Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149886) > Сторінка 1254 з 2499
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSZ025N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 2.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSZ028N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 52W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BSZ035N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSZ035N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSZ036NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSZ040N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1952 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
BSZ042N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSZ0506NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSZ050N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 50W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSZ050N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BSZ058N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSZ065N03LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSZ067N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSZ068N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSZ075N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSZ084N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Drain current: 40A Power dissipation: 63W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSZ086P03NS3EGATMA | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Drain current: -40A Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 8.6mΩ кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSZ086P03NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Drain current: -40A Power dissipation: 52W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 8.6mΩ кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSZ088N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Drain current: 40A Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSZ088N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Drain current: 40A Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSZ0901NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Case: PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain current: 40A Mounting: SMD On-state resistance: 2mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSZ0901NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Case: PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain current: 40A Mounting: SMD On-state resistance: 2.1mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BSZ0902NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSZ0902NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSZ0909NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 32A; 25W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 34V Drain current: 32A Power dissipation: 25W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BSZ096N10LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSZ097N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 9.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4919 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
BSZ097N10NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSZ0994NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSZ100N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 36A Power dissipation: 30W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSZ100N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Power dissipation: 30W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSZ100N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Power dissipation: 50W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSZ100N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Power dissipation: 36W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSZ105N04NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 29A Power dissipation: 35W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 13nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BSZ110N06NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSZ110N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BSZ120P03NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSZ123N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8 On-state resistance: 12.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 66W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BSZ12DN20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSZ130N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A Power dissipation: 25W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSZ130N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 31A Power dissipation: 25W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BSZ150N10LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSZ15DC02KDHXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 5.1/-3.2A Power dissipation: 2.5W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 63/164mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BSZ160N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSZ16DN25NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSZ180P03NS3EGATMA | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -39.6A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: PG-TSDSON-8 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSZ180P03NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -39.6A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: PG-TSDSON-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BSZ22DN20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSZ240N12NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 37A; 66W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 66W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 120V Drain current: 37A On-state resistance: 24mΩ кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BSZ340N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSZ42DN25NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSZ440N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 29W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5899 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
BSZ520N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSZ900N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; 38W; PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 150V Drain current: 13A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3058 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BSZ900N20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 200V Drain current: 15.2A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 62.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
BTF3035EJXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BTF3050EJXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BTF3080EJXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
BSZ025N04LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ028N04LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ034N04LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ035N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ035N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSZ035N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ035N03MSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ035N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
BSZ035N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ036NE2LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ036NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
BSZ036NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ040N04LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 91.88 грн |
10+ | 73.45 грн |
22+ | 49.81 грн |
60+ | 47.06 грн |
500+ | 45.32 грн |
BSZ042N06NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ042N06NSATMA1 SMD N channel transistors
BSZ042N06NSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ0506NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0506NSATMA1 SMD N channel transistors
BSZ0506NSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ050N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ050N03MSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ058N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ058N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSZ058N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ065N03LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ065N03LSATMA1 SMD N channel transistors
BSZ065N03LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ067N06LS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ068N06NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ068N06NSATMA1 SMD N channel transistors
BSZ068N06NSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ075N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSZ075N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ084N08NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ086P03NS3EGATMA |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ088N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ088N03MSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ0901NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ0901NSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.1mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.1mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ0902NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0902NSATMA1 SMD N channel transistors
BSZ0902NSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ0902NSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0902NSIATMA1 SMD N channel transistors
BSZ0902NSIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ0909NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 32A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 32A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ096N10LS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ096N10LS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSZ096N10LS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ097N04LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 83.98 грн |
10+ | 54.02 грн |
25+ | 43.67 грн |
35+ | 31.56 грн |
94+ | 29.82 грн |
BSZ097N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ097N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSZ097N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ0994NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0994NS SMD N channel transistors
BSZ0994NS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ099N06LS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ099N06LS5 SMD N channel transistors
BSZ099N06LS5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ100N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ100N03MSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ100N06LS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ100N06NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ105N04NSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 29A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 29A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ110N06NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ120P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
BSZ120P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ12DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ12DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ130N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ130N03MSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ150N10LS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ150N10LS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 5.1/-3.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 63/164mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 5.1/-3.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 63/164mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ160N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ160N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ16DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ16DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ180P03NS3EGATMA |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ240N12NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 37A; 66W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 37A
On-state resistance: 24mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 37A; 66W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 37A
On-state resistance: 24mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ340N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ340N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ42DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ42DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ440N10NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 127.45 грн |
5+ | 70.12 грн |
24+ | 45.41 грн |
66+ | 42.93 грн |
1000+ | 42.38 грн |
BSZ520N15NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ520N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ520N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; 38W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; 38W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 98.80 грн |
5+ | 74.31 грн |
24+ | 45.96 грн |
65+ | 43.48 грн |
500+ | 41.74 грн |
BSZ900N20NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 15.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 15.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 132.39 грн |
10+ | 105.75 грн |
13+ | 84.40 грн |
35+ | 79.81 грн |
250+ | 78.90 грн |
500+ | 77.06 грн |
BTF3035EJXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTF3035EJXUMA1 Power switches - integrated circuits
BTF3035EJXUMA1 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BTF3050EJXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTF3050EJXUMA1 Power switches - integrated circuits
BTF3050EJXUMA1 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BTF3080EJXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTF3080EJXUMA1 Power switches - integrated circuits
BTF3080EJXUMA1 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.