Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (72994) > Сторінка 1185 з 1217

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 121 242 363 484 605 726 847 968 1089 1180 1181 1182 1183 1184 1185 1186 1187 1188 1189 1190 1210 1217  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3025LFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3025LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.8A; Idm: 60A; 1.3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 60A
Drain current: 7.8A
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 11.6nC
On-state resistance: 28mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3027LFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3027LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; Idm: 70A; 3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 70A
Drain current: 7.7A
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 11.3nC
On-state resistance: 26.5mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-13 DIODES INCORPORATED DMN4008LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 15.4A; Idm: 90A; 2.3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 15.4A
Drain-source voltage: 40V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 74nC
On-state resistance: 20mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-13 DIODES INCORPORATED DMN4010LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.4A; Idm: 80A; 2.45W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 80A
Drain current: 11.4A
Drain-source voltage: 40V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 15mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.45W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN6069SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 25A; 2.4W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 4.5A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 63mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -95A; Idm: -180A; 2.4W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -180A
Drain current: -95A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±12V
Gate charge: 83nC
On-state resistance: 7mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-13 DIODES INCORPORATED DMP2005UFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -100A; 2.2W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -15A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 14mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.2W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -14A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 17mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-13 DIODES INCORPORATED DMP2007UFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -14.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±12V
Gate charge: 85nC
On-state resistance: 9mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13 DIODES INCORPORATED DMP2008UFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -11A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±8V
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 17mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-13 DIODES INCORPORATED DMP2010UFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -12.7A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-13 DIODES INCORPORATED DMP3007SFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -55A; Idm: -120A; 2.8W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -120A
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 64.2nC
On-state resistance: 13mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.8W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFG-13 DIODES INCORPORATED DMP3008SFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.3A; Idm: -80A; 2.2W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -9.3A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 25mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.2W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFG-13 DIODES INCORPORATED DMP3036SFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; Idm: -80A; 2.3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -25A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 29mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A; 2.1W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -11A
Drain-source voltage: -40V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 68.6nC
On-state resistance: 18mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.1W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4025SFG-13 DIODES INCORPORATED DMP4025SFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.77A; Idm: -80A; 1.95W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -5.77A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 1.95W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMS3014SFG-13 DIODES INCORPORATED DMS3014SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1.69W; SOT223
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 6A
Drain current: 2A
Drain-source voltage: 60V
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.69W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT32M5LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 350A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8008LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT8008LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 13A; Idm: 192A; 2.5W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 192A
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 37.7nC
On-state resistance: 10.4mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT8012LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 80A; 2.2W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 80A
Drain current: 7.6A
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 22mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.2W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 DIODES INCORPORATED ds31625.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Pulsed collector current: 5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CUQ-13 DIODES INCORPORATED MJD31CUQ.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 16W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 16W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Pulsed collector current: 5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13 DIODES INCORPORATED MJD31CQ.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Pulsed collector current: 5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP64060QWU-7 AP64060QWU-7 DIODES INCORPORATED AP64060Q_AP64060TQ_AP64060ZQ.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.5÷40VDC; Uout: 0.8÷26VDC; 0.6A; SMD
Application: automotive industry
Topology: buck
Type of integrated circuit: PMIC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: TSOT26
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.6A
Output voltage: 0.8...26V DC
Input voltage: 4.5...40V DC
Frequency: 2.2MHz
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.47 грн
18+23.87 грн
25+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ15CA-13-F SMAJ15CA-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 16.7÷18.5V; 16.4A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 16.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 17300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.23 грн
31+14.05 грн
35+12.11 грн
53+8.04 грн
100+6.86 грн
250+5.76 грн
