Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (117853) > Сторінка 1935 з 1965

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1930 1931 1932 1933 1934 1935 1936 1937 1938 1939 1940 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC847BE6433HTMA1 BC847BE6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 7560 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.33 грн
100+5.14 грн
500+4.35 грн
1000+3.97 грн
2500+3.48 грн
5000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
FM25CL64B-G FM25CL64B-G INFINEON TECHNOLOGIES FM25CL64B-G.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Memory: 64kb FRAM
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of interface: serial
Interface: SPI
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+274.76 грн
5+206.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5406WH6327XTSA1 BAT5406WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101PBF IR2101PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2101.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 362 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+216.01 грн
5+151.91 грн
10+137.64 грн
25+124.21 грн
50+120.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101STRPBF IR2101STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2101SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.48 грн
10+61.27 грн
25+55.39 грн
50+52.03 грн
100+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TRPBF IRF7401TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7401pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8.7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TRPBF IRF7404TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7404pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153PBF IR2153PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2153.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Power: 1W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 40ns
Turn-on time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.94 грн
10+104.07 грн
50+91.48 грн
100+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153SPBF IR2153SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2153.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 40ns
Turn-on time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+134.67 грн
10+93.16 грн
25+86.44 грн
50+84.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153STRPBF IR2153STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2153DPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 40ns
Turn-on time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024npbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024npbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.34 грн
10+47.92 грн
100+31.72 грн
200+28.37 грн
500+24.67 грн
1000+22.49 грн
2000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR9024NTRL INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002298863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8A; Idm: -44A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -44A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3705n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Case: TO220AB
Power dissipation: 130W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+154.55 грн
10+97.77 грн
25+87.62 грн
50+80.23 грн
100+72.60 грн
250+63.28 грн
500+56.73 грн
1000+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3705nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Case: D2PAK
Power dissipation: 170W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRL3705ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 86A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.52 грн
6+72.18 грн
10+63.45 грн
50+46.41 грн
100+40.96 грн
250+35.17 грн
500+31.64 грн
1000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7303pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 777 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.25 грн
10+49.94 грн
100+31.98 грн
200+28.45 грн
500+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR2905ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.29 грн
7+65.46 грн
10+57.83 грн
50+43.56 грн
100+38.77 грн
500+30.21 грн
1000+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR2905ZTRL INFINEON TECHNOLOGIES AUIRLR2905Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+261.20 грн
4+181.28 грн
10+158.62 грн
20+145.19 грн
30+143.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120E1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.44 грн
10+114.98 грн
30+103.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120R3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+248.55 грн
10+170.37 грн
30+141.84 грн
120+130.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120BH6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 457ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+320.86 грн
10+252.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6344pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 37mΩ
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0060pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.06 грн
17+24.93 грн
50+16.95 грн
100+14.44 грн
500+10.16 грн
1000+8.90 грн
3000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+348.88 грн
5+231.64 грн
10+211.49 грн
30+185.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ75N65H5XKSA1 IGZ75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGZ75N65H5XKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 166nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 415ns
Turn-on time: 37ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N65EH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+408.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 86ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ75N65EL5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 268W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 436nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 325ns
Turn-on time: 143ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1 IKZ75N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ75N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 197W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 427ns
Turn-on time: 71ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFD SPW35N60CFD INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21.6A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.23 грн
11+41.38 грн
50+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530nspbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl014npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.57 грн
10+55.22 грн
100+40.28 грн
250+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP10N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.52 грн
10+73.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N60TXKSA1 IKA10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKA10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7.2A; 30W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 30W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 67nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 250ns
