Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148641) > Сторінка 399 з 2478

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 247 394 395 396 397 398 399 400 401 402 403 404 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2478  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IR6220S IR6220S Infineon Technologies ir6220.pdf Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Features: Status Flag
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 10A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2Pak (SMD-220 5-Lead)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR6220STRL IR6220STRL Infineon Technologies ir6220.pdf Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Features: Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 10A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2Pak (SMD-220 5-Lead)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDP30E60 IDP30E60 Infineon Technologies INFNS30078-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GP 600V 52.3A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 126 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 52.3A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3 IGW15N120H3 Infineon Technologies INFN-S-A0000149040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLT807B0EPVBOARDTOBO1 TLT807B0EPVBOARDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Z8F56520820_TLT807B0-Demoboard-Manual-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf30bb3f25f18 Description: TLT807B0EPV BOARD
Packaging: Box
Voltage - Output: 1.2V ~ 20V
Voltage - Input: 2.75V ~ 42V
Current - Output: 70mA
Regulator Type: Positive Adjustable
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TLT807B0EPV
Supplied Contents: Board(s)
Channels per IC: 1 - Single
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5228.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGA03N120H2 IGA03N120H2 Infineon Technologies INFNS13159-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGA03N120 - DISCRETE IGBT WITHOU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 140µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 8.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 29 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2ATMA1616 Infineon Technologies Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.34 грн
5000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 9476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.93 грн
10+54.03 грн
100+35.67 грн
500+26.06 грн
1000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPB04N50C3 SPB04N50C3 Infineon Technologies Infineon-SPB04N50C3-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d2983481a Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 24560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+48.21 грн
Мінімальне замовлення: 473
В кошику  од. на суму  грн.
SPB04N50C3ATMA1 SPB04N50C3ATMA1 Infineon Technologies SPB04N50C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d2983481a Description: MOSFET N-CH 560V 4.5A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 23741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 473
В кошику  од. на суму  грн.
BGA915N7E6327 BGA915N7E6327 Infineon Technologies INFNS16698-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC AMP GPS 1.55-1.615GHZ TSNP7-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.55GHz ~ 1.615GHz
RF Type: GPS
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
Gain: 17.2dB
Current - Supply: 4.4mA
Noise Figure: 0.7dB
P1dB: 7.8dBm
Test Frequency: 1575.42MHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-7-6
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 693
В кошику  од. на суму  грн.
C167CSLMCAKXQLA2 Infineon Technologies Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 144MQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 144-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 25MHz
RAM Size: 11K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Data Converters: A/D 24x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-MQFP-144-8
Number of I/O: 111
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65F5 IKP15N65F5 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB15N65F5ATMA1 AIGB15N65F5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 15A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFCZ44VB Infineon Technologies Description: MOSFET 60V 55A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 55A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4020H-117PXKMA1 IRFI4020H-117PXKMA1 Infineon Technologies irfi4020h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623e7271f73 Description: MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Part Status: Active
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.33 грн
50+134.52 грн
100+128.93 грн
500+99.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GB120DN2S7HOSA1 Infineon Technologies Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO203PH BSO203PH Infineon Technologies INFNS15552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSO203 - 20V-250V P-CHANNEL POWE
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
490+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 490
В кошику  од. на суму  грн.
