Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (122993) > Сторінка 394 з 2050

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 399 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FS150R06KL4B4BDLA1 FS150R06KL4B4BDLA1 Infineon Technologies Description: MOD IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R07N3E4_B11 Infineon Technologies INFNS28507-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 100A, 650V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+7362.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4PB15BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FS100R12KT4G-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd5730116190dc0431c81 Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONO3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+8348.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R07N2E4_B11 Infineon Technologies INFN-S-A0003209908-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FS100R07 - IGBT MODULE
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+6170.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R07PE4BOSA1 FS100R07PE4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS100R07PE4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304333227b5e013359531e9908c6 Description: IGBT MOD 650V 100A 335W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 335 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10276.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12PT4 Infineon Technologies INFNS28515-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 500 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 135 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO4-1-1
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+8577.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4PBPSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE LOW PWR ECONO2-6
Packaging: Bulk
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+15197.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R17PE4BOSA1 FS100R17PE4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS100R17PE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124d89c3e2d7380 Description: IGBT MOD 1700V 100A 600W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 600 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9035.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R07N2E4B11BOSA1 FS100R07N2E4B11BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS100R07N2E4_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=db3a30433004641301304036f2a4573e Description: IGBT MODULE 650V 125A MODULE
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R17PE4BOSA1 FS100R17PE4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS100R17PE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124d89c3e2d7380 Description: IGBT MOD 1700V 100A 600W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 600 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R17KS4F FS100R17KS4F Infineon Technologies FS100R17KS4F-Infineon.pdf Description: IGBT MOD 1700V 100A 960W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 960 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233XTMA1 IRF40H233XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF40H233-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168a1d5500962d9 Description: MOSFET 2N-CH 40V 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-900
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233ATMA1 IRF40H233ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF40H233-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168a1d5500962d9 Description: MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 35A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS409L1E3062A BTS409L1E3062A Infineon Technologies INFNS30248-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE SMART HIGH SIDE SWITC
Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Features: Auto Restart, Slew Rate Controlled
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, Short Circuit
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 2.3A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 160mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIGC10T60EX1SA5 SIGC10T60EX1SA5 Infineon Technologies Infineon-SIGC10T60E-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b843ba8c832bb Description: IGBT CHIP
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIGC10T60EX7SA3 Infineon Technologies Infineon-SIGC10T60E-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b843ba8c832bb Description: IGBT 3 CHIP 600V 20A WAFER
Supplier Device Package: Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
IGBT Type: Trench Field Stop
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIGC10T60EX1SA3 Infineon Technologies Infineon-SIGC10T60E-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b843ba8c832bb Description: IGBT 3 CHIP 600V 20A WAFER
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIGC10T60EX7SA1 Infineon Technologies Infineon-SIGC10T60E-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b843ba8c832bb Description: IGBT 3 CHIP 600V 20A WAFER
Supplier Device Package: Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
IGBT Type: Trench Field Stop
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1 IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc27f90f31a6 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+506.01 грн
30+279.98 грн
120+234.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc280a0e31a9 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+691.22 грн
30+392.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42642GHTMA1 TLE42642GHTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4264-2G-DataSheet-v02_71-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f6960991f2d Description: IC REG LIN 5V 150MA PG-SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 70 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 68dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Current - Supply (Max): 4 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42794GXUMA2 TLE42794GXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE42794-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8e494d1f80 Description: IC REG LINEAR 5V 100MA 8DSO
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Current - Supply (Max): 8 mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
PSRR: 70dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Reset
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 45V
Current - Quiescent (Iq): 280 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Output: 100mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42794GXUMA2 TLE42794GXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE42794-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8e494d1f80 Description: IC REG LINEAR 5V 100MA 8DSO
