Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148878) > Сторінка 1281 з 2482
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRS2101SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -600...290mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 230ns Turn-off time: 185ns Part status: Not recommended for new designs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 109 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS2104SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -600...290mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 750ns Turn-off time: 185ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 114 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS21064PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP14 Output current: -600...290mA Power: 1.6W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 320ns Turn-off time: 235ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS2108SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -600...290mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 320ns Turn-off time: 235ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS21094PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP14 Output current: -600...290mA Power: 1.6W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 850ns Turn-off time: 235ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS2110SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16 Mounting: SMD Case: SO16 Operating temperature: -40...125°C Output current: -2...2A Turn-off time: 137ns Turn-on time: 155ns Number of channels: 2 Power: 1.25W Supply voltage: 10...20V DC Voltage class: 500V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: MOSFET half-bridge Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS21531DSTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -260...180mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10.1...16.8V DC Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-off time: 50ns Turn-on time: 0.12µs Power: 625mW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1554 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS2153DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP8 Output current: -260...180mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10.1...16.8V DC Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-off time: 50ns Turn-on time: 0.12µs Power: 1W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS2153DSPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -260...180mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10.1...16.8V DC Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-off time: 50ns Turn-on time: 0.12µs Power: 625mW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 108 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS21844STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO14 Output current: -2.3...1.9A Power: 1W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 720ns Turn-off time: 290ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2402 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS2184STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -2.3...1.9A Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 720ns Turn-off time: 290ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS21867STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-off time: 188ns Turn-on time: 192ns Power: 625mW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1589 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS2186STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-off time: 188ns Turn-on time: 192ns Power: 625mW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1352 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS2304SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -600...290mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-off time: 185ns Turn-on time: 220ns Power: 625mW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRS2453DSTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRS2453DSTRPBF MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 2442 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRS25401PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LED driversDescription: IC: driver; buck; high-/low-side,LED driver; DIP8; -700÷500mA; 1W Type of integrated circuit: driver Topology: buck Kind of integrated circuit: high-/low-side; LED driver Case: DIP8 Output current: -700...500mA Number of channels: 2 Mounting: THT Operating temperature: -25...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 8...16.6V DC Voltage class: 200V Turn-off time: 180ns Turn-on time: 320ns Power: 1W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS44273LTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; SOT23-5 Type of integrated circuit: driver Topology: single transistor Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SOT23-5 Output current: -1.5...1.5A Power: 0.25W Number of channels: 1 Supply voltage: 9.2...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Turn-on time: 50ns Turn-off time: 50ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1363 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ISP452 | INFINEON TECHNOLOGIES | ISP452 Power switches - integrated circuits |
на замовлення 205 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ISP742RI | INFINEON TECHNOLOGIES |
ISP742RI Power switches - integrated circuits |
на замовлення 1379 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ISP752R | INFINEON TECHNOLOGIES | ISP752R Power switches - integrated circuits |
на замовлення 2656 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ISP752T | INFINEON TECHNOLOGIES | ISP752T Power switches - integrated circuits |
на замовлення 1657 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ISP772T | INFINEON TECHNOLOGIES |
ISP772T Power switches - integrated circuits |
