Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123014) > Сторінка 382 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 377 378 379 380 381 382 383 384 385 386 387 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AUIPS71451GTR AUIPS71451GTR Infineon Technologies auips71451g.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7f7461332 Description: IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 75mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 60V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-906
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8511B 1EDN8511B Infineon Technologies Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev%202.0-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7 Description: 1EDN8511 - GATE DRIVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8550B 1EDN8550B Infineon Technologies Infineon-1EDN8550B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635da0c1c02652 Description: 1EDN8550 - GATE DRIVER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 876 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP001690382 Infineon Technologies Infineon-1EDN7550B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635d9799ef264f Description: 1EDN7550 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-SOT23-6-3
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7550B 1EDN7550B Infineon Technologies Infineon-1EDN7550B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635d9799ef264f Description: 1EDN7550 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-SOT23-6-3
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K5PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225df2d46744 Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.04 грн
10+48.13 грн
100+31.56 грн
500+22.93 грн
1000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 12515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.66 грн
10+94.32 грн
100+64.21 грн
500+48.14 грн
1000+46.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747 Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.42 грн
10+34.18 грн
100+24.77 грн
500+20.49 грн
1000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD316SNH6327XTSA1 BSD316SNH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSD316SN-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011afc90c46a0521 Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD316SNH6327XTSA1 BSD316SNH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSD316SN-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011afc90c46a0521 Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
23+13.21 грн
100+6.92 грн
500+6.49 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5027CE6747HAMA1 Infineon Technologies TLE5027C_PB_7-2-13.pdf Description: SENSOR MAGNETORESISTIVE PWM 3SIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP Module
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Magnetoresistive
Supplier Device Package: PG-SSO-3-92
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+158.98 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5190VOLTDEMOTOBO1 TLD5190VOLTDEMOTOBO1 Infineon Technologies Description: H-BRIDGE MINI VOLTAGE REGULATOR
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 3.7V ~ 25V
Voltage - Input: 5V ~ 28V
Utilized IC / Part: TLD5190
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14348.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7 Infineon Technologies Infineon-IPD80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4287da753ee9 Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA0XTMA1 TLI493DW2BWA0XTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d Description: SEN HALL EFFT OPEN DRAIN 5-WLCSP
Test Condition: -40°C ~ 125°C
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
Current - Supply (Max): 5mA
Sensing Range: ±160mT
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Function: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: South Pole
Output Type: Open Drain
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA3XTMA1 TLI493DW2BWA3XTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d Description: MAGNETIC SWITCH PROG 5WLCSP
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
Current - Supply (Max): 5mA
Sensing Range: ±160mT
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Open Drain
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA2XTMA1 TLI493DW2BWA2XTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d Description: SEN HALL EFFT OPEN DRAIN 5-WLCSP
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±160mT
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA1XTMA1 TLI493DW2BWA1XTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d Description: SEN HALL EFFT OPEN DRAIN 5-WLCSP
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±160mT
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
Test Condition: -40°C ~ 125°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C107D-10VXI CY7C107D-10VXI Infineon Technologies Infineon-CY7C107D_CY7C1007D_1-Mbit_(1M_x_1)_Static_RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebf2ac23343&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 28-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-SOJ
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 1M x 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+799.70 грн
10+657.26 грн
25+618.07 грн
52+552.74 грн
104+528.60 грн
260+499.12 грн
520+470.73 грн
1040+451.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B004Q-SXET CY15B004Q-SXET Infineon Technologies CY15B004Q_RevC_6-4-19.pdf Description: IC FRAM 4KBIT SPI 16MHZ 8SOIC
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Format: FRAM
Clock Frequency: 16 MHz
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512 x 8
Memory Interface: SPI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-05E6433 BAS70-05E6433 Infineon Technologies INFNS11040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARR SCHOTT 70V 70MA SOT23
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: PG-SOT23
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-05E6327 Infineon Technologies INFNS11040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BAS70 - HIGH SPEED SWITCHING, CL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI70N10SL16AKSA1 IPI70N10SL16AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I70N10SL_16-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42a6a0a4339&fileId=db3a304412b407950112b42a72ce4342&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+106.55 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C167CSL16M3VCAFXQLA1 C167CSL16M3VCAFXQLA1 Infineon Technologies C167CS-L16M3V_Oct2001.pdf Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 144MQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 111
