Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (117853) > Сторінка 1940 з 1965

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1935 1936 1937 1938 1939 1940 1941 1942 1943 1944 1945 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIKW40N65DH5XKSA1 AIKW40N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW40N65DH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBF IRFH5010TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5010pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5015pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N65DH5XKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N65DF5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP21N50C3 SPP21N50C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx21N50C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+230.48 грн
3+193.03 грн
10+169.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2 BTS428L2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS428L2.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
Output voltage: 4.75...41V
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+347.07 грн
10+215.69 грн
100+174.57 грн
250+158.62 грн
500+146.87 грн
1000+145.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TG BTS441TG INFINEON TECHNOLOGIES BTS441TG.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 4.75...43V
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+337.13 грн
10+237.51 грн
100+210.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF IRFB3207ZGPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3207zgpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+155.26 грн
10+120.85 грн
20+111.62 грн
50+100.71 грн
100+93.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS138WH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.85 грн
51+8.31 грн
67+6.31 грн
100+5.65 грн
500+4.52 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4020pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 551 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.11 грн
6+80.57 грн
10+58.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184PBF IRS2184PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2184.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM31256-GTR FM31256-GTR INFINEON TECHNOLOGIES FM3164_31256-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2.7÷5.5VDC; 1MHz; SO14
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Integrated circuit features: RTC; watchdog
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Memory: 256kb FRAM
Clock frequency: 1MHz
Case: SO14
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+990.59 грн
3+852.69 грн
10+825.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 BCR185WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR185.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Case: SOT323
Type of transistor: PNP
на замовлення 769 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
88+5.17 грн
100+4.33 грн
250+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+316.34 грн
3+260.17 грн
10+233.32 грн
50+217.37 грн
250+216.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKB20N60CT.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 480A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 703nC
Turn-on time: 76ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TAXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60TA.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 480A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RATMA1 AIHD10N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD10N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 BFP183WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 65mA
Power dissipation: 0.45W
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 70...140
Frequency: 8GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Case: SOT343
Type of transistor: NPN
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.08 грн
30+14.10 грн
35+12.00 грн
45+9.48 грн
53+7.97 грн
100+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327 BFP196WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP196WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.7W
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 5GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Case: SOT343
Type of transistor: NPN
на замовлення 5380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.02 грн
22+19.81 грн
100+12.25 грн
250+9.99 грн
500+8.64 грн
1000+7.47 грн
3000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS209PW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -630mA
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT-323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
на замовлення 819 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.27 грн
38+11.25 грн
56+7.57 грн
100+6.37 грн
500+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+75.02 грн
10+43.31 грн
100+30.63 грн
200+27.78 грн
250+26.86 грн
500+24.34 грн
1000+22.07 грн
2000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS816NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 4219 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.98 грн
33+13.09 грн
50+9.06 грн
100+7.68 грн
500+5.35 грн
1000+4.60 грн
3000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 BAT1704WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1704E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Power dissipation: 0.15W
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.63 грн
19+22.66 грн
22+19.47 грн
100+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 1.2Ω
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT-323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.17 грн
37+11.50 грн
55+7.69 грн
100+6.43 грн
500+4.38 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7446PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.04 грн
10+46.75 грн
50+39.53 грн
100+37.26 грн
500+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.77 грн
10+57.15 грн
25+50.61 грн
100+42.38 грн
250+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP135H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.79 грн
10+70.25 грн
50+53.96 грн
100+48.17 грн
200+42.89 грн
500+36.76 грн
1000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF IRS2101SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2101pbf.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Part status: Not recommended for new designs
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 230ns
Power: 625mW
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.31 грн
8+59.59 грн
10+47.84 грн
95+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1705WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1704E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Power dissipation: 0.15W
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
84+5.42 грн
90+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 BAT6405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.85 грн
56+7.55 грн
61+6.97 грн
100+5.46 грн
500+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6143D BTS6143D INFINEON TECHNOLOGIES BTS6143D.pdf description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: DPAK5
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 519 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.61 грн
10+151.07 грн
25+142.68 грн
50+135.96 грн
100+129.25 грн
250+120.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF45MR12W1M1B11.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4728.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104SPBF IRS2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2104.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 185ns
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.68 грн
25+83.93 грн
95+76.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -140mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
на замовлення 14501 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.36 грн
43+9.99 грн
62+6.81 грн
100+5.74 грн
500+4.00 грн
1000+3.52 грн
3000+2.99 грн
6000+2.74 грн
9000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404WH6327XTSA1 BAT6404WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.08 грн
40+10.74 грн
54+7.89 грн
100+7.02 грн
500+5.47 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6406WH6327XTSA1 BAT6406WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT323
