Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148760) > Сторінка 403 з 2480

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 398 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2480  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PEF 2426 H V1.1 D PEF 2426 H V1.1 D Infineon Technologies PEF%202426.pdf Description: IC TELECOM INTERFACE MQFP-44
Packaging: Tray
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: High Voltage Power Controller
Interface: ISDN, SHDSL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 6V
Current - Supply: 700µA
Supplier Device Package: P-MQFP-44
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 2426 H V1.1 GD PEF 2426 H V1.1 GD Infineon Technologies PEF%202426.pdf Description: IC TELECOM INTERFACE MQFP-44
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: High Voltage Power Controller
Interface: ISDN, SHDSL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 6V
Current - Supply: 700µA
Supplier Device Package: P-MQFP-44
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 24622 E V2.1 PEF 24622 E V2.1 Infineon Technologies PEB_24622_PB.pdf Description: IC TELECOM INTERFACE 388BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 388-BBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: One Chip Rate Adaptive Transceiver
Interface: HDLC, SHDSL, TDM
Supplier Device Package: PG-BGA-388-2
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 24624 E V1.2 Infineon Technologies PEF%2024624%2C25%20E.pdf Description: IC TELECOM INTERFACE LBGA-324
Packaging: Tray
Package / Case: 324-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Symmetrical DSL Front End (SDFE)
Interface: ISDN, SHDSL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: P-LBGA-324
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 24624 E V1.2-G Infineon Technologies PEF%2024624%2C25%20E.pdf Description: IC TELECOM INTERFACE LBGA-324
Packaging: Tray
Package / Case: 324-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Symmetrical DSL Front End (SDFE)
Interface: ISDN, SHDSL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: P-LBGA-324
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 24624 E V2.1-G Infineon Technologies PEF%2024624%2C25%20E.pdf Description: IC TELECOM INTERFACE LBGA-324
Packaging: Tray
Package / Case: 324-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Symmetrical DSL Front End (SDFE)
Interface: ISDN, SHDSL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: P-LBGA-324
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 24625 E V1.2 Infineon Technologies PEF%2024624%2C25%20E.pdf Description: IC TELECOM INTERFACE 484BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 484-BBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Symmetrical DSL Controller (SDC-16i)
Interface: DSL, SHDSL, TDM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 484-BGA (27x27)
Number of Circuits: 1
Power (Watts): 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 24624 E V2.2-G Infineon Technologies SDFE-4%2C%202%2C%201%2C%20PEF2x624E.pdf Description: IC TELECOM INTERFACE LBGA-324
Packaging: Tray
Package / Case: 324-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Symmetrical DSL Front End (SDFE)
Interface: DSL, SHDSL, TDM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: P-LBGA-324
Number of Circuits: 4
Power (Watts): 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6 IPD65R380E6 Infineon Technologies INFN-S-A0004583416-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 314
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6ATMA1 IPB65R380C6ATMA1 Infineon Technologies IPx65R380C6.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 14860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+99.09 грн
Мінімальне замовлення: 222
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6 Infineon Technologies INFN-S-A0004583483-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+78.72 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD65R380E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f09622c742fd5 Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD65R380E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f09622c742fd5 Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 4545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+165.14 грн
10+101.84 грн
100+69.24 грн
500+51.90 грн
1000+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R380C6 Infineon Technologies INFN-S-A0004583483-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R380E6 IPP65R380E6 Infineon Technologies INFNS27844-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPP65R380E6 - 650V-700V COOLMOS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF771E6765N BF771E6765N Infineon Technologies INFNS10734-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4157+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 4157
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1 IPB060N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB060N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5ca333d3364d Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+143.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1 IPB060N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB060N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5ca333d3364d Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.19 грн
10+246.53 грн
100+176.29 грн
500+158.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R075CFD7AATMA1 IPBE65R075CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPBE65R075CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32a7a137c8a Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R230CFD7AATMA1 IPBE65R230CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPBE65R230CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f33cb5727c93 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R230CFD7AATMA1 IPBE65R230CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPBE65R230CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f33cb5727c93 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.38 грн
10+174.10 грн
100+121.86 грн
500+100.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PTMA080302MV1AUMA1 PTMA080302MV1AUMA1 Infineon Technologies PTMA080302M.pdf Description: IC AMP GSM 700MHZ-1GHZ DSO20-63
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 700MHz ~ 1GHz
RF Type: GSM, EDGE
Gain: 30dB
Supplier Device Package: PG-DSO-20-63
Part Status: Obsolete
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+2492.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1399BL-12ZXCT CY7C1399BL-12ZXCT Infineon Technologies CY7C1399B%20RevD.pdf Description: IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+55.89 грн
Мінімальне замовлення: 423
В кошику  од. на суму  грн.
