Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123014) > Сторінка 381 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 376 377 378 379 380 381 382 383 384 385 386 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRAM538-1065AE Infineon Technologies Description: POWER DRIVE MODULE DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRAM538-1065AS Infineon Technologies Description: POWER DRIVE MODULE DIP
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Current: 10 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4PBPSA1 FP100R12KT4PBPSA1 Infineon Technologies Description: MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3
Packaging: Bulk
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9149.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4PBPSA1 FP100R12KT4PBPSA1 Infineon Technologies Description: MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP001434884 SP001434884 Infineon Technologies Infineon-IPN60R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aed24095b21 Description: IPN60R1K0CEATMA1 - MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NSGATMA1 BSZ042N04NSGATMA1 Infineon Technologies INFNS30160-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
на замовлення 41363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAA-CIC61508-OSRF5VAA SAA-CIC61508-OSRF5VAA Infineon Technologies INFNS15458-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC SUPERVISOR PWR SUP SUPPORT
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC059N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd22cfc6481f Description: MOSFET N-CH 40V 17A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.48 грн
10000+21.98 грн
15000+21.17 грн
25000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC059N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd22cfc6481f Description: MOSFET N-CH 40V 17A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 20 V
на замовлення 25173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.96 грн
10+60.59 грн
100+40.14 грн
500+29.42 грн
1000+26.77 грн
2000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT120N16SOFHPSA1 TT120N16SOFHPSA1 Infineon Technologies Infineon-TT120N-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d46148a8bbb90148d04e762d2e47 Description: SCR MODULE 1.6V 190A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 130°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 250 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 119 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 190 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2446.38 грн
12+1702.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSL314PEH6327XTSA1 BSL314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL314PE.pdf Description: BSL314 - DUAL CHANNEL, SMALL SIN
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1803 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS202A1MBVHTMA1 TLS202A1MBVHTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLS202A1MBV-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d30cbf4211 Description: IC REG LINEAR POS ADJ SCT595-5
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 75 µA
Voltage - Input (Max): 18V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5-1
Voltage - Output (Max): 5.25V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
PSRR: 65dB (10kHz)
Voltage Dropout (Max): 1V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Current - Supply (Max): 200 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 83559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
435+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOBOARDTLS202A1TOBO1 DEMOBOARDTLS202A1TOBO1 Infineon Technologies infineon-tls202a1-demoboard-manual-usermanual-en.pdf Description: EVAL BOARD FOR TLS202A1
Packaging: Box
Voltage - Output: 3.3V
Voltage - Input: 2.7V ~ 18V
Current - Output: 150mA
Contents: Board(s)
Regulator Type: Positive Adjustable
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TLS202A1
Supplied Contents: Board(s)
Channels per IC: 1 - Single
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4242.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-05W BAS40-05W Infineon Technologies INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARR SCHOT 40V 120MA SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-05E6327 BAS40-05E6327 Infineon Technologies INFNS11688-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BAS40 - HIGH SPEED SWITCHING, CL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183-E7764 Infineon Technologies INFNS30056-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT143-4
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Power - Max: 250mW
Gain: 22dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183E7764 BFP183E7764 Infineon Technologies INFNS30056-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP 183 E7764 Infineon Technologies INFNS30056-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327 BFP183WH6327 Infineon Technologies INFNS10806-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WE6327 BFP183WE6327 Infineon Technologies INFNS10806-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183 BFP183 Infineon Technologies INFNS30056-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BFP183 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP 181 E7764 BFP 181 E7764 Infineon Technologies INFNS27310-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Power - Max: 175mW
Gain: 17.5dB ~ 21dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Bulk
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4480+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 4480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764 Infineon Technologies INFNS27310-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT143-4
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Power - Max: 175mW
Gain: 21dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP182WH6327XTSA1 BFP182WH6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 250mW
Gain: 22dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.60 грн
25+12.24 грн
28+10.83 грн
100+8.72 грн
250+8.03 грн
500+7.62 грн
1000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327 BFP193E6327 Infineon Technologies INFNS19215-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BFP193 - HIGH LINEARITY SI- AND
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT143 (SC-61)
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Power - Max: 580mW
Gain: 18dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Bulk
Frequency - Transition: 8GHz
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3355+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 3355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N65ES5XKSA1 IKFW60N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW60N65ES5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d97303931f06 Description: IGBT TRENCH FS 650V 77A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 77 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 138 W
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+761.73 грн
30+431.38 грн
120+364.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44173N01BXTSA1 1ED44173N01BXTSA1 Infineon Technologies infineon-1ed44173n01b-datasheet-en.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 8.6V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-SOT23-6-3
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.6A, 2.6A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.93 грн
6000+16.81 грн
9000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R385CP Infineon Technologies INFNS10204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
