Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (117859) > Сторінка 1942 з 1965

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1937 1938 1939 1940 1941 1942 1943 1944 1945 1946 1947 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.08 грн
72+5.87 грн
100+4.55 грн
500+3.84 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DDB2U60N12W1RF_B11-DataSheet-v02_21-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f0179796012a65183 Category: Unclassified
Description: DDB2U60N12W1RFB11BPSA1
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+8452.56 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS19228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.8nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 2.9Ω
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N06S2L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433bafe5d69 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 100W; DPAK,TO252
Application: automotive industry
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 15.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 100W; DPAK,TO252
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 200V; 18A; 150W; D2PAK,TO263AB; 251ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 251ns
Technology: HEXFET®
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
800+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS282Z.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-7-1
On-state resistance: 6.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: TEMPFET®
Operating temperature: -40...175°C
Output voltage: 49V
Power dissipation: 300W
Integrated circuit features: internal temperature sensor
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+533.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS282Z.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; THT; tube; 300W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-12
On-state resistance: 6.5mΩ
Kind of package: tube
Technology: TEMPFET®
Operating temperature: -40...175°C
Output voltage: 49V
Power dissipation: 300W
Integrated circuit features: internal temperature sensor
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+527.83 грн
3+440.61 грн
10+390.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB20N60S5_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ca0ff473e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1310n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.21 грн
10+72.93 грн
50+65.80 грн
100+61.69 грн
250+56.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 115.4W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 115.4W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L022ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N06S5L022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275d5cd0ef1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5000+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB21N50C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d07ff47f0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 21A; 208W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 21A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25HS02GTDPBHB053 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating frequency: 133MHz
Memory: 2Gb FLASH
Application: automotive
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25HS02GTDPBHV053 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25hs02gt-s25hs04gt-s25hl02gt-s25hl04gt-2-gb-ddp4-gb-qdp-semper-flash-with-quad-spi-1-8-v-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee8d76471ad&utm_source=cypress&utm_medium=referral Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating frequency: 133MHz
Memory: 2Gb FLASH
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS02GTFPBHV050 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; octal; 166MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Interface: octal
Kind of interface: serial
Operating frequency: 166MHz
Memory: 2Gb FLASH
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS02GTFPBHV053 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; octal; 166MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Interface: octal
Kind of interface: serial
Operating frequency: 166MHz
Memory: 2Gb FLASH
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R140CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+325.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPW16N50C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW16N50C3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d2eca4824 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 16A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 16A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP08N80C3_rev2[1].9.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 156W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISP16DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be2ca8e0c4a4d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH7894XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -170mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
Application: automotive industry
Technology: SIPMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW32N50C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d1edf480e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 32A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
Power dissipation: 284W
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+559.47 грн
5+425.51 грн
10+379.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 80A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2907AE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.33W
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 200MHz
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.08 грн
36+11.75 грн
53+7.99 грн
100+6.74 грн
500+4.74 грн
1000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF IRFP4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N08S5N100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6c94a801de Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA220N08S5N021AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA220N08S5N021-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39cb690b3e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 27A; Idm: 677A; 211W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 677A
Power dissipation: 211W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1 IPP030N10N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1 IPP024N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP024N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+394.07 грн
3+314.72 грн
10+252.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB024N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159ef08d94417f4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 250W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: TO263-7
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 138nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI024N06N3GXKSA1 IPI024N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI024N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2060pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.40 грн
24+18.13 грн
100+10.41 грн
500+7.05 грн
1000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP296NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.21 грн
21+20.65 грн
50+18.04 грн
100+16.95 грн
200+15.78 грн
500+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP295H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.21 грн
10+45.82 грн
50+33.65 грн
100+29.46 грн
200+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP297H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 0.66A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
на замовлення 641 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.75 грн
10+42.80 грн
50+34.16 грн
100+30.38 грн
200+26.52 грн
500+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 1.2A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Gate charge: 4.5nC
On-state resistance: 329mΩ
Power dissipation: 1.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HYWBSP295H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Unclassified
