Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (72992) > Сторінка 1187 з 1217

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 121 242 363 484 605 726 847 968 1089 1182 1183 1184 1185 1186 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1210 1217  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DDC144EU-7-F DDC144EU-7-F DIODES INCORPORATED ddcxxxxU.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 30mA; 200mW; SOT363; R1: 47kΩ
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 100...600
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.85 грн
57+7.53 грн
100+4.78 грн
500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDC114EU-7-F DDC114EU-7-F DIODES INCORPORATED DDC_XXXX_U.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT363; R1: 10kΩ
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.67 грн
53+8.04 грн
100+5.30 грн
500+4.22 грн
1000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-7 DMP610DL-7 DIODES INCORPORATED DMP610DL.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.13A
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 560pC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 813 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.76 грн
50+8.47 грн
100+4.68 грн
500+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLQ-7 DMP610DLQ-7 DIODES INCORPORATED DMP610DLQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.13A
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 560pC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-13 DMP610DL-13 DIODES INCORPORATED DMP610DL.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -130mA
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 560pC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDS5100-13 DIODES INCORPORATED ds30483.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SMD; 100V; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.79V
Leakage current: 5mA
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDS5100H-13 DIODES INCORPORATED ds30471.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SMD; 100V; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 4.5mA
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDS5100HQ-13 DIODES INCORPORATED ds30471.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SMD; 100V; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 4.5mA
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDS5100HQ-13D DIODES INCORPORATED ds30471.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SMD; 100V; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 4.5mA
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDS5100Q-13D DIODES INCORPORATED PDS5100Q.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SMD; 100V; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 4.5mA
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C6V8-7-F BZX84C6V8-7-F DIODES INCORPORATED BZX84Cxx_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 6.8V; SMD; SOT23; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 6.8V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.38 грн
120+3.56 грн
215+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C6V8-7-F AZ23C6V8-7-F DIODES INCORPORATED AZ23C_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 6.8V; SMD; SOT23; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 6.8V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6250SQ-7 DMPH6250SQ-7 DIODES INCORPORATED DMPH6250SQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ-13 DIODES INCORPORATED DMPH6250SQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ30CSF-7 DIODES INCORPORATED ds31987.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 30V; SMD; reel,tape; SOD323F; single diode
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323F
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ90A-13-F SMAJ90A-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 100÷111V; 2.7A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 90V
Breakdown voltage: 100...111V
Max. forward impulse current: 2.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.32 грн
37+11.51 грн
45+9.45 грн
100+6.95 грн
500+5.11 грн
1000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB10100CT-13 MBRB10100CT-13 DIODES INCORPORATED MBRB10100CT_Rev.5-2_Apr2016.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SMD; 100V; 5Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.84V
Leakage current: 10mA
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 110A
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.79 грн
13+34.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD10100CT-13 DIODES INCORPORATED MBRD10100CT.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 100V; 5Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.84V
Leakage current: 10mA
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB10100CT DIODES INCORPORATED MBR1080(90)(100)CT(-1)%20MBRB1080(90)(100)CT%20N0735%20REV.A.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 5Ax2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.84V
Leakage current: 10mA
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 DIODES INCORPORATED DMG6601LVT-7.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 547 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.44 грн
24+18.03 грн
50+12.44 грн
100+10.50 грн
500+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B140HW-7 B140HW-7 DIODES INCORPORATED B140HW.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.51V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 561 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.23 грн
31+13.71 грн
35+12.27 грн
100+8.38 грн
500+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B140B-13-F B140B-13-F DIODES INCORPORATED b120-160b.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Capacitance: 0.11nF
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.32 грн
37+11.51 грн
50+9.09 грн
100+8.18 грн
500+6.28 грн
1000+5.54 грн
2500+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B140HB-13-F B140HB-13-F DIODES INCORPORATED B140HB.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Capacitance: 80pF
Max. forward voltage: 0.49V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 45A
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.79 грн
26+16.51 грн
32+13.63 грн
100+9.65 грн
125+9.14 грн
500+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ9678-7 DDZ9678-7 DIODES INCORPORATED DDZ9689-7.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 1.8V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Case: SOD123
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±5%
