Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (117841) > Сторінка 1943 з 1965

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1938 1939 1940 1941 1942 1943 1944 1945 1946 1947 1948 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF9389TRPBF.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.71 грн
13+33.57 грн
50+23.33 грн
100+19.89 грн
250+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9310pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+111.17 грн
10+78.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108d8b2230036 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 1.7Ω
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04N02PR 6EDL04N02PR INFINEON TECHNOLOGIES 6EDL04N02PR.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET three-phase bridge; EiceDRIVER™; TSSOP28; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: TSSOP28
Output current: -0.375...0.24A
Number of channels: 6
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...17.5V
Voltage class: 200V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-143A
+1
 		CY8CKIT-143A INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; Bluetooth: 4.0 EDR
Type of development kit: Cypress
Bluetooth version: 4.0 EDR
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1300.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-042-BLE-A
+1
 		CY8CKIT-042-BLE-A INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CKIT-042-BLE-A_Bluetooth_Low_Energy_Pioneer_Kit_Release_Notes-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efc91fe12bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; evaluation board; Bluetooth: 4.2,BLE
Type of development kit: Cypress
Connection: USB B mini
Kind of module: evaluation board
Bluetooth version: 4.2; BLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-005 CY8CKIT-005 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CKIT-005_MiniProg4_Quick_Start_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f0123eb1859&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress
Type of development kit: Cypress
Connection: USB C
Interface: JTAG; SWD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-002 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress
Type of development kit: Cypress
Connection: USB B mini
Interface: I2C; JTAG; SWD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-059
+1
 		CY8CKIT-059 INFINEON TECHNOLOGIES CY8CKIT_059.pdf Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; prototype board; Comp: CY8C5888LTI-LP097
Type of development kit: Cypress
Connection: USB B micro
Components: CY8C5888LTI-LP097
Interface: JTAG; SWD; USB
Kind of architecture: ARM; Cortex M3
Programmers and development kits features: integrated programmer/debugger; microcontroller I/O lines lead to goldpin connectors
Kit contents: prototype board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-145-40xx CY8CKIT-145-40xx INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CKIT-145-40XX_PSoC_4000S_Prototyping_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efccdd91344&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; prototype board
Type of development kit: Cypress
Connection: USB
Kind of module: prototype board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-062S2-43012 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CKIT-062S2-43012_PSoC_62S2_Wi-Fi_BT_Pioneer_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f01c8f11927&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Development kits - Unclassified
Description: CY8CKIT-062S2-43012
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+13559.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC080N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.48 грн
15+29.29 грн
100+27.19 грн
250+25.93 грн
500+23.25 грн
1000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102SPBF IR2102SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2101_2102.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR15N20DTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 17A
Power dissipation: 140W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX53H6327XTSA1 BCX53H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCX53.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+16.81 грн
31+13.68 грн
100+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBF IRL2203NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl2203nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll2705pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.27 грн
12+37.01 грн
50+27.53 грн
100+24.17 грн
200+21.23 грн
500+18.30 грн
1000+17.62 грн
2500+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBF IRLL2703TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS06555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 16A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2803.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.3Ω
на замовлення 28986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.31 грн
25+17.04 грн
50+11.75 грн
100+9.99 грн
250+8.06 грн
500+6.97 грн
1000+6.04 грн
3000+5.04 грн
6000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml5103pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.92 грн
22+19.14 грн
100+10.91 грн
500+7.64 грн
1000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6346pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
на замовлення 7214 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.02 грн
23+18.80 грн
50+12.84 грн
100+10.83 грн
500+7.64 грн
1000+6.63 грн
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6246pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 46mΩ
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 5377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.21 грн
26+16.70 грн
31+13.76 грн
100+8.68 грн
200+7.25 грн
500+5.89 грн
1000+5.17 грн
3000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2805spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+282.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1 BSB015N04NX3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB015N04NX3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1 IPB015N04LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N04LG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N04NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9317pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7317pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 6.6/-5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX007TAUMA1
+1
 		IFX007TAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IFX007T.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Technology: NovalithIC™
Case: PG-TO263-7
Output current: 9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
On-state resistance: 10mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Application: DC motors
Operating voltage: 5.5...40V DC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 808 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+218.73 грн
10+158.62 грн
