Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149612) > Сторінка 2446 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2441 2442 2443 2444 2445 2446 2447 2448 2449 2450 2451 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D5208F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf3710z.pdf?ci_sign=6c2c0c9f256e5a525498972404a7f2a1a6ec5bed Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 59A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAEBDC8FAB880E0C7&compId=irfp250mpbf.pdf?ci_sign=ce2f9fec1af75e4313268991e3189becda06ef59 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+193.54 грн
10+119.55 грн
13+74.42 грн
35+70.46 грн
250+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAB8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp250n.pdf?ci_sign=efbdd605b5da163688cfe68402cea5bf7e3f98b6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+211.45 грн
10+128.26 грн
16+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BEC03C8E98F1A303005056AB0C4F&compId=irfp260mpbf.pdf?ci_sign=4f4a731c521cae55b4f5ea375c88274ca42c4872 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.47 грн
5+158.34 грн
10+132.22 грн
12+84.71 грн
31+79.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACABFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp260n.pdf?ci_sign=f3e8a7b27a58ae203b2eeadd5c846979cd6cf1ff Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+320.58 грн
10+173.39 грн
11+84.71 грн
31+79.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACACDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp2907.pdf?ci_sign=4baf6082075992952a372b584b3f66e1a7437e61 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.54 грн
6+163.89 грн
16+155.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBABB04EA951DD00C7&compId=irf1407pbf.pdf?ci_sign=d745832aa8dbbd733b93dbfdb32259059f0f1a39 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.00 грн
10+83.92 грн
13+75.21 грн
35+71.25 грн
100+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65H5XKSA1 IKP08N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4A5F4C2AA11CC&compId=IKP08N65H5-DTE.pdf?ci_sign=10d18d1a8c7b016c4dba2298e11ded404d5503e4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 70W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 24A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA08N80C3 SPA08N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0004583436-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO220-3-FP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 40W
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.30 грн
10+102.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3 SPP08N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.89 грн
7+141.72 грн
19+134.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895EFAAFFDA7933D6&compId=IKA10N65ET6.pdf?ci_sign=357318a9289c8383d9971a53bdf9a9a379462c13 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: T6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.10 грн
10+98.17 грн
12+81.55 грн
32+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 IGB15N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB6450028E1820&compId=IGB15N65S5.pdf?ci_sign=dd7b19603f2615207670bc20e8bbe5e272f470ce Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 147ns
Turn-on time: 26ns
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD4741CB2AD820&compId=IKB15N65EH5.pdf?ci_sign=f41aca0c31e21ad8910ab653a5cd8be8dccade59 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 172ns
Turn-on time: 33ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.26 грн
10+113.22 грн
13+77.59 грн
34+72.84 грн
200+70.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60C3 SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C16093F72474A&compId=SPW20N60C3.pdf?ci_sign=afd7f24a2b3398c2d40ac67fa04a496e8428135d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.26 грн
7+139.34 грн
19+131.42 грн
30+129.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 SPP20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C058D08A5F9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=spp20n60c3.pdf?ci_sign=e6782b5ab7a5620fbda75de79daa9ea3abc07fdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.42 грн
6+170.22 грн
10+156.76 грн
25+154.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77F99D575011C&compId=BSS169H6327XTSA1.pdf?ci_sign=a9bbcd26f3e9a35aa02625482f4f09ca1954ddc4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.25 грн
19+21.77 грн
50+16.47 грн
100+14.49 грн
117+8.00 грн
322+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327 BC850CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
на замовлення 4013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.23 грн
59+6.81 грн
100+4.49 грн
250+3.82 грн
325+2.87 грн
893+2.72 грн
3000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327 BFP450H6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191DDA96116A11C&compId=BFP450H6327-dte.pdf?ci_sign=869aabd374218b38f27d0b850e6b9558fedfe383 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 0.17A; 0.5W; SOT343