500+5.16 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ15CAQ-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 16.7÷18.5V; 16.4A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 16.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B260S1F-7 B260S1F-7 DIODES INCORPORATED B260S1F.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 60V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 75pF
Max. forward voltage: 0.65V
Leakage current: 14mA
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.79 грн
24+18.12 грн
27+15.91 грн
100+9.65 грн
500+7.03 грн
1000+6.09 грн
3000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AL5819W6-7 DIODES INCORPORATED AL5819.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ6.0A-13-F SMCJ6.0A-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 6.67÷7.37V; 145.6A; unidirectional; SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 6V
Breakdown voltage: 6.67...7.37V
Max. forward impulse current: 145.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZT869TA DIODES INCORPORATED FZT869.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 7A; 3W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 7A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Pulsed collector current: 20A
Current gain: 40...450
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM2312AABADJ PAM2312AABADJ DIODES INCORPORATED PAM2312.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.5÷5.5VDC; 1A; TSOT25; SMD; 1.5MHz
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 2.5...5.5V DC
Output current: 1A
Case: TSOT25
Mounting: SMD
Frequency: 1.5MHz
Topology: buck
Operating temperature: -40...85°C
Efficiency: 96%
Kind of package: reel; tape
на замовлення 8770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.97 грн
28+15.58 грн
31+13.97 грн
36+12.02 грн
50+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PAM2305AABADJ PAM2305AABADJ DIODES INCORPORATED PAM2305.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.5÷5.5VDC; 1A; TSOT25; SMD; 1.5MHz
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 2.5...5.5V DC
Output current: 1A
Case: TSOT25
Mounting: SMD
Frequency: 1.5MHz
Topology: buck
Operating temperature: -40...85°C
Efficiency: 96%
Kind of package: reel; tape
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.91 грн
21+20.49 грн
25+18.79 грн
100+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP3428DNTR-G1 AP3428DNTR-G1 DIODES INCORPORATED AP3428_A.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.5÷5.5VDC; Uout: 0.6÷5.5VDC; 1A; SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 2.5...5.5V DC
Output voltage: 0.6...5.5V DC
Output current: 1A
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Efficiency: 95%
Frequency: 1.5MHz
Topology: buck
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+19.14 грн
28+15.58 грн
31+13.97 грн
36+11.77 грн
100+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP3401DNTR-G1 AP3401DNTR-G1 DIODES INCORPORATED AP3401x-DTE.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.5÷5.5VDC; Uout: 0.6÷5.5VDC; 1A; DFN6
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 2.5...5.5V DC
Output voltage: 0.6...5.5V DC
Output current: 1A
Case: DFN6
Mounting: SMD
Frequency: 1.5MHz
Topology: buck
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Efficiency: 95%
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.79 грн
26+16.76 грн
29+14.81 грн
35+12.27 грн
100+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF1504S-T DF1504S-T DIODES INCORPORATED DF15005S-DF1510S.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Case: DFS
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Kind of package: reel; tape
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.58 грн
12+35.38 грн
14+30.98 грн
100+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5401-7-F DMMT5401-7-F DIODES INCORPORATED DMMT5401.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.2A
Current gain: 30...250
Collector-emitter voltage: 150V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+227.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2502KTR-G1 AP2502KTR-G1 DIODES INCORPORATED AP2502.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; DC/DC switcher,LED driver; Uin: 2÷6VDC; TSOT23-6
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC switcher; LED driver
Input voltage: 2...6V DC
Case: TSOT23-6
Mounting: SMD
Frequency: 150kHz
Number of channels: 4
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: for LED applications
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.97 грн
27+15.75 грн
31+13.97 грн
36+12.02 грн
100+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AL5815W5-7 DIODES INCORPORATED AL5815-AL5816.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SOT25; 15mA; Ch: 1; 4.5÷60VDC
Case: SOT25
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 4.5...60V DC
Kind of integrated circuit: LED driver
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...105°C
Output current: 15mA
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGD0215WT-7 DIODES INCORPORATED DGD0215-0216.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; TSOT25; -1.8÷1.9A; Ch: 1
Case: TSOT25
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...18V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: inverting
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.8...1.9A
Pulse fall time: 25ns
Impulse rise time: 25ns
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G08QSE-7 DIODES INCORPORATED 74AHC1G08Q.pdf Category: Other logic integrated circuits
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G08QW5-7 DIODES INCORPORATED 74AHC1G08Q.pdf Category: Other logic integrated circuits
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS5140U-7 DIODES INCORPORATED ds31690.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 1A; 500mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.5W
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 160...800
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS5140V-7 DIODES INCORPORATED ds31658.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 1A; 600mW; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.6W
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 160...800
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7 DMP2008UFG-7 DIODES INCORPORATED DMP2008UFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W
Mounting: SMD
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7 DMP2004K-7 DIODES INCORPORATED DMP2004K.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.6A; 0.55W; SOT23; ESD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.6A
On-state resistance: 2Ω
Power dissipation: 0.55W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.23 грн
34+12.70 грн
50+8.75 грн
100+7.35 грн
500+5.00 грн
1000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13 DIODES INCORPORATED DMHT3006LFJ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
Case: V-DFN5045-12
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT10U60D1Q-13 DIODES INCORPORATED SBRT10U60D1Q.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252/DPAK; Trench SBR®; SMD; 60V; 10A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252/DPAK
Technology: Trench SBR®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.52V
Leakage current: 80µA
Max. forward impulse current: 140A
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS78L05MTR-G1 DIODES INCORPORATED AS78Lxx_Aug2013_DS.pdf Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 5V; 0.1A; SO8; SMD; AS78LXX
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 1.8V
Output voltage: 5V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±5%
