Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (117829) > Сторінка 383 з 1964

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 378 379 380 381 382 383 384 385 386 387 388 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1960 1964  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ12DN20NS3G BSZ12DN20NS3G Infineon Technologies INFNS16246-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1 IPN70R750P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R750P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526738e46b7a Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 8085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.44 грн
10+47.51 грн
100+31.14 грн
500+22.63 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7S Infineon Technologies Infineon-TLE4264-2G-DS-v02_60-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f6960991f2d Description: IPN70R750 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1 IPN70R1K5CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.87 грн
10+46.00 грн
100+30.09 грн
500+21.83 грн
1000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CE Infineon Technologies Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K0CEATMA1 IPN70R1K0CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462580663ef015825731b81712d Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012BE5000FUMA1 TLE5012BE5000FUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE5012B_Exxxx-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304334fac4c601350f31c43c433f Description: SENSOR ANGLE 360DEG SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: SENT, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Output Signal: Cosine, Sine
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 76093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+194.45 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012FUMA1 Infineon Technologies TLE5012.pdf Description: POSITION&CURRENT SENSORS
Packaging: Bulk
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+336.42 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5014P16DXUMA1 TLE5014P16DXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE5014C_P_S_16D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a01771a9fd67f3a19 Description: SENSOR ANGLE 360DEG GULL WING
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 4.2V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle, Linear, Rotary
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°
Output Signal: Cosine, Sine
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5014P16DXUMA1 TLE5014P16DXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE5014C_P_S_16D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a01771a9fd67f3a19 Description: SENSOR ANGLE 360DEG GULL WING
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 4.2V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle, Linear, Rotary
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°
Output Signal: Cosine, Sine
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.46 грн
5+460.61 грн
10+442.10 грн
25+394.18 грн
50+380.05 грн
100+367.08 грн
500+350.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1512V18-250BZXC CY7C1512V18-250BZXC Infineon Technologies CY7C1510%2C12%2C14%2C25V18.pdf Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12300.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1512KV18-250BZXI CY7C1512KV18-250BZXI Infineon Technologies CY7C1510%2C2%2C4%2C25KV18.pdf Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+8968.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1512KV18-300BZXI CY7C1512KV18-300BZXI Infineon Technologies CY7C1510%2C2%2C4%2C25KV18.pdf Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 300 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+10755.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STRPBF-INF Infineon Technologies IRSDS11406-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIRECTFET PLUS POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 430
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CE IPP50R380CE Infineon Technologies Infineon-IPP50R380CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30432e398416012e5273936c15b0 Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4279GXUMA1CT TLE4279GXUMA1CT Infineon Technologies Infineon-TLE4279-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304326dfb13001271f64a1034f13 Description: IC REG LINEAR VOLTAGE REG
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4279GNTMA1 TLE4279GNTMA1 Infineon Technologies TLE4279_Rev2.4_2007-03-20.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 100MA DSO8-16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4276DV TLE4276DV Infineon Technologies Infineon-TLE4276-DS-v02_80-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01612c4b988a6576 Description: IC REG LINEAR VOLT TLE4276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: P-TO252-5-1
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Inhibit
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Antisaturation, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4276DV50 TLE4276DV50 Infineon Technologies Infineon-TLE4276-DS-v02_80-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01612c4b988a6576 Description: IC REG LINEAR VOLT TLE4276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Inhibit
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Antisaturation, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4276GV TLE4276GV Infineon Technologies Infineon-TLE4276-DS-v02_80-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01612c4b988a6576 Description: IC REG LINEAR VOLT TLE4276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: P-TO220-5-122
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Inhibit
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Antisaturation, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4276GV50ATMA3 TLE4276GV50ATMA3 Infineon Technologies Infineon-TLE4276-DS-v02_80-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01612c4b988a6576 Description: IC REG LIN 5V 400MA TO263-5-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-5-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Inhibit
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4276GV50ATMA3 TLE4276GV50ATMA3 Infineon Technologies Infineon-TLE4276-DS-v02_80-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01612c4b988a6576 Description: IC REG LIN 5V 400MA TO263-5-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-5-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Inhibit
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.79 грн
10+152.50 грн
25+139.59 грн
100+117.66 грн
250+111.29 грн
500+107.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42764DV Infineon Technologies Description: IC REG LINEAR VOLT TLE42764
