Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (117853) > Сторінка 1936 з 1965

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1931 1932 1933 1934 1935 1936 1937 1938 1939 1940 1941 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IR21844STRPBF IR21844STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184PBF IR2184PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+166.30 грн
10+144.35 грн
25+137.64 грн
50+132.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184SPBF IR2184SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Turn-off time: 270ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+219.05 грн
3+209.82 грн
10+179.60 грн
25+161.14 грн
50+150.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF IR2184STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Turn-off time: 270ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.53 грн
10+109.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60AE6327HTSA1 BAT60AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT60AE6327-DTE.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 10V; 3A; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 26231 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.08 грн
30+14.10 грн
34+12.59 грн
40+10.74 грн
100+8.90 грн
500+7.81 грн
1000+6.97 грн
3000+6.04 грн
6000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BTS452R BTS452R INFINEON TECHNOLOGIES BTS452R-DTE.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 0.2Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 62V
на замовлення 3115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.98 грн
10+100.71 грн
100+91.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70SH6327XTSA1 BAV70SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV70E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
52+8.86 грн
83+5.07 грн
250+4.52 грн
1000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99SH6327XTSA1 BAV99SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV99SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2092STRPBF IRS2092STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2092.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 800kHz; 10÷18VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
Frequency: 800kHz
на замовлення 774 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp064n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 983 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.90 грн
5+144.35 грн
10+125.89 грн
15+114.98 грн
25+102.39 грн
100+83.09 грн
125+82.25 грн
400+73.02 грн
500+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF IRFP3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 664 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+274.76 грн
10+163.66 грн
25+125.89 грн
50+108.27 грн
100+104.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 133.3nC
на замовлення 919 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.59 грн
10+84.77 грн
50+79.73 грн
100+73.02 грн
250+66.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCP5216H6327XTSA1.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Case: SOT223
Power dissipation: 2W
Frequency: 125MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.09 грн
10+131.76 грн
25+95.68 грн
50+74.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+465.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4468pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+361.53 грн
10+246.74 грн
25+207.30 грн
50+183.80 грн
100+181.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML6402TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7416qpbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.25 грн
10+51.36 грн
25+43.64 грн
100+33.57 грн
250+27.78 грн
500+24.93 грн
1000+24.09 грн
2000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 3051 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.38 грн
10+103.23 грн
25+91.48 грн
50+83.09 грн
100+76.37 грн
500+66.30 грн
1000+62.11 грн
1250+61.27 грн
2000+58.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 684 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.90 грн
5+150.23 грн
10+136.80 грн
25+121.69 грн
100+107.43 грн
500+104.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF IRF5210STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4427PBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.69 грн
10+78.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.79 грн
5+85.10 грн
10+71.09 грн
20+57.57 грн
40+47.00 грн
50+44.31 грн
100+38.35 грн
200+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAR81WH6327XTSA1 BAR81WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR81.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; SOT343; single diode; 80ns; Ufmax: 1V
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 80ns
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT343
Features of semiconductor devices: RF
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.98 грн
18+23.84 грн
25+21.15 грн
100+18.97 грн
500+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28WH6327XTSA1 BAS28WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS28E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT343; Ufmax: 1.25V; 250mW
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 4ns
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.25V
Max. off-state voltage: 85V
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT343
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
61+7.41 грн
100+6.13 грн
250+5.46 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6327XTSA1 BC847CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT323
Type of transistor: NPN
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.88 грн
31+13.60 грн
100+7.79 грн
250+6.11 грн
500+5.08 грн
1000+4.21 грн
2500+3.28 грн
3000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CWH6327XTSA1 BC849CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 420...800
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT323
Type of transistor: NPN
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
100+4.52 грн
157+2.69 грн
179+2.35 грн
213+1.97 грн
250+1.77 грн
500+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CWH6327 BC858CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC858CE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 30V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT323