на замовлення 1222 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ITS4140N | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.2A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223-4 Supply voltage: 4.9...60V DC Technology: Industrial PROFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3002 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ITS4141NHUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.7A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223 On-state resistance: 0.2Ω Kind of package: reel; tape Supply voltage: 12...45V DC Technology: Industrial PROFET Operating temperature: -30...85°C Power dissipation: 1.4W Turn-on time: 150µs Turn-off time: 0.1ms кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 876 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ITS4142N | INFINEON TECHNOLOGIES | ITS4142N Power switches - integrated circuits |
на замовлення 3151 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ITS428L2ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
ITS428L2 Power switches - integrated circuits |
на замовлення 1468 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ITS5215L | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 3.7A Number of channels: 2 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: BSOP12 On-state resistance: 70mΩ Supply voltage: 5.5...40V DC Technology: Industrial PROFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1335 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ITS711L1 | INFINEON TECHNOLOGIES | ITS711L1 Power switches - integrated circuits |
на замовлення 207 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ITS716G | INFINEON TECHNOLOGIES | ITS716G Power switches - integrated circuits |
на замовлення 911 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KP236-PS2GO-KIT | INFINEON TECHNOLOGIES | KP236-PS2GO-KIT Development kits - others |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PVDZ172NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 1.5A Mounting: THT Case: DIP8 Operating temperature: -40...85°C Type of relay: solid state Switched voltage: 0...60V DC Release time: 0.5ms Operate time: 2ms Control current: 5...25mA On-state resistance: 0.25Ω Max. operating current: 1.5A Control voltage: 1.2V DC Contacts configuration: SPST-NO Manufacturer series: PVDZ172NPbF Relay variant: MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PVG612 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO Control current: 5...25mA Max. operating current: 2.4A Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC Manufacturer series: PVG612 Relay variant: MOSFET On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Case: DIP6 Operate time: 2ms Release time: 0.5ms Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 902 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PVG612ASPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 4A Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO Control current: 5...25mA Max. operating current: 4A Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC Manufacturer series: PVG612 Relay variant: MOSFET On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMT Case: DIP6 Operate time: 3.5ms Release time: 0.5ms Operating temperature: -40...85°C Control voltage: 1.2V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 183 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PVG612S | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO Control current: 5...25mA Max. operating current: 2.4A Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC Manufacturer series: PVG612 Relay variant: MOSFET On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMT Case: DIP6 Operate time: 2ms Release time: 0.5ms Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 436 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PVI5013RSPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
PVI5013RSPBF Optocouplers - others |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PVI5033RSPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Optocouplers - othersDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 2 Kind of output: photodiode Insulation voltage: 3.75kV Case: Gull wing 8 Turn-on time: 2.5ms Turn-off time: 5ms Manufacturer series: PVI5033RPbF кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
PVT422SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 2÷25mA; 350mA Type of relay: solid state Contacts configuration: DPST-NO Control voltage: 1.2V DC Control current: 2...25mA Max. operating current: 350mA Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC Manufacturer series: PVT422PbF Relay variant: MOSFET On-state resistance: 35Ω Mounting: SMT Case: DIP8 Operate time: 2ms Release time: 0.5ms Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S25FL128SAGNFV001 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8 Type of integrated circuit: FLASH memory Case: WSON8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of package: tube Operating voltage: 2.7...3.6V Memory: 128Mb FLASH Interface: QUAD SPI Operating frequency: 133MHz Kind of memory: NOR Kind of interface: serial кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 66 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4435DYTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.4A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2438 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SMBD914E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
SMBD914E6327HTSA1 SMD universal diodes |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SMBT2222AE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 409 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SMBT3904SH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
SMBT3904SH6327 NPN SMD transistors |
на замовлення 63 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SMBT3906E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
SMBT3906E6327 PNP SMD transistors |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SMBTA42E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 70MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 78 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SMBTA92E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
SMBTA92E6327 PNP SMD transistors |
на замовлення 160 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SN7002NH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
SN7002NH6327XTSA2 SMD N channel transistors |