S6E1C12C0AGN20000 S6E1C12C0AGN20000 Infineon Technologies Infineon-S6E1C32D0AGN20050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181ec33e75c2c49 Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 48QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 8x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.65V ~ 3.6V
Connectivity: CSIO, I²C, LINbus, SmartCard, UART/USART
Peripherals: I²S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158WH6327 Infineon Technologies INFNS17185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158E6327 BCR158E6327 Infineon Technologies INFNS11628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158WE6327 BCR158WE6327 Infineon Technologies INFNS11628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158 BCR158 Infineon Technologies INFNS17185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158W Infineon Technologies INFNS17185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDSTD6895 TDSTD6895 Infineon Technologies Infineon-BCR158SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431428a37301144022a59b02cc Description: BCR158 - DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167GN30-45BVXI CY62167GN30-45BVXI Infineon Technologies Infineon-CY62167GN30_MOBL_16_MBIT_(1M_X_16_2M_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee9fe9b72e1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+1167.41 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
ESD144B1W0201E6327XTSA1 ESD144B1W0201E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-New+generation+ESD+protection+diodes-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d0ccb7b9a57e3 Description: TVS DIODE 18VWM 20VC WLL-2-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V
Supplier Device Package: WLL-2-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 21W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 141819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.55 грн
47+6.59 грн
114+2.69 грн
500+2.35 грн
1000+2.19 грн
2000+2.09 грн
5000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
ESD233B1W0201E6327XTSA1 ESD233B1W0201E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-ESD233-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce93607634882 Description: TVS DIODE 5.5VWM 13VC WLL-2-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Amplification
Capacitance @ Frequency: 33pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V
Supplier Device Package: SG-WLL-2-1
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V
Power - Peak Pulse: 70W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.92 грн
29+10.58 грн
100+5.72 грн
500+4.21 грн
1000+2.93 грн
2000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IDW16G65C5FKSA1 IDW16G65C5FKSA1 Infineon Technologies IDW16G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dbeca72db281a&fileId=db3a30433899edae0138a478b3db208c Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7 IPP60R180P7 Infineon Technologies Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb Description: IPP60R180 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTT3018EJXUMA1 BTT3018EJXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTT3018EJ-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff157937b4290 Description: BTT3018EJXUMA1
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 16mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 36V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TDSO-8-31
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Grade: Automotive
Part Status: Active
на замовлення 3544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.90 грн
10+180.01 грн
100+126.34 грн
500+105.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XDPL8219XUMA1 Infineon Technologies Infineon-XDPL8219-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172c1d42f3c599b Description: IC LED DRVR CTRLR NO 100MA 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 15MHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 100mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Flyback
Supplier Device Package: PG-DSO-8-41
Dimming: No
Voltage - Supply (Min): 6V
Voltage - Supply (Max): 24V
Part Status: Active
на замовлення 10450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.00 грн
10+97.63 грн
25+92.11 грн
100+73.66 грн
250+69.16 грн
500+60.52 грн
1000+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TDK5116FHTMA1 TDK5116FHTMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: RF TX IC ASK 866-870MHZ 10TFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 866MHz ~ 870MHz
Modulation or Protocol: ASK, FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.1V ~ 4V
Power - Output: 11.5dBm
Applications: Alarm Systems, Communication Systems
Data Rate (Max): 20kbps
Current - Transmitting: 16mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TSSOP-10-2
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R07N3E4R_B11 Infineon Technologies INFNS28543-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FS200R07 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+16226.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R12PT4 Infineon Technologies INFNS28547-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+14692.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1 BSC079N10NSGATMA1 Infineon Technologies BSC079N10NS+Rev1.03.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a601167b174f951147 Description: MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 50 V
на замовлення 4701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.11 грн
10+136.33 грн
100+98.75 грн
500+77.15 грн
1000+75.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5027CXAAD47AIHAMA1 TLE5027CXAAD47AIHAMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: SENSOR MAGNETORESISTIVE PWM 3SIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP Module
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Magnetoresistive
Supplier Device Package: PG-SSO-3-92
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+154.15 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5027CXAAD47AGXAMA1 TLE5027CXAAD47AGXAMA1 Infineon Technologies Description: SENSOR MAGNETORESISTIVE PWM 3SIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP Module
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Magnetoresistive
Supplier Device Package: PG-SSO-3-92
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+163.69 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16E1200XUMA1 TLE5009A16E1200XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE5x09A16_D-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf12016977889fe858c9 Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-16
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Output Signal: Cosine, Sine
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 20540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+169.57 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16E2200XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE5x09A16_D-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf12016977889fe858c9 Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-16
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Output Signal: Cosine, Sine
Part Status: Active
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+177.47 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5025CE6747HAMA1 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: MAG SWITCH SPEED SENSOR 3SSO
на замовлення 12372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+152.04 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5027CIE6747HAMA1 TLE5027CIE6747HAMA1 Infineon Technologies TLE5027C_PB_7-2-13.pdf Description: SENSOR MAGNETORESISTIVE PWM 3SIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP Module