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Technology: SIEGET™
Collector current: 0.17A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 4.5V
Frequency: 24GHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT343
Mounting: SMD
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.93 грн
12+33.65 грн
40+23.36 грн
110+22.09 грн
250+22.01 грн
500+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF IR2113SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC18200CC175EA&compId=IR2113SPBF.pdf?ci_sign=445f264982eff687f2c3ea74a5c723ef83eaa518 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.71 грн
3+249.39 грн
6+183.68 грн
15+173.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DE9CE83C8194469&compId=IR2113STRPBF.pdf?ci_sign=f472be02cbac0b51bd26e1eb6c28c6572262f783 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+177.34 грн
5+151.22 грн
9+104.51 грн
25+98.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCV61CE6327 BCV61CE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04721884404F1A6F5005056AB5A8F&compId=bcv61.pdf?ci_sign=4d6a08eff3d6704cd395cd2fded12cf9d04fe558 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.32 грн
26+15.28 грн
100+10.45 грн
127+7.36 грн
347+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.67 грн
10+67.61 грн
25+58.03 грн
30+31.11 грн
83+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63DB1C1ECCF1A303005056AB0C4F&compId=irf5305spbf.pdf?ci_sign=8d8f60bc4dd0bfdf2437e18ae5f2bbd287da7428 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 90mΩ
Gate charge: 24.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DC6E36566F1A303005056AB0C4F&compId=irlr120npbf.pdf?ci_sign=86901e93310b5239412647addcb5f48867ee4e34 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+48.60 грн
10+39.59 грн
50+32.94 грн
57+16.47 грн
157+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS03G ICE2QS03G INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE3994D95E88259&compId=ICE2QS03G.pdf?ci_sign=5a7acae89a2f3453ffa2cfcfc43e0c3387fa3a00 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; 0÷50%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 500V
Duty cycle factor: 0...50%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.24 грн
10+85.51 грн
16+58.59 грн
44+55.42 грн
1000+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010e.pdf?ci_sign=4e33b918874e4f5bb5c633f1a31b0fc4da8e2c04 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.47 грн
10+62.39 грн
24+40.38 грн
64+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.84 грн
10+87.88 грн
19+51.46 грн
51+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010ez.pdf?ci_sign=ed8bcac49cadd537057bdfcef3363db1c4c84ff7 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+69.91 грн
10+45.84 грн
27+35.07 грн
74+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D0C960DA8F1A303005056AB0C4F&compId=irf1010nspbf.pdf?ci_sign=0a22a84cce4fe094cee35a09a9cba0abc4efcb3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.26 грн
10+68.09 грн
24+40.38 грн
64+38.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010ZSTRL AUIRF1010ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B4853697639C4A16&compId=auirf1010z.pdf?ci_sign=dd32231763cd3a6e3872bd436d500a04346ee82c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 94A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 94A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP452 BSP452 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869762CB64190469&compId=BSP452.pdf?ci_sign=ceaaddcd856b9e1d561d870a432b99bb50dbb1b7 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.67 грн
10+93.42 грн
28+88.67 грн
2000+85.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM15F60GA IGCM15F60GA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889D861105B6113D1&compId=IGCM15F60GA.pdf?ci_sign=4868b5397603e1bff747b8a76eac22c60f1f2087 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: PG-MDIP24
Output current: -15...15A
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Frequency: 20kHz
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Power dissipation: 29W
Voltage class: 600V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+910.59 грн
2+566.08 грн
5+535.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B713F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4110pbf.pdf?ci_sign=b56f43999b13464496cb594a44e3702eb31e478b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.11 грн
10+130.63 грн
14+68.88 грн
38+64.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DPBF IRS2153DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA78A4D00F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2153d.pdf?ci_sign=778861680765d46b3e732f7e972a8e0a59a6a437 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Mounting: THT
Power: 1W
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Output current: -260...180mA