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 1.8V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.67 грн
46+9.31 грн
57+7.45 грн
127+3.34 грн
500+2.60 грн
600+2.56 грн
3000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP7354D-18W5-7 AP7354D-18W5-7 DIODES INCORPORATED AP7354.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.15A; SOT25; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.6V
Output voltage: 1.8V
Output current: 0.15A
Case: SOT25
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 2...5.5V
Integrated circuit features: output discharge; shutdown mode control input
Manufacturer series: AP7354
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.61 грн
27+16.08 грн
30+14.22 грн
100+12.36 грн
250+11.77 грн
500+11.34 грн
1000+10.92 грн
3000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN10H120SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; Idm: 20A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.5W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN10H120SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; Idm: 20A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.5W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS358MTR-G1 AS358MTR-G1 DIODES INCORPORATED AS358-358A-358B.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; Ch: 2; 3÷36VDC; SO8; 100dB; 2mV; 550mW
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 3...36V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Open-loop gain: 100dB
Integrated circuit features: low power
Input offset voltage: 2mV
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.55W
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.03 грн
65+6.52 грн
75+5.69 грн
100+4.66 грн
250+4.15 грн
500+3.82 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS358MTR-E1 DIODES INCORPORATED AS358-358A-358B.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; Ch: 2; 3÷36VDC; SO8; Features: low power
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 3...36V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low power
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.2µA
Input offset current: 100nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS358MMTR-G1 DIODES INCORPORATED AS358-358A-358B.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; Ch: 2; 3÷36VDC; MSOP8; 7mV; reel,tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 3...36V DC
Case: MSOP8
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low power
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.2µA
Input offset current: 100nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT617 DIODES INCORPORATED FMMT617.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 3A; 625mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Current gain: 80...450
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT617TA FMMT617TA DIODES INCORPORATED FMMT617.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 3A; 625mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Current gain: 80...450
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP1506-50K5G-13 AP1506-50K5G-13 DIODES INCORPORATED AP1506x-DTE.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.5÷22VDC; Uout: 5VDC; 3A; TO263-5; SMD
Kind of package: reel; tape
Topology: buck
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Operating temperature: -20...85°C
Output current: 3A
Input voltage: 4.5...22V DC
Output voltage: 5V DC
Efficiency: 80%
Frequency: 150kHz
Case: TO263-5
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+85.50 грн
25+77.88 грн
100+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1506-F GBJ1506-F DIODES INCORPORATED GBJ15_ser.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 15A; Ifsm: 240A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 0.24kA
Version: flat
Case: GBJ
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.05V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+154.07 грн
10+88.88 грн
15+84.65 грн
75+69.41 грн
105+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC143ECA-7-F DDTC143ECA-7-F DIODES INCORPORATED ds30329.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Current gain: 20
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.94 грн
63+6.77 грн
100+4.28 грн
500+3.32 грн
1000+2.98 грн
3000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC143ZCA-7-F DDTC143ZCA-7-F DIODES INCORPORATED ds30330.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC143ZUA-7-FDDTC143ZUA-7-F
 DDTC143ZUA-7-F DIODES INCORPORATED ds30322.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.67 грн
54+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47TA BCV47TA DIODES INCORPORATED bcv27%2C47.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 500mA; 330mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 170MHz
Pulsed collector current: 0.8A
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.23 грн
42+10.24 грн
58+7.38 грн
100+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47QTC DIODES INCORPORATED BCV47Q.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47QTA BCV47QTA DIODES INCORPORATED BCV47Q.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 310mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23
Current gain: 2k
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 170MHz
Pulsed collector current: 0.8A
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47TC DIODES INCORPORATED bcv27%2C47.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 500mA; 330mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 170MHz
Pulsed collector current: 0.8A
Quantity in set/package: 10000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ26A-13-F SMAJ26A-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 28.9÷31.9V; 9.5A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 28.9...31.9V
Max. forward impulse current: 9.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.23 грн
31+13.88 грн
37+11.51 грн
100+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ26AQ-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 28.9÷31.9V; 9.5A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 28.9...31.9V
Max. forward impulse current: 9.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMAJ26ADF-13 DIODES INCORPORATED P6SMAJ5.0ADF-P6SMAJ85ADF.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.9÷33.2V; 14.2A; unidirectional; D-FLAT
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 28.9...33.2V
Max. forward impulse current: 14.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: D-FLAT
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230U-7 DMN2230U-7 DIODES INCORPORATED DMN2230U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