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Magnetoresistive
Supplier Device Package: PG-SSO-3-92
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+160.76 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16E2210XUMA1 TLE5009A16E2210XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE5x09A16_D-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf12016977889fe858c9 Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-16
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Output Signal: Cosine, Sine
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 21597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+169.57 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
BTS736L2NTMA1 Infineon Technologies INFNS05478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274GV50ATMA1 TLE4274GV50ATMA1 Infineon Technologies INFNS16630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC REG LINEAR FIXED LDO REG
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274GV50ATMA2 TLE4274GV50ATMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE4274-DS-v01_70-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8e637f1f8f Description: IC REG LIN 5V 400MA PG-TO263-3-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.27 грн
10+98.70 грн
25+89.88 грн
100+75.29 грн
250+70.96 грн
500+68.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4235V-15ASXC CY7C4235V-15ASXC Infineon Technologies CY7C4205V%2C15V%2C25V%2C35V%2C45V%2C4425V.pdf Description: IC FIFO SYNC 2KX18 11NS 64TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Synchronous
Memory Size: 36K (2K x 18)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Data Rate: 66.7MHz
Access Time: 11ns
Current - Supply (Max): 30mA
Supplier Device Package: 64-TQFP (14x14)
Bus Directional: Uni-Directional
Expansion Type: Depth, Width
Programmable Flags Support: Yes
Retransmit Capability: Yes
FWFT Support: No
Part Status: Obsolete
Voltage - Supply: 3 V ~ 3.6 V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+1452.05 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S2-80 Infineon Technologies INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPD14N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041CV33-10BAJXE CY7C1041CV33-10BAJXE Infineon Technologies Infineon-CY7C1041CV33_Automotive_4-Mbit_(256_K_16)_Static_RAM-AdditionalTechnicalInformation-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecab2cc43b0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (7x8.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041CV33-10BAJXET CY7C1041CV33-10BAJXET Infineon Technologies Infineon-CY7C1041CV33_Automotive_4-Mbit_(256_K_16)_Static_RAM-AdditionalTechnicalInformation-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecab2cc43b0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (7x8.5)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125P6 IPA60R125P6 Infineon Technologies Infineon-IPX60R125P6-DS-v02_00-en[1].pdf?fileId=5546d461464245d301468af2915b667f Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R600CP IPB60R600CP Infineon Technologies INFNS11341-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+52.08 грн
Мінімальне замовлення: 433
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R520CP IPB60R520CP Infineon Technologies INFNS11337-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+58.44 грн
Мінімальне замовлення: 378
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CPATMA1 IPB60R250CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b2fd3ce0087 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+106.50 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CP IPB60R250CP Infineon Technologies INFNS17419-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 41770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+112.47 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
BG3130RH6327XTSA1 BG3130RH6327XTSA1 Infineon Technologies BG3130.pdf Description: RF MOSFET 5V SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Gain: 24dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 1.3dB
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 14 mA
на замовлення 607750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2732+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 2732
В кошику  од. на суму  грн.
BTS240AHKSA1 Infineon Technologies INFNS15457-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO218-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+964.65 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4H1AKSA2 IPP120N06S4H1AKSA2 Infineon Technologies IPx120N06S4-H1.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+157.05 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
IPI120N06S402AKSA2 IPI120N06S402AKSA2 Infineon Technologies IPx120N06S4-02.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+148.71 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
IR6220S ir6220.pdf
IR6220S
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Features: Status Flag
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 10A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2Pak (SMD-220 5-Lead)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR6220STRL ir6220.pdf
IR6220STRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Features: Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 10A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2Pak (SMD-220 5-Lead)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDP30E60 INFNS30078-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IDP30E60
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 600V 52.3A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 126 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 52.3A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3 INFN-S-A0000149040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW15N120H3
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLT807B0EPVBOARDTOBO1 Infineon-Z8F56520820_TLT807B0-Demoboard-Manual-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf30bb3f25f18
TLT807B0EPVBOARDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLT807B0EPV BOARD
Packaging: Box
Voltage - Output: 1.2V ~ 20V
Voltage - Input: 2.75V ~ 42V
Current - Output: 70mA
Regulator Type: Positive Adjustable
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TLT807B0EPV
Supplied Contents: Board(s)
Channels per IC: 1 - Single
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5228.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGA03N120H2 INFNS13159-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGA03N120H2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGA03N120 - DISCRETE IGBT WITHOU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 140µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 8.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 29 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2ATMA1616
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.34 грн
5000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 9476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.93 грн
10+54.03 грн
100+35.67 грн
500+26.06 грн
1000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPB04N50C3 Infineon-SPB04N50C3-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d2983481a
SPB04N50C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 24560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
473+48.21 грн
Мінімальне замовлення: 473
В кошику  од. на суму  грн.
SPB04N50C3ATMA1 SPB04N50C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d2983481a
SPB04N50C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 560V 4.5A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 23741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
473+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 473
В кошику  од. на суму  грн.
