Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148388) > Сторінка 2446 з 2474

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2441 2442 2443 2444 2445 2446 2447 2448 2449 2450 2451 2470 2474  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPP21N50C3 SPP21N50C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx21N50C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+410.82 грн
3+343.26 грн
4+262.98 грн
10+248.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2 BTS428L2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS428L2.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
Output voltage: 4.75...41V
на замовлення 2526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+354.84 грн
6+151.37 грн
17+142.96 грн
1000+138.37 грн
2500+137.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4300SGA BTS4300SGA INFINEON TECHNOLOGIES BTS4300SGA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.3Ω
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.66 грн
10+99.38 грн
17+53.51 грн
46+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TG BTS441TG INFINEON TECHNOLOGIES BTS441TG.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 4.75...43V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4880R BTS4880R INFINEON TECHNOLOGIES BTS4880R.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 625mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; BSSOP36
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.625A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSSOP36
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 11...45V DC
Technology: Classic PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.10 грн
3+233.17 грн
6+178.89 грн
15+168.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF IRFB3207ZGPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3207zgpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+180.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4019pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+126.79 грн
10+76.98 грн
25+36.77 грн
67+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS138WH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+14.82 грн
38+10.09 грн
46+8.49 грн
68+5.64 грн
100+4.75 грн
292+3.07 грн
802+2.91 грн
1000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.12A
Technology: SIPMOS®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4020pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 18nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.56 грн
10+58.10 грн
42+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irfs7530-7ppbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Gate charge: 236nC
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+188.53 грн
8+122.32 грн
21+116.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184PBF IRS2184PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2184.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC080N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+41.16 грн
14+28.82 грн
39+23.39 грн
107+22.17 грн
1000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW75N60CTXKSA1 AIKW75N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW75N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 365ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Pulsed collector current: 225A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
On-state resistance: 13.5mΩ
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.91 грн
10+80.27 грн
17+52.75 грн
47+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356359e662117 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 125A; Idm: 760A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 125A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF IRFU5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.80 грн
10+56.57 грн
19+48.16 грн
51+45.87 грн
150+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1201T038F0064ABXUMA1 XMC1201T038F0064ABXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC1300-AB-EN.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-TSSOP-38; 16kBSRAM,64kBFLASH
Case: PG-TSSOP-38
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: GPIO; USIC x2
Number of inputs/outputs: 34
Number of 16bit timers: 4
Integrated circuit features: EEPROM emulation (DataFlash); internal temperature sensor; RTC; watchdog
Number of A/D channels: 12
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1200
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBF IRFH5406TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5406pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7540PBF IRFB7540PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7540PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 88nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+120.20 грн
10+61.16 грн
23+39.98 грн
62+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBF IRFS7540TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7540pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP052N06L3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.91 грн
15+61.92 грн
41+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904SH6327XTSA1 SMBT3904SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT3904SH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN
Frequency: 300MHz
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Case: SOT363
Mounting: SMD
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+5.20 грн
100+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT004N03L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 364A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 757A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBF IRFP4868PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFP4868PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 517W
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+584.54 грн
3+415.12 грн
6+392.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8103VTRPBF IRLR8103VTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr8103vpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4127pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.76 грн
7+134.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPAN70R360P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 16.4nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.62 грн
6+71.10 грн
10+64.22 грн
17+54.28 грн