Collector current: 7.2A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB10N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 561 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+150.03 грн
10+101.55 грн
25+88.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1 IKD10N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD10N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD10N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 891 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.04 грн
14+31.14 грн
25+28.03 грн
50+26.94 грн
75+26.35 грн
150+25.43 грн
525+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612 PVG612 INFINEON TECHNOLOGIES pvg612.pdf description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Control current: 5...25mA
Case: DIP6
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Contacts configuration: SPST-NO
Release time: 0.5ms
на замовлення 752 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+434.74 грн
3+381.03 грн
5+363.40 грн
10+351.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612ASPBF PVG612ASPBF INFINEON TECHNOLOGIES PVG612ASPBF.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 4A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Max. operating current: 4A
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Release time: 0.5ms
Operate time: 3.5ms
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
On-state resistance: 0.1Ω
Control current: 5...25mA
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1472.33 грн
5+1214.42 грн
25+1062.51 грн
100+911.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612S PVG612S INFINEON TECHNOLOGIES PVG612S.PDF description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 2.4A
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Release time: 0.5ms
Operate time: 2ms
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
On-state resistance: 0.15Ω
Control current: 5...25mA
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+510.66 грн
5+438.10 грн
10+419.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AE6327 BFR93AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR93AE6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.79 грн
27+15.95 грн
30+14.10 грн
36+11.92 грн
50+10.66 грн
100+9.65 грн
250+8.81 грн
500+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AWH6327 BFR93AWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR93AWH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 6GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Case: SOT323
Type of transistor: NPN
на замовлення 8848 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.17 грн
38+11.16 грн
100+9.31 грн
500+8.94 грн
1000+7.97 грн
3000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44ZSTRRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5479 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.27 грн
11+41.29 грн
25+32.65 грн
50+27.19 грн
100+23.00 грн
125+21.82 грн
500+17.04 грн
1000+15.69 грн
2000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.40 грн
21+20.31 грн
24+18.04 грн
100+10.24 грн
500+6.79 грн
1000+5.93 грн
3000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML2502TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.44 грн
15+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 596 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.90 грн
10+80.57 грн
25+70.50 грн
50+63.78 грн
100+58.75 грн
500+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+163.59 грн
5+105.75 грн
10+98.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844SPBF IR21844SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+230.48 грн
3+182.12 грн
10+161.98 грн
25+153.59 грн
55+146.87 грн
275+138.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6433HTMA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC847BE6433HTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 7560 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.33 грн
100+5.14 грн
500+4.35 грн
1000+3.97 грн
2500+3.48 грн
5000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
FM25CL64B-G FM25CL64B-G.pdf
FM25CL64B-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Memory: 64kb FRAM
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of interface: serial
Interface: SPI
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.76 грн
5+206.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5406WH6327XTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5406WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101PBF description ir2101.pdf
IR2101PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 362 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+216.01 грн
5+151.91 грн
10+137.64 грн
25+124.21 грн
50+120.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101STRPBF description IR2101SPBF.pdf
IR2101STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+89.48 грн
10+61.27 грн
25+55.39 грн
50+52.03 грн
100+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TRPBF description irf7401pbf.pdf
IRF7401TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8.7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TRPBF description irf7404pbf.pdf
IRF7404TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153PBF description ir2153.pdf
IR2153PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Power: 1W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 40ns
Turn-on time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.94 грн
10+104.07 грн
50+91.48 грн
100+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153SPBF description ir2153.pdf
IR2153SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 40ns
Turn-on time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+134.67 грн
10+93.16 грн
25+86.44 грн
50+84.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153STRPBF description IR2153DPBF.pdf
IR2153STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 40ns
Turn-on time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBF irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+81.34 грн
10+47.92 грн
100+31.72 грн
200+28.37 грн
500+24.67 грн
1000+22.49 грн
2000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR9024NTRL INFN-S-A0002298863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8A; Idm: -44A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -44A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF description irl3705n.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Case: TO220AB
Power dissipation: 130W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.55 грн
10+97.77 грн
25+87.62 грн
50+80.23 грн
100+72.60 грн
250+63.28 грн
500+56.73 грн
1000+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBF irl3705nspbf.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Case: D2PAK
Power dissipation: 170W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 86A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+98.52 грн
6+72.18 грн
10+63.45 грн
50+46.41 грн
100+40.96 грн
250+35.17 грн
500+31.64 грн
1000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF irf7303pbf.pdf
IRF7303TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 777 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.25 грн
10+49.94 грн
100+31.98 грн