CY25811ZXCT CY25811ZXCT Infineon Technologies cy25811,12,14_8.pdf Description: IC CLOCK GEN 3.3V SS 8-TSSOP
на замовлення 6860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+107.16 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a Description: MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a Description: MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 23737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.74 грн
10+91.87 грн
100+61.84 грн
500+45.98 грн
1000+42.10 грн
2000+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KP229E2701XTMA1 KP229E2701XTMA1 Infineon Technologies KP229E2701_DS_Rev_1.0.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dd8fc5a954267&fileId=db3a30432ad629a6012af6bce0290b5d Description: SENSOR 43.51PSIA 4.65V DSOF8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.4 V ~ 4.65 V
Operating Pressure: 1.45PSI ~ 43.51PSI (10kPa ~ 300kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.544PSI (±3.75kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Port Style: No Port
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.10 грн
5+234.50 грн
10+224.28 грн
25+199.04 грн
50+191.18 грн
100+183.98 грн
500+166.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8721TRPBF-1 IRLR8721TRPBF-1 Infineon Technologies IRLR8721PbF-1_7-30-14.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC167CI32F40FBBAKXUMA1 XC167CI32F40FBBAKXUMA1 Infineon Technologies INFNS13627-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC MCU 16BIT 256KB FLASH 144TQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4906L TLI4906L Infineon Technologies Infineon-TLI4906K_L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304320d39d590121543b7ddc05c4 Description: TLI4906 - HALL SWITCH
Packaging: Bulk
Features: Temperature Compensated
Package / Case: 3-SSIP, SSO-3-02
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Unipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 18V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 18mT Trip, 5mT Release
Current - Output (Max): 20mA
Current - Supply (Max): 6mA
Supplier Device Package: PG-SSO-3-2
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
на замовлення 19999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
739+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 739
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-C868-1SG BA SAK-C868-1SG BA Infineon Technologies DataSheetC868_BA_v1.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b419ecef2939&fileId=db3a304412b407950112b419ed3e293a Description: IC MCU 8BIT 8KB RAM DSO28
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 8KB (8K x 8)
RAM Size: 512 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: RAM
Core Processor: C800
Data Converters: A/D 5x8b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
Connectivity: UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-DSO-28
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 18
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9255WSKXUMA2 TLE9255WSKXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE9255W-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c10eaeaf93ee5 Description: IC TRANSCEIVER FULL DSO-14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Data Rate: 1Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Duplex: Full
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+105.72 грн
5000+98.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9255WSKXUMA2 TLE9255WSKXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE9255W-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c10eaeaf93ee5 Description: IC TRANSCEIVER FULL DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Data Rate: 1Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Duplex: Full
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 7063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.03 грн
10+199.81 грн
25+188.52 грн
100+150.74 грн
250+141.54 грн
500+123.85 грн
1000+100.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-04E6327 BAS70-04E6327 Infineon Technologies INFNS11040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BAS70 - HIGH SPEED SWITCHING, CL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRLPBF IRL520NSTRLPBF Infineon Technologies irl520nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fa45e255d Description: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65RF5XKSA1 AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N65RF5-DataSheet-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe8601766cc8105e0014 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/156ns
Switching Energy: 310µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.95 грн
10+387.18 грн
30+353.51 грн
120+303.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500201TADATMA1 BTS500201TADATMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS50020-1TAD-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015baf2d8fba460a Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 3mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 29A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: P/PG-TO-263-7-10
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX1040SJXUMA1 IFX1040SJXUMA1 Infineon Technologies IFX1040_DS_10.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011edadb13813703&fileId=db3a3043337a914d0133887bf12f10f8&ack=t Description: IC TRANSCEIVER FULL 1/1 DSO-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 1MBd