Description: HYWBSP295H6327XTSA1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2000+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K40WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BC817KSERIES_BC818KSERIES-DS-v01_01-en-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f541639624faa Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 500mA; 250mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB073N15N5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 7.3mΩ
Drain current: 81A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28E6327HTSA1 BAS28E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS28E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT143; Ufmax: 1.25V; 330mW
Mounting: SMD
Case: SOT143
Kind of package: reel; tape
Load current: 0.2A
Type of diode: switching
Power dissipation: 0.33W
Max. forward voltage: 1.25V
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 85V
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double independent
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE1HS01G1XUMA1 ICE1HS01G1XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE1HS01G-1.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; resonant mode controller; 50÷609kHz; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: resonant mode controller
Frequency: 50...609kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: push-pull
Application: for LCD displays; SMPS
Operating voltage: 10.2...18V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817SUE6327HTSA1 BC817SUE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC817UE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 1W; SC74
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Case: SC74
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Frequency: 170MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
100+4.52 грн
102+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3 SPP04N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP04N80C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+106.59 грн
10+95.68 грн
50+90.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW40N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+244.94 грн
3+191.35 грн
10+155.26 грн
20+144.35 грн
30+137.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Case: SOT223
Technology: SIPMOS®
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVI1050NSPBF PVI1050NSPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PVI1050N-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff00c5cca Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 2.5kV; Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Insulation voltage: 2.5kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 0.3ms
Manufacturer series: PVI-NPbF
Turn-off time: 220µs
Kind of output: photodiode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3036pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.05 грн
10+147.71 грн
20+132.60 грн
50+118.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BFN26E6327 BFN26E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFN26.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH20KDPBF IRG4PH20KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4ph20kdpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRG4PH50S AUIRG4PH50S INFINEON TECHNOLOGIES auirg4ph50s.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 81A; 217W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 81A
Power dissipation: 217W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 227nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 99A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12SN6E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGS12SN6-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f2db58bc03856 Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; Ch: 2; TSNP6; 1.8÷3.5VDC; 0.1÷6GHz
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Supply voltage: 1.8...3.5V DC
Case: TSNP6
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Output configuration: SPDT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2805.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+145.52 грн
10+72.18 грн
25+68.82 грн
50+66.30 грн
500+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6327HTSA1 BAS7004E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.69 грн
30+14.44 грн
100+8.32 грн
250+6.59 грн
500+5.61 грн
1000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c
BSS138IXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.08 грн
72+5.87 грн
100+4.55 грн
500+3.84 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 Infineon-DDB2U60N12W1RF_B11-DataSheet-v02_21-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f0179796012a65183
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: DDB2U60N12W1RFB11BPSA1
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+8452.56 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6906XTSA1 INFNS19228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.8nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 2.9Ω
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 Infineon-IPD30N06S2L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433bafe5d69
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 100W; DPAK,TO252
Application: automotive industry
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 15.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 100W; DPAK,TO252
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 200V; 18A; 150W; D2PAK,TO263AB; 251ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 251ns
Technology: HEXFET®
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282Z.pdf
BTS282ZE3180AATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-7-1
On-state resistance: 6.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: TEMPFET®
Operating temperature: -40...175°C
Output voltage: 49V
Power dissipation: 300W
Integrated circuit features: internal temperature sensor
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+533.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282Z.pdf
BTS282ZE3230AKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; THT; tube; 300W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-12
On-state resistance: 6.5mΩ
Kind of package: tube
Technology: TEMPFET®
Operating temperature: -40...175°C
Output voltage: 49V
Power dissipation: 300W
Integrated circuit features: internal temperature sensor
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+527.83 грн
3+440.61 грн
10+390.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ca0ff473e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF irf1310n.pdf
IRF1310NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+120.21 грн
10+72.93 грн
50+65.80 грн
100+61.69 грн
250+56.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 115.4W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 115.4W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L022ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275d5cd0ef1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1 SPB21N50C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d07ff47f0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 21A; 208W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 21A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25HS02GTDPBHB053
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating frequency: 133MHz
Memory: 2Gb FLASH
Application: automotive
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25HS02GTDPBHV053 infineon-s25hs02gt-s25hs04gt-s25hl02gt-s25hl04gt-2-gb-ddp4-gb-qdp-semper-flash-with-quad-spi-1-8-v-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee8d76471ad&utm_source=cypress&utm_medium=referral
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating frequency: 133MHz
Memory: 2Gb FLASH
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS02GTFPBHV050
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; octal; 166MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Interface: octal
Kind of interface: serial
Operating frequency: 166MHz
Memory: 2Gb FLASH
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS02GTFPBHV053
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; octal; 166MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Interface: octal
