Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (117870) > Сторінка 1939 з 1965

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1934 1935 1936 1937 1938 1939 1940 1941 1942 1943 1944 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064PBF IRS21064PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+269.34 грн
3+220.73 грн
10+211.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106SPBF IRS2106SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF IRFB4115PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4115.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+153.59 грн
10+129.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47E6327 BCV47E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCV27E6327.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.98 грн
33+12.92 грн
100+7.97 грн
500+6.11 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60C3 SPW47N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+811.63 грн
10+727.64 грн
30+693.23 грн
120+622.73 грн
240+590.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.21 грн
19+23.00 грн
50+22.07 грн
100+21.15 грн
250+20.14 грн
500+19.22 грн
1000+17.79 грн
2000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Turn-off time: 363ns
Power dissipation: 165W
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+242.22 грн
5+156.94 грн
10+141.84 грн
30+139.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 22.6nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA060N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z24n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404E6327HTSA1 BAT6404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 12107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.33 грн
90+4.70 грн
93+4.53 грн
113+3.74 грн
250+3.44 грн
500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS127H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.73 грн
21+20.48 грн
50+12.84 грн
100+10.41 грн
500+6.88 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16UE6327HTSA1 BAS16UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS16SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 4403 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.85 грн
46+9.23 грн
50+8.56 грн
100+8.22 грн
250+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70UE6327HTSA1 BAV70UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV70E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 5659 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
298+1.52 грн
302+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99UE6327HTSA1 BAV99UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV99SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
49+9.40 грн
100+7.05 грн
500+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA42.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
на замовлення 427 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.83 грн
19+23.16 грн
21+20.23 грн
50+13.43 грн
100+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BC856UE6327 BC856UE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC856UE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SC74
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
41+11.03 грн
53+8.06 грн
250+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UPNE6327HTSA1 BC817UPNE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC817UPNE6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 7003 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.02 грн
24+17.62 грн
100+12.17 грн
500+9.74 грн
1000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml9303pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.60 грн
32+13.26 грн
50+8.73 грн
100+7.39 грн
200+6.29 грн
250+5.96 грн
500+5.20 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1 BCP5616H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCP5616H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+19.16 грн
30+16.03 грн
100+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5610H6327XTSA1 BCX5610H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCX56H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+19.16 грн
30+15.61 грн
100+13.93 грн
250+12.59 грн
1000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX56H6327XTSA1 BCX56H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCX56H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF IR2132JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2132JPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Supply voltage: 10...20V DC
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+350.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C04B-G FM24C04B-G INFINEON TECHNOLOGIES FM24C04B-G.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+154.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C04B-GTR FM24C04B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec967c841cc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.34 грн
5+156.10 грн
25+155.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60S5 SPW20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60S5.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+342.55 грн
5+286.19 грн
30+252.62 грн
120+227.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz34n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46ns.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 48nC
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.19 грн
6+78.05 грн
10+64.62 грн
50+58.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.29 грн
10+55.64 грн
25+48.09 грн
50+43.14 грн
100+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-G FM24C64B-G INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+331.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4140N BTS4140N INFINEON TECHNOLOGIES BTS4140N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 1Ω
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 839 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.81 грн
6+79.73 грн
25+70.50 грн
100+63.78 грн
500+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF IRFB3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3006pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IM69D120V01XTSA1 IM69D120V01XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IM69D120.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Type of integrated circuit: driver/sensor
Integrated circuit features: MEMS
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
Case: LLGA-5-1
Kind of integrated circuit: digital microphone
Interface: PDM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM69D130V01XTSA1 IM69D130V01XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IM69D130.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Type of integrated circuit: driver/sensor
Integrated circuit features: MEMS
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
Case: LLGA-5-1
Kind of integrated circuit: digital microphone
Interface: PDM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA15N60C3XKSA1 SPA15N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+238.61 грн
10+160.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD15N60RATMA1 AIHD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD15N60RFATMA1 AIHD15N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD15N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4142N BTS4142N INFINEON TECHNOLOGIES BTS4142N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+231.38 грн