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+208.89 грн
6+163.89 грн
10+149.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSPBF IRS2153DSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA78A4D00F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2153d.pdf?ci_sign=778861680765d46b3e732f7e972a8e0a59a6a437 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Power: 625mW
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Output current: -260...180mA
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.85 грн
5+117.17 грн
10+110.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD65C1982C915EA&compId=IKP10N60T.pdf?ci_sign=3662fc1223253be4b0852eb3ea1462e0c0c8adde Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+135.57 грн
10+92.63 грн
13+72.05 грн
36+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+180.75 грн
10+98.96 грн
26+94.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.37 грн
10+176.55 грн
12+83.92 грн
31+79.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB4DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404.pdf?ci_sign=a3df55e5569a69bf9a0411dd9ac82882ba42fe4a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+141.53 грн
10+109.26 грн
17+56.21 грн
46+53.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.80 грн
10+102.13 грн
15+63.34 грн
41+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF IRF1404STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB5BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404z.pdf?ci_sign=4226edaf5a01736c5ac4c822ea7296c120edc159 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+98.05 грн
10+63.65 грн
20+49.01 грн
53+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC4D8211D555EA&compId=IRF1404ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=87b6930e722dc8bcc784995c7e3ad291b39b8665 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.80 грн
10+103.71 грн
13+76.80 грн
34+72.84 грн
250+70.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404S AUIRF1404S INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F47BF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404s.pdf?ci_sign=bfd54adc94b9e731669f1aa63d35e9f5331ee4f4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404STRL AUIRF1404STRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F47BF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404s.pdf?ci_sign=bfd54adc94b9e731669f1aa63d35e9f5331ee4f4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F489F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404z.pdf?ci_sign=bdad385dd08203d21d10327b64eadac28bff59af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945L TLE4945L INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E235614E8CC399F1A303005056AB0C4F&compId=TLE49x5L.PDF?ci_sign=5944ef1bb79c45f45003bec140a25aecf3323769 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Mounting: THT
Kind of sensor: bipolar
Operating temperature: -40...150°C
Supply voltage: 3.8...24V DC
Range of detectable magnetic field: -10...10mT
Case: P-SSO-3-2
Type of sensor: Hall
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+105.72 грн
10+91.05 грн
16+59.38 грн
25+56.21 грн
250+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+185.02 грн
10+148.84 грн
11+91.05 грн
29+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA859C69DF273100C4&compId=irl1404xxPBF.pdf?ci_sign=18f5f4bec18706c45b01495803018381f7f1f0b5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+100.61 грн
10+71.25 грн
15+64.13 грн
40+60.17 грн
250+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B19F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf520n.pdf?ci_sign=27f17da5f6252371d050c61b0c74a57453d4cc02 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.07 грн
15+27.79 грн
25+25.10 грн
41+22.80 грн
50+22.72 грн
100+22.25 грн
113+21.53 грн
500+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+60.54 грн
10+42.99 грн
25+39.43 грн
36+26.44 грн
98+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF45CC1373491CC&compId=IGP20N65F5-DTE.pdf?ci_sign=3da43c893a5e6f0f6715adc8e1d051dfed694190 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+209.74 грн
9+115.59 грн
23+109.26 грн
50+108.46 грн
100+105.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C6A74C625D2A18&compId=IGP20N65H5.pdf?ci_sign=ec7766d73b28b459eeb33e2bffc09b2de180154f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 169ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65F5XKSA1 IKP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE433C2FF47820&compId=IKP20N65F5.pdf?ci_sign=ec4db0b62088189ec6e7ddc9bfbe473303a75170 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDAAE5E773D1BF&compId=IKP20N65H5-DTE.pdf?ci_sign=9c146109ea4cb9ffb436b016c05098b7ecfc6718 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.06 грн
8+124.30 грн
21+117.97 грн
50+116.38 грн