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.17 грн
41+10.24 грн
57+7.47 грн
100+6.55 грн
500+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF IR11672ASTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -7...2A
Power: 625mW
Supply voltage: 11.4...18V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+131.05 грн
5+103.23 грн
10+100.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004WH6327XTSA1 BAS7004WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 70mA
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.56 грн
38+11.08 грн
100+7.28 грн
500+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF IRS2184STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2184.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 290ns
Turn-on time: 720ns
Power: 625mW
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.59 грн
10+79.73 грн
25+75.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT210N12KOF TT210N12KOF INFINEON TECHNOLOGIES TT210N12KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 210A
Case: BG-PB50-1
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 6.6kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+6923.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21531DSTRPBF IRS21531DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -260...180mA
Turn-off time: 50ns
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.34 грн
10+54.55 грн
25+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BCR400WH6327XTSA1 BCR400WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCR400W.pdf Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; SOT343; 10mA; 330mW; 1.6÷18VDC; active bias controller
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Output current: 10mA
Power: 0.33W
Supply voltage: 1.6...18V DC
Integrated circuit features: active bias controller
Case: SOT343
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.27 грн
35+12.09 грн
40+10.66 грн
47+9.06 грн
52+8.14 грн
100+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844STRPBF IRS21844STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2184.pdf?fileId=5546d462533600a401535676d8da27db Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.28 грн
5+109.10 грн
10+99.03 грн
25+94.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLD1120ELXUMA1 TLD1120ELXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLD1120EL.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 360mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.36A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.75 грн
10+44.98 грн
11+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTS724G BTS724G INFINEON TECHNOLOGIES BTS724G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.3÷7.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.3...7.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 22.5mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+457.33 грн
5+340.74 грн
10+293.74 грн
25+242.55 грн
50+218.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4141NHUMA1 ITS4141NHUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS4141N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.2Ω
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -30...85°C
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
Turn-off time: 0.1ms
Turn-on time: 150µs
Power dissipation: 1.4W
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.59 грн
10+78.89 грн
25+73.02 грн
50+71.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007WH6327XTSA1 BAS4007WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS4004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT343
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.31 грн
24+18.13 грн
28+15.53 грн
100+8.93 грн
500+6.08 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7005WH6327XTSA1 BAS7005WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.56 грн
45+9.48 грн
100+6.41 грн
500+4.91 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
ITS5215L ITS5215L INFINEON TECHNOLOGIES ITS5215L.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 2
Output current: 3.7A
Supply voltage: 5.5...40V DC
Case: BSOP12
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
на замовлення 2072 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.75 грн
10+128.41 грн
25+120.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4568-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DH5XKSA1 AIKW40N65DH5.pdf
AIKW40N65DH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBF irfh5010pbf.pdf
IRFH5010TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF irfh5015pbf.pdf
IRFH5015TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1.pdf
AIKW50N65DH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP21N50C3 SPx21N50C3.pdf
SPP21N50C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.48 грн
3+193.03 грн
10+169.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2 BTS428L2.pdf
BTS428L2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
Output voltage: 4.75...41V
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+347.07 грн
10+215.69 грн
100+174.57 грн
250+158.62 грн
500+146.87 грн
1000+145.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TG BTS441TG.pdf
BTS441TG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 4.75...43V
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+337.13 грн
10+237.51 грн
100+210.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF irfb3207zgpbf.pdf
IRFB3207ZGPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description irfs3207zpbf.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.26 грн
10+120.85 грн
20+111.62 грн
50+100.71 грн
100+93.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1.pdf
BSS138WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.85 грн
51+8.31 грн
67+6.31 грн
100+5.65 грн
500+4.52 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f
BSS138WH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF irfb4020pbf.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 551 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.11 грн
6+80.57 грн
10+58.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184PBF irs2184.pdf
IRS2184PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM31256-GTR FM3164_31256-DTE.pdf
FM31256-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2.7÷5.5VDC; 1MHz; SO14
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Integrated circuit features: RTC; watchdog
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Memory: 256kb FRAM
Clock frequency: 1MHz
Case: SO14
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+990.59 грн
3+852.69 грн
10+825.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CT.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 BCR185.pdf
BCR185WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Case: SOT323
Type of transistor: PNP
на замовлення 769 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
88+5.17 грн
100+4.33 грн
250+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5.pdf
AIGW50N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.34 грн
3+260.17 грн
10+233.32 грн
50+217.37 грн
250+216.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CT.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60T.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 480A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 703nC
Turn-on time: 76ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TA.pdf
IKQ120N60TAXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 480A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RATMA1 AIHD10N60R.pdf
AIHD10N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613
BFP183WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 65mA
Power dissipation: 0.45W
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 70...140
Frequency: 8GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Case: SOT343
Type of transistor: NPN
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.08 грн
30+14.10 грн
35+12.00 грн
45+9.48 грн
53+7.97 грн
100+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327 BFP196WH6327-dte.pdf
BFP196WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.7W
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 5GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Case: SOT343
Type of transistor: NPN