Number of channels: 1
Input voltage: 7...20V
Manufacturer series: AS78LXX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS78L05MTR-E1 DIODES INCORPORATED AS78Lxx_Aug2013_DS.pdf Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 5V; 0.1A; SO8; SMD; AS78LXX
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 1.8V
Output voltage: 5V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±5%
Number of channels: 1
Input voltage: 7...20V
Manufacturer series: AS78LXX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DESD32VS2SO-7 DESD32VS2SO-7 DIODES INCORPORATED DESD32VS2SO.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 34V; unidirectional; SOT23; Ch: 2; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 34V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 32V
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 42pF
Application: automotive industry
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.85 грн
49+8.80 грн
100+8.21 грн
500+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10200CT-G1 DIODES INCORPORATED MBR10200C.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 5Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.95V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Leakage current: 15mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LV04AS14-13 DIODES INCORPORATED 74LV04A.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 6; CMOS; SMD; SO14; 2÷5.5VDC; -40÷150°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: inverter
Number of channels: 6
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...150°C
Kind of output: push-pull
Family: LV
Kind of package: reel; tape
Kind of input: with Schmitt trigger
Supply voltage: 2...5.5V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LV04AT14-13 DIODES INCORPORATED 74LV04A.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 6; CMOS; SMD; TSSOP14; 2÷5.5VDC; -40÷150°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: inverter
Number of channels: 6
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...150°C
Kind of output: push-pull
Family: LV
Kind of package: reel; tape
Kind of input: with Schmitt trigger
Supply voltage: 2...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH6021SPSQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 1.6W; PowerDI®5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 48A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Case: PowerDI®5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPD-13 DIODES INCORPORATED DMNH6021SPD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 25A; 1.5W; PowerDI®5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerDI®5060-8
Type of transistor: N-MOSFET x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPDQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH6021SPDQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 80A; 2.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.1nC
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 6.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPDW-13 DIODES INCORPORATED DMNH6021SPDW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 80A; 2.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.1nC
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 6.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H021SPSW-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.4W; PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 4.4W
Drain-source voltage: 100V
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4934-T 1N4934-T DIODES INCORPORATED 1N4934_37.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; 200ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 15pF
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.38 грн
87+4.91 грн
93+4.57 грн
131+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1508-F GBJ1508-F DIODES INCORPORATED GBJ15_ser.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 15A; Ifsm: 240A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 0.24kA
Electrical mounting: THT
Version: flat
Max. forward voltage: 1.05V
Leads: flat pin
Case: GBJ
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.39 грн
5+116.82 грн
10+105.81 грн
15+99.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFG-13 DMN3025LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.8A; Idm: 60A; 1.3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 60A
Drain current: 7.8A
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 11.6nC
On-state resistance: 28mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3027LFG-13 DMN3027LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; Idm: 70A; 3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 70A
Drain current: 7.7A
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 11.3nC
On-state resistance: 26.5mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-13 DMN4008LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 15.4A; Idm: 90A; 2.3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 15.4A
Drain-source voltage: 40V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 74nC
On-state resistance: 20mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-13 DMN4010LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.4A; Idm: 80A; 2.45W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 80A
Drain current: 11.4A
Drain-source voltage: 40V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 15mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.45W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFG-13 DMN6069SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 25A; 2.4W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 4.5A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 63mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -95A; Idm: -180A; 2.4W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -180A
Drain current: -95A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±12V
Gate charge: 83nC
On-state resistance: 7mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-13 DMP2005UFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -100A; 2.2W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -15A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 14mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.2W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -14A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 17mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-13 DMP2007UFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -14.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±12V
Gate charge: 85nC
On-state resistance: 9mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13 DMP2008UFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -11A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±8V
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 17mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-13 DMP2010UFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -12.7A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-13 DMP3007SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -55A; Idm: -120A; 2.8W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -120A
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 64.2nC
