Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148587) > Сторінка 1282 з 2477
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF7424TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF7425TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -15A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1106 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF7451PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 3.6A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF7451TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 3.6A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRF7452TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF7455TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRF7456TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 16A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRF7457TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF7458TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF7463TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRF7465TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 1.9A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Power dissipation: 2.5W кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRF7469TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF7470TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRF7476TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 15A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 15A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF7493TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 9.2A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF7495TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRF7501TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF7503TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF7504TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF7506TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF7507TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF7509TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRF7530TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.4A; 1.3W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.4A Power dissipation: 1.3W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRF7601TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF7606TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF7607TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF7665S2TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRF7726TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.79W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Power dissipation: 1.79W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF7739L1TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 125W Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF7739L2TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 125W Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF7748L1TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 28A; 3.3W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 28A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 1.7mΩ Power dissipation: 3.3W Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRF7749L1TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRF7749L2TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 33A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 125W Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF7759L2TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 26A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 26A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Power dissipation: 125W Gate charge: 200nC Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRF7769L1TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRF7769L2TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 124A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 124A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 125W Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF7779L2TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 67A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 67A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 125W Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF7805TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Drain current: 13A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF7805ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Drain current: 16A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRF7807VTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF7807ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF7809AVTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF7811AVTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF7815TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRF7821TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13.6A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Power dissipation: 2.5W кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF7831TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF7832TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 624 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRF7834TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRF7842TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 18A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3369 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF7853TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRF7854TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRF7855TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF7862TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRF7904TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF7907TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF7910TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRF7946TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 198A; 96W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 198A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 96W Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 4800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF8010PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 260W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 81nC On-state resistance: 15mΩ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 479 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF8010STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 260W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF8113TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.8A; Idm: 135A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13.8A Pulsed drain current: 135A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRF7424TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7425TRPBF |
![]() ![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 124.78 грн |
10+ | 90.72 грн |
18+ | 59.77 грн |
50+ | 57.02 грн |
1000+ | 55.18 грн |
IRF7451PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7451TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7452TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7452TRPBF SMD N channel transistors
IRF7452TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7455TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7455TRPBF SMD N channel transistors
IRF7455TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7456TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7457TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7457TRPBF SMD N channel transistors
IRF7457TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7458TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7458TRPBF SMD N channel transistors
IRF7458TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7463TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7463TRPBF SMD N channel transistors
IRF7463TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7465TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.9A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.9A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7469TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7469TRPBF SMD N channel transistors
IRF7469TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7470TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7470TRPBF SMD N channel transistors
IRF7470TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7476TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7493TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 9.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 9.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7495TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7501TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7501TRPBF Multi channel transistors
IRF7501TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7503TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7503TRPBF Multi channel transistors
IRF7503TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7504TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7504TRPBF Multi channel transistors
IRF7504TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7506TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7506TRPBF Multi channel transistors
IRF7506TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7507TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7507TRPBF Multi channel transistors
IRF7507TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7509TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7509TRPBF Multi channel transistors
IRF7509TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7530TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.4A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.4A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7601TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7601TRPBF SMD N channel transistors
IRF7601TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7606TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7606TRPBF SMD P channel transistors
IRF7606TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7607TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7607TRPBF SMD N channel transistors
IRF7607TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7665S2TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7665S2TRPBF SMD N channel transistors
IRF7665S2TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7726TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.79W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.79W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.79W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.79W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7739L1TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7739L2TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7748L1TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 28A; 3.3W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 28A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.7mΩ
Power dissipation: 3.3W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 28A; 3.3W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 28A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.7mΩ
Power dissipation: 3.3W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7749L1TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7749L1TRPBF SMD N channel transistors
IRF7749L1TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7749L2TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7759L2TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 26A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 26A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 125W
Gate charge: 200nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 26A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 26A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 125W
Gate charge: 200nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7769L1TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7769L1TRPBF SMD N channel transistors
IRF7769L1TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7769L2TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 124A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 124A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 124A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 124A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7779L2TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 67A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 67A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 67A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 67A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7805TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 13A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 13A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7805ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7807VTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7807VTRPBF SMD N channel transistors
IRF7807VTRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7807ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7807ZTRPBF SMD N channel transistors
IRF7807ZTRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7809AVTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7809AVTRPBF SMD N channel transistors
IRF7809AVTRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7811AVTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7811AVTRPBF SMD N channel transistors
IRF7811AVTRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7815TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7815TRPBF SMD N channel transistors
IRF7815TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7821TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7831TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7832TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 624 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.98 грн |
10+ | 83.94 грн |
21+ | 53.06 грн |
56+ | 50.21 грн |
500+ | 49.84 грн |
1000+ | 48.19 грн |
IRF7834TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7834TRPBF SMD N channel transistors
IRF7834TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7842TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 132.71 грн |
10+ | 90.82 грн |
20+ | 57.57 грн |
53+ | 54.44 грн |
500+ | 52.33 грн |
IRF7853TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 130.72 грн |
10+ | 85.76 грн |
27+ | 41.66 грн |
73+ | 39.36 грн |
2000+ | 37.89 грн |
IRF7854TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7854TRPBF SMD N channel transistors
IRF7854TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7855TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7862TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7904TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7904TRPBF Multi channel transistors
IRF7904TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7907TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7907TRPBF Multi channel transistors
IRF7907TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7910TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7910TRPBF Multi channel transistors
IRF7910TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7946TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 198A; 96W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 198A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 96W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 198A; 96W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 198A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 96W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF8010PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 141.62 грн |
10+ | 99.32 грн |
18+ | 64.37 грн |
47+ | 60.69 грн |
IRF8010STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF8113TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.8A; Idm: 135A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.8A; Idm: 135A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.