на замовлення 5380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+28.02 грн
22+19.81 грн
100+12.25 грн
250+9.99 грн
500+8.64 грн
1000+7.47 грн
3000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PW.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -630mA
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT-323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
на замовлення 819 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.27 грн
38+11.25 грн
56+7.57 грн
100+6.37 грн
500+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+75.02 грн
10+43.31 грн
100+30.63 грн
200+27.78 грн
250+26.86 грн
500+24.34 грн
1000+22.07 грн
2000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 4219 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.98 грн
33+13.09 грн
50+9.06 грн
100+7.68 грн
500+5.35 грн
1000+4.60 грн
3000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 BAT1704E6327HTSA1.pdf
BAT1704WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Power dissipation: 0.15W
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+31.63 грн
19+22.66 грн
22+19.47 грн
100+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 1.2Ω
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT-323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+17.17 грн
37+11.50 грн
55+7.69 грн
100+6.43 грн
500+4.38 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF.pdf
IRFB7446PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+103.04 грн
10+46.75 грн
50+39.53 грн
100+37.26 грн
500+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+86.77 грн
10+57.15 грн
25+50.61 грн
100+42.38 грн
250+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1.pdf
BSP135H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.79 грн
10+70.25 грн
50+53.96 грн
100+48.17 грн
200+42.89 грн
500+36.76 грн
1000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF description irs2101pbf.pdf
IRS2101SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Part status: Not recommended for new designs
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 230ns
Power: 625mW
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+72.31 грн
8+59.59 грн
10+47.84 грн
95+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1704E6327HTSA1.pdf
BAT1705WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Power dissipation: 0.15W
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
84+5.42 грн
90+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.85 грн
56+7.55 грн
61+6.97 грн
100+5.46 грн
500+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6143D description BTS6143D.pdf
BTS6143D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: DPAK5
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 519 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+191.61 грн
10+151.07 грн
25+142.68 грн
50+135.96 грн
100+129.25 грн
250+120.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11.pdf
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4728.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104SPBF irs2104.pdf
IRS2104SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 185ns
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.68 грн
25+83.93 грн
95+76.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84P.pdf
BSS84PH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -140mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
на замовлення 14501 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.36 грн
43+9.99 грн
62+6.81 грн
100+5.74 грн
500+4.00 грн
1000+3.52 грн
3000+2.99 грн
6000+2.74 грн
9000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6404WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.08 грн
40+10.74 грн
54+7.89 грн
100+7.02 грн
500+5.47 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6406WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6406WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT323
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+17.17 грн
41+10.24 грн
57+7.47 грн
100+6.55 грн
500+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653
IR11672ASTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -7...2A
Power: 625mW
Supply voltage: 11.4...18V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+131.05 грн
5+103.23 грн
10+100.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004WH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7004WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 70mA
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.56 грн
38+11.08 грн
100+7.28 грн
500+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF irs2184.pdf
IRS2184STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 290ns
Turn-on time: 720ns
Power: 625mW
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.59 грн
10+79.73 грн
25+75.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-GTR Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT210N12KOF TT210N12KOF.pdf
TT210N12KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 210A
Case: BG-PB50-1
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 6.6kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6923.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21531DSTRPBF IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRS21531DSTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -260...180mA
Turn-off time: 50ns
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+81.34 грн
10+54.55 грн
25+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BCR400WH6327XTSA1 BCR400W.pdf
BCR400WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; SOT343; 10mA; 330mW; 1.6÷18VDC; active bias controller
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Output current: 10mA
Power: 0.33W
Supply voltage: 1.6...18V DC
Integrated circuit features: active bias controller
Case: SOT343
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.27 грн
35+12.09 грн
40+10.66 грн
47+9.06 грн
52+8.14 грн
100+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844STRPBF irs2184.pdf?fileId=5546d462533600a401535676d8da27db
IRS21844STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+138.28 грн
5+109.10 грн
10+99.03 грн
25+94.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLD1120ELXUMA1 TLD1120EL.pdf
TLD1120ELXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 360mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.36A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.75 грн
10+44.98 грн
11+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTS724G BTS724G.pdf
BTS724G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.3÷7.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.3...7.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 22.5mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+457.33 грн
5+340.74 грн
10+293.74 грн
25+242.55 грн
50+218.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4141NHUMA1 ITS4141N.pdf
ITS4141NHUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.2Ω
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -30...85°C
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
Turn-off time: 0.1ms
Turn-on time: 150µs
Power dissipation: 1.4W
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.59 грн
10+78.89 грн
25+73.02 грн
50+71.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007WH6327XTSA1 BAS4004E6327HTSA1.pdf
BAS4007WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT343
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.31 грн
24+18.13 грн
28+15.53 грн
100+8.93 грн
500+6.08 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7005WH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7005WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.56 грн
45+9.48 грн
100+6.41 грн
500+4.91 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
ITS5215L ITS5215L.pdf
ITS5215L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 2
Output current: 3.7A
Supply voltage: 5.5...40V DC
Case: BSOP12
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
на замовлення 2072 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.75 грн
10+128.41 грн
25+120.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RF.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 Infineon-IRFP4568-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1935 1936 1937 1938 1939 1940 1941 1942 1943 1944 1945 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]