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Receiver Hysteresis: 200 mV
Duplex: Full
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 452
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8457ASJXUMA1 TLE8457ASJXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE8457-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d3694ae6179 Description: IC TRANSCEIVER 1/1 DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4205-10AXC CY7C4205-10AXC Infineon Technologies CY7C4425%2C4205%2C15%2C25%2C35%2C45.pdf Description: IC FIFO SYNC 256X18 8NS 64TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Synchronous
Memory Size: 4.5K (256 x 18)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Data Rate: 100MHz
Access Time: 8ns
Current - Supply (Max): 45mA
Supplier Device Package: 64-TQFP (14x14)
Bus Directional: Uni-Directional
Expansion Type: Depth, Width
Programmable Flags Support: Yes
Retransmit Capability: Yes
FWFT Support: No
Part Status: Obsolete
Voltage - Supply: 4.5 V ~ 5.5 V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+1116.02 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4205-10AC CY7C4205-10AC Infineon Technologies Description: IC FIFO SYNC 256X18 8NS 64TQFP
Packaging: Bag
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Synchronous
Memory Size: 4.5K (256 x 18)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Data Rate: 100MHz
Access Time: 8ns
Current - Supply (Max): 45mA
Supplier Device Package: 64-TQFP (14x14)
Bus Directional: Uni-Directional
Expansion Type: Depth, Width
Programmable Flags Support: Yes
Retransmit Capability: Yes
FWFT Support: No
Part Status: Obsolete
Voltage - Supply: 4.5 V ~ 5.5 V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+639.31 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4291V-15JXC CY7C4291V-15JXC Infineon Technologies download Description: IC FIFO SYNC 128KX9 10NS 32PLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Synchronous
Memory Size: 1.125M (128K x 9)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Data Rate: 66.7MHz
Access Time: 10ns
Current - Supply (Max): 25mA
Supplier Device Package: 32-PLCC (11.43x13.97)
Bus Directional: Uni-Directional
Expansion Type: Depth, Width
Programmable Flags Support: Yes
Retransmit Capability: No
FWFT Support: No
Voltage - Supply: 3 V ~ 3.6 V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+2447.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PVDZ172NS-TPBF PVDZ172NS-TPBF Infineon Technologies pvdz172.pdf?fileId=5546d462533600a401535683ba592934 Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-60V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD (0.300", 7.62mm), 4 Leads
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 250 MOhms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+425.69 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
IDD06SG60CXTMA2 IDD06SG60CXTMA2 Infineon Technologies IDD06SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd36c4741a85 Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+106.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IDD06SG60CXTMA2 IDD06SG60CXTMA2 Infineon Technologies IDD06SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd36c4741a85 Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 9208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+318.31 грн
10+200.88 грн
100+140.96 грн
500+108.29 грн
1000+100.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLS4125D0EPVXUMA1 TLS4125D0EPVXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLS4125D0EPV-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e01710b60b6163b3f Description: IC REG BUCK ADJ 2.5A TSDSO-14-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-PowerTSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 2.8MHz
Voltage - Input (Max): 35V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-5
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 10V
Voltage - Input (Min): 3.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 IAUC60N04S6N044ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5 Description: IAUC60N04S6N044ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 IAUC60N04S6N044ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5 Description: IAUC60N04S6N044ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+56.77 грн
100+37.48 грн
500+27.41 грн
1000+24.90 грн
2000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE73683EXUMA3 TLE73683EXUMA3 Infineon Technologies Infineon-TLE7368-DataSheet-v02_60-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d271b041d1 Description: OPTIREG PMIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 5V, 3.3V/2.6V, 1.3V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 3
Voltage - Input: 4.5V ~ 45V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Power Supply, Automotive Applications
Supplier Device Package: PG-DSO-36
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+321.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE73683EXUMA3 TLE73683EXUMA3 Infineon Technologies Infineon-TLE7368-DataSheet-v02_60-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d271b041d1 Description: OPTIREG PMIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 5V, 3.3V/2.6V, 1.3V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 3
Voltage - Input: 4.5V ~ 45V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Power Supply, Automotive Applications