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: P-MQFP-144-8
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 24x10b
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 11K x 8
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 144-BQFP
Packaging: Bulk
на замовлення 8156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+4532.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-C167CS-L16M3V SAF-C167CS-L16M3V Infineon Technologies INFNS22050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LEGACY 16-BIT MCU
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 111
Part Status: Active
Supplier Device Package: P-MQFP-144-6
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 24x10b SAR
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 11K x 8
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 144-BQFP
Packaging: Bulk
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1602.56 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-C167CS-L16M3VC SAF-C167CS-L16M3VC Infineon Technologies INFNS22050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LEGACY 16-BIT MCU
Number of I/O: 111
Part Status: Active
Supplier Device Package: P-MQFP-144-6
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 24x10b SAR
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 11K x 8
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 144-BQFP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F167CSL16M3VCAZXP Infineon Technologies Description: 16-BIT MICROCONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP540H6327XTSA1 BFP540H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ PG-SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGMFB010 S25FL256SAGMFB010 Infineon Technologies infineon-s25fl128s-s25fl256s-128-mb-16-mb-256-mb-32-mb-fl-s-flash-spi-multi-io-3-v-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.40 грн
10+359.82 грн
25+349.08 грн
50+319.92 грн
240+302.70 грн
480+295.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFB010 S25FL064LABMFB010 Infineon Technologies infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.61 грн
10+121.93 грн
25+118.50 грн
50+108.73 грн
100+106.24 грн
280+102.54 грн
560+98.42 грн
1120+96.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFB000 S25FL064LABMFB000 Infineon Technologies Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LDPMFB003 S25FL128LDPMFB003 Infineon Technologies Infineon-S25FL256L_S25FL128L_256-MB_(32-MB)_128-MB_(16-MB)_3.0_V_FL-L_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed40e335224 Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Memory Organization: 16M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 66 MHz
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 128Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LDPMFB000 S25FL128LDPMFB000 Infineon Technologies Infineon-S25FL256L_S25FL128L_256-MB_(32-MB)_128-MB_(16-MB)_3.0_V_FL-L_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed40e335224 Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SDPMFB013 S25FL128SDPMFB013 Infineon Technologies Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Memory Organization: 16M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 66 MHz
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 128Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327 BSS214NWH6327 Infineon Technologies INFNS16757-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSS214 - 250V-600V SMALL SIGNAL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NW L6327 BSS214NW L6327 Infineon Technologies BSS214NW_Rev2.1.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b3e89eb011b695aebc01bde Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1 IPN60R2K1CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44 Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 104804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.79 грн
10+33.21 грн
100+21.42 грн
500+15.33 грн
1000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af653155b49 Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af653155b49 Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.14 грн
10+30.52 грн
100+19.71 грн
500+14.10 грн
1000+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1 IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aed24095b21 Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 13740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.97 грн
10+41.56 грн
100+27.04 грн
500+19.51 грн
1000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CE IPN60R2K1CE Infineon Technologies INFN-S-A0002456420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5PFD7SATMA1 IPN60R1K5PFD7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R1K5PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e22796eb16753 Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5PFD7SATMA1 IPN60R1K5PFD7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R1K5PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e22796eb16753 Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.74 грн
10+42.09 грн
100+27.40 грн
500+19.78 грн
1000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3G BSZ12DN20NS3G Infineon Technologies INFNS16246-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1 IPN70R750P7SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipn70r750p7s-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7S Infineon Technologies Infineon-TLE4264-2G-DS-v02_60-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f6960991f2d Description: IPN70R750 - 650V AND 700V COOLMO
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1 IPN70R1K5CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.94 грн
10+45.44 грн
100+29.72 грн
500+21.57 грн
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CE Infineon Technologies Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K0CEATMA1 IPN70R1K0CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462580663ef015825731b81712d Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012BE5000FUMA1 TLE5012BE5000FUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE5012B_Exxxx-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304334fac4c601350f31c43c433f Description: SENSOR ANGLE 360DEG SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: SENT, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Output Signal: Cosine, Sine
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 76093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+196.29 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012FUMA1 Infineon Technologies TLE5012.pdf Description: POSITION&CURRENT SENSORS
Packaging: Bulk
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+339.60 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5014P16DXUMA1 TLE5014P16DXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE5014C_P_S_16D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a01771a9fd67f3a19 Description: SENSOR ANGLE 360DEG GULL WING
