Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123028) > Сторінка 373 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 368 369 370 371 372 373 374 375 376 377 378 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFP196WH6740 BFP196WH6740 Infineon Technologies Infineon-BFP196W-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431400ef680114267ecec60628 Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 7.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 700mW
Gain: 19dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1011+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 1011 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC884N03MSG BSC884N03MSG Infineon Technologies INFNS16417-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 14149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
866+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 866 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSF024N03LT3G Infineon Technologies INFNS27838-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MG-WDSON-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
на замовлення 9963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
547+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 547 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N03LG IPP034N03LG Infineon Technologies INFNS16315-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3GXUMA1 Infineon Technologies BSB165N15NZ3+G+Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843 Description: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1 IPLK60R360PFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPLK60R360PFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd7912ace3d95 Description: MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1 IPLK60R360PFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPLK60R360PFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd7912ace3d95 Description: MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.71 грн
10+85.44 грн
100+57.68 грн
500+42.96 грн
1000+39.37 грн
2000+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSG BSC886N03LSG Infineon Technologies INFNS15759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 4609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1205+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 1205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LS G BSC886N03LS G Infineon Technologies INFNS15759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1205+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 1205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1 ISC026N03L5SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC026N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8afe9860988 Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP096N03LGHKSA1 IPP096N03LGHKSA1 Infineon Technologies INFNS16462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 13100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
831+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 831 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC260NB Infineon Technologies Description: MOSFET 200V 50A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVD1352 PVD1352 Infineon Technologies pvd33.pdf Description: SSR RELAY SPST-NO 500MA 0-100V
Approval Agency: UL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-DIP Modified
Load Current: 500 mA
Termination Style: PC Pin
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.2VDC
Mounting Type: Through Hole
Output Type: DC
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 4 Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3GATMA1 Infineon Technologies IPB036N12N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304323b87bc20123c7030ed51f56 Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.12 грн
10+310.35 грн
100+225.12 грн
500+179.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PEB20590HVIP Infineon Technologies Description: VERSATILE ISDN PORT (VIP)
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1637.62 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC267D40F200NBCLXUMA1 TC267D40F200NBCLXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TC26xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b40169538e06030445 Description: IC MCU 32BIT 2.5MB FLSH 292LFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC264D40F200NBCLXUMA1 TC264D40F200NBCLXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TC26xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b40169538e06030445 Description: IC MCU 32BIT 2.5MB FLASH 144LQFP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED020I12BTTOBO1 EVAL1ED020I12BTTOBO1 Infineon Technologies Infineon-1ED020I12-BT_Evaluationboard-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a304340155f3d014029a4589402ef Description: EVAL BOARD FOR 1ED020I12B
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 1ED020I12B
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL127SABMFB100 S25FL127SABMFB100 Infineon Technologies Infineon-S25FL127S_128-Mb_(16_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfa58c49f7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 16M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.28 грн
10+307.89 грн
25+298.69 грн
50+273.76 грн
100+267.21 грн
280+257.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSF885N03LQ3G Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
776+30.22 грн
Мінімальне замовлення: 776 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSF885N03LQ3GXUMA1 Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
670+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 670 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA4863G TDA4863G Infineon Technologies Infineon-TDA4863-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b427d2d23ce8 Description: TDA4863 - PFC-DCM (DISCONTINUOUS
Current - Startup: 20 µA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-8-41
Mode: Discontinuous Conduction (DCM)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDA48632HKLA1 TDA48632HKLA1 Infineon Technologies Infineon-TDA4863-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b427d2d23ce8 Description: TDA4863 - POWER FACTOR CONTROLLE
Current - Startup: 20 µA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Mode: Discontinuous Conduction (DCM)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3 Infineon Technologies Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f Description: SPW35N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1PHOSA1 FF6MR12KM1PHOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF6MR12KM1P-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bcb6f5ad56b6 Description: MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.81mOhm @ 250A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
