Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5819) > Сторінка 25 з 97

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 36 45 54 63 72 81 90 97  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MBRT40045RL MBRT40045RL GeneSiC Semiconductor mbrt40045(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT500150 MBRT500150 GeneSiC Semiconductor mbrt500150.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 250A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT500150R MBRT500150R GeneSiC Semiconductor mbrt500150.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 250A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT500200 MBRT500200 GeneSiC Semiconductor mbrt500150.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 250A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT500200R MBRT500200R GeneSiC Semiconductor mbrt500150.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 250A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT600150 MBRT600150 GeneSiC Semiconductor mbrt600150.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT600150R MBRT600150R GeneSiC Semiconductor mbrt600150.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT600200 MBRT600200 GeneSiC Semiconductor mbrt600150.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT600200R MBRT600200R GeneSiC Semiconductor mbrt600150.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60020L MBRT60020L GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60020RL MBRT60020RL GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60030L MBRT60030L GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60030RL MBRT60030RL GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60035L MBRT60035L GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60035RL MBRT60035RL GeneSiC Semiconductor mbrt60035(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60040L MBRT60040L GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60040RL MBRT60040RL GeneSiC Semiconductor mbrt60040(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60045L MBRT60045L GeneSiC Semiconductor mbrt60045(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60045RL MBRT60045RL GeneSiC Semiconductor mbrt60045(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100100(A)D MSRT100100(A)D GeneSiC Semiconductor msrt10060(a)d_thru_msrt100100(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100120(A)D MSRT100120(A)D GeneSiC Semiconductor msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100140(A)D MSRT100140(A)D GeneSiC Semiconductor msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100160(A)D MSRT100160(A)D GeneSiC Semiconductor msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT10060(A)D MSRT10060(A)D GeneSiC Semiconductor msrt10060(a)d_thru_msrt100100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT10080(A)D MSRT10080(A)D GeneSiC Semiconductor msrt100100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150100(A)D MSRT150100(A)D GeneSiC Semiconductor msrt15060(a)d_thru_msrt150100(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150120(A)D MSRT150120(A)D GeneSiC Semiconductor msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150140(A)D MSRT150140(A)D GeneSiC Semiconductor msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.4KV 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150160(A)D MSRT150160(A)D GeneSiC Semiconductor msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.6KV 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15060(A)D MSRT15060(A)D GeneSiC Semiconductor msrt150100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080(A)D MSRT15080(A)D GeneSiC Semiconductor msrt15060(a)d_thru_msrt150100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100(A)D MSRT200100(A)D GeneSiC Semiconductor msrt20060(a)d_thru_msrt200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120(A)D MSRT200120(A)D GeneSiC Semiconductor msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200140(A)D MSRT200140(A)D GeneSiC Semiconductor msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200160(A)D MSRT200160(A)D GeneSiC Semiconductor msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20060(A)D MSRT20060(A)D GeneSiC Semiconductor msrt200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20080(A)D MSRT20080(A)D GeneSiC Semiconductor msrt20060(a)d_thru_msrt200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200100(A)D MSRTA200100(A)D GeneSiC Semiconductor msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200120(A)D MSRTA200120(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200140(A)D MSRTA200140(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200160(A)D MSRTA200160(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA20060(A)D MSRTA20060(A)D GeneSiC Semiconductor msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA20080(A)D MSRTA20080(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA30060(A)D MSRTA30060(A)D GeneSiC Semiconductor msrta30060(a)d_thru_msrta300100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA30080(A)D MSRTA30080(A)D GeneSiC Semiconductor www.genesicsemi.com Description: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X030A04 MUR2X030A04 GeneSiC Semiconductor mur2x030a04.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X060A10 MUR2X060A10 GeneSiC Semiconductor mur2x060a10.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X060A12 MUR2X060A12 GeneSiC Semiconductor mur2x060a12.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X100A06 MUR2X100A06 GeneSiC Semiconductor mur2x100a06.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X100A10 MUR2X100A10 GeneSiC Semiconductor mur2x100a10.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X100A12 MUR2X100A12 GeneSiC Semiconductor mur2x100a12.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X120A02 MUR2X120A02 GeneSiC Semiconductor mur2x120a02.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X120A04 MUR2X120A04 GeneSiC Semiconductor mur2x120a04.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X120A06 MUR2X120A06 GeneSiC Semiconductor mur2x120a06.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X120A10 MUR2X120A10 GeneSiC Semiconductor mur2x120a10.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X120A12 MUR2X120A12 GeneSiC Semiconductor mur2x120a12.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURTA200120 MURTA200120 GeneSiC Semiconductor murta200120.pdf Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURTA200120R MURTA200120R GeneSiC Semiconductor murta200120.pdf Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURTA20020 MURTA20020 GeneSiC Semiconductor murta20020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURTA20020R MURTA20020R GeneSiC Semiconductor murta20020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT40045RL mbrt40045(r)l.pdf
