Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (117853) > Сторінка 373 з 1965

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 368 369 370 371 372 373 374 375 376 377 378 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSO615NGXUMA1 BSO615NGXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BSO615N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ee69b4aac Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Last Time Buy
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO615NGXUMA1 BSO615NGXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BSO615N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ee69b4aac Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Last Time Buy
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.93 грн
10+75.38 грн
100+50.43 грн
500+37.27 грн
1000+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSM50GP120BOSA1 BSM50GP120BOSA1 Infineon Technologies BSM50GP120_6-17-2003.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 80A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: 3 Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6251GNT TLE6251GNT Infineon Technologies Infineon-TLE6251-2G-DS-v01_22-EN.pdf?fileId=5546d4625996c0c30159a766fb9977b8 Description: IC TRANSCEIVER FULL 1/1 DSO-14
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 1MBd
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-14-13
Receiver Hysteresis: 400 mV
Duplex: Full
Part Status: Active
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+85.73 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
SAKTC1797384F150EFACKXUMA1 Infineon Technologies INFNS30466-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 416-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 150MHz
Program Memory Size: 3MB (3M x 8)
RAM Size: 176K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x10b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, FlexRay, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-27
Part Status: Active
Number of I/O: 221
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB10N10LG SPB10N10LG Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 154mOhm @ 8.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
717+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 717
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Infineon Technologies BSC0901NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f2aa7bdc30067 Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Infineon Technologies BSC0901NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f2aa7bdc30067 Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.64 грн
10+78.56 грн
100+52.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KP275E1505XTMA1 Infineon Technologies Infineon-KP275-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b1a430d485f4f Description: INTEGRATED PRESSURE SENS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KP276C1505XTMA1 Infineon Technologies Infineon-KP276C1505-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b0408b0ec7182 Description: INTEGRATED PRESSURE SENS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17-04WH6327 BAT17-04WH6327 Infineon Technologies INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.7pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 33900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3435+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 3435
В кошику  од. на суму  грн.
IPB407N30NATMA1 IPB407N30NATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB407N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d760faf575474 Description: MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB407N30NATMA1 IPB407N30NATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB407N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d760faf575474 Description: MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+694.18 грн
10+458.79 грн
100+340.42 грн
500+293.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_AURIX_TC275_LITE KIT_AURIX_TC275_LITE Infineon Technologies Description: AURIX TC275 LITE KIT
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3354.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGA925L6E6327XTSA1 BGA925L6E6327XTSA1 Infineon Technologies BGA925L6.pdf Description: IC AMP GPS 1.55-1.615GHZ TSLP6-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.55GHz ~ 1.615GHz
RF Type: GPS/GNSS
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
Gain: 15.8dB
Current - Supply: 4.8mA
Noise Figure: 0.65dB
P1dB: -8dBm
Supplier Device Package: TSLP-6-2
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A2565FKLA1 ICE3A2565FKLA1 Infineon Technologies CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30 Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Not For New Designs
Power (Watts): 68 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR562E6327 BCR562E6327 Infineon Technologies INFNS10743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327 Infineon Technologies Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
Frequency - Transition: 7.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WE6327 BFP196WE6327 Infineon Technologies SIEMD096-1245.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
Frequency - Transition: 7.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
на замовлення 32200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1416+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 1416
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6740 BFP196WH6740 Infineon Technologies Infineon-BFP196W-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431400ef680114267ecec60628 Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
Frequency - Transition: 7.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1011+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 1011
В кошику  од. на суму  грн.
BSC884N03MSG BSC884N03MSG Infineon Technologies INFNS16417-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V
на замовлення 14149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
866+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 866
В кошику  од. на суму  грн.