Supplier Device Package: AG-62MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE62633GXUMA1 TLE62633GXUMA1 Infineon Technologies TLE6263-3G.pdf Description: IC INTERFACE SPECIALIZED DSO-28
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI Serial
Voltage - Supply: 13.5V
Supplier Device Package: P-DSO-28
Grade: Automotive
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+255.54 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6263GNUMA1 TLE6263GNUMA1 Infineon Technologies TLE6263-3G.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 DSO-28
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.8V ~ 5.1V, 4.9V ~ 5.2V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 125kBaud
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-28-27
Receiver Hysteresis: 200 mV
Duplex: Half
Part Status: Active
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+255.54 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0 Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 83993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
31+9.85 грн
100+5.03 грн
500+4.20 грн
1000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM150GB60DLCHOSA1 BSM150GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies Infineon-BSM150GB60DLC-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff98815011ffb14c34f0010 Description: IGBT MOD 600V 180A 595W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Power - Max: 595 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60C3 Infineon Technologies Infineon-SPW20N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42e3702497f Description: SPW20N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0802LSATMA1 BSC0802LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0802LS-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae60170870e032d1d39 Description: MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.42 грн
10+175.58 грн
100+123.87 грн
500+95.55 грн
1000+89.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP742RI BSP742RI Infineon Technologies INFNS11733-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSP742 - PROFET - SMART HIGH SID
Part Status: Active
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit
Supplier Device Package: PG-DSO-8-24
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 400mA
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 250mOhm
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R050CFD7AATMA1 IPBE65R050CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPBE65R050CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32a651b7c87 Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+300.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R050CFD7AATMA1 IPBE65R050CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPBE65R050CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32a651b7c87 Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+652.47 грн
10+430.19 грн
100+318.09 грн
500+271.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116E6393 BCR116E6393 Infineon Technologies Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N65C3XK SPP11N65C3XK Infineon Technologies Infineon-SPP_A_I11N65C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011637d98e5e0049 Description: SPP11N65 - 650V AND 700V COOLMOS
Part Status: Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N65C3XK SPA11N65C3XK Infineon Technologies Infineon-SPP_A_I11N65C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011637d98e5e0049 Description: SPA11N65 - 650V AND 700V COOLMOS
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+151.88 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BF998E6327 BF998E6327 Infineon Technologies INFNS10890-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF MOSFET 8V SOT143
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 15mA
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Bulk
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 8 V
Voltage - Rated: 12 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT143 (SC-61)
Noise Figure: 2.8dB
Technology: MOSFET
Gain: 28dB
Configuration: N-Channel
Frequency: 1GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1 IPL60R299CPAUMA1 Infineon Technologies IPL60R299CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d1c1c8e27f4 Description: MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Bulk
на замовлення 46152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+118.06 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4726G TLE4726G Infineon Technologies Infineon-TLE4726G-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431f848401011fc7e136367a9d Description: TLE4726 - SERVO AND STEPPER MOTO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO203SP BSO203SP Infineon Technologies INFNS11905-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 5216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
834+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO203SPNT BSO203SPNT Infineon Technologies INFNS15552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.35W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
546+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 546 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7 IPZ65R095C7 Infineon Technologies INFNS28763-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Bulk
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+329.34 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2332DSTRPBF IRS2332DSTRPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 35ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+279.91 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BE6433HTMA1 BC857BE6433HTMA1 Infineon Technologies Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Description: TRANS PNP 45V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4743+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 4743 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4242G TLE4242G Infineon Technologies Infineon-TLE4242G-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01660bd83f556ecc&redirId=115273 description Description: IC LED DRV LIN PWM 500MA TO263-7
Voltage - Output: 40V
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Supply (Max): 42 V
Voltage - Supply (Min): 4.5V
Dimming: PWM
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 500mA
Applications: Automotive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Type: Linear
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CP IPW60R099CP Infineon Technologies INFNS16488-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPA IPW60R099CPA Infineon Technologies ONSM-S-A0003585272-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPW60R099 - 600V-800V N-CHANNEL
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS202B1MBV33HTSA1 TLS202B1MBV33HTSA1 Infineon Technologies infineon-tls202b1mbv33-datasheet-en.pdf Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA SCT595