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Output Signal: Cosine, Sine
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
For Measuring: Angle, Linear, Rotary
Technology: Magnetoresistive
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Voltage - Supply: 4.2V ~ 5.5V
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5014P16DXUMA1 TLE5014P16DXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE5014C_P_S_16D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a01771a9fd67f3a19 Description: SENSOR ANGLE 360DEG GULL WING
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Output Signal: Cosine, Sine
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
For Measuring: Angle, Linear, Rotary
Technology: Magnetoresistive
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Voltage - Supply: 4.2V ~ 5.5V
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+561.81 грн
5+488.17 грн
10+468.54 грн
25+417.79 грн
50+402.82 грн
100+389.08 грн
500+355.48 грн
1000+354.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1512V18-250BZXC CY7C1512V18-250BZXC Infineon Technologies CY7C1510%2C12%2C14%2C25V18.pdf Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12151.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1512KV18-250BZXI CY7C1512KV18-250BZXI Infineon Technologies CY7C1510%2C2%2C4%2C25KV18.pdf Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+8860.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1512KV18-300BZXI CY7C1512KV18-300BZXI Infineon Technologies CY7C1510%2C2%2C4%2C25KV18.pdf Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 300 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+10625.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STRPBF-INF Infineon Technologies IRSDS11406-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIRECTFET PLUS POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CE IPP50R380CE Infineon Technologies Infineon-IPP50R380CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30432e398416012e5273936c15b0 Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4279GXUMA1CT TLE4279GXUMA1CT Infineon Technologies Infineon-TLE4279-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304326dfb13001271f64a1034f13 Description: IC REG LINEAR VOLTAGE REG
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4279GNTMA1 TLE4279GNTMA1 Infineon Technologies TLE4279_Rev2.4_2007-03-20.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 100MA DSO8-16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4276DV TLE4276DV Infineon Technologies Infineon-TLE4276-DS-v02_80-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01612c4b988a6576 Description: IC REG LINEAR VOLT TLE4276
Current - Supply (Max): 25 mA
Protection Features: Antisaturation, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
PSRR: 54dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Inhibit
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Voltage - Output (Max): 20V
Supplier Device Package: P-TO252-5-1
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 40V
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 400mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS71451GTR auips71451g.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7f7461332
AUIPS71451GTR
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 75mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 60V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-906
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8511B Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev%202.0-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7
1EDN8511B
Виробник: Infineon Technologies
Description: 1EDN8511 - GATE DRIVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8550B Infineon-1EDN8550B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635da0c1c02652
1EDN8550B
Виробник: Infineon Technologies
Description: 1EDN8550 - GATE DRIVER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 876 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP001690382 Infineon-1EDN7550B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635d9799ef264f
Виробник: Infineon Technologies
Description: 1EDN7550 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-SOT23-6-3
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7550B Infineon-1EDN7550B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635d9799ef264f
1EDN7550B
Виробник: Infineon Technologies
Description: 1EDN7550 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-SOT23-6-3
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R1K5PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225df2d46744
IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.04 грн
10+48.13 грн
100+31.56 грн
500+22.93 грн
1000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a
IPD60R210PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 12515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.66 грн
10+94.32 грн
100+64.21 грн
500+48.14 грн
1000+46.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.42 грн
10+34.18 грн
100+24.77 грн
500+20.49 грн
1000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD316SNH6327XTSA1 Infineon-BSD316SN-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011afc90c46a0521
BSD316SNH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD316SNH6327XTSA1 Infineon-BSD316SN-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011afc90c46a0521
BSD316SNH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.92 грн
23+13.21 грн
100+6.92 грн
500+6.49 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5027CE6747HAMA1 TLE5027C_PB_7-2-13.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR MAGNETORESISTIVE PWM 3SIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP Module
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Magnetoresistive
Supplier Device Package: PG-SSO-3-92
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
135+158.98 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5190VOLTDEMOTOBO1
TLD5190VOLTDEMOTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: H-BRIDGE MINI VOLTAGE REGULATOR
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 3.7V ~ 25V
Voltage - Input: 5V ~ 28V
Utilized IC / Part: TLD5190
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+14348.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7 Infineon-IPD80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4287da753ee9
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA0XTMA1 Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d
TLI493DW2BWA0XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SEN HALL EFFT OPEN DRAIN 5-WLCSP
Test Condition: -40°C ~ 125°C
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
Current - Supply (Max): 5mA