47+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 39W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBF IRFB4615PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4615pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfml8244pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+25.52 грн
23+16.67 грн
50+11.47 грн
100+9.86 грн
152+5.89 грн
417+5.58 грн
3000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 BCR185WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR185.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT323
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
81+5.10 грн
100+4.26 грн
250+3.76 грн
272+3.28 грн
745+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203 IRF135B203 INFINEON TECHNOLOGIES irf135b203.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 91A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.27µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 512A
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+200.88 грн
9+107.79 грн
24+102.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP80P06PHXKSA1-DTE.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2186STRPBF IRS2186STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2186pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567716c427ed Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 192ns
Turn-off time: 188ns
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+134.20 грн
10+102.44 грн
11+84.09 грн
30+79.51 грн
1000+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850D0TAV50ATMA1 TLS850D0TAV50ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLS850D0TA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969edb50c4266 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.5A; PG-TO263-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 70mV
Output voltage: 5V
Output current: 0.5A
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12SN6E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGS12SN6-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f2db58bc03856 Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; Ch: 2; TSNP6; 1.8÷3.5VDC; 0.1÷6GHz
Mounting: SMD
Application: telecommunication
Case: TSNP6
Output configuration: SPDT
Bandwidth: 0.1...6GHz
Number of channels: 2
Type of integrated circuit: RF switch
Supply voltage: 1.8...3.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4207GXUMA2 TLE4207GXUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES TLE4207G.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-DSO-14
Operating voltage: 8...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Output current: 0.8A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Integrated circuit features: fault detection
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Topology: MOSFET half-bridge
Case: PG-DSO-14
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.26 грн
10+99.38 грн
25+94.80 грн
100+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4266GHTMA1 TLE4266GHTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE4266G-DTE.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 5.5...45V
Voltage drop: 0.25V
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+120.20 грн
10+102.44 грн
12+81.04 грн
31+77.21 грн
1000+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.62 грн
3+249.99 грн
5+216.35 грн
12+204.88 грн
250+197.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKB20N60CT.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 703nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TAXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60TA.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 772nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKQ120N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT122N22KOFHPSA2 TT122N22KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES TT122N22KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 122A; BG-PB34-1; screw
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 122A
Case: BG-PB34-1
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 3.3kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR15N20DTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB073N15N5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1202T028X0032ABXUMA1 XMC1202T028X0032ABXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC1300-AB-EN.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-TSSOP-28; 16kBSRAM,32kBFLASH
Case: PG-TSSOP-28
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: GPIO
Number of inputs/outputs: 26
Number of 16bit timers: 4
Integrated circuit features: ACMP x3; BCCU; EEPROM emulation (DataFlash); internal temperature sensor; RTC; watchdog
Number of A/D channels: 10
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1200
Memory: 16kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1202T028X0064ABXUMA1 XMC1202T028X0064ABXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC1300-AB-EN.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-TSSOP-28; 16kBSRAM,64kBFLASH
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: GPIO
Number of inputs/outputs: 26
Number of 16bit timers: 4
Integrated circuit features: ACMP x3; BCCU; EEPROM emulation (DataFlash); internal temperature sensor; RTC; watchdog
Number of A/D channels: 10
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1200
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
Case: PG-TSSOP-28
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RATMA1 AIHD10N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD10N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF IRFB4610PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4610.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.72 грн
10+123.85 грн
14+68.04 грн
37+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4620pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.89 грн
7+129.20 грн
20+122.32 грн
50+118.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BFP460H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 70mA; 0.23W; SOT343
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.23W
Polarisation: bipolar
Technology: SIEGET™
Kind of transistor: RF
Frequency: 22GHz
Collector-emitter voltage: 4.5V
Current gain: 90...160
Collector current: 70mA
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 BFP183WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 70...140