100+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60CFD SPP20N60CFD INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C783B4EE1074A&compId=SPP20N60CFD.pdf?ci_sign=dbc3ea2fe752e41c1a3dd10f077750ec4af484ca Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D5208F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf3710z.pdf?ci_sign=6c2c0c9f256e5a525498972404a7f2a1a6ec5bed
AUIRF3710ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 59A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAEBDC8FAB880E0C7&compId=irfp250mpbf.pdf?ci_sign=ce2f9fec1af75e4313268991e3189becda06ef59
IRFP250MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+193.54 грн
10+119.55 грн
13+74.42 грн
35+70.46 грн
250+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAB8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp250n.pdf?ci_sign=efbdd605b5da163688cfe68402cea5bf7e3f98b6
IRFP250NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+211.45 грн
10+128.26 грн
16+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BEC03C8E98F1A303005056AB0C4F&compId=irfp260mpbf.pdf?ci_sign=4f4a731c521cae55b4f5ea375c88274ca42c4872
IRFP260MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.47 грн
5+158.34 грн
10+132.22 грн
12+84.71 грн
31+79.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACABFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp260n.pdf?ci_sign=f3e8a7b27a58ae203b2eeadd5c846979cd6cf1ff
IRFP260NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.58 грн
10+173.39 грн
11+84.71 грн
31+79.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACACDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp2907.pdf?ci_sign=4baf6082075992952a372b584b3f66e1a7437e61
IRFP2907PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.54 грн
6+163.89 грн
16+155.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBABB04EA951DD00C7&compId=irf1407pbf.pdf?ci_sign=d745832aa8dbbd733b93dbfdb32259059f0f1a39
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.00 грн
10+83.92 грн
13+75.21 грн
35+71.25 грн
100+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4A5F4C2AA11CC&compId=IKP08N65H5-DTE.pdf?ci_sign=10d18d1a8c7b016c4dba2298e11ded404d5503e4
IKP08N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 70W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 24A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA08N80C3 INFN-S-A0004583436-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPA08N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO220-3-FP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 40W
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.30 грн
10+102.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3 Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a
SPP08N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.89 грн
7+141.72 грн
19+134.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N65ET6XKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895EFAAFFDA7933D6&compId=IKA10N65ET6.pdf?ci_sign=357318a9289c8383d9971a53bdf9a9a379462c13
IKA10N65ET6XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: T6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.10 грн
10+98.17 грн
12+81.55 грн
32+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB6450028E1820&compId=IGB15N65S5.pdf?ci_sign=dd7b19603f2615207670bc20e8bbe5e272f470ce
IGB15N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 147ns
Turn-on time: 26ns
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD4741CB2AD820&compId=IKB15N65EH5.pdf?ci_sign=f41aca0c31e21ad8910ab653a5cd8be8dccade59
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 172ns
Turn-on time: 33ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62
IKP15N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.26 грн
10+113.22 грн
13+77.59 грн
34+72.84 грн
200+70.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C16093F72474A&compId=SPW20N60C3.pdf?ci_sign=afd7f24a2b3398c2d40ac67fa04a496e8428135d
SPW20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.26 грн
7+139.34 грн
19+131.42 грн
30+129.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C058D08A5F9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=spp20n60c3.pdf?ci_sign=e6782b5ab7a5620fbda75de79daa9ea3abc07fdf
SPP20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.42 грн
6+170.22 грн
10+156.76 грн
25+154.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77F99D575011C&compId=BSS169H6327XTSA1.pdf?ci_sign=a9bbcd26f3e9a35aa02625482f4f09ca1954ddc4
BSS169H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.25 грн
19+21.77 грн
50+16.47 грн
100+14.49 грн
117+8.00 грн
322+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327
BC850CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
на замовлення 4013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.23 грн
59+6.81 грн
100+4.49 грн
250+3.82 грн
325+2.87 грн
893+2.72 грн
3000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191DDA96116A11C&compId=BFP450H6327-dte.pdf?ci_sign=869aabd374218b38f27d0b850e6b9558fedfe383
BFP450H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 0.17A; 0.5W; SOT343