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3G IPP114N12N3G Infineon Technologies INFNS17165-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPP114N12 - 12V-300V N-CHANNEL P
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC076N04ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc2e050ce9 Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.43 грн
10+104.69 грн
100+71.21 грн
500+53.37 грн
1000+49.05 грн
2000+45.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1 BSC072N04LDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC072N04LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905d7c0180c4d Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3990pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
на замовлення 22039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.72 грн
10+76.29 грн
100+51.16 грн
500+37.88 грн
1000+34.62 грн
2000+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500251TEAAUMA1 BTS500251TEAAUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS50025-1TEA-DS-V01_00-EN-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4322f14b7d2a Description: HIC-PROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.8V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 24A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-5-11
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit
Part Status: Active
на замовлення 4705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.28 грн
10+214.06 грн
25+202.31 грн
100+174.75 грн
250+165.68 грн
500+159.27 грн
1000+150.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60T IGP50N60T Infineon Technologies INFN-S-A0001300252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGP50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+193.80 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS03GHUMA1 ICE2PCS03GHUMA1 Infineon Technologies INFNS16598-1.pdf Description: POWER FACTOR CONTROLLER, CURRENT
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Frequency - Switching: 100kHz
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-1
Part Status: Active
Current - Startup: 450 µA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
405+50.13 грн
Мінімальне замовлення: 405
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS05G ICE2PCS05G Infineon Technologies INFNS16600-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ICE2PCS05 - PFC-CCM (CONTINUOUS
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+46.91 грн
Мінімальне замовлення: 491
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS06GHUMA1 ICE2PCS06GHUMA1 Infineon Technologies INFNS17332-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FACTOR CONTROLLER, CURRENT
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Frequency - Switching: 65kHz
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-1
Part Status: Active
Current - Startup: 450 µA
на замовлення 37596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
302+67.75 грн
Мінімальне замовлення: 302
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LST BSC014N04LST Infineon Technologies INFN-S-A0004847998-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSC014N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5014SDA BTS5014SDA Infineon Technologies INFNS15728-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BTS5014 - PROFET - SMART HIGH SI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12P2L6E6327XTSA1 BGS12P2L6E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce Description: IC RF SWITCH SPDT 6GHZ TSLP6-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPDT
RF Type: GSM, LTE, W-CDMA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.4V
Insertion Loss: 0.51dB
Frequency Range: 50MHz ~ 6GHz
Test Frequency: 5.925GHz
Isolation: 27dB
Supplier Device Package: PG-TSLP-6-4
IIP3: 74dBm
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+14.02 грн
30000+12.99 грн
45000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC076N04ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc2e050ce9 Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ037N06LS5ATMA1 BSZ037N06LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ037N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53b0879f52ec Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XDPL8219XUMA1 XDPL8219XUMA1 Infineon Technologies Infineon-XDPL8219-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172c1d42f3c599b Description: IC LED DRVR CTRLR NO 100MA 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 15MHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 100mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Flyback
Supplier Device Package: PG-DSO-8-41
Dimming: No
Voltage - Supply (Min): 6V
Voltage - Supply (Max): 24V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1 IDK08G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDK08G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0d8a10f3e Description: DIODE SIC 1.2KV 22.8A PGTO26321
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R070CFD7ATMA1 IPB60R070CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R070CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb22a2b8c183d Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+192.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N10S5L240ATMA1 IAUZ30N10S5L240ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUZ30N10S5L240-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62a9610dd8 Description: MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 IPD70P04P4L08ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD70P04P4L-08-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78225bd32dbf Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.17 грн
5000+36.06 грн
7500+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L08ATMA2 IPB80P04P4L08ATMA2 Infineon Technologies IPx80P04P4L-08_rev1.2_7-3-19.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2 IPD85P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD85P04P4L-06-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7824648a2dc9 Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1 BSC072N04LDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC072N04LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905d7c0180c4d Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3990pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.00 грн
10000+28.86 грн
15000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1 BSZ018N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ018N04LS6-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2e8e05601f7 Description: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.42 грн