BSF024N03LT3G Infineon Technologies INFNS27838-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 15 V
на замовлення 9963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
547+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 547
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N03LG IPP034N03LG Infineon Technologies INFNS16315-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3GXUMA1 Infineon Technologies BSB165N15NZ3+G+Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843 Description: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1 IPLK60R360PFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPLK60R360PFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd7912ace3d95 Description: MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.52 грн
10000+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1 IPLK60R360PFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPLK60R360PFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd7912ace3d95 Description: MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 11382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.76 грн
10+87.54 грн
100+59.12 грн
500+44.04 грн
1000+40.36 грн
2000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSG BSC886N03LSG Infineon Technologies INFNS15759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 4609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1205+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 1205
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LS G BSC886N03LS G Infineon Technologies INFNS15759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1205+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 1205
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1 ISC026N03L5SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC026N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8afe9860988 Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP096N03LGHKSA1 IPP096N03LGHKSA1 Infineon Technologies INFNS16462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 13100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
831+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 831
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC260NB Infineon Technologies Description: MOSFET 200V 50A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVD1352 PVD1352 Infineon Technologies pvd33.pdf Description: SSR RELAY SPST-NO 500MA 0-100V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 4 Leads
Output Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 500 mA
Supplier Device Package: 8-DIP Modified
Part Status: Obsolete
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: UL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3GATMA1 Infineon Technologies IPB036N12N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304323b87bc20123c7030ed51f56 Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+483.97 грн
10+314.15 грн
100+227.88 грн
500+182.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PEB20590HVIP Infineon Technologies Description: VERSATILE ISDN PORT (VIP)
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1657.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TC267D40F200NBCLXUMA1 TC267D40F200NBCLXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TC26xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b40169538e06030445 Description: IC MCU 32BIT 2.5MB FLSH 292LFBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC264D40F200NBCLXUMA1 TC264D40F200NBCLXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TC26xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b40169538e06030445 Description: IC MCU 32BIT 2.5MB FLASH 144LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED020I12BTTOBO1 EVAL1ED020I12BTTOBO1 Infineon Technologies Infineon-1ED020I12-BT_Evaluationboard-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a304340155f3d014029a4589402ef Description: EVAL BOARD FOR 1ED020I12B
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: 1ED020I12B
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL127SABMFB100 S25FL127SABMFB100 Infineon Technologies Infineon-S25FL127S_128-Mb_(16_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfa58c49f7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 16M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.48 грн
10+311.65 грн
25+302.35 грн
50+277.11 грн
100+270.48 грн
280+260.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSF885N03LQ3G Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
776+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 776
В кошику  од. на суму  грн.
BSF885N03LQ3GXUMA1 Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
670+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 670
В кошику  од. на суму  грн.
TDA4863G TDA4863G Infineon Technologies Infineon-TDA4863-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b427d2d23ce8 Description: TDA4863 - PFC-DCM (DISCONTINUOUS
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Mode: Discontinuous Conduction (DCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-41
Part Status: Active
Current - Startup: 20 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDA48632HKLA1 TDA48632HKLA1 Infineon Technologies Infineon-TDA4863-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b427d2d23ce8 Description: TDA4863 - POWER FACTOR CONTROLLE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Mode: Discontinuous Conduction (DCM)
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Part Status: Active
Current - Startup: 20 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3 Infineon Technologies Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f Description: SPW35N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1PHOSA1 FF6MR12KM1PHOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF6MR12KM1P-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bcb6f5ad56b6 Description: MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.81mOhm @ 250A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
Supplier Device Package: AG-62MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE62633GXUMA1 TLE62633GXUMA1 Infineon Technologies TLE6263-3G.pdf Description: IC INTERFACE SPECIALIZED DSO-28
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI Serial
Voltage - Supply: 13.5V
Supplier Device Package: P-DSO-28
Grade: Automotive
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+261.91 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6263GNUMA1 TLE6263GNUMA1 Infineon Technologies TLE6263-3G.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 DSO-28
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.8V ~ 5.1V, 4.9V ~ 5.2V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 125kBaud
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-28-27
Receiver Hysteresis: 200 mV
Duplex: Half
Part Status: Active
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+261.91 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0 Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
на замовлення 83993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.47 грн
31+9.97 грн
100+5.09 грн
500+4.25 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSM150GB60DLCHOSA1 BSM150GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies Infineon-BSM150GB60DLC-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff98815011ffb14c34f0010 Description: IGBT MOD 600V 180A 595W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 595 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60C3 Infineon Technologies Infineon-SPW20N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42e3702497f Description: SPW20N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0802LSATMA1 BSC0802LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0802LS-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae60170870e032d1d39 Description: MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.81 грн
10+177.73 грн
100+125.39 грн
500+96.72 грн
1000+90.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP742RI BSP742RI Infineon Technologies INFNS11733-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSP742 - PROFET - SMART HIGH SID
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 250mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 400mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-24
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R050CFD7AATMA1 IPBE65R050CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPBE65R050CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32a651b7c87 Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+303.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R050CFD7AATMA1 IPBE65R050CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPBE65R050CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32a651b7c87 Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+660.46 грн
10+435.45 грн
100+321.99 грн
500+274.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116E6393 BCR116E6393 Infineon Technologies Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N65C3XK SPP11N65C3XK Infineon Technologies Infineon-SPP_A_I11N65C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011637d98e5e0049 Description: SPP11N65 - 650V AND 700V COOLMOS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N65C3XK SPA11N65C3XK Infineon Technologies Infineon-SPP_A_I11N65C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011637d98e5e0049 Description: SPA11N65 - 650V AND 700V COOLMOS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+153.74 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
BF998E6327 BF998E6327 Infineon Technologies INFNS10890-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF MOSFET 8V SOT143
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 15mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1GHz
Configuration: N-Channel
Gain: 28dB
Technology: MOSFET
Noise Figure: 2.8dB
Supplier Device Package: SOT143 (SC-61)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 8 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1 IPL60R299CPAUMA1 Infineon Technologies IPL60R299CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d1c1c8e27f4 Description: MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 46152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+119.50 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4726G TLE4726G Infineon Technologies Infineon-TLE4726G-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431f848401011fc7e136367a9d Description: TLE4726 - SERVO AND STEPPER MOTO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO203SP BSO203SP Infineon Technologies INFNS11905-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 15 V
на замовлення 5216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
834+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 834
В кошику  од. на суму  грн.