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Technology: SIEGET™
Collector current: 0.17A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 4.5V
Frequency: 24GHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT343
Mounting: SMD
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.93 грн
12+33.65 грн
40+23.36 грн
110+22.09 грн
250+22.01 грн
500+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC18200CC175EA&compId=IR2113SPBF.pdf?ci_sign=445f264982eff687f2c3ea74a5c723ef83eaa518
IR2113SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.71 грн
3+249.39 грн
6+183.68 грн
15+173.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DE9CE83C8194469&compId=IR2113STRPBF.pdf?ci_sign=f472be02cbac0b51bd26e1eb6c28c6572262f783
IR2113STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+177.34 грн
5+151.22 грн
9+104.51 грн
25+98.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCV61CE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04721884404F1A6F5005056AB5A8F&compId=bcv61.pdf?ci_sign=4d6a08eff3d6704cd395cd2fded12cf9d04fe558
BCV61CE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.32 грн
26+15.28 грн
100+10.45 грн
127+7.36 грн
347+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.67 грн
10+67.61 грн
25+58.03 грн
30+31.11 грн
83+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63DB1C1ECCF1A303005056AB0C4F&compId=irf5305spbf.pdf?ci_sign=8d8f60bc4dd0bfdf2437e18ae5f2bbd287da7428
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 90mΩ
Gate charge: 24.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DC6E36566F1A303005056AB0C4F&compId=irlr120npbf.pdf?ci_sign=86901e93310b5239412647addcb5f48867ee4e34
IRLR120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+48.60 грн
10+39.59 грн
50+32.94 грн
57+16.47 грн
157+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS03G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE3994D95E88259&compId=ICE2QS03G.pdf?ci_sign=5a7acae89a2f3453ffa2cfcfc43e0c3387fa3a00
ICE2QS03G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; 0÷50%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 500V
Duty cycle factor: 0...50%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.24 грн
10+85.51 грн
16+58.59 грн
44+55.42 грн
1000+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010e.pdf?ci_sign=4e33b918874e4f5bb5c633f1a31b0fc4da8e2c04
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+72.47 грн
10+62.39 грн
24+40.38 грн
64+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.84 грн
10+87.88 грн
19+51.46 грн
51+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010ez.pdf?ci_sign=ed8bcac49cadd537057bdfcef3363db1c4c84ff7
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.91 грн
10+45.84 грн
27+35.07 грн
74+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D0C960DA8F1A303005056AB0C4F&compId=irf1010nspbf.pdf?ci_sign=0a22a84cce4fe094cee35a09a9cba0abc4efcb3a
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.26 грн
10+68.09 грн
24+40.38 грн
64+38.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010ZSTRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B4853697639C4A16&compId=auirf1010z.pdf?ci_sign=dd32231763cd3a6e3872bd436d500a04346ee82c
AUIRF1010ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 94A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 94A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP452 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869762CB64190469&compId=BSP452.pdf?ci_sign=ceaaddcd856b9e1d561d870a432b99bb50dbb1b7
BSP452
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.67 грн
10+93.42 грн
28+88.67 грн
2000+85.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM15F60GA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889D861105B6113D1&compId=IGCM15F60GA.pdf?ci_sign=4868b5397603e1bff747b8a76eac22c60f1f2087
IGCM15F60GA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: PG-MDIP24
Output current: -15...15A
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Frequency: 20kHz
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Power dissipation: 29W
Voltage class: 600V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+910.59 грн
2+566.08 грн
5+535.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B713F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4110pbf.pdf?ci_sign=b56f43999b13464496cb594a44e3702eb31e478b
IRFB4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.11 грн
10+130.63 грн
14+68.88 грн
38+64.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA78A4D00F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2153d.pdf?ci_sign=778861680765d46b3e732f7e972a8e0a59a6a437
IRS2153DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Mounting: THT
Power: 1W
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Output current: -260...180mA
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+208.89 грн
6+163.89 грн
10+149.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA78A4D00F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2153d.pdf?ci_sign=778861680765d46b3e732f7e972a8e0a59a6a437