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 75 µA
Voltage - Input (Max): 18V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Active
PSRR: 63dB (10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Current - Supply (Max): 200 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS202B1MBV33HTSA1 TLS202B1MBV33HTSA1 Infineon Technologies infineon-tls202b1mbv33-datasheet-en.pdf Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA SCT595
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 75 µA
Voltage - Input (Max): 18V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Active
PSRR: 63dB (10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Current - Supply (Max): 200 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.84 грн
10+50.29 грн
25+45.43 грн
100+37.59 грн
250+35.18 грн
500+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR3566BMTRPBF IR3566BMTRPBF Infineon Technologies pb-ir3566b.pdf?fileId=5546d462533600a40153568028fe28eb Description: IC REG CTRLR INTEL 2OUT 48QFN
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Input: 3.3V
Number of Outputs: 2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 48-QFN (6x6)
Applications: Controller, Intel VR12, VR12.5, AMD SVI1, SVI2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3566BMTRPBF IR3566BMTRPBF Infineon Technologies pb-ir3566b.pdf?fileId=5546d462533600a40153568028fe28eb Description: IC REG CTRLR INTEL 2OUT 48QFN
Supplier Device Package: 48-QFN (6x6)
Applications: Controller, Intel VR12, VR12.5, AMD SVI1, SVI2
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Input: 3.3V
Number of Outputs: 2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+520.74 грн
10+453.40 грн
25+432.32 грн
100+352.27 грн
250+336.44 грн
500+306.75 грн
1000+262.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5 Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.31 грн
10000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5 Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 17278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.89 грн
10+54.62 грн
100+36.10 грн
500+26.44 грн
1000+24.05 грн
2000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424 Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 24263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.82 грн
10+48.20 грн
100+31.73 грн
500+23.13 грн
1000+20.99 грн
2000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Infineon Technologies BSC0901NS_Rev+1.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc8040080376 Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 25266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.63 грн
10+78.35 грн
100+52.56 грн
500+38.96 грн
1000+35.62 грн
2000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC091N03MSCG BSC091N03MSCG Infineon Technologies INFNS13697-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0908NS BSC0908NS Infineon Technologies INFNS27230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
904+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 904 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XC2060N40F80LRABKXUMA1 Infineon Technologies Description: IC MCU 16BIT FLASH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XC2060N40F80LAAKXUMA1 XC2060N40F80LAAKXUMA1 Infineon Technologies Product_Cat_3-10-14.pdf Description: IC MCU 16/32B 320KB FLSH 100LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6740 Infineon-BFP196W-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431400ef680114267ecec60628
BFP196WH6740
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 7.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 700mW
Gain: 19dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1011+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 1011 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC884N03MSG INFNS16417-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC884N03MSG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 14149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
866+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 866 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSF024N03LT3G INFNS27838-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MG-WDSON-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
на замовлення 9963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
547+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 547 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N03LG INFNS16315-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP034N03LG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
437+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3+G+Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843
BSB165N15NZ3GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1 Infineon-IPLK60R360PFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd7912ace3d95
IPLK60R360PFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1 Infineon-IPLK60R360PFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd7912ace3d95
IPLK60R360PFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+138.71 грн
10+85.44 грн
100+57.68 грн
500+42.96 грн
1000+39.37 грн
2000+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSG INFNS15759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC886N03LSG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 4609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1205+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 1205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LS G INFNS15759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC886N03LS G
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1205+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 1205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1 Infineon-ISC026N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8afe9860988
ISC026N03L5SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP096N03LGHKSA1 INFNS16462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP096N03LGHKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 13100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
831+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 831 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC260NB
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 200V 50A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVD1352 pvd33.pdf
PVD1352
Виробник: Infineon Technologies
Description: SSR RELAY SPST-NO 500MA 0-100V
Approval Agency: UL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-DIP Modified
Load Current: 500 mA
Termination Style: PC Pin
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.2VDC
Mounting Type: Through Hole
Output Type: DC
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 4 Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304323b87bc20123c7030ed51f56
