Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (117853) > Сторінка 1941 з 1965

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1936 1937 1938 1939 1940 1941 1942 1943 1944 1945 1946 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.40 грн
11+41.63 грн
100+27.19 грн
500+21.15 грн
1000+19.22 грн
2000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.50 грн
5+122.53 грн
10+108.27 грн
50+78.89 грн
100+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.25 грн
10+47.67 грн
100+31.47 грн
500+24.51 грн
1000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+254.88 грн
10+156.94 грн
25+136.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 IRFP3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.41 грн
10+155.26 грн
25+144.35 грн
100+135.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2153d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -260...180mA
Turn-off time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFB3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+157.27 грн
4+134.28 грн
10+101.55 грн
25+86.44 грн
50+76.37 грн
100+67.98 грн
200+61.27 грн
500+52.87 грн
1000+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7430PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Trade name: StrongIRFET
Gate charge: 300nC
On-state resistance: 1.3mΩ
Power dissipation: 375W
Drain current: 409A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+185.48 грн
10+149.39 грн
50+107.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.44 грн
10+125.89 грн
20+120.85 грн
50+118.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD025N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.78 грн
5+123.37 грн
50+119.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.59 грн
10+45.91 грн
50+33.32 грн
100+29.29 грн
250+25.09 грн
500+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC035N10NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 4141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO211PHXUMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.21 грн
19+22.16 грн
25+20.48 грн
100+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 393 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.18 грн
10+100.71 грн
20+92.32 грн
50+83.09 грн
100+76.37 грн
200+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKQ120N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 343ns
Turn-on time: 76ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™
Pulsed collector current: 480A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 17A; Idm: 92A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UE6327HTSA1 BC817UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC817UE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.5A; 0.33W; SC74
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.02 грн
19+23.08 грн
25+20.81 грн
100+16.03 грн
500+10.57 грн
1000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60N12AFXUMA1 1EDI60N12AFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDIxxy12AF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Topology: single transistor
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
Output current: -6...6A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 1.2kV
Case: PG-DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015356762b71279f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4140N ITS4140N INFINEON TECHNOLOGIES ITS4140N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.15 грн
10+70.50 грн
25+62.11 грн
100+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS159NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: depletion
Case: SOT23
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.15 грн
32+13.26 грн
35+12.17 грн
50+11.41 грн
100+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402WH6327XTSA1 BCR402WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr402w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011407a9cfc70181&fileId=db3a30431400ef68011407c5054c0192 Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Output current: 20...60mA
Number of channels: 1
Operating voltage: 1.2...18V DC
Integrated circuit features: linear dimming
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: SOT343
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.88 грн
29+14.77 грн
33+12.92 грн
39+10.83 грн
100+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IR2114SSPBF IR2114SSPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2114SSPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-/low-side,gate driver; SSOP24
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1A
Turn-off time: 440ns
Turn-on time: 440ns
Number of channels: 2
Power: 1.5W
Supply voltage: 10.4...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+543.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6327HTSA1 BC847BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 803 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.33 грн
85+4.95 грн
101+4.18 грн
112+3.75 грн
250+3.48 грн
500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBF IRFB3006GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3006gpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8001GXUMA1 ICL8001GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICL8001G-DTE.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; flyback; PFC controller,SMPS controller,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback
Kind of integrated circuit: LED driver; PFC controller; SMPS controller
Case: PG-DSO-8
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating voltage: 10.5...26V DC
Integrated circuit features: phase-cut dimming; soft-start function
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.96 грн
7+69.66 грн
25+62.94 грн
100+59.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N135R5XKSA1 IHW40N135R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW40N135R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0fe63f5326a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate charge: 305nC
Turn-off time: 0.5µs
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 197W
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+227.44 грн
10+177.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25401PBF IRS25401PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs25401pbf.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; high-/low-side,LED driver; DIP8; -700÷500mA; 1W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: DIP8
Topology: buck
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-/low-side; LED driver
Operating temperature: -25...125°C
Output current: -700...500mA