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Current - Supply (Max): 8 mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
PSRR: 70dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Reset
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 45V
Current - Quiescent (Iq): 280 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Output: 100mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.06 грн
10+72.38 грн
25+65.61 грн
100+54.57 грн
250+51.25 грн
500+49.24 грн
1000+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC267D40F200SBBKXUMA1 TC267D40F200SBBKXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TC26xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b40169538e06030445 Description: IC MCU 32BIT 2.5MB FLSH 292LFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM231L6S1BAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IM231-L6S1B_T2B-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0169067334d10ef3 Description: CIPOS MICRO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM231L6S1BAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IM231-L6S1B_T2B-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0169067334d10ef3 Description: CIPOS MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM231M6S1BAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IM231-M6S1B_T2B-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0169067346a60ef9 Description: CIPOS MICRO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM10F60HAXKMA1 IGCM10F60HAXKMA1 Infineon Technologies IGCM10F60HA.pdf Description: IGBT 600V 10A 24PWRDIP MOD
Voltage: 600 V
Current: 10 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+479.31 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS26320JTRPBF Infineon Technologies IRS26320JPbF_Factsheet.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
Number of Drivers: 6
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: 3-Phase
Supplier Device Package: 44-PLCC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 12V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE82422LXUMA2 TLE82422LXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE8242_2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043271faefd012743c4b3380fdd Description: IC CURRENT SOURCE 64LQFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-4
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Input: 5.5V ~ 42V
Function: Current Source
Mounting Type: Surface Mount
Sensing Method: Low-Side
Package / Case: 64-LQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1265.42 грн
10+971.11 грн
25+909.21 грн
100+789.48 грн
250+759.06 грн
500+740.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP88E6327 BSP88E6327 Infineon Technologies BSP88.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 194558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1484+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 1484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT500N16KOFS01HPSA1 Infineon Technologies Description: DIODE BG-PB60-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 18W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Packaging: Tube
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.92 грн
50+125.94 грн
100+113.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2EDL23I06PJTOBO1 EVAL2EDL23I06PJTOBO1 Infineon Technologies Infineon-2EDL23I06PJ_EVAL-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46145f1f3a401461dcd1de41bd5 Description: EVAL BOARD FOR 2EDL23I06-PJ
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: 2EDL23I06-PJ
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6016.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N04S3-06 IPI80N04S3-06 Infineon Technologies INFNS10782-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
670+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 670 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N04S3-03 IPI80N04S3-03 Infineon Technologies INFNS10911-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+88.75 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N04S404AKSA1 IPI80N04S404AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c71d4085dfa&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 285682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+80.06 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2-H4 Infineon Technologies INFNS11807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPB80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N04S3-04 Infineon Technologies INFNS10666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
FET Type: N-Channel
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
на замовлення 7515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.32 грн
10+132.38 грн
100+91.36 грн
500+69.27 грн
1000+66.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R380C6 Infineon Technologies INFN-S-A0004583381-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5102VH6327XTSA1 BBY5102VH6327XTSA1 Infineon Technologies bby51series.pdf Description: DIODE TUNING 2SC79
Capacitance Ratio: 2.2
Voltage - Peak Reverse (Max): 7 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Capacitance @ Vr, F: 3.7pF @ 4V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Bulk
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2420+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 2420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6610TR1 IRF6610TR1 Infineon Technologies description Description: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R060CFD7AUMA1 IPL60R060CFD7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL60R060CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633ed634654cdf Description: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3193 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R060CFD7AUMA1 IPL60R060CFD7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL60R060CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633ed634654cdf Description: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3193 pF @ 400 V
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.76 грн
10+334.08 грн
100+243.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFN 19 E6327 BFN 19 E6327 Infineon Technologies bfn19.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449af3ad90232&fileId=db3a30431441fb5d011449c1d62e0238 Description: TRANS PNP 300V 0.2A SOT-89
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC091N03MSCGATMA1 BSC091N03MSCGATMA1 Infineon Technologies INFNS13697-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 39335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1094+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 1094 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies BSC0904NSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f3073397339ef Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 18382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.72 грн