35+13.13 грн
45+9.82 грн
100+8.72 грн
500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2230UQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.47 грн
18+24.63 грн
50+17.10 грн
100+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UT-13 DIODES INCORPORATED DMN2310UT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; 490mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 490mW
Case: SOT523
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-13 DMN2230UQ-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 7A; 600mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 7A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7 DMN2300U-7 DIODES INCORPORATED DMN2300U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.01A; Idm: 11A; 550mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.01A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 0.55W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UWQ-7 DMN2310UWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2310UWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 4.4A
Power dissipation: 0.55W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-7 DMN2310U-7 DIODES INCORPORATED DMN2310U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 680mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 4.8A
Power dissipation: 0.68W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UW-7 DMN2310UW-7 DIODES INCORPORATED DMN2310UW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 4.4A
Power dissipation: 0.55W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ16CA-13-F SMBJ16CA-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 17.8÷20.5V; 23.1A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 17.8...20.5V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.23 грн
31+13.71 грн
35+12.19 грн
100+8.30 грн
500+6.52 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ16CA-13-F SMCJ16CA-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 17.8÷19.7V; 57.7A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 17.8...19.7V
Max. forward impulse current: 57.7A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP5724FDCG-7 DIODES INCORPORATED AP5724.pdf Category: LED drivers
Description: Driver; DC/DC converter,LED driver; 40mA; U-DFN2020-6; SMD
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: DC/DC converter; LED driver
Output current: 40mA
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Frequency: 1...1.4MHz
Topology: boost
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: PWM; soft-start function; UVLO (UnderVoltage LockOut)
Operating voltage: 2.7...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP3401KTTR-G1 AP3401KTTR-G1 DIODES INCORPORATED AP3401x-DTE.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.5÷5.5VDC; Uout: 0.6÷5.5VDC; 1A; SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 2.5...5.5V DC
Output voltage: 0.6...5.5V DC
Output current: 1A
Case: TSOT26
Mounting: SMD
Frequency: 1.5MHz
Topology: buck
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Efficiency: 95%
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-7 DMN3401LDW-7 DIODES INCORPORATED DMN3401LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.79 грн
32+13.37 грн
100+8.10 грн
500+5.93 грн
1000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7 DMG3406L-7 DIODES INCORPORATED DMG3406L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.70 грн
28+15.58 грн
50+10.68 грн
100+9.03 грн
500+6.29 грн
1000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-7 DMG3404L-7 DIODES INCORPORATED DMG3404L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.08 грн
22+19.98 грн
27+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-13 DMG3406L-13 DIODES INCORPORATED DMG3406L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDC144EU-7-F ddcxxxxU.pdf
DDC144EU-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 30mA; 200mW; SOT363; R1: 47kΩ
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 100...600
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.85 грн
57+7.53 грн
100+4.78 грн
500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDC114EU-7-F DDC_XXXX_U.pdf
DDC114EU-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT363; R1: 10kΩ
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.67 грн
53+8.04 грн
100+5.30 грн
500+4.22 грн
1000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-7 DMP610DL.pdf
DMP610DL-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.13A
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 560pC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 813 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.76 грн
50+8.47 грн
100+4.68 грн
500+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLQ-7 DMP610DLQ.pdf
DMP610DLQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.13A
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 560pC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-13 DMP610DL.pdf
DMP610DL-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -130mA
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 560pC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDS5100-13 ds30483.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SMD; 100V; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.79V
Leakage current: 5mA
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDS5100H-13 ds30471.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SMD; 100V; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 4.5mA
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDS5100HQ-13 ds30471.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SMD; 100V; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 4.5mA
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDS5100HQ-13D ds30471.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SMD; 100V; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 4.5mA
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDS5100Q-13D PDS5100Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SMD; 100V; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 4.5mA
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C6V8-7-F BZX84Cxx_SER.pdf
BZX84C6V8-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 6.8V; SMD; SOT23; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 6.8V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.38 грн
120+3.56 грн
215+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C6V8-7-F AZ23C_ser.pdf
AZ23C6V8-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 6.8V; SMD; SOT23; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 6.8V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6250SQ-7 DMPH6250SQ.pdf