Collector current: 65mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT343
Frequency: 8GHz
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+15.64 грн
39+10.01 грн
44+8.87 грн
50+8.18 грн
100+7.64 грн
118+7.57 грн
250+6.96 грн
500+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SPP21N50C3 SPx21N50C3.pdf
SPP21N50C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+410.82 грн
3+343.26 грн
4+262.98 грн
10+248.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2 BTS428L2.pdf
BTS428L2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
Output voltage: 4.75...41V
на замовлення 2526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+354.84 грн
6+151.37 грн
17+142.96 грн
1000+138.37 грн
2500+137.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4300SGA BTS4300SGA.pdf
BTS4300SGA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.3Ω
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.66 грн
10+99.38 грн
17+53.51 грн
46+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TG BTS441TG.pdf
BTS441TG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 4.75...43V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4880R BTS4880R.pdf
BTS4880R
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 625mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; BSSOP36
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.625A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSSOP36
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 11...45V DC
Technology: Classic PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF irfs3207pbf.pdf
IRFB3207PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.10 грн
3+233.17 грн
6+178.89 грн
15+168.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF irfb3207zgpbf.pdf
IRFB3207ZGPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description irfs3207zpbf.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+180.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description irfb4019pbf.pdf
IRFB4019PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+126.79 грн
10+76.98 грн
25+36.77 грн
67+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1.pdf
BSS138WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+14.82 грн
38+10.09 грн
46+8.49 грн
68+5.64 грн
100+4.75 грн
292+3.07 грн
802+2.91 грн
1000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f
BSS138WH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.12A
Technology: SIPMOS®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF irfb4020pbf.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 18nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.56 грн
10+58.10 грн
42+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRL7PP irfs7530-7ppbf.pdf
IRFS7530TRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Gate charge: 236nC
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.53 грн
8+122.32 грн
21+116.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184PBF irs2184.pdf
IRS2184PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSG-DTE.pdf
BSC080N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+41.16 грн
14+28.82 грн
39+23.39 грн
107+22.17 грн
1000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW75N60CTXKSA1 AIKW75N60CT.pdf
AIKW75N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 365ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Pulsed collector current: 225A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF.pdf
IRFB4510PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
On-state resistance: 13.5mΩ
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.91 грн
10+80.27 грн
17+52.75 грн
47+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRPBF irfr7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356359e662117
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 125A; Idm: 760A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 125A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF description irfr5305pbf.pdf
IRFU5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+70.80 грн
10+56.57 грн
19+48.16 грн
51+45.87 грн
150+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1201T038F0064ABXUMA1 XMC1300-AB-EN.pdf
XMC1201T038F0064ABXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-TSSOP-38; 16kBSRAM,64kBFLASH
Case: PG-TSSOP-38
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: GPIO; USIC x2
Number of inputs/outputs: 34
Number of 16bit timers: 4
Integrated circuit features: EEPROM emulation (DataFlash); internal temperature sensor; RTC; watchdog
Number of A/D channels: 12
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1200
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBF irfh5406pbf.pdf
IRFH5406TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7540PBF IRFB7540PBF.pdf
IRFB7540PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 88nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+120.20 грн
10+61.16 грн
23+39.98 грн
62+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBF irfs7540pbf.pdf
IRFS7540TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3G-DTE.pdf
IPP052N06L3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.91 грн
15+61.92 грн
41+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904SH6327XTSA1 SMBT3904SH6327.pdf
SMBT3904SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN
Frequency: 300MHz
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Case: SOT363
Mounting: SMD
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
80+5.20 грн
100+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03L-DTE.pdf
IPT004N03LATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 364A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 757A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBF IRFP4868PBF.pdf
IRFP4868PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 517W
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+584.54 грн
3+415.12 грн
6+392.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CT.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8103VTRPBF irlr8103vpbf.pdf
IRLR8103VTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF irfb4127pbf.pdf
IRFB4127PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.76 грн
7+134.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7S.pdf
IPAN70R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 16.4nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.62 грн
6+71.10 грн
10+64.22 грн
17+54.28 грн
