Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126655) > Сторінка 2054 з 2111

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2049 2050 2051 2052 2053 2054 2055 2056 2057 2058 2059 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S25FL128SAGNFI011 S25FL128SAGNFI011 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 133MHz
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+353.14 грн
5+295.20 грн
25+275.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5097EPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLD5097EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b58a1180e Category: LED drivers
Description: IC: driver; SMPS controller,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; Ch: 1
Output current: -550...380mA
Type of integrated circuit: driver
Protection: overheating OTP
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Technology: Litix™
Case: PG-TSDSO-14
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Number of channels: 1
Operating voltage: 4.5...45V DC
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098EPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLD5098EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b67681811 Category: LED drivers
Description: IC: driver; SMPS controller,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; Ch: 1
Output current: -550...380mA
Type of integrated circuit: driver
Protection: overheating OTP
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Technology: Litix™
Case: PG-TSDSO-14
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Number of channels: 1
Operating voltage: 4.5...45V DC
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228 IRL40SC228 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irl40sc228-ds-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+312.49 грн
10+207.99 грн
25+176.96 грн
50+157.67 грн
100+151.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7257SJXUMA1 TLE7257SJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE7257.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 5.5÷18VDC; LIN; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
DC supply current: 3mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 5.5...18V DC
Interface: LIN
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2108PBF IRS2108PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2108.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21094SPBF IRS21094SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2109.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 850ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT122N22KOFHPSA2 TT122N22KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES TT122N22KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 122A; BG-PB34-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 122A
Case: BG-PB34-1
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 3.3kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805TRPBF IRF7805TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7805pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 273W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 273W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl530nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.15 грн
10+90.83 грн
50+64.32 грн
100+55.69 грн
125+53.25 грн
250+47.05 грн
500+42.27 грн
800+39.75 грн
1600+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1 IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPAN70R750P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 20.8W
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.75Ω
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.84 грн
14+31.87 грн
15+29.86 грн
50+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1 IPU95R750P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPU95R750P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 73W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.76 грн
5+114.06 грн
10+98.96 грн
25+82.19 грн
50+72.12 грн
75+67.09 грн
150+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 36A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBF IRLH5030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlh5030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PQFN5X6
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp90n20d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-48AXC CY7C65632-48AXC INFINEON TECHNOLOGIES download Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; TQFP48
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: TQFP48
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-28LTXC INFINEON TECHNOLOGIES download Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; QFN28
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: QFN28
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-28LTXCT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; QFN28
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: QFN28
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65642-48AXC CY7C65642-48AXC INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C65642_HX2VL_VERY_LOW-POWER_USB_2.0_TETRAHUB_CONTROLLER-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecba5984534&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; TQFP48
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: TQFP48
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65642-48AXCT CY7C65642-48AXCT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C65642_HX2VL_VERY_LOW-POWER_USB_2.0_TETRAHUB_CONTROLLER-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecba5984534&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; TQFP48
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: TQFP48
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011SPBF IR2011SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2011SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 80ns
Power: 625mW
Turn-off time: 60ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -1...1A
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.31 грн
5+86.38 грн
10+83.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010PBF IR2010PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2010SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -3...3A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 1.6W
Turn-off time: 65ns
Topology: MOSFET half-bridge
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 200V
Turn-on time: 95ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+340.49 грн
3+290.17 грн
5+275.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF IR2011PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2011SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -1...1A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 1W
Turn-off time: 60ns
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Turn-on time: 80ns
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+256.50 грн
10+179.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327 BCR166E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR166.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 160MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.29 грн
29+14.76 грн
36+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR162E6327 BCR162E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR162.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.1A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+90.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC123N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TEA BTS50080-1TEA INFINEON TECHNOLOGIES BTS500801TEA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 10A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 16mΩ
Supply voltage: 5.5...30V DC
Technology: High Current PROFET
Output voltage: 39V
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+326.04 грн
10+203.79 грн
100+172.76 грн
500+150.96 грн
1000+142.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TMA BTS50080-1TMA INFINEON TECHNOLOGIES BTS50080-1TMA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 9.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO220-7-4
On-state resistance: 7mΩ
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+407.33 грн
5+317.85 грн
25+285.98 грн
100+265.01 грн
250+252.43 грн
500+227.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3ATMA1 SPD07N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD_U07N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+204.11 грн
10+124.12 грн
20+114.89 грн
50+103.99 грн
100+95.61 грн
250+86.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBF IRF7805ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7805zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBFXKMA1 IRF3205ZPBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.64 грн
10+43.53 грн
100+32.54 грн
500+29.10 грн