DMPH6250SQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ.pdf
DMPH6250SQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ30CSF-7 ds31987.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 30V; SMD; reel,tape; SOD323F; single diode
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323F
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ90A-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ90A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 100÷111V; 2.7A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 90V
Breakdown voltage: 100...111V
Max. forward impulse current: 2.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+17.32 грн
37+11.51 грн
45+9.45 грн
100+6.95 грн
500+5.11 грн
1000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB10100CT-13 MBRB10100CT_Rev.5-2_Apr2016.pdf
MBRB10100CT-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SMD; 100V; 5Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.84V
Leakage current: 10mA
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 110A
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.79 грн
13+34.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD10100CT-13 MBRD10100CT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 100V; 5Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.84V
Leakage current: 10mA
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB10100CT MBR1080(90)(100)CT(-1)%20MBRB1080(90)(100)CT%20N0735%20REV.A.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 5Ax2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.84V
Leakage current: 10mA
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7.pdf
DMG6601LVT-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 547 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+26.44 грн
24+18.03 грн
50+12.44 грн
100+10.50 грн
500+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B140HW-7 B140HW.pdf
B140HW-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.51V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 561 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.23 грн
31+13.71 грн
35+12.27 грн
100+8.38 грн
500+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B140B-13-F b120-160b.pdf
B140B-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Capacitance: 0.11nF
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+17.32 грн
37+11.51 грн
50+9.09 грн
100+8.18 грн
500+6.28 грн
1000+5.54 грн
2500+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B140HB-13-F B140HB.pdf
B140HB-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Capacitance: 80pF
Max. forward voltage: 0.49V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 45A
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.79 грн
26+16.51 грн
32+13.63 грн
100+9.65 грн
125+9.14 грн
500+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ9678-7 DDZ9689-7.pdf
DDZ9678-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 1.8V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Case: SOD123
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±5%
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 1.8V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.67 грн
46+9.31 грн
57+7.45 грн
127+3.34 грн
500+2.60 грн
600+2.56 грн
3000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP7354D-18W5-7 AP7354.pdf
AP7354D-18W5-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.15A; SOT25; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.6V
Output voltage: 1.8V
Output current: 0.15A
Case: SOT25
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 2...5.5V
Integrated circuit features: output discharge; shutdown mode control input
Manufacturer series: AP7354
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+24.61 грн
27+16.08 грн
30+14.22 грн
100+12.36 грн
250+11.77 грн
500+11.34 грн
1000+10.92 грн
3000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-13 DMN10H120SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; Idm: 20A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.5W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-7 DMN10H120SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; Idm: 20A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.5W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS358MTR-G1 AS358-358A-358B.pdf
AS358MTR-G1
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; Ch: 2; 3÷36VDC; SO8; 100dB; 2mV; 550mW
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 3...36V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Open-loop gain: 100dB
Integrated circuit features: low power
Input offset voltage: 2mV
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.55W
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+10.03 грн
65+6.52 грн
75+5.69 грн
100+4.66 грн
250+4.15 грн
500+3.82 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS358MTR-E1 AS358-358A-358B.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; Ch: 2; 3÷36VDC; SO8; Features: low power
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 3...36V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low power
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.2µA
Input offset current: 100nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS358MMTR-G1 AS358-358A-358B.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; Ch: 2; 3÷36VDC; MSOP8; 7mV; reel,tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 3...36V DC
Case: MSOP8
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low power
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.2µA
Input offset current: 100nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT617 FMMT617.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 3A; 625mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Current gain: 80...450
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT617TA FMMT617.pdf
FMMT617TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 3A; 625mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Current gain: 80...450
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP1506-50K5G-13 AP1506x-DTE.pdf
AP1506-50K5G-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.5÷22VDC; Uout: 5VDC; 3A; TO263-5; SMD
Kind of package: reel; tape
Topology: buck
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Operating temperature: -20...85°C
Output current: 3A
Input voltage: 4.5...22V DC
Output voltage: 5V DC
Efficiency: 80%
Frequency: 150kHz
Case: TO263-5
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.50 грн
25+77.88 грн
100+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1506-F GBJ15_ser.pdf
GBJ1506-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 15A; Ifsm: 240A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 0.24kA