Supplier Device Package: PG-DSO-36
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+596.40 грн
10+444.61 грн
25+412.18 грн
100+353.47 грн
250+337.56 грн
500+327.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R12KF4S1 Infineon Technologies INFNS28629-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1.8kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHMB190
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 10500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 110 nF @ 25 V
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+90396.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R12KL4C Infineon Technologies INFNS28630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MOD 1200V 2850A IHM190-2-1
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.8kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHM190-2-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2850 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 11500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 135 nF @ 25 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+102503.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ180P03NS3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304326dfb13001271f04398f4ec1 Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ180P03NS3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304326dfb13001271f04398f4ec1 Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 7639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.44 грн
10+46.31 грн
100+31.59 грн
500+24.03 грн
1000+20.82 грн
2000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R12HP4B9NPSA1 Infineon Technologies INFNS28629-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1.8kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHMB190
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 10500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 110 nF @ 25 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+71873.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R17HP4B9HOSA2 FZ1800R17HP4B9HOSA2 Infineon Technologies Infineon-FZ1800R17HP4_B9-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f1701246cc2a9a86344 Description: IGBT MOD 1700V 1800A 11500W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1800A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 11500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 145 nF @ 25 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+80544.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R17HP4B29BOSA2 FZ1800R17HP4B29BOSA2 Infineon Technologies Infineon-FZ1800R17HP4_B29-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac401527e7ca7f76d09 Description: IGBT MOD 1700V 1800A AG-IHMB190
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1.8kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHMB190
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 11500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 145 nF @ 25 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+113913.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R17HP4_B29 Infineon Technologies INFN-S-A0001441249-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FZ1800R17 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1.8kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHMB190
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 11500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 145 nF @ 25 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+117972.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies FZ1800R17KE3_B2_Rev2.2_2013-11-25.pdf Description: IGBT MOD 1700V 2850A 12.5W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1.8kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 2850 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 12.5 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 160 nF @ 25 V
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+117712.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R17KF4NOSA1 Infineon Technologies Infineon-FZ2400R12HE4_B9-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30433e4143bd013e46d8f64f417d Description: IGBT MOD 1200V 3560A 13500W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 2.4kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3560 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 13500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+142391.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 2426 H V1.1 D PEF%202426.pdf
PEF 2426 H V1.1 D
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE MQFP-44
Packaging: Tray
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: High Voltage Power Controller
Interface: ISDN, SHDSL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 6V
Current - Supply: 700µA
Supplier Device Package: P-MQFP-44
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 2426 H V1.1 GD PEF%202426.pdf
PEF 2426 H V1.1 GD
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE MQFP-44
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: High Voltage Power Controller
Interface: ISDN, SHDSL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 6V
Current - Supply: 700µA
Supplier Device Package: P-MQFP-44
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 24622 E V2.1 PEB_24622_PB.pdf
PEF 24622 E V2.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE 388BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 388-BBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: One Chip Rate Adaptive Transceiver