25+154.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1 IPB031N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB031N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002ARPPE6327HTSA1 BAS4002ARPPE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS4002ARPPE6327.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 40V; If: 0.2A; Ifsm: 2A; SOT143; SMT
Case: SOT143
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: Schottky
Type of bridge rectifier: single-phase
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6327HTSA1 BAS4004E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS4004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005E6327HTSA1 BAS4005E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS4004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.56 грн
41+10.41 грн
44+9.65 грн
100+6.97 грн
500+5.15 грн
1000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20752LTRPBF IRS20752LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS20752ltrpbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Case: SOT23-6
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 255ns
Turn-on time: 225ns
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -240...160mA
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.23 грн
10+41.96 грн
12+38.10 грн
25+35.08 грн
50+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7306pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.29 грн
10+62.61 грн
50+43.81 грн
100+37.68 грн
500+28.03 грн
1000+25.35 грн
2000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTR AUIRF7309QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7309q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBF IRF7807ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7807zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRPBF IRF7807VTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7807vpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C29466-24SXI CY8C29466-24SXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C29466-24PVXI.pdf description Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO28; 2kBSRAM,32kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Interface: I2C; SPI; UART
Supply voltage: 3...5.25V DC
Case: SO28
Mounting: SMD
Memory: 2kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Kind of core: 8-bit
Number of inputs/outputs: 24
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1636.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C29666-24PVXI CY8C29666-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C29466-24PVXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP48; 3÷5.25VDC; Core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Supply voltage: 3...5.25V DC
Case: SSOP48
Mounting: SMD
Memory: 2kB SRAM; 32kB FLASH; 512kB SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Kind of core: 8-bit
Number of inputs/outputs: 44
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1293.37 грн
10+1080.13 грн
30+1012.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C22345-24PVXA CY8C22345-24PVXA INFINEON TECHNOLOGIES CY8C22345-24PVXA.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Interface: I2C; SPI; UART
Supply voltage: 3...5.25V DC
Case: SSOP28
Mounting: SMD
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Integrated circuit features: CapSense
Kind of core: 8-bit
Number of inputs/outputs: 24
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+332.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF IR4427PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4427PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.90 грн
5+114.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4321PBF IRFB4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4321PBF-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+233.19 грн
10+151.07 грн
25+116.66 грн
50+101.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBF IRFB3004PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3004pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+234.09 грн
10+183.80 грн
50+171.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+262.11 грн
10+207.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120CS7XKSA1 IKW25N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120CS7.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 38ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 490ns
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+309.11 грн
10+223.24 грн
30+214.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF IRLB8748PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8748pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.48 грн
8+53.04 грн
10+48.26 грн
25+42.80 грн
50+39.11 грн
100+35.75 грн
200+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+438.35 грн
10+289.55 грн
25+268.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BE6327 BC857BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC857B-DTE.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7550BXTSA1 1EDN7550BXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDN7550B.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-SOT23-6
Topology: single transistor
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...20V
Voltage class: 80V
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.52 грн
10+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IDB30E120ATMA1 IDB30E120ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDB30E120ATMA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1200V; 30A; TO263-3; Ufmax: 2.15V
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 2.15V
Load current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO263-3
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 624 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+131.96 грн
10+79.73 грн
100+73.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDB30E60ATMA1 IDB30E60ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDB30E60ATMA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 30A; TO263-3; Ufmax: 2V
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 2V
Load current: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: TO263-3
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI000 S25FL128SAGNFI000 INFINEON TECHNOLOGIES 001-98283%20Rev%20T.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+296.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI001 S25FL128SAGNFI001 INFINEON TECHNOLOGIES 001-98283%20Rev%20T.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+322.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI011 S25FL128SAGNFI011 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+353.40 грн
5+296.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFV001 S25FL128SAGNFV001 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: tube
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+170.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.23W
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Case: SOT23
Semiconductor structure: double series
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.08 грн
33+12.76 грн
38+11.25 грн