Version: flat
Case: GBJ
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.05V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.07 грн
10+88.88 грн
15+84.65 грн
75+69.41 грн
105+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC143ECA-7-F ds30329.pdf
DDTC143ECA-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Current gain: 20
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.94 грн
63+6.77 грн
100+4.28 грн
500+3.32 грн
1000+2.98 грн
3000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC143ZCA-7-F ds30330.pdf
DDTC143ZCA-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC143ZUA-7-F ds30322.pdf
DDTC143ZUA-7-FDDTC143ZUA-7-F
DDTC143ZUA-7-FDDTC143ZUA-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.67 грн
54+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47TA bcv27%2C47.pdf
BCV47TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 500mA; 330mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 170MHz
Pulsed collector current: 0.8A
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.23 грн
42+10.24 грн
58+7.38 грн
100+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47QTC BCV47Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47QTA BCV47Q.pdf
BCV47QTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 310mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23
Current gain: 2k
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 170MHz
Pulsed collector current: 0.8A
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47TC bcv27%2C47.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 500mA; 330mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 170MHz
Pulsed collector current: 0.8A
Quantity in set/package: 10000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ26A-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ26A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 28.9÷31.9V; 9.5A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 28.9...31.9V
Max. forward impulse current: 9.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.23 грн
31+13.88 грн
37+11.51 грн
100+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ26AQ-13-F SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 28.9÷31.9V; 9.5A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 28.9...31.9V
Max. forward impulse current: 9.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMAJ26ADF-13 P6SMAJ5.0ADF-P6SMAJ85ADF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.9÷33.2V; 14.2A; unidirectional; D-FLAT
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 28.9...33.2V
Max. forward impulse current: 14.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: D-FLAT
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230U-7 DMN2230U.pdf
DMN2230U-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+13.13 грн
45+9.82 грн
100+8.72 грн
500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ.pdf
DMN2230UQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.47 грн
18+24.63 грн
50+17.10 грн
100+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UT-13 DMN2310UT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; 490mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 490mW
Case: SOT523
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-13
DMN2230UQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 7A; 600mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 7A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7 DMN2300U.pdf
DMN2300U-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.01A; Idm: 11A; 550mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.01A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 0.55W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UWQ-7 DMN2310UWQ.pdf
DMN2310UWQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 4.4A
Power dissipation: 0.55W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-7 DMN2310U.pdf
DMN2310U-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 680mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 4.8A
Power dissipation: 0.68W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UW-7 DMN2310UW.pdf
DMN2310UW-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 4.4A
Power dissipation: 0.55W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ16CA-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ16CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 17.8÷20.5V; 23.1A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 17.8...20.5V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.23 грн
31+13.71 грн
35+12.19 грн
100+8.30 грн
500+6.52 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ16CA-13-F SMCJ_ser.pdf
SMCJ16CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 17.8÷19.7V; 57.7A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 17.8...19.7V
Max. forward impulse current: 57.7A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP5724FDCG-7 AP5724.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LED drivers
Description: Driver; DC/DC converter,LED driver; 40mA; U-DFN2020-6; SMD
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: DC/DC converter; LED driver
Output current: 40mA
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Frequency: 1...1.4MHz
Topology: boost
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: PWM; soft-start function; UVLO (UnderVoltage LockOut)
Operating voltage: 2.7...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP3401KTTR-G1 AP3401x-DTE.pdf
AP3401KTTR-G1
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.5÷5.5VDC; Uout: 0.6÷5.5VDC; 1A; SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 2.5...5.5V DC
Output voltage: 0.6...5.5V DC
Output current: 1A
Case: TSOT26
Mounting: SMD
Frequency: 1.5MHz
Topology: buck
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Efficiency: 95%
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-7 DMN3401LDW.pdf
DMN3401LDW-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.79 грн
32+13.37 грн
100+8.10 грн
500+5.93 грн
1000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7 DMG3406L.pdf
DMG3406L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+23.70 грн
28+15.58 грн
50+10.68 грн
100+9.03 грн
500+6.29 грн
1000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-7 DMG3404L.pdf
DMG3404L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+30.08 грн
22+19.98 грн
27+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-13 DMG3406L.pdf
DMG3406L-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 121 242 363 484 605 726 847 968 1089 1182 1183 1184 1185 1186 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1210 1217  [ Наступна Сторінка >> ]