1000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR7843TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+70.61 грн
10+63.82 грн
50+49.06 грн
100+44.28 грн
500+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES FP15R12W1T4B3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EasyPIM™ 1B
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2915.40 грн
2+2611.55 грн
3+2581.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12KT4 FP75R12KT4 INFINEON TECHNOLOGIES FP75R12KT4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-ECONO3-3
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 385W
Technology: EconoPIM™ 3
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+20402.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP450-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f034c5f3916 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327 BFP450H6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP450H6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 0.17A; 0.5W; SOT343
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT343
Frequency: 24GHz
Collector current: 0.17A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 4.5V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Technology: SIEGET™
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.03 грн
14+30.02 грн
100+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.48 грн
29+14.59 грн
50+10.43 грн
100+8.93 грн
250+7.20 грн
500+6.06 грн
1000+5.05 грн
3000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL211SPH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -4.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.67 грн
17+24.91 грн
100+18.20 грн
250+16.35 грн
500+15.26 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+363.14 грн
6+308.62 грн
10+281.79 грн
20+246.56 грн
30+233.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW25N120E1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 2004ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+285.40 грн
10+175.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+134.57 грн
5+103.99 грн
10+91.75 грн
50+66.09 грн
100+57.87 грн
250+49.56 грн
500+44.95 грн
1000+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7319pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.5/-4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLPBF IRL3103STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3103spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH7084TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N22K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. forward impulse current: 41kA
Max. forward voltage: 0.75V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 2.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 1.07kA
Max. load current: 1.1kA
Semiconductor structure: single diode
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N18K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. forward impulse current: 41kA
Max. forward voltage: 0.75V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.8kV
Electrical mounting: screw
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N28K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. forward impulse current: 41kA
Max. forward voltage: 0.75V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 2.8kV
Electrical mounting: screw
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N26K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. forward impulse current: 41kA
Max. forward voltage: 0.75V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 2.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2907zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 170A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+282.69 грн
10+196.24 грн
25+145.92 грн
50+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L16B-GTR FM25L16B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC160N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 60W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904SH6327XTSA1 SMBT3904SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT3904SH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT363
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.2A
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3102-SX1I CY8CMBR3102-SX1I INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3108-LQXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; QFN16
Case: QFN16
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI011 Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
S25FL128SAGNFI011
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 133MHz
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+353.14 грн
5+295.20 грн
25+275.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5097EPXUMA1 Infineon-TLD5097EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b58a1180e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; SMPS controller,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; Ch: 1
Output current: -550...380mA
Type of integrated circuit: driver
Protection: overheating OTP
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Technology: Litix™
Case: PG-TSDSO-14
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Number of channels: 1
Operating voltage: 4.5...45V DC
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098EPXUMA1 Infineon-TLD5098EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b67681811
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; SMPS controller,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; Ch: 1
Output current: -550...380mA
Type of integrated circuit: driver
Protection: overheating OTP
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Technology: Litix™
Case: PG-TSDSO-14
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Number of channels: 1
Operating voltage: 4.5...45V DC
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228 infineon-irl40sc228-ds-en.pdf
IRL40SC228
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+312.49 грн
10+207.99 грн
25+176.96 грн
50+157.67 грн
100+151.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7257SJXUMA1 TLE7257.pdf
TLE7257SJXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 5.5÷18VDC; LIN; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
DC supply current: 3mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 5.5...18V DC
Interface: LIN
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2108PBF irs2108.pdf
IRS2108PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21094SPBF irs2109.pdf
IRS21094SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 850ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT122N22KOFHPSA2 TT122N22KOF.pdf
TT122N22KOFHPSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 122A; BG-PB34-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 122A
Case: BG-PB34-1
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 3.3kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805TRPBF description irf7805pbf.pdf
IRF7805TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 273W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 273W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf
IRL530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+129.15 грн
10+90.83 грн
50+64.32 грн
100+55.69 грн
125+53.25 грн
250+47.05 грн
500+42.27 грн
800+39.75 грн
1600+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1 IPAN70R750P7S.pdf
IPAN70R750P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 20.8W
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.75Ω
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.84 грн
14+31.87 грн
15+29.86 грн
50+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1 IPU95R750P7.pdf
IPU95R750P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 73W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+160.76 грн
5+114.06 грн
10+98.96 грн
25+82.19 грн
50+72.12 грн
75+67.09 грн
150+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03LSG-DTE.pdf
BSZ100N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 36A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBF irlh5030pbf.pdf
IRLH5030TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PQFN5X6
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7S.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP90N20DPBF irfp90n20d.pdf
IRFP90N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-48AXC download
CY7C65632-48AXC
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; TQFP48
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: TQFP48
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-28LTXC download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; QFN28
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: QFN28
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-28LTXCT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; QFN28