на замовлення 78346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R190CE IPW50R190CE Infineon Technologies INFN-S-A0002262909-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR321UE6327 BCR321UE6327 Infineon Technologies INFN-S-A0000572132-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BCR321 - LED DRIVER & ACTIVE BIA
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRAMS10UP60C-2 Infineon Technologies Description: IRAMS10 - INTELLIGENT POWER MODU
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGF117E6328 Infineon Technologies Description: MINI/MICROSD CARD ESD PROTECTION
Packaging: Bulk
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1222+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 1222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R190E6AUMA1938 Infineon Technologies Infineon-IPL65R190E6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304344d727a80144df7870ce0c0c Description: IPL65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7 IPA65R190C7 Infineon Technologies INFNS30021-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPA65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+129.41 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7 IPP65R190C7 Infineon Technologies INFNS27991-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPP65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7 Infineon Technologies INFNS28170-1.pdf Description: IPW65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6 IPA65R190E6 Infineon Technologies INFN-S-A0004583440-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPA65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CE IPP50R190CE Infineon Technologies Infineon-IPP50R190CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f5fd4fb6b7b68 Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15-099R BAT15-099R Infineon Technologies INFNS14601-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MIXER DIODE, LOW BARRIER, X BAND
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Diode Type: Schottky - Ring
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT143
Part Status: Active
Current - Max: 110 mA
Power Dissipation (Max): 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP065N03LG IPP065N03LG Infineon Technologies INFNS16322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
710+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 710 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP084N06L3GXKSA1 IPP084N06L3GXKSA1 Infineon Technologies IPP_B084N06L3_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4592273f7db2 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
на замовлення 30364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+78.79 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3G IPP024N06N3G Infineon Technologies INFNS16450-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+105.97 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3G IPP034NE7N3G Infineon Technologies INFN-S-A0001299349-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP065N04NG IPP065N04NG Infineon Technologies INFNS15858-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS26302DJPBF IRS26302DJPBF Infineon Technologies irs26302dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567b681d2845 description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 24598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+498.70 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPH BSO201SPH Infineon Technologies INFNS13865-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSO201 - 20V-250V P-CHANNEL POWE
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
424+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 424 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPNTMA1 BSO201SPNTMA1 Infineon Technologies BSO201SP_211201.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 14.9A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5962 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5AR4770AGXUMA1 ICE5AR4770AGXUMA1 Infineon Technologies Infineon-ICE5xRxxxxAG-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607d6123c745a6 Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 75%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 700V
Output Isolation: Non-Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 25.5V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Control Features: EN, Soft Start, Sync
Part Status: Active
Power (Watts): 15 W
на замовлення 7377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+80.59 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 Infineon Technologies ESD5V0S1U-02V.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 14.5V PGSC7921
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 66W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 125865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
16+19.63 грн
100+12.42 грн
500+8.71 грн
1000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 Infineon Technologies ESD5V0L1B-02V.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 25VC PGSC7921
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V (Typ)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.57 грн
19+16.04 грн
100+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R095CFD7AUMA1 IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL60R095CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633f96542e4f53 Description: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+122.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R095CFD7AUMA1 IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL60R095CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633f96542e4f53 Description: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
на замовлення 4363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.54 грн
10+214.16 грн
100+152.60 грн
500+135.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PTAC260302SCV1XWSA2 Infineon Technologies Description: IC AMP RF LDMOS H-37248H-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA126N10N3GXKSA1 IPA126N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA126N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122601c46c77f03 Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S2-40ATMA1 IPD25N06S2-40ATMA1 Infineon Technologies INFNS09555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPD25N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L-30ATMA2 IPD25N06S4L-30ATMA2 Infineon Technologies INFN-S-A0002864748-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPD25N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15P10P H SPP15P10P H Infineon Technologies Infineon-SPP15P10P_H_G-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132246d96be5a7e Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRLPBF IRFR3709ZTRLPBF Infineon Technologies irfr3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631a47a20c5 Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BBY6605WE6327 BBY6605WE6327 Infineon Technologies INFNS11657-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: VARIABLE CAPACITANCE DIODE
на замовлення 14939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1876+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 1876 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY90387SPMT-GS-239E1 CY90387SPMT-GS-239E1 Infineon Technologies download Description: IC MCU 16BIT 64KB MROM 48LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: Mask ROM
Core Processor: F²MC-16LX
Data Converters: A/D 8x8/10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.5V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, SCI, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRAM538-1065AE
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER DRIVE MODULE DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRAM538-1065AS