10+152.75 грн
40+129.25 грн
80+119.18 грн
100+114.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N135R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 680ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N5-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3636TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 777 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.32 грн
5+109.27 грн
10+96.10 грн
25+80.40 грн
50+70.50 грн
100+62.19 грн
500+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6163D BTS6163D INFINEON TECHNOLOGIES BTS6163D-DTE.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 20mΩ
Supply voltage: 5.5...62V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+394.07 грн
10+259.33 грн
100+218.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS716GXUMA1 BTS716GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS716G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6÷5.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Case: SO20
Turn-off time: 0.25ms
Turn-on time: 270µs
On-state resistance: 35mΩ
Output current: 2.6...5.3A
Power dissipation: 3.6W
Number of channels: 4
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+335.32 грн
10+236.67 грн
25+218.21 грн
50+207.30 грн
100+199.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+483.55 грн
5+367.60 грн
10+344.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.71 грн
50+42.47 грн
100+36.42 грн
500+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9803 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.69 грн
60+7.05 грн
78+5.39 грн
100+4.80 грн
500+3.64 грн
1000+3.37 грн
5000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL04B-G FM24CL04B-G INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec994a941e3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4bFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4b FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+300.07 грн
5+250.10 грн
25+238.35 грн
97+210.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL16B-GTR FM24CL16B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES FM24CL16B-GTR.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.77 грн
100+71.34 грн
125+69.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTS462T BTS462T INFINEON TECHNOLOGIES BTS462T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 43V
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+179.86 грн
10+123.37 грн
25+117.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504WH6327XTSA1 BAT1504WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1503WE6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.11A
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 4V
Case: SOT323
Power dissipation: 0.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS711L1 BTS711L1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS711L1.pdf description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.9÷4.4A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.9...4.4A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO20
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 922 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+378.70 грн
25+286.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.27 грн
82+5.12 грн
101+4.16 грн
110+3.84 грн
500+3.19 грн
1000+2.95 грн
1500+2.80 грн
3000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18043 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.85 грн
53+8.06 грн
59+7.13 грн
100+5.08 грн
500+4.20 грн
1000+3.67 грн
3000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RFATMA1 AIHD10N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD10N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBF irf1405zpbf.pdf
IRF1405ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064PBF irs2106.pdf
IRS21064PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.34 грн
3+220.73 грн
10+211.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106SPBF irs2106.pdf
IRS2106SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF IRFB4115.pdf
IRFB4115PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.59 грн
10+129.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47E6327 BCV27E6327.pdf
BCV47E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.98 грн
33+12.92 грн
100+7.97 грн
500+6.11 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60C3 SPW47N60C3.pdf
SPW47N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+811.63 грн
10+727.64 грн
30+693.23 грн
120+622.73 грн
240+590.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFD.pdf
SPW47N60CFDFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+26.21 грн
19+23.00 грн
50+22.07 грн
100+21.15 грн
250+20.14 грн
500+19.22 грн
1000+17.79 грн
2000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5.pdf
IHW30N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Turn-off time: 363ns
Power dissipation: 165W
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.22 грн
5+156.94 грн
10+141.84 грн
30+139.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 22.6nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06N-DTE.pdf
IPA060N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF irf9z24n.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBF Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404E6327HTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 12107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.33 грн
90+4.70 грн
93+4.53 грн
113+3.74 грн
250+3.44 грн
500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2.pdf
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+30.73 грн
21+20.48 грн
50+12.84 грн
100+10.41 грн
500+6.88 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16UE6327HTSA1 BAS16SH6327XTSA1.pdf
BAS16UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 4403 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.85 грн
46+9.23 грн
50+8.56 грн
100+8.22 грн
250+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70UE6327HTSA1 BAV70E6327HTSA1.pdf
BAV70UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 5659 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
298+1.52 грн
302+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99UE6327HTSA1 BAV99SH6327XTSA1.pdf
BAV99UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
49+9.40 грн
100+7.05 грн
500+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42.pdf
SMBTA42E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
на замовлення 427 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.83 грн
19+23.16 грн
21+20.23 грн
50+13.43 грн
100+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BC856UE6327 BC856UE6327.pdf
BC856UE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SC74
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
41+11.03 грн
53+8.06 грн
250+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UPNE6327HTSA1 BC817UPNE6327.pdf
BC817UPNE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 7003 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+28.02 грн
24+17.62 грн
100+12.17 грн
500+9.74 грн
1000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF irlml9303pbf.pdf
IRLML9303TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.60 грн
32+13.26 грн
50+8.73 грн
100+7.39 грн
200+6.29 грн
250+5.96 грн
500+5.20 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1 BCP5616H6327XTSA1.pdf