BSO615NGXUMA1 Infineon-BSO615N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ee69b4aac
BSO615NGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Last Time Buy
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO615NGXUMA1 Infineon-BSO615N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ee69b4aac
BSO615NGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Last Time Buy
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.93 грн
10+75.38 грн
100+50.43 грн
500+37.27 грн
1000+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSM50GP120BOSA1 BSM50GP120_6-17-2003.pdf
BSM50GP120BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 80A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: 3 Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6251GNT Infineon-TLE6251-2G-DS-v01_22-EN.pdf?fileId=5546d4625996c0c30159a766fb9977b8
TLE6251GNT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER FULL 1/1 DSO-14
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 1MBd
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-14-13
Receiver Hysteresis: 400 mV
Duplex: Full
Part Status: Active
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+85.73 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
SAKTC1797384F150EFACKXUMA1 INFNS30466-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 416-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 150MHz
Program Memory Size: 3MB (3M x 8)
RAM Size: 176K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x10b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, FlexRay, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-27
Part Status: Active
Number of I/O: 221
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB10N10LG
SPB10N10LG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 154mOhm @ 8.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
717+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 717
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f2aa7bdc30067
BSC0901NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f2aa7bdc30067
BSC0901NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.64 грн
10+78.56 грн
100+52.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KP275E1505XTMA1 Infineon-KP275-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b1a430d485f4f
Виробник: Infineon Technologies
Description: INTEGRATED PRESSURE SENS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KP276C1505XTMA1 Infineon-KP276C1505-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b0408b0ec7182
Виробник: Infineon Technologies
Description: INTEGRATED PRESSURE SENS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17-04WH6327 INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT17-04WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.7pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 33900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3435+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 3435
В кошику  од. на суму  грн.
IPB407N30NATMA1 Infineon-IPB407N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d760faf575474
IPB407N30NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB407N30NATMA1 Infineon-IPB407N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d760faf575474
IPB407N30NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+694.18 грн
10+458.79 грн
100+340.42 грн
500+293.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_AURIX_TC275_LITE
KIT_AURIX_TC275_LITE
Виробник: Infineon Technologies
Description: AURIX TC275 LITE KIT
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3354.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGA925L6E6327XTSA1 BGA925L6.pdf
BGA925L6E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP GPS 1.55-1.615GHZ TSLP6-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.55GHz ~ 1.615GHz
RF Type: GPS/GNSS
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
Gain: 15.8dB
Current - Supply: 4.8mA
Noise Figure: 0.65dB
P1dB: -8dBm
Supplier Device Package: TSLP-6-2
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A2565FKLA1 CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30
ICE3A2565FKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Not For New Designs
Power (Watts): 68 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR562E6327 INFNS10743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR562E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
Frequency - Transition: 7.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WE6327 SIEMD096-1245.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP196WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
Frequency - Transition: 7.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
на замовлення 32200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1416+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 1416
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6740 Infineon-BFP196W-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431400ef680114267ecec60628
BFP196WH6740
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
Frequency - Transition: 7.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1011+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 1011
В кошику  од. на суму  грн.
BSC884N03MSG INFNS16417-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC884N03MSG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V
на замовлення 14149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
866+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 866
В кошику  од. на суму  грн.