Sensing Range: ±160mT
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Function: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: South Pole
Output Type: Open Drain
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA3XTMA1 Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d
TLI493DW2BWA3XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH PROG 5WLCSP
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
Current - Supply (Max): 5mA
Sensing Range: ±160mT
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Open Drain
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA2XTMA1 Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d
TLI493DW2BWA2XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SEN HALL EFFT OPEN DRAIN 5-WLCSP
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±160mT
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA1XTMA1 Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d
TLI493DW2BWA1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SEN HALL EFFT OPEN DRAIN 5-WLCSP
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±160mT
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
Test Condition: -40°C ~ 125°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C107D-10VXI Infineon-CY7C107D_CY7C1007D_1-Mbit_(1M_x_1)_Static_RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebf2ac23343&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7C107D-10VXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 28-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-SOJ
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 1M x 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+799.70 грн
10+657.26 грн
25+618.07 грн
52+552.74 грн
104+528.60 грн
260+499.12 грн
520+470.73 грн
1040+451.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B004Q-SXET CY15B004Q_RevC_6-4-19.pdf
CY15B004Q-SXET
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FRAM 4KBIT SPI 16MHZ 8SOIC
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Format: FRAM
Clock Frequency: 16 MHz
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512 x 8
Memory Interface: SPI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-05E6433 INFNS11040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS70-05E6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SCHOTT 70V 70MA SOT23
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: PG-SOT23
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-05E6327 INFNS11040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BAS70 - HIGH SPEED SWITCHING, CL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI70N10SL16AKSA1 Infineon-IPP_B_I70N10SL_16-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42a6a0a4339&fileId=db3a304412b407950112b42a72ce4342&ack=t
IPI70N10SL16AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
192+106.55 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C167CSL16M3VCAFXQLA1 C167CS-L16M3V_Oct2001.pdf
C167CSL16M3VCAFXQLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 144MQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 111
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: P-MQFP-144-8
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 24x10b
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 11K x 8
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 144-BQFP
Packaging: Bulk
на замовлення 8156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+4532.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-C167CS-L16M3V INFNS22050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAF-C167CS-L16M3V
Виробник: Infineon Technologies
Description: LEGACY 16-BIT MCU
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 111
Part Status: Active
Supplier Device Package: P-MQFP-144-6
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 24x10b SAR
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 11K x 8
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 144-BQFP
Packaging: Bulk
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1602.56 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-C167CS-L16M3VC INFNS22050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAF-C167CS-L16M3VC
Виробник: Infineon Technologies
Description: LEGACY 16-BIT MCU
Number of I/O: 111
Part Status: Active
Supplier Device Package: P-MQFP-144-6
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 24x10b SAR
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 11K x 8
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 144-BQFP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F167CSL16M3VCAZXP
Виробник: Infineon Technologies
Description: 16-BIT MICROCONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP540H6327XTSA1 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
BFP540H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ PG-SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGMFB010 infineon-s25fl128s-s25fl256s-128-mb-16-mb-256-mb-32-mb-fl-s-flash-spi-multi-io-3-v-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
S25FL256SAGMFB010
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+401.40 грн
10+359.82 грн
25+349.08 грн
50+319.92 грн
240+302.70 грн
480+295.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFB010 infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf
S25FL064LABMFB010
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.61 грн
10+121.93 грн
25+118.50 грн
50+108.73 грн
100+106.24 грн
280+102.54 грн
560+98.42 грн
1120+96.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFB000 Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL064LABMFB000
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 16SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LDPMFB003 Infineon-S25FL256L_S25FL128L_256-MB_(32-MB)_128-MB_(16-MB)_3.0_V_FL-L_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed40e335224
S25FL128LDPMFB003
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Memory Organization: 16M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 66 MHz
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 128Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LDPMFB000 Infineon-S25FL256L_S25FL128L_256-MB_(32-MB)_128-MB_(16-MB)_3.0_V_FL-L_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed40e335224
S25FL128LDPMFB000
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SDPMFB013 Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
S25FL128SDPMFB013
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Memory Organization: 16M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 66 MHz
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 128Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327 INFNS16757-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS214NWH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSS214 - 250V-600V SMALL SIGNAL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NW L6327 BSS214NW_Rev2.1.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b3e89eb011b695aebc01bde