200+28.45 грн
500+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.29 грн
7+65.46 грн
10+57.83 грн
50+43.56 грн
100+38.77 грн
500+30.21 грн
1000+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR2905ZTRL AUIRLR2905Z.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3-DTE.pdf
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.20 грн
4+181.28 грн
10+158.62 грн
20+145.19 грн
30+143.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.44 грн
10+114.98 грн
30+103.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.55 грн
10+170.37 грн
30+141.84 грн
120+130.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 457ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.86 грн
10+252.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf
IRLML6344TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 37mΩ
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF irlml0060pbf.pdf
IRLML0060TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+37.06 грн
17+24.93 грн
50+16.95 грн
100+14.44 грн
500+10.16 грн
1000+8.90 грн
3000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5.pdf
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+348.88 грн
5+231.64 грн
10+211.49 грн
30+185.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ75N65H5XKSA1 IGZ75N65H5XKSA1-DTE.pdf
IGZ75N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 166nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 415ns
Turn-on time: 37ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5.pdf
IKW75N65EH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+408.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5.pdf
IKW75N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 86ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5.pdf
IKZ75N65EL5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 268W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 436nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 325ns
Turn-on time: 143ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1 IKZ75N65ES5.pdf
IKZ75N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 197W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 427ns
Turn-on time: 71ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFD SPW35N60CFD.pdf
SPW35N60CFD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21.6A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540z.pdf
IRF540ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+54.23 грн
11+41.38 грн
50+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description irfl014npbf.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T-DTE.pdf
IGB10N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+88.57 грн
10+55.22 грн
100+40.28 грн
250+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60T-DTE.pdf
IGP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.52 грн
10+73.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N60TXKSA1 IKA10N60T.pdf
IKA10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7.2A; 30W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 30W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 67nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 250ns
Collector current: 7.2A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60T.pdf
IKB10N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 561 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+150.03 грн
10+101.55 грн
25+88.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1 IKD10N60R.pdf
IKD10N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RF.pdf
IKD10N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf
IRLU024NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 891 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+56.04 грн
14+31.14 грн
25+28.03 грн
50+26.94 грн
75+26.35 грн
150+25.43 грн
525+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612 description pvg612.pdf
PVG612
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Control current: 5...25mA
Case: DIP6
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Contacts configuration: SPST-NO
Release time: 0.5ms
на замовлення 752 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+434.74 грн
3+381.03 грн
5+363.40 грн
10+351.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612ASPBF PVG612ASPBF.pdf
PVG612ASPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 4A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Max. operating current: 4A
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Release time: 0.5ms
Operate time: 3.5ms
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
On-state resistance: 0.1Ω
Control current: 5...25mA
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1472.33 грн
5+1214.42 грн
25+1062.51 грн
100+911.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612S description PVG612S.PDF
PVG612S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 2.4A
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Release time: 0.5ms
Operate time: 2ms
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
On-state resistance: 0.15Ω
Control current: 5...25mA
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+510.66 грн
5+438.10 грн
10+419.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AE6327 BFR93AE6327-dte.pdf
BFR93AE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.79 грн
27+15.95 грн
30+14.10 грн
36+11.92 грн
50+10.66 грн
100+9.65 грн
250+8.81 грн
500+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AWH6327 BFR93AWH6327-dte.pdf
BFR93AWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 6GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Case: SOT323
Type of transistor: NPN
на замовлення 8848 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+17.17 грн
38+11.16 грн
100+9.31 грн
500+8.94 грн
1000+7.97 грн
3000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF.pdf
IRFZ44ZSTRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5479 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+63.27 грн
11+41.29 грн
25+32.65 грн
50+27.19 грн
100+23.00 грн
125+21.82 грн
500+17.04 грн
1000+15.69 грн
2000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2030TRPBF irlml2030pbf.pdf
IRLML2030TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+24.40 грн
21+20.31 грн
24+18.04 грн
100+10.24 грн
500+6.79 грн
1000+5.93 грн
3000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+33.44 грн
15+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807.pdf
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 596 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+141.90 грн
10+80.57 грн
25+70.50 грн
50+63.78 грн
100+58.75 грн
500+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF irf2807spbf.pdf
IRF2807STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807z.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.59 грн
5+105.75 грн
10+98.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844SPBF description IR21844SPBF.pdf
IR21844SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.48 грн
3+182.12 грн
10+161.98 грн
25+153.59 грн
55+146.87 грн
275+138.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1930 1931 1932 1933 1934 1935 1936 1937 1938 1939 1940 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]