Kind of interface: serial
Operating frequency: 166MHz
Memory: 2Gb FLASH
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CP-DTE.pdf
IPA50R140CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPW16N50C3FKSA1 SPW16N50C3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d2eca4824
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 16A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 16A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3XKSA1 SPP08N80C3_rev2[1].9.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 156W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMXTSA1 Infineon-ISP16DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be2ca8e0c4a4d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH7894XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -170mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
Application: automotive industry
Technology: SIPMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d1edf480e
SPW32N50C3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 32A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
Power dissipation: 284W
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+559.47 грн
5+425.51 грн
10+379.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 80A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327.pdf
SMBT2907AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.33W
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 200MHz
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.08 грн
36+11.75 грн
53+7.99 грн
100+6.74 грн
500+4.74 грн
1000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1 Infineon-IAUZ40N08S5N100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6c94a801de
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA220N08S5N021AUMA1 Infineon-IAUA220N08S5N021-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39cb690b3e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 27A; Idm: 677A; 211W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 677A
Power dissipation: 211W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1 IPP030N10N5-DTE.pdf
IPP030N10N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1 IPP024N06N3G-DTE.pdf
IPP024N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+394.07 грн
3+314.72 грн
10+252.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N10N5ATMA1 Infineon-IPB024N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159ef08d94417f4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 250W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: TO263-7
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 138nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI024N06N3GXKSA1 IPI024N06N3G-DTE.pdf
IPI024N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1 irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2060TRPBF irlml2060pbf.pdf
IRLML2060TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+24.40 грн
24+18.13 грн
100+10.41 грн
500+7.05 грн
1000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1.pdf
BSP296NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+26.21 грн
21+20.65 грн
50+18.04 грн
100+16.95 грн
200+15.78 грн
500+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1.pdf
BSP295H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+73.21 грн
10+45.82 грн
50+33.65 грн
100+29.46 грн
200+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1.pdf
BSP297H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 0.66A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
на замовлення 641 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.75 грн
10+42.80 грн
50+34.16 грн
100+30.38 грн
200+26.52 грн
500+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1 BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 1.2A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Gate charge: 4.5nC
On-state resistance: 329mΩ
Power dissipation: 1.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HYWBSP295H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: HYWBSP295H6327XTSA1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K40WH6327XTSA1 Infineon-BC817KSERIES_BC818KSERIES-DS-v01_01-en-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f541639624faa
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 500mA; 250mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5.pdf
IPB073N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 7.3mΩ
Drain current: 81A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28E6327HTSA1 BAS28E6327HTSA1.pdf
BAS28E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT143; Ufmax: 1.25V; 330mW
Mounting: SMD
Case: SOT143
Kind of package: reel; tape
Load current: 0.2A
Type of diode: switching
Power dissipation: 0.33W
Max. forward voltage: 1.25V
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 85V
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double independent
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE1HS01G1XUMA1 ICE1HS01G-1.pdf
ICE1HS01G1XUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; resonant mode controller; 50÷609kHz; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: resonant mode controller
Frequency: 50...609kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: push-pull
Application: for LCD displays; SMPS
Operating voltage: 10.2...18V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817SUE6327HTSA1 BC817UE6327.pdf
BC817SUE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 1W; SC74
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Case: SC74
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Frequency: 170MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.52 грн
102+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3 SPP04N80C3.pdf
SPP04N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.59 грн
10+95.68 грн
50+90.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.94 грн
3+191.35 грн
10+155.26 грн
20+144.35 грн
30+137.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1 Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c
BSP149H6906XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Case: SOT223
Technology: SIPMOS®
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVI1050NSPBF Infineon-PVI1050N-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff00c5cca
PVI1050NSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 2.5kV; Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Insulation voltage: 2.5kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 0.3ms
Manufacturer series: PVI-NPbF
Turn-off time: 220µs
Kind of output: photodiode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.05 грн
10+147.71 грн
20+132.60 грн
50+118.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BFN26E6327 BFN26.pdf
BFN26E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH20KDPBF irg4ph20kdpbf.pdf
IRG4PH20KDPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRG4PH50S auirg4ph50s.pdf
AUIRG4PH50S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 81A; 217W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 81A
Power dissipation: 217W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 227nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 99A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12SN6E6327XTSA1 Infineon-BGS12SN6-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f2db58bc03856
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; Ch: 2; TSNP6; 1.8÷3.5VDC; 0.1÷6GHz
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Supply voltage: 1.8...3.5V DC
Case: TSNP6
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Output configuration: SPDT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description irf2805.pdf
IRF2805PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+145.52 грн
10+72.18 грн
25+68.82 грн
50+66.30 грн
500+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6327HTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7004E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.69 грн
30+14.44 грн
100+8.32 грн
250+6.59 грн
500+5.61 грн
1000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1937 1938 1939 1940 1941 1942 1943 1944 1945 1946 1947 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]