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: QFN28
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65642-48AXC Infineon-CY7C65642_HX2VL_VERY_LOW-POWER_USB_2.0_TETRAHUB_CONTROLLER-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecba5984534&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7C65642-48AXC
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; TQFP48
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: TQFP48
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65642-48AXCT Infineon-CY7C65642_HX2VL_VERY_LOW-POWER_USB_2.0_TETRAHUB_CONTROLLER-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecba5984534&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7C65642-48AXCT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; TQFP48
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: TQFP48
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011SPBF description IR2011SPBF.pdf
IR2011SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 80ns
Power: 625mW
Turn-off time: 60ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -1...1A
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+118.31 грн
5+86.38 грн
10+83.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010PBF IR2010SPBF.pdf
IR2010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -3...3A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 1.6W
Turn-off time: 65ns
Topology: MOSFET half-bridge
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 200V
Turn-on time: 95ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+340.49 грн
3+290.17 грн
5+275.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF description IR2011SPBF.pdf
IR2011PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -1...1A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 1W
Turn-off time: 60ns
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Turn-on time: 80ns
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+256.50 грн
10+179.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327 BCR166.pdf
BCR166E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 160MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.29 грн
29+14.76 грн
36+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR162E6327 BCR162.pdf
BCR162E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.1A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+90.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3G-DTE.pdf
BSC123N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TEA BTS500801TEA.pdf
BTS50080-1TEA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 10A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 16mΩ
Supply voltage: 5.5...30V DC
Technology: High Current PROFET
Output voltage: 39V
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+326.04 грн
10+203.79 грн
100+172.76 грн
500+150.96 грн
1000+142.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TMA BTS50080-1TMA.pdf
BTS50080-1TMA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 9.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO220-7-4
On-state resistance: 7mΩ
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+407.33 грн
5+317.85 грн
25+285.98 грн
100+265.01 грн
250+252.43 грн
500+227.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3ATMA1 Infineon-SPD_U07N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4
SPD07N60C3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G-DTE.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+204.11 грн
10+124.12 грн
20+114.89 грн
50+103.99 грн
100+95.61 грн
250+86.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBF irf7805zpbf.pdf
IRF7805ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBFXKMA1
IRF3205ZPBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description irlr3410pbf.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.64 грн
10+43.53 грн
100+32.54 грн
500+29.10 грн
1000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF.pdf
IRLR7843TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+70.61 грн
10+63.82 грн
50+49.06 грн
100+44.28 грн
500+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4B3.pdf
FP15R12W1T4_B3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EasyPIM™ 1B
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2915.40 грн
2+2611.55 грн
3+2581.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12KT4 FP75R12KT4.pdf
FP75R12KT4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-ECONO3-3
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 385W
Technology: EconoPIM™ 3
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20402.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327XTSA1 Infineon-BFP450-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f034c5f3916
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327 BFP450H6327-dte.pdf
BFP450H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 0.17A; 0.5W; SOT343
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT343
Frequency: 24GHz
Collector current: 0.17A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 4.5V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Technology: SIEGET™
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+37.03 грн
14+30.02 грн
100+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1.pdf
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.48 грн
29+14.59 грн
50+10.43 грн
100+8.93 грн
250+7.20 грн
500+6.06 грн
1000+5.05 грн
3000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1-dte.pdf
BSL211SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -4.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+49.67 грн
17+24.91 грн
100+18.20 грн
250+16.35 грн
500+15.26 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3-DTE.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+363.14 грн
6+308.62 грн
10+281.79 грн
20+246.56 грн
30+233.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1.pdf
IHW25N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 2004ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+285.40 грн
10+175.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF irlr3110zpbf.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+134.57 грн
5+103.99 грн
10+91.75 грн
50+66.09 грн
100+57.87 грн
250+49.56 грн
500+44.95 грн
1000+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319pbf.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.5/-4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLPBF irl3103spbf.pdf
IRL3103STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF.pdf
IRFH7084TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF irfs3206pbf.pdf
IRFS3206TRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N22K DZ1070N28K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. forward impulse current: 41kA
Max. forward voltage: 0.75V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 2.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 1.07kA
Max. load current: 1.1kA
Semiconductor structure: single diode
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N18K DZ1070N28K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. forward impulse current: 41kA
Max. forward voltage: 0.75V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.8kV
Electrical mounting: screw
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N28K DZ1070N28K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. forward impulse current: 41kA
Max. forward voltage: 0.75V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 2.8kV
Electrical mounting: screw
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N26K DZ1070N28K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. forward impulse current: 41kA
Max. forward voltage: 0.75V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 2.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF irf2907zpbf.pdf
IRF2907ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 170A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.69 грн
10+196.24 грн
25+145.92 грн
50+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L16B-GTR Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM25L16B-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3G-DTE.pdf
BSC160N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 60W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904SH6327XTSA1 SMBT3904SH6327.pdf
SMBT3904SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT363
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.2A
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3102-SX1I Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
CY8CMBR3102-SX1I
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3108-LQXI Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; QFN16
Case: QFN16
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2049 2050 2051 2052 2053 2054 2055 2056 2057 2058 2059 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]