Type of transistor: PNP
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
220+2.06 грн
278+1.51 грн
296+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
BC860CWH6327 BC860CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC860CWH6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
80+5.69 грн
110+3.91 грн
250+3.46 грн
1000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108WH6327 BCR108WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR108WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 170MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
33+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116WH6327 BCR116WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR116.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Case: SOT323
Type of transistor: NPN
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
45+10.12 грн
95+4.57 грн
105+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Power dissipation: 370W
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+216.92 грн
10+152.75 грн
50+142.68 грн
100+130.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAS2103WE6327HTSA1 BAS2103WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS2103WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; 50ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Reverse recovery time: 50ns
Load current: 0.25A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.25V
Max. off-state voltage: 250V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA17N80C3 SPA17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPA17N80C3-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+269.34 грн
5+200.58 грн
10+178.76 грн
15+176.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3 SPB17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPB17N80C3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+394.07 грн
5+323.12 грн
25+290.39 грн
100+275.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP17N80C3 SPP17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.32 грн
10+122.53 грн
50+108.27 грн
100+97.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPW17N80C3 SPW17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW17N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+278.38 грн
3+235.83 грн
10+200.58 грн
30+183.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540nspbf.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.92 грн
10+101.55 грн
50+95.68 грн
100+92.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540nspbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP1405PBF IRFP1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp1405pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+222.34 грн
5+167.01 грн
10+163.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140NPBF IRFP140NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp140n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+165.40 грн
10+89.80 грн
25+63.78 грн
50+59.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_XMC11_BOOT_001 KIT_XMC11_BOOT_001 INFINEON TECHNOLOGIES KIT-XMC11-BOOT-001-DTE.pdf Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; Comp: XMC1100; Architecture: Cortex M0
Type of development kit: ARM Infineon
Connection: pin strips; USB B micro
Components: XMC1100
Programmers and development kits features: 3,3V voltage regulator; 5V voltage regulator; connector with SPI signal lines; LED x6; SEGGER J-Link OB Debugger; UART
Kind of architecture: Cortex M0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC150N03LDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26W
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO150N03MDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6804WH6327XTSA1 BAT6804WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6804E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 8V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Power dissipation: 0.15W
Max. forward voltage: 0.5V
Max. off-state voltage: 8V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.54 грн
17+25.01 грн
18+23.33 грн
50+19.64 грн
100+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111PBF IR2111PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2111.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 190ns
Turn-on time: 830ns
Power: 1W
Voltage class: 600V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+168.11 грн
10+142.68 грн
25+129.25 грн
50+126.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111SPBF IR2111SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2111SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 190ns
Turn-on time: 830ns
Power: 625mW
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.69 грн
10+100.71 грн
25+96.52 грн
50+93.16 грн
95+89.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNH6327XTSA1 BC847PNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC846PNH6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.36 грн
43+9.90 грн
100+7.72 грн
1000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 0.25Ω
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.88 грн
34+12.59 грн
100+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 38A; Idm: 200A
Technology: OptiMOS® -T
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TO252-3-11
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 38A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector current: 80A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+501.62 грн
2+439.77 грн
3+418.79 грн
5+390.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422PBF PVT422PBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt422.pdf description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.25VDC; Icntrl: 2÷25mA; 350mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control voltage: 1.25V DC
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT422PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422SPBF PVT422SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt422.pdf description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 2÷25mA; 350mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT422PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1 IGB20N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB20N65S5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 27ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 137ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N65R5XKSA1 IHW20N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW20N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 97nC