10+46.26 грн
100+30.38 грн
500+22.11 грн
1000+20.05 грн
2000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08P06PXK SPP08P06PXK Infineon Technologies Infineon-SPP08P06PH-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a304325afd6e001264b5840530c71 Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 IKD15N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26 Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 IKD15N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26 Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.26 грн
10+85.66 грн
100+57.78 грн
500+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23 Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.12 грн
5000+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23 Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 7384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+82.90 грн
100+55.42 грн
500+40.95 грн
1000+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5221 TDA5221 Infineon Technologies INFNS07062-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TDX5221 - WIRELESS CONTROL RECEI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Data Rate (Max): 100kbps
Current - Receiving: 6.4mA
Applications: RKE, Remote Control Systems
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Modulation or Protocol: ASK, FSK
Frequency: 300MHz ~ 340MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -113dBm
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Features: RSSI Equipped
на замовлення 3223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+94.67 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA1 IPD85P04P407ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD85P04P4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782666e92ddd Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA1 IPD85P04P407ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD85P04P4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782666e92ddd Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLM0010XTSA1 NLM0010XTSA1 Infineon Technologies Infineon-Datasheet_NLM001x-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8aec20e81011 Description: IC NFC-PWM LED W/OUT CLO
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-5-1
Standards: ISO 15693, ISO 18000-3
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Type: RFID Transponder
Frequency: 13.56MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLM0010XTSA1 NLM0010XTSA1 Infineon Technologies Infineon-Datasheet_NLM001x-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8aec20e81011 Description: IC NFC-PWM LED W/OUT CLO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 13.56MHz
Type: RFID Transponder
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Standards: ISO 15693, ISO 18000-3
Supplier Device Package: PG-SOT23-5-1
Part Status: Active
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.14 грн
10+35.22 грн
25+31.64 грн
100+25.98 грн
250+24.20 грн
500+23.13 грн
1000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLM0011XTSA1 NLM0011XTSA1 Infineon Technologies Infineon-Datasheet_NLM001x-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8aec20e81011 Description: IC NFC-PWM LED W CLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 13.56MHz
Type: RFID Transponder
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Standards: ISO 15693, ISO 18000-3
Supplier Device Package: PG-SOT23-5-1
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R06KL4B4BDLA1
FS150R06KL4B4BDLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOD IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R07N3E4_B11 INFNS28507-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT, 100A, 650V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+7362.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4PB15BPSA1 Infineon-FS100R12KT4G-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd5730116190dc0431c81
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONO3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+8348.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R07N2E4_B11 INFN-S-A0003209908-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: FS100R07 - IGBT MODULE
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+6170.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R07PE4BOSA1 Infineon-FS100R07PE4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304333227b5e013359531e9908c6
FS100R07PE4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 100A 335W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 335 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+10276.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12PT4 INFNS28515-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 500 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 135 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO4-1-1
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+8577.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4PBPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW PWR ECONO2-6
Packaging: Bulk
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+15197.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R17PE4BOSA1 Infineon-FS100R17PE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124d89c3e2d7380
FS100R17PE4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 100A 600W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 600 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+9035.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R07N2E4B11BOSA1 Infineon-FS100R07N2E4_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=db3a30433004641301304036f2a4573e
FS100R07N2E4B11BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 125A MODULE
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R17PE4BOSA1 Infineon-FS100R17PE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124d89c3e2d7380
FS100R17PE4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 100A 600W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 600 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R17KS4F FS100R17KS4F-Infineon.pdf
FS100R17KS4F
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 100A 960W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 960 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233XTMA1 Infineon-IRF40H233-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168a1d5500962d9
IRF40H233XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-900
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233ATMA1 Infineon-IRF40H233-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168a1d5500962d9