IRS2153DSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Power: 625mW
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Output current: -260...180mA
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.85 грн
5+117.17 грн
10+110.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD65C1982C915EA&compId=IKP10N60T.pdf?ci_sign=3662fc1223253be4b0852eb3ea1462e0c0c8adde
IKP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.57 грн
10+92.63 грн
13+72.05 грн
36+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+180.75 грн
10+98.96 грн
26+94.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.37 грн
10+176.55 грн
12+83.92 грн
31+79.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB4DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404.pdf?ci_sign=a3df55e5569a69bf9a0411dd9ac82882ba42fe4a
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+141.53 грн
10+109.26 грн
17+56.21 грн
46+53.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.80 грн
10+102.13 грн
15+63.34 грн
41+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a
IRF1404STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB5BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404z.pdf?ci_sign=4226edaf5a01736c5ac4c822ea7296c120edc159
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+98.05 грн
10+63.65 грн
20+49.01 грн
53+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC4D8211D555EA&compId=IRF1404ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=87b6930e722dc8bcc784995c7e3ad291b39b8665
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.80 грн
10+103.71 грн
13+76.80 грн
34+72.84 грн
250+70.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F47BF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404s.pdf?ci_sign=bfd54adc94b9e731669f1aa63d35e9f5331ee4f4
AUIRF1404S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404STRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F47BF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404s.pdf?ci_sign=bfd54adc94b9e731669f1aa63d35e9f5331ee4f4
AUIRF1404STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F489F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404z.pdf?ci_sign=bdad385dd08203d21d10327b64eadac28bff59af
AUIRF1404ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E235614E8CC399F1A303005056AB0C4F&compId=TLE49x5L.PDF?ci_sign=5944ef1bb79c45f45003bec140a25aecf3323769
TLE4945L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Mounting: THT
Kind of sensor: bipolar
Operating temperature: -40...150°C
Supply voltage: 3.8...24V DC
Range of detectable magnetic field: -10...10mT
Case: P-SSO-3-2
Type of sensor: Hall
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+105.72 грн
10+91.05 грн
16+59.38 грн
25+56.21 грн
250+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1
IRL1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+185.02 грн
10+148.84 грн
11+91.05 грн
29+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA859C69DF273100C4&compId=irl1404xxPBF.pdf?ci_sign=18f5f4bec18706c45b01495803018381f7f1f0b5
IRL1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.61 грн
10+71.25 грн
15+64.13 грн
40+60.17 грн
250+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B19F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf520n.pdf?ci_sign=27f17da5f6252371d050c61b0c74a57453d4cc02
IRF520NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.07 грн
15+27.79 грн
25+25.10 грн
41+22.80 грн
50+22.72 грн
100+22.25 грн
113+21.53 грн
500+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.54 грн
10+42.99 грн
25+39.43 грн
36+26.44 грн
98+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65F5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF45CC1373491CC&compId=IGP20N65F5-DTE.pdf?ci_sign=3da43c893a5e6f0f6715adc8e1d051dfed694190
IGP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+209.74 грн
9+115.59 грн
23+109.26 грн
50+108.46 грн
100+105.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C6A74C625D2A18&compId=IGP20N65H5.pdf?ci_sign=ec7766d73b28b459eeb33e2bffc09b2de180154f
IGP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 169ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65F5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE433C2FF47820&compId=IKP20N65F5.pdf?ci_sign=ec4db0b62088189ec6e7ddc9bfbe473303a75170
IKP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDAAE5E773D1BF&compId=IKP20N65H5-DTE.pdf?ci_sign=9c146109ea4cb9ffb436b016c05098b7ecfc6718
IKP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.06 грн
8+124.30 грн
21+117.97 грн
50+116.38 грн
100+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60CFD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C783B4EE1074A&compId=SPP20N60CFD.pdf?ci_sign=dbc3ea2fe752e41c1a3dd10f077750ec4af484ca
SPP20N60CFD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2441 2442 2443 2444 2445 2446 2447 2448 2449 2450 2451 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]