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER DRIVE MODULE DIP
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Current: 10 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4PBPSA1
FP100R12KT4PBPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3
Packaging: Bulk
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+9149.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4PBPSA1
FP100R12KT4PBPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP001434884 Infineon-IPN60R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aed24095b21
SP001434884
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPN60R1K0CEATMA1 - MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NSGATMA1 INFNS30160-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSZ042N04NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
на замовлення 41363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAA-CIC61508-OSRF5VAA INFNS15458-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAA-CIC61508-OSRF5VAA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SUPERVISOR PWR SUP SUPPORT
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1 Infineon-BSC059N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd22cfc6481f
BSC059N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 17A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+24.48 грн
10000+21.98 грн
15000+21.17 грн
25000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1 Infineon-BSC059N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd22cfc6481f
BSC059N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 17A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 20 V
на замовлення 25173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.96 грн
10+60.59 грн
100+40.14 грн
500+29.42 грн
1000+26.77 грн
2000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT120N16SOFHPSA1 Infineon-TT120N-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d46148a8bbb90148d04e762d2e47
TT120N16SOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.6V 190A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 130°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 250 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 119 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 190 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2446.38 грн
12+1702.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSL314PEH6327XTSA1 BSL314PE.pdf
BSL314PEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSL314 - DUAL CHANNEL, SMALL SIN
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1803 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS202A1MBVHTMA1 Infineon-TLS202A1MBV-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d30cbf4211
TLS202A1MBVHTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR POS ADJ SCT595-5
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 75 µA
Voltage - Input (Max): 18V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5-1
Voltage - Output (Max): 5.25V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
PSRR: 65dB (10kHz)
Voltage Dropout (Max): 1V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Current - Supply (Max): 200 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 83559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
435+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOBOARDTLS202A1TOBO1 infineon-tls202a1-demoboard-manual-usermanual-en.pdf
DEMOBOARDTLS202A1TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR TLS202A1
Packaging: Box
Voltage - Output: 3.3V
Voltage - Input: 2.7V ~ 18V
Current - Output: 150mA
Contents: Board(s)
Regulator Type: Positive Adjustable
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TLS202A1
Supplied Contents: Board(s)
Channels per IC: 1 - Single
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4242.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-05W INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS40-05W
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SCHOT 40V 120MA SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-05E6327 INFNS11688-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS40-05E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BAS40 - HIGH SPEED SWITCHING, CL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183-E7764 INFNS30056-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT143-4
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Power - Max: 250mW
Gain: 22dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183E7764 INFNS30056-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP183E7764
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP 183 E7764 INFNS30056-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327 INFNS10806-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP183WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WE6327 INFNS10806-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP183WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183 INFNS30056-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP183
Виробник: Infineon Technologies
Description: BFP183 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP 181 E7764 INFNS27310-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP 181 E7764
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Power - Max: 175mW
Gain: 17.5dB ~ 21dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Bulk
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4480+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 4480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764 INFNS27310-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT143-4
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Power - Max: 175mW
Gain: 21dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP182WH6327XTSA1 INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP182WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 250mW
Gain: 22dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.60 грн
25+12.24 грн
28+10.83 грн
100+8.72 грн
250+8.03 грн
500+7.62 грн
1000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327 INFNS19215-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP193E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BFP193 - HIGH LINEARITY SI- AND
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT143 (SC-61)
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Power - Max: 580mW
Gain: 18dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Bulk
Frequency - Transition: 8GHz
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3355+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 3355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N65ES5XKSA1 Infineon-IKFW60N65ES5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d97303931f06
IKFW60N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 77A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 77 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 138 W
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+761.73 грн
30+431.38 грн
120+364.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44173N01BXTSA1 infineon-1ed44173n01b-datasheet-en.pdf
1ED44173N01BXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 8.6V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-SOT23-6-3
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.6A, 2.6A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.93 грн
6000+16.81 грн
9000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R385CP INFNS10204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
на замовлення 78346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
293+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R190CE INFN-S-A0002262909-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPW50R190CE