100+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5097EPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLD5097EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b58a1180e Category: LED drivers
Description: IC: driver; SMPS controller,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Technology: Litix™
Case: PG-TSDSO-14
Output current: -550...380mA
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...45V DC
Protection: overheating OTP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF.pdf
IRF9389TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+49.71 грн
13+33.57 грн
50+23.33 грн
100+19.89 грн
250+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF irf9310pbf.pdf
IRF9310TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+111.17 грн
10+78.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a
IPT60R065S7XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6906XTSA1 Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108d8b2230036
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 1.7Ω
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04N02PR 6EDL04N02PR.pdf
6EDL04N02PR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET three-phase bridge; EiceDRIVER™; TSSOP28; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: TSSOP28
Output current: -0.375...0.24A
Number of channels: 6
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...17.5V
Voltage class: 200V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-143A download
CY8CKIT-143A
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; Bluetooth: 4.0 EDR
Type of development kit: Cypress
Bluetooth version: 4.0 EDR
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1300.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-042-BLE-A Infineon-CY8CKIT-042-BLE-A_Bluetooth_Low_Energy_Pioneer_Kit_Release_Notes-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efc91fe12bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi
CY8CKIT-042-BLE-A
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; evaluation board; Bluetooth: 4.2,BLE
Type of development kit: Cypress
Connection: USB B mini
Kind of module: evaluation board
Bluetooth version: 4.2; BLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-005 Infineon-CY8CKIT-005_MiniProg4_Quick_Start_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f0123eb1859&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8CKIT-005
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress
Type of development kit: Cypress
Connection: USB C
Interface: JTAG; SWD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-002 download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress
Type of development kit: Cypress
Connection: USB B mini
Interface: I2C; JTAG; SWD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-059 CY8CKIT_059.pdf
CY8CKIT-059
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; prototype board; Comp: CY8C5888LTI-LP097
Type of development kit: Cypress
Connection: USB B micro
Components: CY8C5888LTI-LP097
Interface: JTAG; SWD; USB
Kind of architecture: ARM; Cortex M3
Programmers and development kits features: integrated programmer/debugger; microcontroller I/O lines lead to goldpin connectors
Kit contents: prototype board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-145-40xx Infineon-CY8CKIT-145-40XX_PSoC_4000S_Prototyping_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efccdd91344&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8CKIT-145-40xx
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; prototype board
Type of development kit: Cypress
Connection: USB
Kind of module: prototype board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-062S2-43012 Infineon-CY8CKIT-062S2-43012_PSoC_62S2_Wi-Fi_BT_Pioneer_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f01c8f11927&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - Unclassified
Description: CY8CKIT-062S2-43012
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+13559.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSG-DTE.pdf
BSC080N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+42.48 грн
15+29.29 грн
100+27.19 грн
250+25.93 грн
500+23.25 грн
1000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102SPBF description ir2101_2102.pdf
IR2102SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 17A
Power dissipation: 140W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX53H6327XTSA1 BCX53.pdf
BCX53H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.81 грн
31+13.68 грн
100+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBF irl2203nspbf.pdf
IRL2203NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF irll2705pbf.pdf
IRLL2705TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+63.27 грн
12+37.01 грн
50+27.53 грн
100+24.17 грн
200+21.23 грн
500+18.30 грн
1000+17.62 грн
2500+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBF IRSDS06555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRLL2703TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 16A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2803TRPBF irlml2803.pdf
IRLML2803TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.3Ω
на замовлення 28986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.31 грн
25+17.04 грн
50+11.75 грн
100+9.99 грн
250+8.06 грн
500+6.97 грн
1000+6.04 грн
3000+5.04 грн
6000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF irlml5103pbf.pdf
IRLML5103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.92 грн
22+19.14 грн
100+10.91 грн
500+7.64 грн
1000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF irlml6346pbf.pdf
IRLML6346TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
на замовлення 7214 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+28.02 грн
23+18.80 грн
50+12.84 грн
100+10.83 грн
500+7.64 грн
1000+6.63 грн
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF irlml6246pbf.pdf
IRLML6246TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 46mΩ
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 5377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+26.21 грн
26+16.70 грн
31+13.76 грн
100+8.68 грн
200+7.25 грн
500+5.89 грн
1000+5.17 грн
3000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805STRLPBF irf2805spbf.pdf
IRF2805STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5-DTE.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1 BSB015N04NX3G-DTE.pdf
BSB015N04NX3GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1 IPB015N04LG.pdf
IPB015N04LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NG-DTE.pdf
IPB015N04NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF irf9317pbf.pdf
IRF9317TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF description irf7317pbf.pdf
IRF7317TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 6.6/-5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX007TAUMA1 IFX007T.pdf
IFX007TAUMA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Technology: NovalithIC™
Case: PG-TO263-7
Output current: 9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