On-state resistance: 13mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.8W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFG-13 DMP3008SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.3A; Idm: -80A; 2.2W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -9.3A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 25mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.2W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFG-13 DMP3036SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; Idm: -80A; 2.3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -25A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 29mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013LFG-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A; 2.1W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -11A
Drain-source voltage: -40V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 68.6nC
On-state resistance: 18mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.1W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4025SFG-13 DMP4025SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.77A; Idm: -80A; 1.95W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -5.77A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 1.95W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMS3014SFG-13 DMS3014SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1.69W; SOT223
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 6A
Drain current: 2A
Drain-source voltage: 60V
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.69W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-13 DMT32M5LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 350A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8008LFG-13 DMT8008LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 13A; Idm: 192A; 2.5W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 192A
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 37.7nC
On-state resistance: 10.4mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LFG-13 DMT8012LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 80A; 2.2W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 80A
Drain current: 7.6A
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 22mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.2W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 ds31625.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Pulsed collector current: 5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CUQ-13 MJD31CUQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 16W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 16W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Pulsed collector current: 5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13 MJD31CQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Pulsed collector current: 5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP64060QWU-7 AP64060Q_AP64060TQ_AP64060ZQ.pdf
AP64060QWU-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.5÷40VDC; Uout: 0.8÷26VDC; 0.6A; SMD
Application: automotive industry
Topology: buck
Type of integrated circuit: PMIC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: TSOT26
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.6A
Output voltage: 0.8...26V DC
Input voltage: 4.5...40V DC
Frequency: 2.2MHz
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.47 грн
18+23.87 грн
25+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ15CA-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ15CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 16.7÷18.5V; 16.4A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 16.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 17300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.23 грн
31+14.05 грн
35+12.11 грн
53+8.04 грн
100+6.86 грн
250+5.76 грн
500+5.16 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ15CAQ-13-F SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 16.7÷18.5V; 16.4A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 16.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B260S1F-7 B260S1F.pdf
B260S1F-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 60V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 75pF
Max. forward voltage: 0.65V
Leakage current: 14mA
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.79 грн
24+18.12 грн
27+15.91 грн
100+9.65 грн
500+7.03 грн
1000+6.09 грн
3000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AL5819W6-7 AL5819.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LED drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ6.0A-13-F SMCJ_ser.pdf
SMCJ6.0A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 6.67÷7.37V; 145.6A; unidirectional; SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 6V
Breakdown voltage: 6.67...7.37V
Max. forward impulse current: 145.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZT869TA FZT869.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 7A; 3W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 7A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Pulsed collector current: 20A
Current gain: 40...450
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM2312AABADJ PAM2312.pdf
PAM2312AABADJ
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.5÷5.5VDC; 1A; TSOT25; SMD; 1.5MHz
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 2.5...5.5V DC
Output current: 1A
Case: TSOT25
Mounting: SMD
Frequency: 1.5MHz
Topology: buck
Operating temperature: -40...85°C
Efficiency: 96%
Kind of package: reel; tape
на замовлення 8770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.97 грн
28+15.58 грн
31+13.97 грн
36+12.02 грн
50+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PAM2305AABADJ PAM2305.pdf
PAM2305AABADJ
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.5÷5.5VDC; 1A; TSOT25; SMD; 1.5MHz
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 2.5...5.5V DC
Output current: 1A
Case: TSOT25
Mounting: SMD
Frequency: 1.5MHz
Topology: buck
Operating temperature: -40...85°C
Efficiency: 96%
Kind of package: reel; tape
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+31.91 грн
21+20.49 грн
25+18.79 грн
100+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP3428DNTR-G1 AP3428_A.pdf
AP3428DNTR-G1
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.5÷5.5VDC; Uout: 0.6÷5.5VDC; 1A; SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 2.5...5.5V DC
Output voltage: 0.6...5.5V DC
Output current: 1A
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Efficiency: 95%
Frequency: 1.5MHz
Topology: buck
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+19.14 грн
28+15.58 грн
31+13.97 грн
36+11.77 грн
100+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP3401DNTR-G1 AP3401x-DTE.pdf
AP3401DNTR-G1
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.5÷5.5VDC; Uout: 0.6÷5.5VDC; 1A; DFN6
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 2.5...5.5V DC
Output voltage: 0.6...5.5V DC
Output current: 1A
Case: DFN6
Mounting: SMD
Frequency: 1.5MHz
Topology: buck
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Efficiency: 95%
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.79 грн
26+16.76 грн
29+14.81 грн
35+12.27 грн
100+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF1504S-T DF15005S-DF1510S.pdf
DF1504S-T
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Case: DFS
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Kind of package: reel; tape
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.58 грн
12+35.38 грн
14+30.98 грн
100+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5401-7-F DMMT5401.pdf
DMMT5401-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.2A
Current gain: 30...250
Collector-emitter voltage: 150V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2502KTR-G1 AP2502.pdf
AP2502KTR-G1