BGA915N7E6327 INFNS16698-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BGA915N7E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP GPS 1.55-1.615GHZ TSNP7-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.55GHz ~ 1.615GHz
RF Type: GPS
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
Gain: 17.2dB
Current - Supply: 4.4mA
Noise Figure: 0.7dB
P1dB: 7.8dBm
Test Frequency: 1575.42MHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-7-6
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
693+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 693
В кошику  од. на суму  грн.
C167CSLMCAKXQLA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 144MQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 144-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 25MHz
RAM Size: 11K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Data Converters: A/D 24x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-MQFP-144-8
Number of I/O: 111
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65F5 Part_Number_Guide_Web.pdf
IKP15N65F5
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB15N65F5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB15N65F5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 15A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFCZ44VB
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 60V 55A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 55A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4020H-117PXKMA1 irfi4020h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623e7271f73
IRFI4020H-117PXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Part Status: Active
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.33 грн
50+134.52 грн
100+128.93 грн
500+99.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GB120DN2S7HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO203PH INFNS15552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSO203PH
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSO203 - 20V-250V P-CHANNEL POWE
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
490+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 490
В кошику  од. на суму  грн.
S6E1C12C0AGN20000 Infineon-S6E1C32D0AGN20050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181ec33e75c2c49
S6E1C12C0AGN20000
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 48QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 8x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.65V ~ 3.6V
Connectivity: CSIO, I²C, LINbus, SmartCard, UART/USART
Peripherals: I²S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158WH6327 INFNS17185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158E6327 INFNS11628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR158E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158WE6327 INFNS11628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR158WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158 INFNS17185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR158
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158W INFNS17185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDSTD6895 Infineon-BCR158SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431428a37301144022a59b02cc
TDSTD6895
Виробник: Infineon Technologies
Description: BCR158 - DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167GN30-45BVXI Infineon-CY62167GN30_MOBL_16_MBIT_(1M_X_16_2M_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee9fe9b72e1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY62167GN30-45BVXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+1167.41 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
ESD144B1W0201E6327XTSA1 Infineon-New+generation+ESD+protection+diodes-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d0ccb7b9a57e3
ESD144B1W0201E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 18VWM 20VC WLL-2-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V
Supplier Device Package: WLL-2-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 21W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 141819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.55 грн
47+6.59 грн
114+2.69 грн
500+2.35 грн
1000+2.19 грн
2000+2.09 грн
5000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
ESD233B1W0201E6327XTSA1 Infineon-ESD233-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce93607634882
ESD233B1W0201E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 5.5VWM 13VC WLL-2-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Amplification
Capacitance @ Frequency: 33pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V
Supplier Device Package: SG-WLL-2-1
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V
Power - Peak Pulse: 70W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.92 грн
29+10.58 грн
100+5.72 грн
500+4.21 грн
1000+2.93 грн
2000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IDW16G65C5FKSA1 IDW16G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dbeca72db281a&fileId=db3a30433899edae0138a478b3db208c
IDW16G65C5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7 Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb
IPP60R180P7
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP60R180 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTT3018EJXUMA1 Infineon-BTT3018EJ-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff157937b4290
BTT3018EJXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTT3018EJXUMA1
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 16mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 36V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TDSO-8-31
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Grade: Automotive
Part Status: Active
на замовлення 3544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.90 грн
10+180.01 грн
100+126.34 грн
500+105.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XDPL8219XUMA1 Infineon-XDPL8219-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172c1d42f3c599b
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRVR CTRLR NO 100MA 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 15MHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 100mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Flyback
Supplier Device Package: PG-DSO-8-41
Dimming: No
Voltage - Supply (Min): 6V
Voltage - Supply (Max): 24V
Part Status: Active
на замовлення 10450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.00 грн
10+97.63 грн
25+92.11 грн
100+73.66 грн
250+69.16 грн
500+60.52 грн
1000+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TDK5116FHTMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
TDK5116FHTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TX IC ASK 866-870MHZ 10TFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 866MHz ~ 870MHz
Modulation or Protocol: ASK, FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.1V ~ 4V
Power - Output: 11.5dBm
Applications: Alarm Systems, Communication Systems
Data Rate (Max): 20kbps
Current - Transmitting: 16mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TSSOP-10-2
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R07N3E4R_B11 INFNS28543-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: FS200R07 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+16226.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R12PT4 INFNS28547-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+14692.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1 BSC079N10NS+Rev1.03.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a601167b174f951147