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 320ns
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 8...16.6V DC
Voltage class: 200V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+75.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP048N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 300W
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+292.84 грн
10+237.51 грн
50+159.46 грн
100+142.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP147N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 107W
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.75 грн
10+84.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP114N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 136W
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.38 грн
10+110.78 грн
50+86.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4620pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+165.40 грн
10+107.43 грн
25+89.80 грн
50+79.73 грн
100+70.50 грн
250+62.11 грн
500+57.07 грн
1000+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfb4020-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405E6327HTSA1 BAT5405E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.23W
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.13 грн
68+6.21 грн
73+5.79 грн
89+4.75 грн
100+4.35 грн
500+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65H5XKSA1 IKP30N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP30N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 36A; 188W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB042N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP460H6327XTSA1 BFP460H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 70mA; 0.23W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 70mA
Collector-emitter voltage: 4.5V
Current gain: 90...160
Frequency: 22GHz
Kind of transistor: RF
Technology: SIEGET™
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.79 грн
28+15.44 грн
31+13.68 грн
36+11.83 грн
50+10.74 грн
100+9.90 грн
250+9.06 грн
500+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA2 IPB120N06S402ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPB120N06S402.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 120A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 757A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT165N08S5N029.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 165A
Power dissipation: 167W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002363322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404WH6327XTSA1 BAT5404WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.23 грн
79+5.37 грн
96+4.40 грн
103+4.11 грн
200+3.92 грн
500+3.70 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405WH6327XTSA1 BAT5405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.23 грн
85+4.95 грн
100+4.21 грн
500+3.98 грн
1000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
T560N18TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES T560N.pdf Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 559A
Case: BG-T4814K0-1
Max. forward impulse current: 8kA
Gate current: 200mA
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. load current: 809A
Kind of package: in-tray
Mounting: Press-Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF042N10NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPF042N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f49616ca62b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 139A; Idm: 556A; 167W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 139A
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
Power dissipation: 167W
Pulsed drain current: 556A
Technology: StrongIRFET™ 2
On-state resistance: 4.25mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7002VH6327XTSA1 BAS7002VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.08 грн
36+11.83 грн
50+8.69 грн
100+7.63 грн
250+6.52 грн
500+5.77 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUS165N08S5N029.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 165A
Power dissipation: 167W
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 660A
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF7769L1TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 3.3W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 3.3W
Case: DirectFET
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3 SPP08N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.14 грн
10+145.19 грн
50+136.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPI21N50C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A21N50C3_Rev[1].3.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637e7be4f0060&fileId=db3a3043163797a6011637eeb9340085 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 560V; 21A; 208W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 21A
Power dissipation: 208W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 95nC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+133.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IFCM20T65GDXKMA1 IFCM20T65GDXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IFCM20T65GD.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IPM,2-phase motor controller; PG-MDIP24; 20A; 60kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 2-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™ 5
Case: PG-MDIP24
Output current: 20A
Integrated circuit features: interleaved PFC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Frequency: 60kHz
Kind of package: tube
Voltage class: 650V
Power dissipation: 52.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.08 грн
72+5.87 грн
100+4.55 грн
500+3.84 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DDB2U60N12W1RF_B11-DataSheet-v02_21-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f0179796012a65183 Category: Unclassified
Description: DDB2U60N12W1RFB11BPSA1
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+8452.56 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS19228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.8nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 2.9Ω
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N06S2L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433bafe5d69 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 100W; DPAK,TO252
Application: automotive industry
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 15.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 100W; DPAK,TO252
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+71.40 грн
11+41.63 грн
100+27.19 грн
500+21.15 грн
1000+19.22 грн
2000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.50 грн