на замовлення 7790 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SN7002NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23 Power dissipation: 0.36W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain current: 0.16A On-state resistance: 5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4937 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SN7002WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2027 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPA06N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 39W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPA07N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 32W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 145 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPA08N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 40W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPA11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 481 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPA15N60C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220 FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPA17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 42W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPA20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.1A Power dissipation: 34.5W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPB17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 227W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 275 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPB20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.7A Power dissipation: 208W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 763 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SPB80P06PGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
SPB80P06PGATMA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 204 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SPD09P06PLGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
SPD09P06PLGBTMA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SPD15P10PLGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
SPD15P10PLGBTMA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2149 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| IRS2101SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 230ns
Turn-off time: 185ns
Part status: Not recommended for new designs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 230ns
Turn-off time: 185ns
Part status: Not recommended for new designs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.19 грн |
| 5+ | 72.90 грн |
| 10+ | 56.36 грн |
| 95+ | 52.40 грн |
| IRS2104SPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 185ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 185ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 114 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.84 грн |
| 5+ | 117.05 грн |
| 25+ | 98.88 грн |
| 95+ | 89.98 грн |
| IRS21064PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 317.32 грн |
| 3+ | 270.05 грн |
| 10+ | 250.16 грн |
| IRS2108SPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.11 грн |
| IRS21094PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 850ns
Turn-off time: 235ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 850ns
Turn-off time: 235ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.87 грн |
| IRS2110SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Mounting: SMD
Case: SO16
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Turn-off time: 137ns
Turn-on time: 155ns
Number of channels: 2
Power: 1.25W
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 500V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Mounting: SMD
Case: SO16
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Turn-off time: 137ns
Turn-on time: 155ns
Number of channels: 2
Power: 1.25W
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 500V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 258.75 грн |
| 45+ | 232.06 грн |
| IRS21531DSTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -260...180mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -260...180mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.83 грн |
| 10+ | 66.74 грн |
| 25+ | 60.31 грн |
| IRS2153DPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -260...180mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -260...180mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 253.43 грн |
| 10+ | 195.09 грн |
| IRS2153DSPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -260...180mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -260...180mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.27 грн |
| 5+ | 142.72 грн |
| IRS21844STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.18 грн |
| 5+ | 124.24 грн |
| 10+ | 112.72 грн |
| IRS2184STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.36 грн |
| 10+ | 97.55 грн |
| 25+ | 88.99 грн |
| IRS21867STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 188ns
Turn-on time: 192ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 188ns
Turn-on time: 192ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 154.40 грн |
| IRS2186STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 188ns
Turn-on time: 192ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 188ns
Turn-on time: 192ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.14 грн |
| 10+ | 106.79 грн |
| 50+ | 98.88 грн |
| IRS2304SPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.32 грн |
| 5+ | 142.72 грн |
| 10+ | 105.80 грн |
| 95+ | 104.81 грн |
| IRS2453DSTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRS2453DSTRPBF MOSFET/IGBT drivers
IRS2453DSTRPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.88 грн |
| 13+ | 95.91 грн |
| 34+ | 90.97 грн |
| IRS25401PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; high-/low-side,LED driver; DIP8; -700÷500mA; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: buck
Kind of integrated circuit: high-/low-side; LED driver
Case: DIP8
Output current: -700...500mA
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 8...16.6V DC
Voltage class: 200V
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 320ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; high-/low-side,LED driver; DIP8; -700÷500mA; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: buck
Kind of integrated circuit: high-/low-side; LED driver
Case: DIP8
Output current: -700...500mA
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 8...16.6V DC
Voltage class: 200V