Interface: HDLC, SHDSL, TDM
Supplier Device Package: PG-BGA-388-2
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 24624 E V1.2 PEF%2024624%2C25%20E.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE LBGA-324
Packaging: Tray
Package / Case: 324-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Symmetrical DSL Front End (SDFE)
Interface: ISDN, SHDSL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: P-LBGA-324
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 24624 E V1.2-G PEF%2024624%2C25%20E.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE LBGA-324
Packaging: Tray
Package / Case: 324-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Symmetrical DSL Front End (SDFE)
Interface: ISDN, SHDSL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: P-LBGA-324
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 24624 E V2.1-G PEF%2024624%2C25%20E.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE LBGA-324
Packaging: Tray
Package / Case: 324-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Symmetrical DSL Front End (SDFE)
Interface: ISDN, SHDSL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: P-LBGA-324
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 24625 E V1.2 PEF%2024624%2C25%20E.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE 484BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 484-BBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Symmetrical DSL Controller (SDC-16i)
Interface: DSL, SHDSL, TDM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 484-BGA (27x27)
Number of Circuits: 1
Power (Watts): 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 24624 E V2.2-G SDFE-4%2C%202%2C%201%2C%20PEF2x624E.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE LBGA-324
Packaging: Tray
Package / Case: 324-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Symmetrical DSL Front End (SDFE)
Interface: DSL, SHDSL, TDM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: P-LBGA-324
Number of Circuits: 4
Power (Watts): 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6 INFN-S-A0004583416-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD65R380E6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
314+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 314
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6ATMA1 IPx65R380C6.pdf
IPB65R380C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 14860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
222+99.09 грн
Мінімальне замовлення: 222
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6 INFN-S-A0004583483-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+78.72 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1 Infineon-IPD65R380E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f09622c742fd5
IPD65R380E6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1 Infineon-IPD65R380E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f09622c742fd5
IPD65R380E6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 4545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.14 грн
10+101.84 грн
100+69.24 грн
500+51.90 грн
1000+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R380C6 INFN-S-A0004583483-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R380E6 INFNS27844-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP65R380E6
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP65R380E6 - 650V-700V COOLMOS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF771E6765N INFNS10734-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BF771E6765N
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4157+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 4157
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1 Infineon-IPB060N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5ca333d3364d
IPB060N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+143.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1 Infineon-IPB060N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5ca333d3364d
IPB060N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.19 грн
10+246.53 грн
100+176.29 грн
500+158.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R075CFD7AATMA1 Infineon-IPBE65R075CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32a7a137c8a
IPBE65R075CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R230CFD7AATMA1 Infineon-IPBE65R230CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f33cb5727c93
IPBE65R230CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+93.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R230CFD7AATMA1 Infineon-IPBE65R230CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f33cb5727c93
IPBE65R230CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.38 грн
10+174.10 грн
100+121.86 грн
500+100.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PTMA080302MV1AUMA1 PTMA080302M.pdf
PTMA080302MV1AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP GSM 700MHZ-1GHZ DSO20-63
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 700MHz ~ 1GHz
RF Type: GSM, EDGE
Gain: 30dB
Supplier Device Package: PG-DSO-20-63
Part Status: Obsolete
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+2492.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1399BL-12ZXCT CY7C1399B%20RevD.pdf
CY7C1399BL-12ZXCT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
423+55.89 грн
Мінімальне замовлення: 423
В кошику  од. на суму  грн.