Turn-off time: 257ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844STRPBF IR21844SPBF.pdf
IR21844STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184PBF IR21844SPBF.pdf
IR2184PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.30 грн
10+144.35 грн
25+137.64 грн
50+132.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184SPBF description IR21844SPBF.pdf
IR2184SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Turn-off time: 270ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.05 грн
3+209.82 грн
10+179.60 грн
25+161.14 грн
50+150.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF IR21844SPBF.pdf
IR2184STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Turn-off time: 270ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.53 грн
10+109.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60AE6327HTSA1 BAT60AE6327-DTE.pdf
BAT60AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 10V; 3A; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 26231 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.08 грн
30+14.10 грн
34+12.59 грн
40+10.74 грн
100+8.90 грн
500+7.81 грн
1000+6.97 грн
3000+6.04 грн
6000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BTS452R BTS452R-DTE.pdf
BTS452R
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 0.2Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 62V
на замовлення 3115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.98 грн
10+100.71 грн
100+91.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70SH6327XTSA1 BAV70E6327HTSA1.pdf
BAV70SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
52+8.86 грн
83+5.07 грн
250+4.52 грн
1000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99SH6327XTSA1 BAV99SH6327XTSA1.pdf
BAV99SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2092STRPBF IRS2092.pdf
IRS2092STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 800kHz; 10÷18VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
Frequency: 800kHz
на замовлення 774 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF irfp064n.pdf
IRFP064NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 983 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.90 грн
5+144.35 грн
10+125.89 грн
15+114.98 грн
25+102.39 грн
100+83.09 грн
125+82.25 грн
400+73.02 грн
500+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF irfp3206pbf.pdf
IRFP3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 664 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.76 грн
10+163.66 грн
25+125.89 грн
50+108.27 грн
100+104.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415.pdf
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 133.3nC
на замовлення 919 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.59 грн
10+84.77 грн
50+79.73 грн
100+73.02 грн
250+66.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1.pdf
BCP5216H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Case: SOT223
Power dissipation: 2W
Frequency: 125MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+187.09 грн
10+131.76 грн
25+95.68 грн
50+74.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3.pdf
SPW35N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+465.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF irfp4468pbf.pdf
IRFP4468PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+361.53 грн
10+246.74 грн
25+207.30 грн
50+183.80 грн
100+181.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF irf7416qpbf.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.25 грн
10+51.36 грн
25+43.64 грн
100+33.57 грн
250+27.78 грн
500+24.93 грн
1000+24.09 грн
2000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210.pdf
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 3051 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.38 грн
10+103.23 грн
25+91.48 грн
50+83.09 грн
100+76.37 грн
500+66.30 грн
1000+62.11 грн
1250+61.27 грн
2000+58.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 684 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.90 грн
5+150.23 грн
10+136.80 грн
25+121.69 грн
100+107.43 грн
500+104.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427PBF.pdf
IR4427STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.69 грн
10+78.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.79 грн
5+85.10 грн
10+71.09 грн
20+57.57 грн
40+47.00 грн
50+44.31 грн
100+38.35 грн
200+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAR81WH6327XTSA1 BAR81.pdf
BAR81WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; SOT343; single diode; 80ns; Ufmax: 1V
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 80ns
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT343
Features of semiconductor devices: RF
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.98 грн
18+23.84 грн
25+21.15 грн
100+18.97 грн
500+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28WH6327XTSA1 BAS28E6327HTSA1.pdf
BAS28WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT343; Ufmax: 1.25V; 250mW
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 4ns
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.25V
Max. off-state voltage: 85V
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT343
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
61+7.41 грн
100+6.13 грн
250+5.46 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6327XTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC847CWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT323
Type of transistor: NPN
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.88 грн
31+13.60 грн
100+7.79 грн
250+6.11 грн
500+5.08 грн
1000+4.21 грн
2500+3.28 грн
3000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CWH6327XTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC849CWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 420...800
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT323
Type of transistor: NPN
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.52 грн
157+2.69 грн
179+2.35 грн
213+1.97 грн
250+1.77 грн
500+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CWH6327 BC858CE6327.pdf
BC858CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 30V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT323
Type of transistor: PNP
