V; 72A; bidirectional; DO214AB,SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8...52.8V
Max. forward impulse current: 72A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AB; SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: 5.0SMDJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404 1N5400_SER.pdf
1N5404
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; Ifsm: 150A; DO27; tape; Ufmax: 1V
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.61 грн
11+38.69 грн
30+14.14 грн
37+11.60 грн
100+8.97 грн
250+7.20 грн
500+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404G 1N5400G_SER.pdf
1N5404G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; tape; Ufmax: 1.1V
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+66.00 грн
10+45.97 грн
26+16.85 грн
31+13.80 грн
100+10.75 грн
250+8.63 грн
500+7.62 грн
1250+6.43 грн
2500+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5406 1N5400_SER.pdf
1N5406
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ifsm: 150A; DO27; tape; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Kind of package: tape
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407 1N5400_SER.pdf
1N5407
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ifsm: 150A; DO27; tape; Ufmax: 1V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Type of diode: rectifying
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+45.58 грн
14+31.07 грн
38+11.43 грн
46+9.40 грн
100+7.28 грн
250+5.84 грн
500+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408 1N5400_SER.pdf
1N5408
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 150A; DO27; tape; Ufmax: 1V
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+56.34 грн
11+39.28 грн
30+14.39 грн
36+11.77 грн
100+9.14 грн
250+7.36 грн
500+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408G 1N5400G_SER.pdf
1N5408G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 200A; DO27; tape; Ufmax: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 3229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+65.73 грн
10+45.80 грн
26+16.76 грн
31+13.71 грн
100+10.67 грн
250+8.55 грн
500+7.62 грн
1250+6.43 грн
2500+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822 1N582x_SER.pdf
1N5822
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO27; Ufmax: 0.525V; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822 1N582x_Yangjie.pdf
Виробник: Yangjie Technology
Діод Шотткі вивідний, Io, A = 3, Uзвор, В = 40, If, А = 3, Тексп, °C = -55...+125,... Діоди Корпус: DO-27 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+4.87 грн
5000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS355Q 1SS355Q.pdf
1SS355Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOD-323 80V 0.15A Diodes Recti
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.27 грн
15000+1.14 грн
30000+1.07 грн
60000+0.93 грн
120000+0.86 грн
300000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 2N7002.pdf
2N7002
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K.pdf
2N7002K
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.5A
Version: ESD
Technology: TRENCH POWER MV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KC 2N7002KC.pdf
2N7002KC
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 0.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.27 грн
15000+1.14 грн
30000+1.07 грн
60000+0.93 грн
120000+0.86 грн
300000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCDW 2N7002KCDW.pdf
2N7002KCDW
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-363 N 60V 0.3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.14 грн
15000+1.90 грн
30000+1.83 грн
60000+1.57 грн
120000+1.43 грн
300000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCDWQ 2N7002KCDWQ.pdf
2N7002KCDWQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.32 грн
15000+3.05 грн
30000+2.90 грн
60000+2.50 грн
120000+2.29 грн
300000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCE 2N7002KCE.pdf
2N7002KCE
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.58 грн
15000+1.45 грн
30000+1.30 грн
60000+1.14 грн
120000+1.07 грн
300000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCQ 2N7002KCQ.pdf
2N7002KCQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 0.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.61 грн
15000+2.36 грн
30000+2.21 грн
60000+1.93 грн
120000+1.79 грн
300000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCW 2N7002KCW.pdf
2N7002KCW
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-323 N 60V 0.3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.50 грн
15000+1.37 грн
30000+1.30 грн
60000+1.14 грн
120000+1.00 грн
300000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCWQ 2N7002KCWQ.pdf
2N7002KCWQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.93 грн
15000+2.67 грн
30000+2.51 грн
60000+2.22 грн
120000+1.93 грн
300000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KCX 2N7002KCX.pdf
2N7002KCX
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.45 грн
15000+2.21 грн
30000+2.06 грн
60000+1.86 грн
120000+1.64 грн
300000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002W 2N7002W.pdf
2N7002W
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-Q
2SA1037-Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.16 грн
15000+1.04 грн
30000+0.98 грн
60000+0.85 грн
120000+0.78 грн