CY25811ZXCT cy25811,12,14_8.pdf
CY25811ZXCT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLOCK GEN 3.3V SS 8-TSSOP
на замовлення 6860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
219+107.16 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a
BSC0502NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a
BSC0502NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 23737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.74 грн
10+91.87 грн
100+61.84 грн
500+45.98 грн
1000+42.10 грн
2000+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KP229E2701XTMA1 KP229E2701_DS_Rev_1.0.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dd8fc5a954267&fileId=db3a30432ad629a6012af6bce0290b5d
KP229E2701XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR 43.51PSIA 4.65V DSOF8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.4 V ~ 4.65 V
Operating Pressure: 1.45PSI ~ 43.51PSI (10kPa ~ 300kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.544PSI (±3.75kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Port Style: No Port
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.10 грн
5+234.50 грн
10+224.28 грн
25+199.04 грн
50+191.18 грн
100+183.98 грн
500+166.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8721TRPBF-1 IRLR8721PbF-1_7-30-14.pdf
IRLR8721TRPBF-1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC167CI32F40FBBAKXUMA1 INFNS13627-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
XC167CI32F40FBBAKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 256KB FLASH 144TQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4906L Infineon-TLI4906K_L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304320d39d590121543b7ddc05c4
TLI4906L
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLI4906 - HALL SWITCH
Packaging: Bulk
Features: Temperature Compensated
Package / Case: 3-SSIP, SSO-3-02
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Unipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 18V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 18mT Trip, 5mT Release
Current - Output (Max): 20mA
Current - Supply (Max): 6mA
Supplier Device Package: PG-SSO-3-2
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
на замовлення 19999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
739+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 739
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-C868-1SG BA DataSheetC868_BA_v1.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b419ecef2939&fileId=db3a304412b407950112b419ed3e293a
SAK-C868-1SG BA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 8KB RAM DSO28
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 8KB (8K x 8)
RAM Size: 512 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: RAM
Core Processor: C800
Data Converters: A/D 5x8b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
Connectivity: UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-DSO-28
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 18
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9255WSKXUMA2 Infineon-TLE9255W-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c10eaeaf93ee5
TLE9255WSKXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER FULL DSO-14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Data Rate: 1Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Duplex: Full
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+105.72 грн
5000+98.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9255WSKXUMA2 Infineon-TLE9255W-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c10eaeaf93ee5
TLE9255WSKXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER FULL DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Data Rate: 1Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Duplex: Full
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 7063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.03 грн
10+199.81 грн
25+188.52 грн
100+150.74 грн
250+141.54 грн
500+123.85 грн
1000+100.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-04E6327 INFNS11040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS70-04E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BAS70 - HIGH SPEED SWITCHING, CL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRLPBF irl520nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fa45e255d
IRL520NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon-AIKW50N65RF5-DataSheet-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe8601766cc8105e0014
AIKW50N65RF5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/156ns
Switching Energy: 310µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+521.95 грн
10+387.18 грн
30+353.51 грн
120+303.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500201TADATMA1 Infineon-BTS50020-1TAD-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015baf2d8fba460a
BTS500201TADATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 3mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 29A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: P/PG-TO-263-7-10
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX1040SJXUMA1 IFX1040_DS_10.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011edadb13813703&fileId=db3a3043337a914d0133887bf12f10f8&ack=t
IFX1040SJXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER FULL 1/1 DSO-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 1MBd
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Receiver Hysteresis: 200 mV
Duplex: Full
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
452+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 452
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8457ASJXUMA1 Infineon-TLE8457-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d3694ae6179
TLE8457ASJXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4205-10AXC CY7C4425%2C4205%2C15%2C25%2C35%2C45.pdf
CY7C4205-10AXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FIFO SYNC 256X18 8NS 64TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Synchronous
Memory Size: 4.5K (256 x 18)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Data Rate: 100MHz
Access Time: 8ns
Current - Supply (Max): 45mA
Supplier Device Package: 64-TQFP (14x14)
Bus Directional: Uni-Directional
Expansion Type: Depth, Width
Programmable Flags Support: Yes
Retransmit Capability: Yes
FWFT Support: No
Part Status: Obsolete
Voltage - Supply: 4.5 V ~ 5.5 V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+1116.02 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4205-10AC
CY7C4205-10AC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FIFO SYNC 256X18 8NS 64TQFP
Packaging: Bag
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Synchronous
Memory Size: 4.5K (256 x 18)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Data Rate: 100MHz
Access Time: 8ns
Current - Supply (Max): 45mA
Supplier Device Package: 64-TQFP (14x14)
Bus Directional: Uni-Directional
Expansion Type: Depth, Width
Programmable Flags Support: Yes
Retransmit Capability: Yes
FWFT Support: No
Part Status: Obsolete
Voltage - Supply: 4.5 V ~ 5.5 V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+639.31 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4291V-15JXC download