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 320ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.38 грн |
| IRS44273LTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SOT23-5
Output current: -1.5...1.5A
Power: 0.25W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9.2...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SOT23-5
Output current: -1.5...1.5A
Power: 0.25W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9.2...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.76 грн |
| 7+ | 49.29 грн |
| 10+ | 43.41 грн |
| ISP452 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ISP452 Power switches - integrated circuits
ISP452 Power switches - integrated circuits
на замовлення 205 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.79 грн |
| 20+ | 154.25 грн |
| ISP742RI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ISP742RI Power switches - integrated circuits
ISP742RI Power switches - integrated circuits
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.15 грн |
| 12+ | 101.84 грн |
| 32+ | 95.91 грн |
| 250+ | 95.49 грн |
| ISP752R |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ISP752R Power switches - integrated circuits
ISP752R Power switches - integrated circuits
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.70 грн |
| 10+ | 128.54 грн |
| 25+ | 121.62 грн |
| ISP752T |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ISP752T Power switches - integrated circuits
ISP752T Power switches - integrated circuits
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.46 грн |
| 10+ | 139.64 грн |
| 11+ | 116.67 грн |
| 28+ | 109.75 грн |
| ISP772T |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ISP772T Power switches - integrated circuits
ISP772T Power switches - integrated circuits
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.05 грн |
| 12+ | 100.85 грн |
| 33+ | 94.92 грн |
| ITS4140N |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Industrial PROFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Industrial PROFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.52 грн |
| 10+ | 107.81 грн |
| 25+ | 90.97 грн |
| 100+ | 83.06 грн |
| 500+ | 78.11 грн |
| ITS4141NHUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.2Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Operating temperature: -30...85°C
Power dissipation: 1.4W
Turn-on time: 150µs
Turn-off time: 0.1ms
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.2Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Operating temperature: -30...85°C
Power dissipation: 1.4W
Turn-on time: 150µs
Turn-off time: 0.1ms
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 876 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.30 грн |
| 10+ | 96.52 грн |
| 25+ | 85.03 грн |
| 50+ | 84.04 грн |
| ITS4142N |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ITS4142N Power switches - integrated circuits
ITS4142N Power switches - integrated circuits
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 288.57 грн |
| 12+ | 103.82 грн |
| 32+ | 97.89 грн |
| ITS428L2ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ITS428L2 Power switches - integrated circuits
ITS428L2 Power switches - integrated circuits
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 176.76 грн |
| 10+ | 124.58 грн |
| 26+ | 117.66 грн |
| ITS5215L |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.7A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSOP12
On-state resistance: 70mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.7A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSOP12
On-state resistance: 70mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 211.90 грн |
| 3+ | 184.82 грн |
| 10+ | 150.29 грн |
| 25+ | 142.38 грн |
| ITS711L1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ITS711L1 Power switches - integrated circuits
ITS711L1 Power switches - integrated circuits
на замовлення 207 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 485.56 грн |
| 5+ | 271.91 грн |
| 12+ | 257.08 грн |
| ITS716G |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ITS716G Power switches - integrated circuits
ITS716G Power switches - integrated circuits
на замовлення 911 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 510.05 грн |
| 6+ | 232.36 грн |
| 14+ | 219.51 грн |
| KP236-PS2GO-KIT |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
KP236-PS2GO-KIT Development kits - others
KP236-PS2GO-KIT Development kits - others
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2843.69 грн |
| 2+ | 2688.45 грн |
| PVDZ172NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 1.5A
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Type of relay: solid state
Switched voltage: 0...60V DC
Release time: 0.5ms
Operate time: 2ms
Control current: 5...25mA
On-state resistance: 0.25Ω
Max. operating current: 1.5A
Control voltage: 1.2V DC
Contacts configuration: SPST-NO
Manufacturer series: PVDZ172NPbF
Relay variant: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 1.5A
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Type of relay: solid state
Switched voltage: 0...60V DC
Release time: 0.5ms
Operate time: 2ms
Control current: 5...25mA
On-state resistance: 0.25Ω
Max. operating current: 1.5A
Control voltage: 1.2V DC
Contacts configuration: SPST-NO
Manufacturer series: PVDZ172NPbF
Relay variant: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 851.86 грн |
| 10+ | 758.80 грн |
| 25+ | 699.06 грн |
| 50+ | 673.35 грн |
| 100+ | 651.60 грн |
| 250+ | 647.64 грн |
| PVG612 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 902 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 512.18 грн |
| 3+ | 466.16 грн |
| 5+ | 428.14 грн |
| 10+ | 414.29 грн |
| PVG612ASPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 4A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operate time: 3.5ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
Control voltage: 1.2V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 4A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operate time: 3.5ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
Control voltage: 1.2V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 183 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1734.60 грн |
| 5+ | 1485.77 грн |
| 25+ | 1251.78 грн |