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; DC/DC switcher,LED driver; Uin: 2÷6VDC; TSOT23-6
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC switcher; LED driver
Input voltage: 2...6V DC
Case: TSOT23-6
Mounting: SMD
Frequency: 150kHz
Number of channels: 4
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: for LED applications
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.97 грн
27+15.75 грн
31+13.97 грн
36+12.02 грн
100+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AL5815W5-7 AL5815-AL5816.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SOT25; 15mA; Ch: 1; 4.5÷60VDC
Case: SOT25
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 4.5...60V DC
Kind of integrated circuit: LED driver
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...105°C
Output current: 15mA
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGD0215WT-7 DGD0215-0216.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; TSOT25; -1.8÷1.9A; Ch: 1
Case: TSOT25
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...18V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: inverting
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.8...1.9A
Pulse fall time: 25ns
Impulse rise time: 25ns
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G08QSE-7 74AHC1G08Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Other logic integrated circuits
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G08QW5-7 74AHC1G08Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Other logic integrated circuits
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS5140U-7 ds31690.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 1A; 500mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.5W
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 160...800
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS5140V-7 ds31658.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 1A; 600mW; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.6W
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 160...800
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7 DMP2008UFG.pdf
DMP2008UFG-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W
Mounting: SMD
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7 DMP2004K.pdf
DMP2004K-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.6A; 0.55W; SOT23; ESD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.6A
On-state resistance: 2Ω
Power dissipation: 0.55W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.23 грн
34+12.70 грн
50+8.75 грн
100+7.35 грн
500+5.00 грн
1000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13 DMHT3006LFJ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
Case: V-DFN5045-12
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT10U60D1Q-13 SBRT10U60D1Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252/DPAK; Trench SBR®; SMD; 60V; 10A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252/DPAK
Technology: Trench SBR®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.52V
Leakage current: 80µA
Max. forward impulse current: 140A
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS78L05MTR-G1 AS78Lxx_Aug2013_DS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 5V; 0.1A; SO8; SMD; AS78LXX
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 1.8V
Output voltage: 5V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±5%
Number of channels: 1
Input voltage: 7...20V
Manufacturer series: AS78LXX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS78L05MTR-E1 AS78Lxx_Aug2013_DS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 5V; 0.1A; SO8; SMD; AS78LXX
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 1.8V
Output voltage: 5V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±5%
Number of channels: 1
Input voltage: 7...20V
Manufacturer series: AS78LXX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DESD32VS2SO-7 DESD32VS2SO.pdf
DESD32VS2SO-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 34V; unidirectional; SOT23; Ch: 2; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 34V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 32V
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 42pF
Application: automotive industry
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.85 грн
49+8.80 грн
100+8.21 грн
500+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10200CT-G1 MBR10200C.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 5Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.95V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Leakage current: 15mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LV04AS14-13 74LV04A.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 6; CMOS; SMD; SO14; 2÷5.5VDC; -40÷150°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: inverter
Number of channels: 6
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...150°C
Kind of output: push-pull
Family: LV
Kind of package: reel; tape
Kind of input: with Schmitt trigger
Supply voltage: 2...5.5V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LV04AT14-13 74LV04A.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 6; CMOS; SMD; TSSOP14; 2÷5.5VDC; -40÷150°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: inverter
Number of channels: 6
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...150°C
Kind of output: push-pull
Family: LV
Kind of package: reel; tape
Kind of input: with Schmitt trigger
Supply voltage: 2...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13 DMNH6021SPSQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 1.6W; PowerDI®5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 48A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Case: PowerDI®5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPD-13 DMNH6021SPD.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 25A; 1.5W; PowerDI®5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerDI®5060-8
Type of transistor: N-MOSFET x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPDQ-13 DMNH6021SPDQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 80A; 2.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.1nC
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 6.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPDW-13 DMNH6021SPDW.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 80A; 2.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.1nC
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 6.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H021SPSW-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.4W; PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 4.4W
Drain-source voltage: 100V
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4934-T 1N4934_37.pdf
1N4934-T
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; 200ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 15pF
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.38 грн
87+4.91 грн
93+4.57 грн
131+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1508-F GBJ15_ser.pdf
GBJ1508-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 15A; Ifsm: 240A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 0.24kA
Electrical mounting: THT
Version: flat
Max. forward voltage: 1.05V
Leads: flat pin
Case: GBJ
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.39 грн
5+116.82 грн
10+105.81 грн
15+99.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 121 242 363 484 605 726 847 968 1089 1180 1181 1182 1183 1184 1185 1186 1187 1188 1189 1190 1210 1217  [ Наступна Сторінка >> ]