BSC079N10NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 50 V
на замовлення 4701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.11 грн
10+136.33 грн
100+98.75 грн
500+77.15 грн
1000+75.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5027CXAAD47AIHAMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
TLE5027CXAAD47AIHAMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR MAGNETORESISTIVE PWM 3SIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP Module
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Magnetoresistive
Supplier Device Package: PG-SSO-3-92
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
143+154.15 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5027CXAAD47AGXAMA1
TLE5027CXAAD47AGXAMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR MAGNETORESISTIVE PWM 3SIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP Module
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Magnetoresistive
Supplier Device Package: PG-SSO-3-92
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+163.69 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16E1200XUMA1 Infineon-TLE5x09A16_D-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf12016977889fe858c9
TLE5009A16E1200XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-16
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Output Signal: Cosine, Sine
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 20540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+169.57 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16E2200XUMA1 Infineon-TLE5x09A16_D-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf12016977889fe858c9
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-16
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Output Signal: Cosine, Sine
Part Status: Active
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+177.47 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5025CE6747HAMA1 Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAG SWITCH SPEED SENSOR 3SSO
на замовлення 12372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+152.04 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5027CIE6747HAMA1 TLE5027C_PB_7-2-13.pdf
TLE5027CIE6747HAMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR MAGNETORESISTIVE PWM 3SIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP Module
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Magnetoresistive
Supplier Device Package: PG-SSO-3-92
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+160.76 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16E2210XUMA1 Infineon-TLE5x09A16_D-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf12016977889fe858c9
TLE5009A16E2210XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-16
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Output Signal: Cosine, Sine
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 21597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+169.57 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
BTS736L2NTMA1 INFNS05478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274GV50ATMA1 INFNS16630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TLE4274GV50ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR FIXED LDO REG
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274GV50ATMA2 Infineon-TLE4274-DS-v01_70-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8e637f1f8f
TLE4274GV50ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 400MA PG-TO263-3-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.27 грн
10+98.70 грн
25+89.88 грн
100+75.29 грн
250+70.96 грн
500+68.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4235V-15ASXC CY7C4205V%2C15V%2C25V%2C35V%2C45V%2C4425V.pdf
CY7C4235V-15ASXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FIFO SYNC 2KX18 11NS 64TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Synchronous
Memory Size: 36K (2K x 18)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Data Rate: 66.7MHz
Access Time: 11ns
Current - Supply (Max): 30mA
Supplier Device Package: 64-TQFP (14x14)
Bus Directional: Uni-Directional
Expansion Type: Depth, Width
Programmable Flags Support: Yes
Retransmit Capability: Yes
FWFT Support: No
Part Status: Obsolete
Voltage - Supply: 3 V ~ 3.6 V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+1452.05 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S2-80 INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPD14N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041CV33-10BAJXE Infineon-CY7C1041CV33_Automotive_4-Mbit_(256_K_16)_Static_RAM-AdditionalTechnicalInformation-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecab2cc43b0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr
CY7C1041CV33-10BAJXE
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (7x8.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041CV33-10BAJXET Infineon-CY7C1041CV33_Automotive_4-Mbit_(256_K_16)_Static_RAM-AdditionalTechnicalInformation-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecab2cc43b0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr
CY7C1041CV33-10BAJXET
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (7x8.5)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125P6 Infineon-IPX60R125P6-DS-v02_00-en[1].pdf?fileId=5546d461464245d301468af2915b667f
IPA60R125P6
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R600CP INFNS11341-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB60R600CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
433+52.08 грн
Мінімальне замовлення: 433
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R520CP INFNS11337-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB60R520CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
378+58.44 грн
Мінімальне замовлення: 378
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CPATMA1 IPB60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b2fd3ce0087
IPB60R250CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+106.50 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CP INFNS17419-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB60R250CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 41770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+112.47 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
BG3130RH6327XTSA1 BG3130.pdf
BG3130RH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 5V SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Gain: 24dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 1.3dB
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 14 mA
на замовлення 607750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2732+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 2732
В кошику  од. на суму  грн.
BTS240AHKSA1 INFNS15457-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO218-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+964.65 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4H1AKSA2 IPx120N06S4-H1.pdf
IPP120N06S4H1AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+157.05 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
IPI120N06S402AKSA2 IPx120N06S4-02.pdf
IPI120N06S402AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
154+148.71 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 247 394 395 396 397 398 399 400 401 402 403 404 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2478  Наступна Сторінка >> ]