10000+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P7 IPP60R099P7 Infineon Technologies Infineon-IPP60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b1979a00e4aaa Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000687556 SP000687556 Infineon Technologies Infineon-IPP60R099C6-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012394c84a4c068e Description: IPP60R099C6XKSA1 - COOLMOS N-CHA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7 IPW60R099P7 Infineon Technologies INFN-S-A0006145443-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 600V, 0.099OHM, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099C7 IPW60R099C7 Infineon Technologies INFN-S-A0001043994-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4270-2 TLE4270-2 Infineon Technologies INFNS12041-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC REG LIN FIXED POS LDO REG 5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C2563KV18-400BZXI CY7C2563KV18-400BZXI Infineon Technologies CY7C2561,63,65,76KV18.pdf Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+19841.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C2563KV18-450BZXI CY7C2563KV18-450BZXI Infineon Technologies CY7C2561,63,65,76KV18.pdf Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Clock Frequency: 450 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23902.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1463KV33-133AXC CY7C1463KV33-133AXC Infineon Technologies Infineon-CY7C1461KV33_CY7C1463KV33_36-Mbit_(1_M_36_2_M_18)_Flow-Through_SRAM_with_NoBL_Architecture-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece7f0c490a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_gl Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 6.5 ns
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1835.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BA885E7631HTMA1 BA885E7631HTMA1 Infineon Technologies Description: RF DIODE PIN 50V PG-SC79-2-1
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-79, SOD-523
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz
Resistance @ If, F: 7Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Grade: Automotive
Current - Max: 50 mA
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 5323
В кошику  од. на суму  грн.
IEWS20R5135IPBXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IEWS20R5135IPB-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265e7dffd0165eccd826043e0 Description: IGBT PWR MOD 20A 1350V TO247-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R1K4C6AKMA1 IPU60R1K4C6AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPU60R1K4C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304335c2937a0135ed95b6483119 Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
989+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 989
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R1K4C6BKMA1 IPU60R1K4C6BKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPU60R1K4C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304335c2937a0135ed95b6483119 Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CP Infineon Technologies INFN-S-A0004583226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPA50R140 - 500V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014cff6f9da822b8 Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014cff6f9da822b8 Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 4876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.09 грн
10+96.31 грн
100+65.33 грн
500+48.86 грн
1000+44.85 грн
2000+41.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3G INFNS16246-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSZ12DN20NS3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1 Infineon-IPN70R750P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526738e46b7a
IPN70R750P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 8085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.44 грн
10+47.51 грн
100+31.14 грн
500+22.63 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7S Infineon-TLE4264-2G-DS-v02_60-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f6960991f2d
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPN70R750 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1 Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f
IPN70R1K5CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.87 грн
10+46.00 грн
100+30.09 грн
500+21.83 грн
1000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CE Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K0CEATMA1 Infineon-IPN70R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462580663ef015825731b81712d
IPN70R1K0CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012BE5000FUMA1 Infineon-TLE5012B_Exxxx-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304334fac4c601350f31c43c433f
TLE5012BE5000FUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR ANGLE 360DEG SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: SENT, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Output Signal: Cosine, Sine
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 76093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
104+194.45 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012FUMA1 TLE5012.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: POSITION&CURRENT SENSORS
Packaging: Bulk
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+336.42 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5014P16DXUMA1 Infineon-TLE5014C_P_S_16D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a01771a9fd67f3a19
TLE5014P16DXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR ANGLE 360DEG GULL WING
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 4.2V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle, Linear, Rotary
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°
Output Signal: Cosine, Sine
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5014P16DXUMA1 Infineon-TLE5014C_P_S_16D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a01771a9fd67f3a19
TLE5014P16DXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR ANGLE 360DEG GULL WING
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 4.2V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle, Linear, Rotary
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°
Output Signal: Cosine, Sine
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+529.46 грн
5+460.61 грн
10+442.10 грн
25+394.18 грн
50+380.05 грн
100+367.08 грн
500+350.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1512V18-250BZXC CY7C1510%2C12%2C14%2C25V18.pdf
CY7C1512V18-250BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+12300.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1512KV18-250BZXI CY7C1510%2C2%2C4%2C25KV18.pdf
CY7C1512KV18-250BZXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+8968.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1512KV18-300BZXI CY7C1510%2C2%2C4%2C25KV18.pdf