BSF024N03LT3G INFNS27838-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 15 V
на замовлення 9963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
547+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 547
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N03LG INFNS16315-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP034N03LG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
437+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3+G+Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843
BSB165N15NZ3GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1 Infineon-IPLK60R360PFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd7912ace3d95
IPLK60R360PFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+37.52 грн
10000+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1 Infineon-IPLK60R360PFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd7912ace3d95
IPLK60R360PFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 11382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.76 грн
10+87.54 грн
100+59.12 грн
500+44.04 грн
1000+40.36 грн
2000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSG INFNS15759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC886N03LSG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 4609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1205+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 1205
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LS G INFNS15759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC886N03LS G
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1205+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 1205
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1 Infineon-ISC026N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8afe9860988
ISC026N03L5SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP096N03LGHKSA1 INFNS16462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP096N03LGHKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 13100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
831+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 831
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC260NB
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 200V 50A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVD1352 pvd33.pdf
PVD1352
Виробник: Infineon Technologies
Description: SSR RELAY SPST-NO 500MA 0-100V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 4 Leads
Output Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 500 mA
Supplier Device Package: 8-DIP Modified
Part Status: Obsolete
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: UL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304323b87bc20123c7030ed51f56
IPB036N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+483.97 грн
10+314.15 грн
100+227.88 грн
500+182.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PEB20590HVIP
Виробник: Infineon Technologies
Description: VERSATILE ISDN PORT (VIP)
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+1657.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TC267D40F200NBCLXUMA1 Infineon-TC26xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b40169538e06030445
TC267D40F200NBCLXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 2.5MB FLSH 292LFBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC264D40F200NBCLXUMA1 Infineon-TC26xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b40169538e06030445
TC264D40F200NBCLXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 2.5MB FLASH 144LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED020I12BTTOBO1 Infineon-1ED020I12-BT_Evaluationboard-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a304340155f3d014029a4589402ef
EVAL1ED020I12BTTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR 1ED020I12B
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: 1ED020I12B
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL127SABMFB100 Infineon-S25FL127S_128-Mb_(16_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfa58c49f7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL127SABMFB100
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 16M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.48 грн
10+311.65 грн
25+302.35 грн
50+277.11 грн
100+270.48 грн
280+260.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSF885N03LQ3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
776+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 776
В кошику  од. на суму  грн.
BSF885N03LQ3GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
670+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 670
В кошику  од. на суму  грн.
TDA4863G Infineon-TDA4863-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b427d2d23ce8
TDA4863G
Виробник: Infineon Technologies
Description: TDA4863 - PFC-DCM (DISCONTINUOUS
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Mode: Discontinuous Conduction (DCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-41
Part Status: Active
Current - Startup: 20 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDA48632HKLA1 Infineon-TDA4863-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b427d2d23ce8
TDA48632HKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TDA4863 - POWER FACTOR CONTROLLE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Mode: Discontinuous Conduction (DCM)
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Part Status: Active
Current - Startup: 20 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f
SPW35N60C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPW35N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1PHOSA1 Infineon-FF6MR12KM1P-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bcb6f5ad56b6
FF6MR12KM1PHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.81mOhm @ 250A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
Supplier Device Package: AG-62MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE62633GXUMA1 TLE6263-3G.pdf
TLE62633GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED DSO-28
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI Serial
Voltage - Supply: 13.5V
Supplier Device Package: P-DSO-28
Grade: Automotive
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+261.91 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6263GNUMA1 TLE6263-3G.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TLE6263GNUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 DSO-28
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.8V ~ 5.1V, 4.9V ~ 5.2V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 125kBaud
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-28-27
Receiver Hysteresis: 200 mV
Duplex: Half
Part Status: Active
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+261.91 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
ISS55EP06LMXTSA1 Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0
ISS55EP06LMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
на замовлення 83993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.47 грн
31+9.97 грн
100+5.09 грн
500+4.25 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSM150GB60DLCHOSA1 Infineon-BSM150GB60DLC-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff98815011ffb14c34f0010
BSM150GB60DLCHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 600V 180A 595W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 595 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60C3 Infineon-SPW20N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42e3702497f
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPW20N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0802LSATMA1 Infineon-BSC0802LS-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae60170870e032d1d39
BSC0802LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.81 грн
10+177.73 грн
100+125.39 грн
500+96.72 грн
1000+90.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP742RI INFNS11733-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP742RI
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSP742 - PROFET - SMART HIGH SID
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 250mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 400mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-24
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R050CFD7AATMA1 Infineon-IPBE65R050CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32a651b7c87
IPBE65R050CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+303.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R050CFD7AATMA1 Infineon-IPBE65R050CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32a651b7c87
IPBE65R050CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+660.46 грн
10+435.45 грн
100+321.99 грн
500+274.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116E6393
BCR116E6393
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N65C3XK Infineon-SPP_A_I11N65C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011637d98e5e0049
SPP11N65C3XK
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPP11N65 - 650V AND 700V COOLMOS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N65C3XK Infineon-SPP_A_I11N65C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011637d98e5e0049
SPA11N65C3XK
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPA11N65 - 650V AND 700V COOLMOS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
170+153.74 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
BF998E6327 INFNS10890-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BF998E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 8V SOT143
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 15mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1GHz
Configuration: N-Channel
Gain: 28dB
Technology: MOSFET
Noise Figure: 2.8dB
Supplier Device Package: SOT143 (SC-61)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 8 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1 IPL60R299CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d1c1c8e27f4
IPL60R299CPAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 46152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
188+119.50 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4726G Infineon-TLE4726G-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431f848401011fc7e136367a9d
TLE4726G
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE4726 - SERVO AND STEPPER MOTO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO203SP INFNS11905-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSO203SP
Виробник: Infineon Technologies
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 15 V
на замовлення 5216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
834+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 834
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 368 369 370 371 372 373 374 375 376 377 378 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]