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
220+2.06 грн
278+1.51 грн
296+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
BC860CWH6327 BC860CWH6327.pdf
BC860CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
80+5.69 грн
110+3.91 грн
250+3.46 грн
1000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108WH6327 BCR108WH6327.pdf
BCR108WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 170MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
33+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116WH6327 BCR116.pdf
BCR116WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Case: SOT323
Type of transistor: NPN
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
45+10.12 грн
95+4.57 грн
105+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description irfb3077pbf.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Power dissipation: 370W
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+216.92 грн
10+152.75 грн
50+142.68 грн
100+130.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAS2103WE6327HTSA1 BAS2103WE6327HTSA1.pdf
BAS2103WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; 50ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Reverse recovery time: 50ns
Load current: 0.25A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.25V
Max. off-state voltage: 250V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA17N80C3 description SPA17N80C3-DTE.pdf
SPA17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.34 грн
5+200.58 грн
10+178.76 грн
15+176.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3 SPB17N80C3-DTE.pdf
SPB17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+394.07 грн
5+323.12 грн
25+290.39 грн
100+275.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP17N80C3 description
SPP17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+147.32 грн
10+122.53 грн
50+108.27 грн
100+97.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPW17N80C3 description SPW17N80C3.pdf
SPW17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.38 грн
3+235.83 грн
10+200.58 грн
30+183.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBF irf9540nspbf.pdf
IRF9540NLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.92 грн
10+101.55 грн
50+95.68 грн
100+92.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF irf9540n.pdf
IRF9540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBF description irf9540nspbf.pdf
IRF9540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP1405PBF irfp1405pbf.pdf
IRFP1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+222.34 грн
5+167.01 грн
10+163.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140NPBF irfp140n.pdf
IRFP140NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.40 грн
10+89.80 грн
25+63.78 грн
50+59.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_XMC11_BOOT_001 KIT-XMC11-BOOT-001-DTE.pdf
KIT_XMC11_BOOT_001
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; Comp: XMC1100; Architecture: Cortex M0
Type of development kit: ARM Infineon
Connection: pin strips; USB B micro
Components: XMC1100
Programmers and development kits features: 3,3V voltage regulator; 5V voltage regulator; connector with SPI signal lines; LED x6; SEGGER J-Link OB Debugger; UART
Kind of architecture: Cortex M0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDG-DTE.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26W
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDG-DTE.pdf
BSO150N03MDGXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6804WH6327XTSA1 BAT6804E6327HTSA1.pdf
BAT6804WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 8V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Power dissipation: 0.15W
Max. forward voltage: 0.5V
Max. off-state voltage: 8V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.54 грн
17+25.01 грн
18+23.33 грн
50+19.64 грн
100+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111PBF description ir2111.pdf
IR2111PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 190ns
Turn-on time: 830ns
Power: 1W
Voltage class: 600V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.11 грн
10+142.68 грн
25+129.25 грн
50+126.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111SPBF description IR2111SPBF.pdf
IR2111SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 190ns
Turn-on time: 830ns
Power: 625mW
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.69 грн
10+100.71 грн
25+96.52 грн
50+93.16 грн
95+89.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNH6327XTSA1 BC846PNH6327.pdf
BC847PNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.36 грн
43+9.90 грн
100+7.72 грн
1000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1.pdf
BSS214NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 0.25Ω
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.88 грн
34+12.59 грн
100+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBF irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 38A; Idm: 200A
Technology: OptiMOS® -T
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TO252-3-11
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 38A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3-DTE.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector current: 80A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+501.62 грн
2+439.77 грн
3+418.79 грн
5+390.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422PBF description pvt422.pdf
PVT422PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.25VDC; Icntrl: 2÷25mA; 350mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control voltage: 1.25V DC
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT422PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422SPBF description pvt422.pdf
PVT422SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 2÷25mA; 350mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT422PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1 IGB20N65S5.pdf
IGB20N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 27ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 137ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N65R5XKSA1 IHW20N65R5.pdf
IHW20N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 97nC
Turn-off time: 257ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1931 1932 1933 1934 1935 1936 1937 1938 1939 1940 1941 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]