On-state resistance: 10mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Application: DC motors
Operating voltage: 5.5...40V DC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 808 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+218.73 грн
10+158.62 грн
25+154.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1 IPB031N08N5-DTE.pdf
IPB031N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002ARPPE6327HTSA1 BAS4002ARPPE6327.pdf
BAS4002ARPPE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 40V; If: 0.2A; Ifsm: 2A; SOT143; SMT
Case: SOT143
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: Schottky
Type of bridge rectifier: single-phase
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6327HTSA1 BAS4004E6327HTSA1.pdf
BAS4004E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005E6327HTSA1 BAS4004E6327HTSA1.pdf
BAS4005E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.56 грн
41+10.41 грн
44+9.65 грн
100+6.97 грн
500+5.15 грн
1000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20752LTRPBF IRS20752ltrpbf.pdf
IRS20752LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Case: SOT23-6
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 255ns
Turn-on time: 225ns
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -240...160mA
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+54.23 грн
10+41.96 грн
12+38.10 грн
25+35.08 грн
50+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.29 грн
10+62.61 грн
50+43.81 грн
100+37.68 грн
500+28.03 грн
1000+25.35 грн
2000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTR auirf7309q.pdf
AUIRF7309QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBF irf7807zpbf.pdf
IRF7807ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRPBF irf7807vpbf.pdf
IRF7807VTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C29466-24SXI description CY8C29466-24PVXI.pdf
CY8C29466-24SXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO28; 2kBSRAM,32kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Interface: I2C; SPI; UART
Supply voltage: 3...5.25V DC
Case: SO28
Mounting: SMD
Memory: 2kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Kind of core: 8-bit
Number of inputs/outputs: 24
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1636.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C29666-24PVXI CY8C29466-24PVXI.pdf
CY8C29666-24PVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP48; 3÷5.25VDC; Core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Supply voltage: 3...5.25V DC
Case: SSOP48
Mounting: SMD
Memory: 2kB SRAM; 32kB FLASH; 512kB SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Kind of core: 8-bit
Number of inputs/outputs: 44
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1293.37 грн
10+1080.13 грн
30+1012.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C22345-24PVXA CY8C22345-24PVXA.pdf
CY8C22345-24PVXA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Interface: I2C; SPI; UART
Supply voltage: 3...5.25V DC
Case: SSOP28
Mounting: SMD
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Integrated circuit features: CapSense
Kind of core: 8-bit
Number of inputs/outputs: 24
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+332.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF description IR4427PBF.pdf
IR4427PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+141.90 грн
5+114.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4321PBF description IRFB4321PBF-DTE.pdf
IRFB4321PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.19 грн
10+151.07 грн
25+116.66 грн
50+101.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBF irfs3004pbf.pdf
IRFB3004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.09 грн
10+183.80 грн
50+171.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G-DTE.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.11 грн
10+207.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120CS7XKSA1 IKW25N120CS7.pdf
IKW25N120CS7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 38ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 490ns
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.11 грн
10+223.24 грн
30+214.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF irlb8748pbf.pdf
IRLB8748PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+89.48 грн
8+53.04 грн
10+48.26 грн
25+42.80 грн
50+39.11 грн
100+35.75 грн
200+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+438.35 грн
10+289.55 грн
25+268.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BE6327 BC857B-DTE.pdf
BC857BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7550BXTSA1 1EDN7550B.pdf
1EDN7550BXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-SOT23-6
Topology: single transistor
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...20V
Voltage class: 80V
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.52 грн
10+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IDB30E120ATMA1 IDB30E120ATMA1.pdf
IDB30E120ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1200V; 30A; TO263-3; Ufmax: 2.15V
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 2.15V
Load current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO263-3
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 624 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+131.96 грн
10+79.73 грн
100+73.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDB30E60ATMA1 IDB30E60ATMA1.pdf
IDB30E60ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 30A; TO263-3; Ufmax: 2V
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 2V
Load current: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: TO263-3
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI000 001-98283%20Rev%20T.pdf
S25FL128SAGNFI000
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI001 001-98283%20Rev%20T.pdf
S25FL128SAGNFI001
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+322.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI011 Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
S25FL128SAGNFI011
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+353.40 грн
5+296.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFV001 Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
S25FL128SAGNFV001
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: tube
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.23W
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Case: SOT23
Semiconductor structure: double series
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.08 грн
33+12.76 грн
38+11.25 грн
100+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5097EPXUMA1 Infineon-TLD5097EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b58a1180e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; SMPS controller,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Technology: Litix™
Case: PG-TSDSO-14
Output current: -550...380mA
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...45V DC
Protection: overheating OTP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1938 1939 1940 1941 1942 1943 1944 1945 1946 1947 1948 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]