IPB036N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+478.12 грн
10+310.35 грн
100+225.12 грн
500+179.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PEB20590HVIP
Виробник: Infineon Technologies
Description: VERSATILE ISDN PORT (VIP)
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+1637.62 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC267D40F200NBCLXUMA1 Infineon-TC26xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b40169538e06030445
TC267D40F200NBCLXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 2.5MB FLSH 292LFBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC264D40F200NBCLXUMA1 Infineon-TC26xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b40169538e06030445
TC264D40F200NBCLXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 2.5MB FLASH 144LQFP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED020I12BTTOBO1 Infineon-1ED020I12-BT_Evaluationboard-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a304340155f3d014029a4589402ef
EVAL1ED020I12BTTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR 1ED020I12B
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 1ED020I12B
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL127SABMFB100 Infineon-S25FL127S_128-Mb_(16_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfa58c49f7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL127SABMFB100
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 16M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+343.28 грн
10+307.89 грн
25+298.69 грн
50+273.76 грн
100+267.21 грн
280+257.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSF885N03LQ3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
776+30.22 грн
Мінімальне замовлення: 776 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSF885N03LQ3GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
670+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 670 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA4863G Infineon-TDA4863-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b427d2d23ce8
TDA4863G
Виробник: Infineon Technologies
Description: TDA4863 - PFC-DCM (DISCONTINUOUS
Current - Startup: 20 µA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-8-41
Mode: Discontinuous Conduction (DCM)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDA48632HKLA1 Infineon-TDA4863-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b427d2d23ce8
TDA48632HKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TDA4863 - POWER FACTOR CONTROLLE
Current - Startup: 20 µA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Mode: Discontinuous Conduction (DCM)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f
SPW35N60C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPW35N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1PHOSA1 Infineon-FF6MR12KM1P-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bcb6f5ad56b6
FF6MR12KM1PHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.81mOhm @ 250A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
Supplier Device Package: AG-62MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE62633GXUMA1 TLE6263-3G.pdf
TLE62633GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED DSO-28
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI Serial
Voltage - Supply: 13.5V
Supplier Device Package: P-DSO-28
Grade: Automotive
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+255.54 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6263GNUMA1 TLE6263-3G.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TLE6263GNUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 DSO-28
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.8V ~ 5.1V, 4.9V ~ 5.2V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 125kBaud
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-28-27
Receiver Hysteresis: 200 mV
Duplex: Half
Part Status: Active
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+255.54 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISS55EP06LMXTSA1 Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0
ISS55EP06LMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 83993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
31+9.85 грн
100+5.03 грн
500+4.20 грн
1000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM150GB60DLCHOSA1 Infineon-BSM150GB60DLC-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff98815011ffb14c34f0010
BSM150GB60DLCHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 600V 180A 595W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Power - Max: 595 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60C3 Infineon-SPW20N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42e3702497f
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPW20N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0802LSATMA1 Infineon-BSC0802LS-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae60170870e032d1d39
BSC0802LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+277.42 грн
10+175.58 грн
100+123.87 грн
500+95.55 грн
1000+89.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP742RI INFNS11733-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP742RI
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSP742 - PROFET - SMART HIGH SID
Part Status: Active
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit
Supplier Device Package: PG-DSO-8-24
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 400mA
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 250mOhm
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R050CFD7AATMA1 Infineon-IPBE65R050CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32a651b7c87
IPBE65R050CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+300.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R050CFD7AATMA1 Infineon-IPBE65R050CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32a651b7c87
IPBE65R050CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+652.47 грн
10+430.19 грн
100+318.09 грн
500+271.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116E6393
BCR116E6393
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N65C3XK Infineon-SPP_A_I11N65C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011637d98e5e0049
SPP11N65C3XK
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPP11N65 - 650V AND 700V COOLMOS
Part Status: Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N65C3XK Infineon-SPP_A_I11N65C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011637d98e5e0049
SPA11N65C3XK
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPA11N65 - 650V AND 700V COOLMOS
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
170+151.88 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BF998E6327 INFNS10890-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BF998E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 8V SOT143
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 15mA