5+122.53 грн
10+108.27 грн
50+78.89 грн
100+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.25 грн
10+47.67 грн
100+31.47 грн
500+24.51 грн
1000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.88 грн
10+156.94 грн
25+136.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee
IRFP3077PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.41 грн
10+155.26 грн
25+144.35 грн
100+135.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSTRPBF irs2153d.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -260...180mA
Turn-off time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 Infineon-IRFB3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF irfs3306pbf.pdf
IRFB3306PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.27 грн
4+134.28 грн
10+101.55 грн
25+86.44 грн
50+76.37 грн
100+67.98 грн
200+61.27 грн
500+52.87 грн
1000+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF.pdf
IRFB7430PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Trade name: StrongIRFET
Gate charge: 300nC
On-state resistance: 1.3mΩ
Power dissipation: 375W
Drain current: 409A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+185.48 грн
10+149.39 грн
50+107.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF irfs3207pbf.pdf
IRFB3207PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+133.44 грн
10+125.89 грн
20+120.85 грн
50+118.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06N-DTE.pdf
IPD025N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.78 грн
5+123.37 грн
50+119.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF description si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983
SI4435DYTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.59 грн
10+45.91 грн
50+33.32 грн
100+29.29 грн
250+25.09 грн
500+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5-DTE.pdf
BSC035N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 4141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1-dte.pdf
BSO211PHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+26.21 грн
19+22.16 грн
25+20.48 грн
100+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100x201.pdf
IRF100B201
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 393 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+119.18 грн
10+100.71 грн
20+92.32 грн
50+83.09 грн
100+76.37 грн
200+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CT.pdf
AIKQ120N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 343ns
Turn-on time: 76ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™
Pulsed collector current: 480A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 17A; Idm: 92A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UE6327HTSA1 BC817UE6327.pdf
BC817UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.5A; 0.33W; SC74
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+28.02 грн
19+23.08 грн
25+20.81 грн
100+16.03 грн
500+10.57 грн
1000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60N12AFXUMA1 1EDIxxy12AF.pdf
1EDI60N12AFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Topology: single transistor
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
Output current: -6...6A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 1.2kV
Case: PG-DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF irs2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015356762b71279f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4140N ITS4140N.pdf
ITS4140N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+83.15 грн
10+70.50 грн
25+62.11 грн
100+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2.pdf
BSS159NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: depletion
Case: SOT23
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.15 грн
32+13.26 грн
35+12.17 грн
50+11.41 грн
100+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402WH6327XTSA1 bcr402w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011407a9cfc70181&fileId=db3a30431400ef68011407c5054c0192
BCR402WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Output current: 20...60mA
Number of channels: 1
Operating voltage: 1.2...18V DC
Integrated circuit features: linear dimming
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: SOT343
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.88 грн
29+14.77 грн
33+12.92 грн
39+10.83 грн
100+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IR2114SSPBF IR2114SSPBF.pdf
IR2114SSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-/low-side,gate driver; SSOP24
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1A
Turn-off time: 440ns
Turn-on time: 440ns
Number of channels: 2
Power: 1.5W
Supply voltage: 10.4...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+543.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6327HTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC847BE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 803 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.33 грн
85+4.95 грн
101+4.18 грн
112+3.75 грн
250+3.48 грн
500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBF irfb3006gpbf.pdf
IRFB3006GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8001GXUMA1 ICL8001G-DTE.pdf
ICL8001GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; flyback; PFC controller,SMPS controller,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback
Kind of integrated circuit: LED driver; PFC controller; SMPS controller
Case: PG-DSO-8
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating voltage: 10.5...26V DC
Integrated circuit features: phase-cut dimming; soft-start function
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+84.96 грн
7+69.66 грн
25+62.94 грн
100+59.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N135R5XKSA1 Infineon-IHW40N135R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0fe63f5326a
IHW40N135R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate charge: 305nC
Turn-off time: 0.5µs
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 197W
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.44 грн
10+177.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25401PBF irs25401pbf.pdf
IRS25401PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; high-/low-side,LED driver; DIP8; -700÷500mA; 1W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: DIP8
Topology: buck
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-/low-side; LED driver
Operating temperature: -25...125°C
Output current: -700...500mA
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 320ns
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 8...16.6V DC