IRF40H233ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 35A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS409L1E3062A INFNS30248-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS409L1E3062A
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE SMART HIGH SIDE SWITC
Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Features: Auto Restart, Slew Rate Controlled
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, Short Circuit
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 2.3A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 160mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIGC10T60EX1SA5 Infineon-SIGC10T60E-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b843ba8c832bb
SIGC10T60EX1SA5
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT CHIP
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIGC10T60EX7SA3 Infineon-SIGC10T60E-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b843ba8c832bb
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 3 CHIP 600V 20A WAFER
Supplier Device Package: Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
IGBT Type: Trench Field Stop
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIGC10T60EX1SA3 Infineon-SIGC10T60E-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b843ba8c832bb
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 3 CHIP 600V 20A WAFER
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIGC10T60EX7SA1 Infineon-SIGC10T60E-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b843ba8c832bb
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 3 CHIP 600V 20A WAFER
Supplier Device Package: Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
IGBT Type: Trench Field Stop
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1 Infineon-IKW50N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc27f90f31a6
IKW50N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+506.01 грн
30+279.98 грн
120+234.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 Infineon-IKW50N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc280a0e31a9
IKW50N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+691.22 грн
30+392.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42642GHTMA1 Infineon-TLE4264-2G-DataSheet-v02_71-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f6960991f2d
TLE42642GHTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 150MA PG-SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 70 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 68dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Current - Supply (Max): 4 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42794GXUMA2 Infineon-TLE42794-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8e494d1f80
TLE42794GXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 100MA 8DSO
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Current - Supply (Max): 8 mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
PSRR: 70dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Reset
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 45V
Current - Quiescent (Iq): 280 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Output: 100mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42794GXUMA2 Infineon-TLE42794-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8e494d1f80
TLE42794GXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 100MA 8DSO
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Current - Supply (Max): 8 mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
PSRR: 70dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Reset
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 45V
Current - Quiescent (Iq): 280 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Output: 100mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.06 грн
10+72.38 грн
25+65.61 грн
100+54.57 грн
250+51.25 грн
500+49.24 грн
1000+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC267D40F200SBBKXUMA1 Infineon-TC26xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b40169538e06030445
TC267D40F200SBBKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 2.5MB FLSH 292LFBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM231L6S1BAUMA1 Infineon-IM231-L6S1B_T2B-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0169067334d10ef3
Виробник: Infineon Technologies
Description: CIPOS MICRO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM231L6S1BAUMA1 Infineon-IM231-L6S1B_T2B-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0169067334d10ef3
Виробник: Infineon Technologies
Description: CIPOS MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM231M6S1BAUMA1 Infineon-IM231-M6S1B_T2B-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0169067346a60ef9
Виробник: Infineon Technologies
Description: CIPOS MICRO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM10F60HAXKMA1 IGCM10F60HA.pdf
IGCM10F60HAXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 10A 24PWRDIP MOD
Voltage: 600 V
Current: 10 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+479.31 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS26320JTRPBF IRS26320JPbF_Factsheet.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
Number of Drivers: 6
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: 3-Phase
Supplier Device Package: 44-PLCC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 12V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE82422LXUMA2 Infineon-TLE8242_2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043271faefd012743c4b3380fdd
TLE82422LXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CURRENT SOURCE 64LQFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-4
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Input: 5.5V ~ 42V
Function: Current Source
Mounting Type: Surface Mount
Sensing Method: Low-Side
Package / Case: 64-LQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1265.42 грн
10+971.11 грн
25+909.21 грн
100+789.48 грн
250+759.06 грн
500+740.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP88E6327 BSP88.pdf
BSP88E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 194558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1484+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 1484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT500N16KOFS01HPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE BG-PB60-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a
IRFI4212H-117PXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 18W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Packaging: Tube
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+261.92 грн
50+125.94 грн
100+113.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2EDL23I06PJTOBO1 Infineon-2EDL23I06PJ_EVAL-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46145f1f3a401461dcd1de41bd5
EVAL2EDL23I06PJTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR 2EDL23I06-PJ
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: 2EDL23I06-PJ