CY7C1512KV18-300BZXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 300 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+10755.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STRPBF-INF IRSDS11406-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIRECTFET PLUS POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
430+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 430
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CE Infineon-IPP50R380CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30432e398416012e5273936c15b0
IPP50R380CE
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4279GXUMA1CT Infineon-TLE4279-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304326dfb13001271f64a1034f13
TLE4279GXUMA1CT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR VOLTAGE REG
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4279GNTMA1 TLE4279_Rev2.4_2007-03-20.pdf
TLE4279GNTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 100MA DSO8-16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4276DV Infineon-TLE4276-DS-v02_80-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01612c4b988a6576
TLE4276DV
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR VOLT TLE4276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: P-TO252-5-1
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Inhibit
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Antisaturation, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4276DV50 Infineon-TLE4276-DS-v02_80-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01612c4b988a6576
TLE4276DV50
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR VOLT TLE4276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Inhibit
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Antisaturation, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4276GV Infineon-TLE4276-DS-v02_80-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01612c4b988a6576
TLE4276GV
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR VOLT TLE4276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: P-TO220-5-122
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Inhibit
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Antisaturation, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4276GV50ATMA3 Infineon-TLE4276-DS-v02_80-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01612c4b988a6576
TLE4276GV50ATMA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 400MA TO263-5-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-5-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Inhibit
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+101.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4276GV50ATMA3 Infineon-TLE4276-DS-v02_80-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01612c4b988a6576
TLE4276GV50ATMA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 400MA TO263-5-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-5-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Inhibit
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.79 грн
10+152.50 грн
25+139.59 грн
100+117.66 грн
250+111.29 грн
500+107.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42764DV
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR VOLT TLE42764
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3G INFNS17165-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP114N12N3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP114N12 - 12V-300V N-CHANNEL P
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 Infineon-BSC076N04ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc2e050ce9
BSC076N04NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.43 грн
10+104.69 грн
100+71.21 грн
500+53.37 грн
1000+49.05 грн
2000+45.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1 Infineon-BSC072N04LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905d7c0180c4d
BSC072N04LDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3990pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
на замовлення 22039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.72 грн
10+76.29 грн
100+51.16 грн
500+37.88 грн
1000+34.62 грн
2000+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500251TEAAUMA1 Infineon-BTS50025-1TEA-DS-V01_00-EN-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4322f14b7d2a
BTS500251TEAAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIC-PROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.8V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 24A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-5-11
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit
Part Status: Active
на замовлення 4705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.28 грн
10+214.06 грн
25+202.31 грн
100+174.75 грн
250+165.68 грн
500+159.27 грн
1000+150.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60T INFN-S-A0001300252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGP50N60T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGP50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
111+193.80 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS03GHUMA1 INFNS16598-1.pdf
ICE2PCS03GHUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FACTOR CONTROLLER, CURRENT
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Frequency - Switching: 100kHz
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-1
Part Status: Active
Current - Startup: 450 µA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
405+50.13 грн
Мінімальне замовлення: 405
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS05G INFNS16600-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE2PCS05G
Виробник: Infineon Technologies
Description: ICE2PCS05 - PFC-CCM (CONTINUOUS
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
491+46.91 грн
Мінімальне замовлення: 491
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS06GHUMA1 INFNS17332-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE2PCS06GHUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FACTOR CONTROLLER, CURRENT
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Frequency - Switching: 65kHz
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-1
Part Status: Active
Current - Startup: 450 µA
на замовлення 37596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
302+67.75 грн
Мінімальне замовлення: 302
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LST INFN-S-A0004847998-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC014N04LST
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSC014N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5014SDA INFNS15728-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS5014SDA
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTS5014 - PROFET - SMART HIGH SI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12P2L6E6327XTSA1 Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce
BGS12P2L6E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SPDT 6GHZ TSLP6-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPDT
RF Type: GSM, LTE, W-CDMA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.4V
Insertion Loss: 0.51dB
Frequency Range: 50MHz ~ 6GHz
Test Frequency: 5.925GHz
Isolation: 27dB
Supplier Device Package: PG-TSLP-6-4
IIP3: 74dBm
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+14.02 грн
30000+12.99 грн
45000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 Infineon-BSC076N04ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc2e050ce9
BSC076N04NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ037N06LS5ATMA1 Infineon-BSZ037N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53b0879f52ec
BSZ037N06LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XDPL8219XUMA1 Infineon-XDPL8219-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172c1d42f3c599b
XDPL8219XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRVR CTRLR NO 100MA 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 15MHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 100mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Flyback
Supplier Device Package: PG-DSO-8-41
Dimming: No
Voltage - Supply (Min): 6V
Voltage - Supply (Max): 24V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1 Infineon-IDK08G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0d8a10f3e
IDK08G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.8A PGTO26321
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R070CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R070CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb22a2b8c183d
IPB60R070CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+192.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N10S5L240ATMA1 Infineon-IAUZ30N10S5L240-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62a9610dd8
IAUZ30N10S5L240ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 Infineon-IPD70P04P4L-08-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78225bd32dbf
IPD70P04P4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.17 грн
5000+36.06 грн
7500+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L08ATMA2 IPx80P04P4L-08_rev1.2_7-3-19.pdf
IPB80P04P4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2 Infineon-IPD85P04P4L-06-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7824648a2dc9
IPD85P04P4L06ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1 Infineon-BSC072N04LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905d7c0180c4d
BSC072N04LDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3990pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+32.00 грн
10000+28.86 грн
15000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1 Infineon-BSZ018N04LS6-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2e8e05601f7
BSZ018N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+59.42 грн
10000+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P7 Infineon-IPP60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b1979a00e4aaa
IPP60R099P7
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000687556 Infineon-IPP60R099C6-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012394c84a4c068e
SP000687556
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP60R099C6XKSA1 - COOLMOS N-CHA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7 INFN-S-A0006145443-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPW60R099P7
Виробник: Infineon Technologies
Description: 600V, 0.099OHM, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099C7 INFN-S-A0001043994-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPW60R099C7
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4270-2 INFNS12041-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TLE4270-2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN FIXED POS LDO REG 5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C2563KV18-400BZXI CY7C2561,63,65,76KV18.pdf
CY7C2563KV18-400BZXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+19841.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C2563KV18-450BZXI CY7C2561,63,65,76KV18.pdf
CY7C2563KV18-450BZXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Clock Frequency: 450 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+23902.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1463KV33-133AXC Infineon-CY7C1461KV33_CY7C1463KV33_36-Mbit_(1_M_36_2_M_18)_Flow-Through_SRAM_with_NoBL_Architecture-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece7f0c490a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_gl
CY7C1463KV33-133AXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 6.5 ns
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1835.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BA885E7631HTMA1
BA885E7631HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 50V PG-SC79-2-1
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-79, SOD-523
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz
Resistance @ If, F: 7Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Grade: Automotive
Current - Max: 50 mA
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5323+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 5323
В кошику  од. на суму  грн.
IEWS20R5135IPBXKMA1 Infineon-IEWS20R5135IPB-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265e7dffd0165eccd826043e0
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT PWR MOD 20A 1350V TO247-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R1K4C6AKMA1 Infineon-IPU60R1K4C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304335c2937a0135ed95b6483119
IPU60R1K4C6AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
989+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 989
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R1K4C6BKMA1 Infineon-IPU60R1K4C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304335c2937a0135ed95b6483119
IPU60R1K4C6BKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CP INFN-S-A0004583226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPA50R140 - 500V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1 Infineon-BSZ0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014cff6f9da822b8
BSZ0501NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1 Infineon-BSZ0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014cff6f9da822b8
BSZ0501NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 4876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.09 грн
10+96.31 грн
100+65.33 грн
500+48.86 грн
1000+44.85 грн
2000+41.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 378 379 380 381 382 383 384 385 386 387 388 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1960 1964  [ Наступна Сторінка >> ]