BSS214NW L6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1 Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44
IPN60R2K1CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 104804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.79 грн
10+33.21 грн
100+21.42 грн
500+15.33 грн
1000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 Infineon-IPN60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af653155b49
IPN60R1K5CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 Infineon-IPN60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af653155b49
IPN60R1K5CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.14 грн
10+30.52 грн
100+19.71 грн
500+14.10 грн
1000+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1 Infineon-IPN60R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aed24095b21
IPN60R1K0CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 13740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.97 грн
10+41.56 грн
100+27.04 грн
500+19.51 грн
1000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CE INFN-S-A0002456420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPN60R2K1CE
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5PFD7SATMA1 Infineon-IPN60R1K5PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e22796eb16753
IPN60R1K5PFD7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5PFD7SATMA1 Infineon-IPN60R1K5PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e22796eb16753
IPN60R1K5PFD7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.74 грн
10+42.09 грн
100+27.40 грн
500+19.78 грн
1000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3G INFNS16246-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSZ12DN20NS3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1 infineon-ipn70r750p7s-ds-en.pdf
IPN70R750P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7S Infineon-TLE4264-2G-DS-v02_60-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f6960991f2d
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPN70R750 - 650V AND 700V COOLMO
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1 Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f
IPN70R1K5CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.94 грн
10+45.44 грн
100+29.72 грн
500+21.57 грн
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CE Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K0CEATMA1 Infineon-IPN70R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462580663ef015825731b81712d
IPN70R1K0CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012BE5000FUMA1 Infineon-TLE5012B_Exxxx-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304334fac4c601350f31c43c433f
TLE5012BE5000FUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR ANGLE 360DEG SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: SENT, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Output Signal: Cosine, Sine
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 76093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
104+196.29 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012FUMA1 TLE5012.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: POSITION&CURRENT SENSORS
Packaging: Bulk
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+339.60 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5014P16DXUMA1 Infineon-TLE5014C_P_S_16D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a01771a9fd67f3a19
TLE5014P16DXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR ANGLE 360DEG GULL WING
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Output Signal: Cosine, Sine
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
For Measuring: Angle, Linear, Rotary
Technology: Magnetoresistive
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Voltage - Supply: 4.2V ~ 5.5V
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5014P16DXUMA1 Infineon-TLE5014C_P_S_16D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a01771a9fd67f3a19
TLE5014P16DXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR ANGLE 360DEG GULL WING
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Output Signal: Cosine, Sine
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
For Measuring: Angle, Linear, Rotary
Technology: Magnetoresistive
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Voltage - Supply: 4.2V ~ 5.5V
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+561.81 грн
5+488.17 грн
10+468.54 грн
25+417.79 грн
50+402.82 грн
100+389.08 грн
500+355.48 грн
1000+354.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1512V18-250BZXC CY7C1510%2C12%2C14%2C25V18.pdf
CY7C1512V18-250BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+12151.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1512KV18-250BZXI CY7C1510%2C2%2C4%2C25KV18.pdf
CY7C1512KV18-250BZXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+8860.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1512KV18-300BZXI CY7C1510%2C2%2C4%2C25KV18.pdf
CY7C1512KV18-300BZXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 300 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+10625.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STRPBF-INF IRSDS11406-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIRECTFET PLUS POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
430+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CE Infineon-IPP50R380CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30432e398416012e5273936c15b0
IPP50R380CE
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4279GXUMA1CT Infineon-TLE4279-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304326dfb13001271f64a1034f13
TLE4279GXUMA1CT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR VOLTAGE REG
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4279GNTMA1 TLE4279_Rev2.4_2007-03-20.pdf
TLE4279GNTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 100MA DSO8-16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4276DV Infineon-TLE4276-DS-v02_80-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01612c4b988a6576
TLE4276DV
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR VOLT TLE4276
Current - Supply (Max): 25 mA
Protection Features: Antisaturation, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
PSRR: 54dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Inhibit
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Voltage - Output (Max): 20V
Supplier Device Package: P-TO252-5-1
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 40V
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 400mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 377 378 379 380 381 382 383 384 385 386 387 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]