Voltage class: 200V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+75.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3G-DTE.pdf
IPP048N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 300W
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.84 грн
10+237.51 грн
50+159.46 грн
100+142.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3G-DTE.pdf
IPP147N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 107W
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+105.75 грн
10+84.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3G-DTE.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 136W
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+137.38 грн
10+110.78 грн
50+86.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF irfr4620pbf.pdf
IRFR4620TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.40 грн
10+107.43 грн
25+89.80 грн
50+79.73 грн
100+70.50 грн
250+62.11 грн
500+57.07 грн
1000+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1 infineon-irfb4020-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5405E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.23W
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+8.13 грн
68+6.21 грн
73+5.79 грн
89+4.75 грн
100+4.35 грн
500+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65H5XKSA1 IKP30N65H5-DTE.pdf
IKP30N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 36A; 188W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3G-DTE.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP460H6327XTSA1 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
BFP460H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 70mA; 0.23W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 70mA
Collector-emitter voltage: 4.5V
Current gain: 90...160
Frequency: 22GHz
Kind of transistor: RF
Technology: SIEGET™
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.79 грн
28+15.44 грн
31+13.68 грн
36+11.83 грн
50+10.74 грн
100+9.90 грн
250+9.06 грн
500+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA2 IPB120N06S402.pdf
IPB120N06S402ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 120A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 757A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029.pdf
IAUT165N08S5N029ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 165A
Power dissipation: 167W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106STRPBF INFN-S-A0002363322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404WH6327XTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5404WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.23 грн
79+5.37 грн
96+4.40 грн
103+4.11 грн
200+3.92 грн
500+3.70 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405WH6327XTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.23 грн
85+4.95 грн
100+4.21 грн
500+3.98 грн
1000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
T560N18TOFXPSA1 T560N.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 559A
Case: BG-T4814K0-1
Max. forward impulse current: 8kA
Gate current: 200mA
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. load current: 809A
Kind of package: in-tray
Mounting: Press-Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF042N10NF2SATMA1 Infineon-IPF042N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f49616ca62b7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 139A; Idm: 556A; 167W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 139A
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
Power dissipation: 167W
Pulsed drain current: 556A
Technology: StrongIRFET™ 2
On-state resistance: 4.25mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7002VH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7002VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.08 грн
36+11.83 грн
50+8.69 грн
100+7.63 грн
250+6.52 грн
500+5.77 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029.pdf
IAUS165N08S5N029ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 165A
Power dissipation: 167W
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 660A
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF.pdf
IRF7769L1TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 3.3W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 3.3W
Case: DirectFET
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3 Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a
SPP08N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.14 грн
10+145.19 грн
50+136.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPI21N50C3XKSA1 SPP_I_A21N50C3_Rev[1].3.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637e7be4f0060&fileId=db3a3043163797a6011637eeb9340085
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 560V; 21A; 208W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 21A
Power dissipation: 208W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 95nC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+133.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IFCM20T65GDXKMA1 IFCM20T65GD.pdf
IFCM20T65GDXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IPM,2-phase motor controller; PG-MDIP24; 20A; 60kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 2-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™ 5
Case: PG-MDIP24
Output current: 20A
Integrated circuit features: interleaved PFC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Frequency: 60kHz
Kind of package: tube
Voltage class: 650V
Power dissipation: 52.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c
BSS138IXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.08 грн
72+5.87 грн
100+4.55 грн
500+3.84 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 Infineon-DDB2U60N12W1RF_B11-DataSheet-v02_21-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f0179796012a65183
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: DDB2U60N12W1RFB11BPSA1
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+8452.56 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6906XTSA1 INFNS19228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.8nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 2.9Ω
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 Infineon-IPD30N06S2L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433bafe5d69
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 100W; DPAK,TO252
Application: automotive industry
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 15.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 100W; DPAK,TO252
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1936 1937 1938 1939 1940 1941 1942 1943 1944 1945 1946 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]