47+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF irfr120npbf.pdf
IRFR120NTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 39W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBF irfb4615pbf.pdf
IRFB4615PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFML8244TRPBF irfml8244pbf.pdf
IRFML8244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.52 грн
23+16.67 грн
50+11.47 грн
100+9.86 грн
152+5.89 грн
417+5.58 грн
3000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 BCR185.pdf
BCR185WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT323
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
81+5.10 грн
100+4.26 грн
250+3.76 грн
272+3.28 грн
745+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203 irf135b203.pdf
IRF135B203
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 91A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.27µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 512A
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+200.88 грн
9+107.79 грн
24+102.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1-DTE.pdf
SPP80P06PHXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2186STRPBF irs2186pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567716c427ed
IRS2186STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 192ns
Turn-off time: 188ns
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+134.20 грн
10+102.44 грн
11+84.09 грн
30+79.51 грн
1000+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850D0TAV50ATMA1 Infineon-TLS850D0TA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969edb50c4266
TLS850D0TAV50ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.5A; PG-TO263-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 70mV
Output voltage: 5V
Output current: 0.5A
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5.pdf
AIGW50N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12SN6E6327XTSA1 Infineon-BGS12SN6-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f2db58bc03856
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; Ch: 2; TSNP6; 1.8÷3.5VDC; 0.1÷6GHz
Mounting: SMD
Application: telecommunication
Case: TSNP6
Output configuration: SPDT
Bandwidth: 0.1...6GHz
Number of channels: 2
Type of integrated circuit: RF switch
Supply voltage: 1.8...3.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4207GXUMA2 TLE4207G.pdf
TLE4207GXUMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-DSO-14
Operating voltage: 8...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Output current: 0.8A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Integrated circuit features: fault detection
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Topology: MOSFET half-bridge
Case: PG-DSO-14
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.26 грн
10+99.38 грн
25+94.80 грн
100+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4266GHTMA1 TLE4266G-DTE.pdf
TLE4266GHTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 5.5...45V
Voltage drop: 0.25V
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+120.20 грн
10+102.44 грн
12+81.04 грн
31+77.21 грн
1000+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.62 грн
3+249.99 грн
5+216.35 грн
12+204.88 грн
250+197.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CT.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60T.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 703nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TA.pdf
IKQ120N60TAXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 772nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CT.pdf
AIKQ120N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT122N22KOFHPSA2 TT122N22KOF.pdf
TT122N22KOFHPSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 122A; BG-PB34-1; screw
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 122A
Case: BG-PB34-1
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 3.3kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5.pdf
IPB073N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1202T028X0032ABXUMA1 XMC1300-AB-EN.pdf
XMC1202T028X0032ABXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-TSSOP-28; 16kBSRAM,32kBFLASH
Case: PG-TSSOP-28
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: GPIO
Number of inputs/outputs: 26
Number of 16bit timers: 4
Integrated circuit features: ACMP x3; BCCU; EEPROM emulation (DataFlash); internal temperature sensor; RTC; watchdog
Number of A/D channels: 10
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1200
Memory: 16kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1202T028X0064ABXUMA1 XMC1300-AB-EN.pdf
XMC1202T028X0064ABXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-TSSOP-28; 16kBSRAM,64kBFLASH
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: GPIO
Number of inputs/outputs: 26
Number of 16bit timers: 4
Integrated circuit features: ACMP x3; BCCU; EEPROM emulation (DataFlash); internal temperature sensor; RTC; watchdog
Number of A/D channels: 10
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1200
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
Case: PG-TSSOP-28
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RATMA1 AIHD10N60R.pdf
AIHD10N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF description irfs4610.pdf
IRFB4610PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.72 грн
10+123.85 грн
14+68.04 грн
37+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF irfb4620pbf.pdf
IRFB4620PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.89 грн
7+129.20 грн
20+122.32 грн
50+118.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BFP460H6327XTSA1 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 70mA; 0.23W; SOT343
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.23W
Polarisation: bipolar
Technology: SIEGET™
Kind of transistor: RF
Frequency: 22GHz
Collector-emitter voltage: 4.5V
Current gain: 90...160
Collector current: 70mA
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613
BFP183WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 70...140
Collector current: 65mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT343
Frequency: 8GHz
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+15.64 грн
39+10.01 грн
44+8.87 грн
50+8.18 грн
100+7.64 грн
118+7.57 грн
250+6.96 грн
500+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2441 2442 2443 2444 2445 2446 2447 2448 2449 2450 2451 2470 2474  [ Наступна Сторінка >> ]