300000+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-Q 2SA1037.pdf
2SA1037-Q
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Frequency: 140MHz
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...270
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+3.10 грн
300+1.44 грн
500+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1037-S
2SA1037-S
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.08 грн
15000+0.98 грн
30000+0.91 грн
60000+0.78 грн
120000+0.72 грн
300000+0.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1576A-Q
2SA1576A-Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.50 грн
15000+1.37 грн
30000+1.30 грн
60000+1.07 грн
120000+1.00 грн
300000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1576A-R
2SA1576A-R
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.34 грн
15000+1.22 грн
30000+1.14 грн
60000+1.00 грн
120000+0.93 грн
300000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1576A-S
2SA1576A-S
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.34 грн
15000+1.22 грн
30000+1.14 грн
60000+1.00 грн
120000+0.93 грн
300000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA812-M5
2SA812-M5
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.03 грн
15000+0.91 грн
30000+0.84 грн
60000+0.71 грн
120000+0.64 грн
300000+0.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA812-M6
2SA812-M6
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A -60V Trans
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.03 грн
15000+0.91 грн
30000+0.84 грн
60000+0.71 грн
120000+0.64 грн
300000+0.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1188-Q
2SB1188-Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+3.16 грн
5000+2.90 грн
10000+2.74 грн
20000+2.36 грн
40000+2.14 грн
100000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1188-R
2SB1188-R
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+2.85 грн
5000+2.59 грн
10000+2.44 грн
20000+2.14 грн
40000+1.93 грн
100000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1197-Q
2SB1197-Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.59 грн
15000+2.35 грн
30000+2.21 грн
60000+1.94 грн
120000+1.74 грн
300000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198-R
2SB1198-R
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.56 грн
15000+3.28 грн
30000+3.05 грн
60000+2.72 грн
120000+2.43 грн
300000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198-RQ
2SB1198-RQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.27 грн
15000+3.89 грн
30000+3.66 грн
60000+3.22 грн
120000+2.93 грн
300000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC1623-L6
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.1A 60V Transis
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.03 грн
15000+0.91 грн
30000+0.84 грн
60000+0.71 грн
120000+0.64 грн
300000+0.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2383P-O
2SC2383P-O
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+6.49 грн
5000+5.87 грн
10000+5.49 грн
20000+4.86 грн
40000+4.36 грн
100000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2383P-Y
2SC2383P-Y
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+6.49 грн
5000+5.87 грн
10000+5.49 грн
20000+4.86 грн
40000+4.36 грн
100000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-Q
2SC2412-Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.27 грн
15000+1.14 грн
30000+1.07 грн
60000+0.93 грн
120000+0.86 грн
300000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-Q 2SC2412.pdf
2SC2412-Q
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 160MHz
Application: automotive industry
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+1.52 грн
350+1.28 грн
500+1.11 грн
3000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-R
2SC2412-R
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.15A 60V Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.34 грн
15000+1.22 грн
30000+1.14 грн
60000+1.00 грн
120000+0.93 грн
300000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-R 2SC2412.pdf
2SC2412-R
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 160MHz
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+1.60 грн
325+1.33 грн
500+1.16 грн
3000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-S
2SC2412-S
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.19 грн
15000+1.07 грн
30000+0.99 грн
60000+0.86 грн
120000+0.79 грн
300000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2412-S 2SC2412.pdf
2SC2412-S
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 270...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 160MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3052-E
2SC3052-E
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.2A; 0.15W; SOT23
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 150...300
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Frequency: 180MHz
Collector current: 0.2A
на замовлення 12825 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+2.50 грн
250+1.80 грн
500+1.08 грн
3000+0.97 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3052-E
2SC3052-E
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.19 грн
15000+1.07 грн
30000+0.99 грн
60000+0.86 грн
120000+0.79 грн
300000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3052-F
2SC3052-F
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.19 грн
15000+1.07 грн
30000+0.99 грн
60000+0.86 грн