| 100+ | 1073.80 грн |
| PVG612S | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 436 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 601.63 грн |
| 5+ | 535.99 грн |
| 10+ | 494.38 грн |
| PVI5013RSPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
PVI5013RSPBF Optocouplers - others
PVI5013RSPBF Optocouplers - others
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 266.21 грн |
| 7+ | 180.94 грн |
| 18+ | 171.06 грн |
| PVI5033RSPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 3.75kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 5ms
Manufacturer series: PVI5033RPbF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 3.75kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 5ms
Manufacturer series: PVI5033RPbF
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PVT422SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 2÷25mA; 350mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT422PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 2÷25mA; 350mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT422PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 692.14 грн |
| 25+ | 619.16 грн |
| 50+ | 586.34 грн |
| S25FL128SAGNFV001 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Case: WSON8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: tube
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Case: WSON8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: tube
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 201.25 грн |
| 82+ | 172.50 грн |
| SI4435DYTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.99 грн |
| 10+ | 56.17 грн |
| 50+ | 39.25 грн |
| 100+ | 34.51 грн |
| 250+ | 29.56 грн |
| 500+ | 27.19 грн |
| SMBD914E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SMBD914E6327HTSA1 SMD universal diodes
SMBD914E6327HTSA1 SMD universal diodes
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 159.72 грн |
| 336+ | 3.49 грн |
| 924+ | 3.29 грн |
| SMBT2222AE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.71 грн |
| 29+ | 10.68 грн |
| 33+ | 9.10 грн |
| 50+ | 6.33 грн |
| 100+ | 5.33 грн |
| 500+ | 3.79 грн |
| 1000+ | 3.62 грн |
| SMBT3904SH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SMBT3904SH6327 NPN SMD transistors
SMBT3904SH6327 NPN SMD transistors
на замовлення 63 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 7.06 грн |
| 246+ | 4.77 грн |
| 677+ | 4.50 грн |
| SMBT3906E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SMBT3906E6327 PNP SMD transistors
SMBT3906E6327 PNP SMD transistors
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 15.82 грн |
| 270+ | 4.34 грн |
| 743+ | 4.10 грн |
| SMBTA42E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.56 грн |
| 17+ | 18.28 грн |
| 50+ | 11.57 грн |
| 100+ | 9.57 грн |
| 500+ | 6.53 грн |
| 1000+ | 5.74 грн |
| 3000+ | 5.08 грн |
| SMBTA92E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SMBTA92E6327 PNP SMD transistors
SMBTA92E6327 PNP SMD transistors
на замовлення 160 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.63 грн |
| 201+ | 5.83 грн |
| 552+ | 5.52 грн |
| SN7002NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SN7002NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
SN7002NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
на замовлення 7790 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.41 грн |
| 363+ | 3.23 грн |
| 997+ | 3.06 грн |
| SN7002NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23
Power dissipation: 0.36W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.16A
On-state resistance: 5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23
Power dissipation: 0.36W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.16A
On-state resistance: 5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4937 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.04 грн |
| 27+ | 11.71 грн |
| 50+ | 6.64 грн |
| 100+ | 5.21 грн |
| 250+ | 3.94 грн |
| 500+ | 3.61 грн |
| SN7002WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.97 грн |
| 30+ | 10.47 грн |
| 50+ | 7.04 грн |
| 100+ | 6.04 грн |
| 500+ | 4.36 грн |
| 1000+ | 4.29 грн |
| SPA06N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.32 грн |
| 10+ | 142.72 грн |
| 50+ | 115.69 грн |
| 100+ | 105.80 грн |
| 250+ | 104.81 грн |
| SPA07N60C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.17 грн |
| 10+ | 101.65 грн |
| 25+ | 75.15 грн |
| 50+ | 62.29 грн |
| SPA08N80C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.01 грн |
| 10+ | 128.35 грн |
| 25+ | 116.67 грн |
| SPA11N80C3 | ![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 481 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 238.52 грн |
| 10+ | 143.75 грн |
| 25+ | 134.47 грн |
| SPA15N60C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 247.04 грн |
| 10+ | 222.81 грн |
| 25+ | 193.80 грн |
| 50+ | 188.85 грн |
| SPA17N80C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 309.86 грн |
| 10+ | 251.56 грн |
| 50+ | 212.58 грн |
| SPA20N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 393.98 грн |
| 10+ | 294.69 грн |
| 25+ | 241.26 грн |
| SPB17N80C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 464.26 грн |
| 5+ | 395.32 грн |
| 25+ | 342.11 грн |
| 100+ | 324.31 грн |
| SPB20N60C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 763 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 309.86 грн |
| 5+ | 263.89 грн |
| 25+ | 228.40 грн |
| 100+ | 216.54 грн |
| SPB80P06PGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SPB80P06PGATMA1 SMD P channel transistors
SPB80P06PGATMA1 SMD P channel transistors
на замовлення 204 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 384.40 грн |
| 6+ | 220.49 грн |
| 15+ | 208.63 грн |
| 100+ | 208.44 грн |
| SPD09P06PLGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD09P06PLGBTMA1 SMD P channel transistors
SPD09P06PLGBTMA1 SMD P channel transistors
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.78 грн |
| 24+ | 48.84 грн |
| 66+ | 46.18 грн |
| SPD15P10PLGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD15P10PLGBTMA1 SMD P channel transistors
SPD15P10PLGBTMA1 SMD P channel transistors
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.46 грн |
| 12+ | 100.85 грн |
| 33+ | 94.92 грн |
| 500+ | 94.47 грн |
