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR321UE6327 INFN-S-A0000572132-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR321UE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BCR321 - LED DRIVER & ACTIVE BIA
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRAMS10UP60C-2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRAMS10 - INTELLIGENT POWER MODU
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGF117E6328
Виробник: Infineon Technologies
Description: MINI/MICROSD CARD ESD PROTECTION
Packaging: Bulk
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1222+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 1222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R190E6AUMA1938 Infineon-IPL65R190E6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304344d727a80144df7870ce0c0c
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPL65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7 INFNS30021-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA65R190C7
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPA65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
180+129.41 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7 INFNS27991-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP65R190C7
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7 INFNS28170-1.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPW65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6 INFN-S-A0004583440-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA65R190E6
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPA65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CE Infineon-IPP50R190CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f5fd4fb6b7b68
IPP50R190CE
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15-099R INFNS14601-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT15-099R
Виробник: Infineon Technologies
Description: MIXER DIODE, LOW BARRIER, X BAND
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Diode Type: Schottky - Ring
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT143
Part Status: Active
Current - Max: 110 mA
Power Dissipation (Max): 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP065N03LG INFNS16322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP065N03LG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
710+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 710 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP084N06L3GXKSA1 IPP_B084N06L3_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4592273f7db2
IPP084N06L3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
на замовлення 30364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
259+78.79 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3G INFNS16450-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP024N06N3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
201+105.97 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3G INFN-S-A0001299349-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP034NE7N3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP065N04NG INFNS15858-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP065N04NG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
952+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS26302DJPBF description irs26302dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567b681d2845
IRS26302DJPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 24598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+498.70 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPH INFNS13865-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSO201SPH
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSO201 - 20V-250V P-CHANNEL POWE
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
424+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 424 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPNTMA1 BSO201SP_211201.pdf
BSO201SPNTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 14.9A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5962 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5AR4770AGXUMA1 Infineon-ICE5xRxxxxAG-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607d6123c745a6
ICE5AR4770AGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 75%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 700V
Output Isolation: Non-Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 25.5V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Control Features: EN, Soft Start, Sync
Part Status: Active
Power (Watts): 15 W
на замовлення 7377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
288+80.59 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 ESD5V0S1U-02V.pdf
ESD5V0S1U02VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 5VWM 14.5V PGSC7921
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 66W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 125865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.32 грн
16+19.63 грн
100+12.42 грн
500+8.71 грн
1000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 ESD5V0L1B-02V.pdf
ESD5V0L1B02VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 5VWM 25VC PGSC7921
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V (Typ)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.57 грн
19+16.04 грн
100+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon-IPL60R095CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633f96542e4f53
IPL60R095CFD7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+122.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon-IPL60R095CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633f96542e4f53
IPL60R095CFD7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
на замовлення 4363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+335.54 грн
10+214.16 грн
100+152.60 грн
500+135.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PTAC260302SCV1XWSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS H-37248H-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA126N10N3GXKSA1 IPA126N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122601c46c77f03
IPA126N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S2-40ATMA1 INFNS09555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD25N06S2-40ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPD25N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L-30ATMA2 INFN-S-A0002864748-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD25N06S4L-30ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPD25N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15P10P H Infineon-SPP15P10P_H_G-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132246d96be5a7e
SPP15P10P H
Виробник: Infineon Technologies
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRLPBF irfr3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631a47a20c5
IRFR3709ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BBY6605WE6327 INFNS11657-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BBY6605WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: VARIABLE CAPACITANCE DIODE
на замовлення 14939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1876+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 1876 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY90387SPMT-GS-239E1 download
CY90387SPMT-GS-239E1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 64KB MROM 48LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: Mask ROM
Core Processor: F²MC-16LX
Data Converters: A/D 8x8/10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.5V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, SCI, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 376 377 378 379 380 381 382 383 384 385 386 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]