MBRT40045RL
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT500150 mbrt500150.pdf
MBRT500150
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 250A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT500150R mbrt500150.pdf
MBRT500150R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 250A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT500200 mbrt500150.pdf
MBRT500200
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 250A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT500200R mbrt500150.pdf
MBRT500200R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 250A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT600150 mbrt600150.pdf
MBRT600150
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT600150R mbrt600150.pdf
MBRT600150R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT600200 mbrt600150.pdf
MBRT600200
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT600200R mbrt600150.pdf
MBRT600200R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60020L
MBRT60020L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60020RL
MBRT60020RL
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60030L
MBRT60030L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60030RL
MBRT60030RL
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60035L
MBRT60035L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60035RL mbrt60035(r)l.pdf
MBRT60035RL
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60040L
MBRT60040L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60040RL mbrt60040(r)l.pdf
MBRT60040RL
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60045L mbrt60045(r)l.pdf
MBRT60045L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT60045RL mbrt60045(r)l.pdf
MBRT60045RL
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100100(A)D msrt10060(a)d_thru_msrt100100(a)d.pdf
MSRT100100(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100120(A)D msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf
MSRT100120(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100140(A)D msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf
MSRT100140(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100160(A)D msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf
MSRT100160(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT10060(A)D msrt10060(a)d_thru_msrt100100(a)d.pdf
MSRT10060(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT10080(A)D msrt100100(a)d.pdf
MSRT10080(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150100(A)D msrt15060(a)d_thru_msrt150100(a)d.pdf
MSRT150100(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150120(A)D msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf
MSRT150120(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150140(A)D msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf
MSRT150140(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150160(A)D msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf
MSRT150160(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15060(A)D msrt150100(a)d.pdf
MSRT15060(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080(A)D msrt15060(a)d_thru_msrt150100(a)d.pdf
MSRT15080(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100(A)D msrt20060(a)d_thru_msrt200100(a)d.pdf
MSRT200100(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120(A)D msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf
MSRT200120(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200140(A)D msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf
MSRT200140(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200160(A)D msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf
MSRT200160(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20060(A)D msrt200100(a)d.pdf
MSRT20060(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20080(A)D msrt20060(a)d_thru_msrt200100(a)d.pdf
MSRT20080(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200100(A)D msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf
MSRTA200100(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200120(A)D msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf
MSRTA200120(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200140(A)D msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf
MSRTA200140(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200160(A)D msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf
MSRTA200160(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA20060(A)D msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf
MSRTA20060(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA20080(A)D msrta200100(a)d.pdf
MSRTA20080(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA30060(A)D msrta30060(a)d_thru_msrta300100(a)d.pdf
MSRTA30060(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA30080(A)D www.genesicsemi.com
MSRTA30080(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X030A04 mur2x030a04.pdf
MUR2X030A04
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X060A10 mur2x060a10.pdf
MUR2X060A10
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X060A12 mur2x060a12.pdf
MUR2X060A12
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X100A06 mur2x100a06.pdf
MUR2X100A06
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X100A10 mur2x100a10.pdf
MUR2X100A10
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X100A12 mur2x100a12.pdf
MUR2X100A12
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X120A02 mur2x120a02.pdf
MUR2X120A02
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X120A04 mur2x120a04.pdf
MUR2X120A04
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X120A06 mur2x120a06.pdf
MUR2X120A06
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X120A10 mur2x120a10.pdf
MUR2X120A10
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X120A12 mur2x120a12.pdf
MUR2X120A12
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURTA200120 murta200120.pdf
MURTA200120
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURTA200120R murta200120.pdf
MURTA200120R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURTA20020 murta20020.pdf
MURTA20020
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURTA20020R murta20020.pdf
MURTA20020R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 36 45 54 63 72 81 90 97  [ Наступна Сторінка >> ]