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Bulk
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 8 V
Voltage - Rated: 12 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT143 (SC-61)
Noise Figure: 2.8dB
Technology: MOSFET
Gain: 28dB
Configuration: N-Channel
Frequency: 1GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1 IPL60R299CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d1c1c8e27f4
IPL60R299CPAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Bulk
на замовлення 46152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+118.06 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4726G Infineon-TLE4726G-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431f848401011fc7e136367a9d
TLE4726G
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE4726 - SERVO AND STEPPER MOTO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO203SP INFNS11905-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSO203SP
Виробник: Infineon Technologies
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 5216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
834+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO203SPNT INFNS15552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSO203SPNT
Виробник: Infineon Technologies
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.35W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
546+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 546 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7 INFNS28763-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPZ65R095C7
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Bulk
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+329.34 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2332DSTRPBF fundamentals-of-power-semiconductors
IRS2332DSTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 35ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+279.91 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BE6433HTMA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
BC857BE6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4743+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 4743 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4242G description Infineon-TLE4242G-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01660bd83f556ecc&redirId=115273
TLE4242G
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRV LIN PWM 500MA TO263-7
Voltage - Output: 40V
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Supply (Max): 42 V
Voltage - Supply (Min): 4.5V
Dimming: PWM
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 500mA
Applications: Automotive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Type: Linear
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CP INFNS16488-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPW60R099CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPA ONSM-S-A0003585272-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPW60R099CPA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPW60R099 - 600V-800V N-CHANNEL
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS202B1MBV33HTSA1 infineon-tls202b1mbv33-datasheet-en.pdf
TLS202B1MBV33HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA SCT595
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 75 µA
Voltage - Input (Max): 18V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Active
PSRR: 63dB (10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Current - Supply (Max): 200 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS202B1MBV33HTSA1 infineon-tls202b1mbv33-datasheet-en.pdf
TLS202B1MBV33HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA SCT595
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 75 µA
Voltage - Input (Max): 18V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Active
PSRR: 63dB (10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Current - Supply (Max): 200 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.84 грн
10+50.29 грн
25+45.43 грн
100+37.59 грн
250+35.18 грн
500+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR3566BMTRPBF pb-ir3566b.pdf?fileId=5546d462533600a40153568028fe28eb
IR3566BMTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR INTEL 2OUT 48QFN
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Input: 3.3V
Number of Outputs: 2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 48-QFN (6x6)
Applications: Controller, Intel VR12, VR12.5, AMD SVI1, SVI2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3566BMTRPBF pb-ir3566b.pdf?fileId=5546d462533600a40153568028fe28eb
IR3566BMTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR INTEL 2OUT 48QFN
Supplier Device Package: 48-QFN (6x6)
Applications: Controller, Intel VR12, VR12.5, AMD SVI1, SVI2
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Input: 3.3V
Number of Outputs: 2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+520.74 грн
10+453.40 грн
25+432.32 грн
100+352.27 грн
250+336.44 грн
500+306.75 грн
1000+262.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5
BSC0902NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+21.31 грн
10000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5
BSC0902NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 17278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.89 грн
10+54.62 грн
100+36.10 грн
500+26.44 грн
1000+24.05 грн
2000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424
BSC0902NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 24263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.82 грн
10+48.20 грн
100+31.73 грн
500+23.13 грн
1000+20.99 грн
2000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NS_Rev+1.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc8040080376
BSC0901NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 25266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.63 грн
10+78.35 грн
100+52.56 грн
500+38.96 грн
1000+35.62 грн
2000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC091N03MSCG INFNS13697-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC091N03MSCG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1250+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0908NS INFNS27230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC0908NS
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
904+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 904 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XC2060N40F80LRABKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT FLASH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XC2060N40F80LAAKXUMA1 Product_Cat_3-10-14.pdf
XC2060N40F80LAAKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16/32B 320KB FLSH 100LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 368 369 370 371 372 373 374 375 376 377 378 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]