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6016.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N04S3-06 INFNS10782-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPI80N04S3-06
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
670+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 670 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N04S3-03 INFNS10911-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPI80N04S3-03
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
248+88.75 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N04S404AKSA1 Infineon-IPP_B_I80N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c71d4085dfa&ack=t
IPI80N04S404AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 285682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
268+80.06 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S2-H4 INFNS11807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N04S3-04 INFNS10666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
FET Type: N-Channel
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+60.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
на замовлення 7515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+212.32 грн
10+132.38 грн
100+91.36 грн
500+69.27 грн
1000+66.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R380C6 INFN-S-A0004583381-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5102VH6327XTSA1 bby51series.pdf
BBY5102VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE TUNING 2SC79
Capacitance Ratio: 2.2
Voltage - Peak Reverse (Max): 7 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Capacitance @ Vr, F: 3.7pF @ 4V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Bulk
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2420+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 2420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6610TR1 description
IRF6610TR1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R060CFD7AUMA1 Infineon-IPL60R060CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633ed634654cdf
IPL60R060CFD7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3193 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R060CFD7AUMA1 Infineon-IPL60R060CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633ed634654cdf
IPL60R060CFD7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3193 pF @ 400 V
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+513.76 грн
10+334.08 грн
100+243.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFN 19 E6327 bfn19.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449af3ad90232&fileId=db3a30431441fb5d011449c1d62e0238
BFN 19 E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 300V 0.2A SOT-89
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC091N03MSCGATMA1 INFNS13697-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC091N03MSCGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 39335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1094+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 1094 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f3073397339ef
BSC0904NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 18382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.72 грн
10+46.26 грн
100+30.38 грн
500+22.11 грн
1000+20.05 грн
2000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08P06PXK Infineon-SPP08P06PH-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a304325afd6e001264b5840530c71
SPP08P06PXK
Виробник: Infineon Technologies
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26
IKD15N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26
IKD15N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.26 грн
10+85.66 грн
100+57.78 грн
500+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1 Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23
IKD10N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+37.12 грн
5000+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1 Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23
IKD10N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 7384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+136.38 грн
10+82.90 грн
100+55.42 грн
500+40.95 грн
1000+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5221 INFNS07062-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TDA5221
Виробник: Infineon Technologies
Description: TDX5221 - WIRELESS CONTROL RECEI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Data Rate (Max): 100kbps
Current - Receiving: 6.4mA
Applications: RKE, Remote Control Systems
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Modulation or Protocol: ASK, FSK
Frequency: 300MHz ~ 340MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -113dBm
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Features: RSSI Equipped
на замовлення 3223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
224+94.67 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA1 Infineon-IPD85P04P4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782666e92ddd
IPD85P04P407ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA1 Infineon-IPD85P04P4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782666e92ddd
IPD85P04P407ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLM0010XTSA1 Infineon-Datasheet_NLM001x-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8aec20e81011
NLM0010XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NFC-PWM LED W/OUT CLO
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-5-1
Standards: ISO 15693, ISO 18000-3
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Type: RFID Transponder
Frequency: 13.56MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLM0010XTSA1 Infineon-Datasheet_NLM001x-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8aec20e81011
NLM0010XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NFC-PWM LED W/OUT CLO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 13.56MHz
Type: RFID Transponder
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Standards: ISO 15693, ISO 18000-3
Supplier Device Package: PG-SOT23-5-1
Part Status: Active
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.14 грн
10+35.22 грн
25+31.64 грн
100+25.98 грн
250+24.20 грн
500+23.13 грн
1000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLM0011XTSA1 Infineon-Datasheet_NLM001x-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8aec20e81011
NLM0011XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NFC-PWM LED W CLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 13.56MHz
Type: RFID Transponder
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Standards: ISO 15693, ISO 18000-3
Supplier Device Package: PG-SOT23-5-1
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 399 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050  [ Наступна Сторінка >> ]