BCP5616H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+19.16 грн
30+16.03 грн
100+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5610H6327XTSA1 BCX56H6327XTSA1.pdf
BCX5610H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+19.16 грн
30+15.61 грн
100+13.93 грн
250+12.59 грн
1000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX56H6327XTSA1 BCX56H6327XTSA1.pdf
BCX56H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF description IR2132JPBF.pdf
IR2132JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Supply voltage: 10...20V DC
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+350.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C04B-G FM24C04B-G.pdf
FM24C04B-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C04B-GTR Infineon-FM24C04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec967c841cc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM24C04B-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.34 грн
5+156.10 грн
25+155.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60S5 description SPW20N60S5.pdf
SPW20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+342.55 грн
5+286.19 грн
30+252.62 грн
120+227.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF description irlz34n.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBF description irfz46ns.pdf
IRFZ46NLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 48nC
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.19 грн
6+78.05 грн
10+64.62 грн
50+58.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBF description irfz46n.pdf
IRFZ46NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.29 грн
10+55.64 грн
25+48.09 грн
50+43.14 грн
100+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-G Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8
FM24C64B-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+331.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4140N BTS4140N.pdf
BTS4140N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 1Ω
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 839 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.81 грн
6+79.73 грн
25+70.50 грн
100+63.78 грн
500+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF description irfb3006pbf.pdf
IRFB3006PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IM69D120V01XTSA1 IM69D120.pdf
IM69D120V01XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Type of integrated circuit: driver/sensor
Integrated circuit features: MEMS
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
Case: LLGA-5-1
Kind of integrated circuit: digital microphone
Interface: PDM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM69D130V01XTSA1 IM69D130.pdf
IM69D130V01XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Type of integrated circuit: driver/sensor
Integrated circuit features: MEMS
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
Case: LLGA-5-1
Kind of integrated circuit: digital microphone
Interface: PDM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA15N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23
SPA15N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.61 грн
10+160.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD15N60RATMA1 AIHD15N60R.pdf
AIHD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD15N60RFATMA1 AIHD15N60RF.pdf
AIHD15N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4142N BTS4142N.pdf
BTS4142N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.38 грн
10+152.75 грн
40+129.25 грн
80+119.18 грн
100+114.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5.pdf
IHW30N135R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 680ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3G-DTE.pdf
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5-dte.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF.pdf
IRLR3636TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 777 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+147.32 грн
5+109.27 грн
10+96.10 грн
25+80.40 грн
50+70.50 грн
100+62.19 грн
500+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6163D BTS6163D-DTE.pdf
BTS6163D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 20mΩ
Supply voltage: 5.5...62V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+394.07 грн
10+259.33 грн
100+218.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS716GXUMA1 BTS716G.pdf
BTS716GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6÷5.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Case: SO20
Turn-off time: 0.25ms
Turn-on time: 270µs
On-state resistance: 35mΩ
Output current: 2.6...5.3A
Power dissipation: 3.6W
Number of channels: 4
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+335.32 грн
10+236.67 грн
25+218.21 грн
50+207.30 грн
100+199.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T.pdf
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+483.55 грн
5+367.60 грн
10+344.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF irfr3910pbf.pdf
IRFR3910TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+49.71 грн
50+42.47 грн
100+36.42 грн
500+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9803 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.69 грн
60+7.05 грн
78+5.39 грн
100+4.80 грн
500+3.64 грн
1000+3.37 грн
5000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL04B-G Infineon-FM24CL04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec994a941e3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM24CL04B-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4bFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4b FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.07 грн
5+250.10 грн
25+238.35 грн
97+210.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL16B-GTR FM24CL16B-GTR.pdf
FM24CL16B-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+86.77 грн
100+71.34 грн
125+69.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTS462T BTS462T.pdf
BTS462T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 43V
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+179.86 грн
10+123.37 грн
25+117.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504WH6327XTSA1 BAT1503WE6327HTSA1.pdf
BAT1504WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.11A
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 4V
Case: SOT323
Power dissipation: 0.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS711L1 description BTS711L1.pdf
BTS711L1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.9÷4.4A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.9...4.4A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO20
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 922 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+378.70 грн
25+286.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.27 грн
82+5.12 грн
101+4.16 грн
110+3.84 грн
500+3.19 грн
1000+2.95 грн
1500+2.80 грн
3000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1.pdf
BSS123NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18043 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.85 грн
53+8.06 грн
59+7.13 грн
100+5.08 грн
500+4.20 грн
1000+3.67 грн
3000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RFATMA1 AIHD10N60RF.pdf
AIHD10N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1934 1935 1936 1937 1938 1939 1940 1941 1942 1943 1944 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]