120000+0.79 грн
300000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3052-G
2SC3052-G
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.19 грн
15000+1.07 грн
30000+0.99 грн
60000+0.86 грн
120000+0.79 грн
300000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4081-Q
2SC4081-Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.50 грн
15000+1.37 грн
30000+1.30 грн
60000+1.07 грн
120000+1.00 грн
300000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4081-S
2SC4081-S
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.34 грн
15000+1.22 грн
30000+1.14 грн
60000+1.00 грн
120000+0.93 грн
300000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4617-Q
2SC4617-Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.58 грн
15000+1.45 грн
30000+1.37 грн
60000+1.22 грн
120000+1.07 грн
300000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4617-S
2SC4617-S
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.19 грн
15000+1.07 грн
30000+0.99 грн
60000+0.86 грн
120000+0.79 грн
300000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1766-Q
2SD1766-Q
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+3.16 грн
5000+2.90 грн
10000+2.74 грн
20000+2.36 грн
40000+2.14 грн
100000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1766-R 2SD1766-R%20%20SOT-89.pdf
2SD1766-R
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+2.85 грн
5000+2.59 грн
10000+2.44 грн
20000+2.14 грн
40000+1.93 грн
100000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1781-Q
2SD1781-Q
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.2W; SOT23
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 32V
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 120...270
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Collector current: 0.8A
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+11.50 грн
70+6.10 грн
135+3.21 грн
500+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1782-R 2SD1782-R.pdf
2SD1782-R
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.2W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 180...390
Frequency: 180MHz
Collector current: 0.5A
Collector-emitter voltage: 80V
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+8.60 грн
110+4.00 грн
205+2.10 грн
500+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3324P
3324P
Виробник: Yangjie Technology
Description: TVS - Diodes DFN2510 3.3V 4 li
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 65W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V
Voltage - Breakdown (Min): 5V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: DFN2510-10L
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Applications: DVI, HDMI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Steering (Rail to Rail)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.72 грн
15000+3.35 грн
30000+3.20 грн
60000+2.79 грн
120000+2.50 грн
300000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ13A
5.0SMDJ13A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 14.4÷15.9V; 232.6A; unidirectional; DO214AB,SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
Max. off-state voltage: 13V
Breakdown voltage: 14.4...15.9V
Max. forward impulse current: 232.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AB; SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5mA
Manufacturer series: 5.0SMDJ
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.44 грн
16+28.19 грн
100+24.89 грн
500+22.18 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ33A littelfuse_tvs_diode_5_0smdj_datasheet.pdf?assetguid=2b2f4a8c-2e81-4894-8d41-3d748bb79e68
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 36.7÷40.6V; 93.8A; unidirectional; DO214AB,SMC
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 93.8A
Manufacturer series: 5.0SMDJ
Peak pulse power dissipation: 5kW
Case: DO214AB; SMC
Leakage current: 5µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ40CA littelfuse_tvs_diode_5_0smdj_datasheet.pdf?assetguid=2b2f4a8c-2e81-4894-8d41-3d748bb79e68
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 44.4÷49.1V; 77.5A; bidirectional; DO214AB,SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...49.1V
Max. forward impulse current: 77.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AB; SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: 5.0SMDJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ43A littelfuse_tvs_diode_5_0smdj_datasheet.pdf?assetguid=2b2f4a8c-2e81-4894-8d41-3d748bb79e68
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 47.8÷52.8V; 72A; unidirectional; DO214AB,SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
Max. off-state voltage: 43V
Max. forward impulse current: 72A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AB; SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Breakdown voltage: 47.8...52.8V
Manufacturer series: 5.0SMDJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ43CA littelfuse_tvs_diode_5_0smdj_datasheet.pdf?assetguid=2b2f4a8c-2e81-4894-8d41-3d748bb79e68
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 47.8÷52.8V; 72A; bidirectional; DO214AB,SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8...52.8V
Max. forward impulse current: 72A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AB; SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: 5.0SMDJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]