CY7C4291V-15JXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FIFO SYNC 128KX9 10NS 32PLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Synchronous
Memory Size: 1.125M (128K x 9)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Data Rate: 66.7MHz
Access Time: 10ns
Current - Supply (Max): 25mA
Supplier Device Package: 32-PLCC (11.43x13.97)
Bus Directional: Uni-Directional
Expansion Type: Depth, Width
Programmable Flags Support: Yes
Retransmit Capability: No
FWFT Support: No
Voltage - Supply: 3 V ~ 3.6 V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+2447.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PVDZ172NS-TPBF pvdz172.pdf?fileId=5546d462533600a401535683ba592934
PVDZ172NS-TPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-60V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD (0.300", 7.62mm), 4 Leads
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 250 MOhms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+425.69 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
IDD06SG60CXTMA2 IDD06SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd36c4741a85
IDD06SG60CXTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+106.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IDD06SG60CXTMA2 IDD06SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd36c4741a85
IDD06SG60CXTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 9208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+318.31 грн
10+200.88 грн
100+140.96 грн
500+108.29 грн
1000+100.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLS4125D0EPVXUMA1 Infineon-TLS4125D0EPV-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e01710b60b6163b3f
TLS4125D0EPVXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJ 2.5A TSDSO-14-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-PowerTSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 2.8MHz
Voltage - Input (Max): 35V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-5
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 10V
Voltage - Input (Min): 3.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5
IAUC60N04S6N044ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC60N04S6N044ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5
IAUC60N04S6N044ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC60N04S6N044ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.27 грн
10+56.77 грн
100+37.48 грн
500+27.41 грн
1000+24.90 грн
2000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE73683EXUMA3 Infineon-TLE7368-DataSheet-v02_60-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d271b041d1
TLE73683EXUMA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIREG PMIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 5V, 3.3V/2.6V, 1.3V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 3
Voltage - Input: 4.5V ~ 45V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Power Supply, Automotive Applications
Supplier Device Package: PG-DSO-36
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+321.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE73683EXUMA3 Infineon-TLE7368-DataSheet-v02_60-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d271b041d1
TLE73683EXUMA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIREG PMIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 5V, 3.3V/2.6V, 1.3V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 3
Voltage - Input: 4.5V ~ 45V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Power Supply, Automotive Applications
Supplier Device Package: PG-DSO-36
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+596.40 грн
10+444.61 грн
25+412.18 грн
100+353.47 грн
250+337.56 грн
500+327.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R12KF4S1 INFNS28629-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1.8kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHMB190
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 10500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 110 nF @ 25 V
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+90396.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R12KL4C INFNS28630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 2850A IHM190-2-1
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.8kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHM190-2-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2850 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 11500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 135 nF @ 25 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+102503.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 Infineon-BSZ180P03NS3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304326dfb13001271f04398f4ec1
BSZ180P03NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 Infineon-BSZ180P03NS3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304326dfb13001271f04398f4ec1
BSZ180P03NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 7639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.44 грн
10+46.31 грн
100+31.59 грн
500+24.03 грн
1000+20.82 грн
2000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R12HP4B9NPSA1 INFNS28629-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1.8kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHMB190
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 10500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 110 nF @ 25 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+71873.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R17HP4B9HOSA2 Infineon-FZ1800R17HP4_B9-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f1701246cc2a9a86344
FZ1800R17HP4B9HOSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 1800A 11500W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1800A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 11500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 145 nF @ 25 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+80544.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R17HP4B29BOSA2 Infineon-FZ1800R17HP4_B29-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac401527e7ca7f76d09
FZ1800R17HP4B29BOSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 1800A AG-IHMB190
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1.8kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHMB190
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 11500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 145 nF @ 25 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+113913.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R17HP4_B29 INFN-S-A0001441249-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: FZ1800R17 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1.8kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHMB190
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 11500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 145 nF @ 25 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+117972.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R17KE3B2NOSA1 FZ1800R17KE3_B2_Rev2.2_2013-11-25.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 2850A 12.5W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1.8kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 2850 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 12.5 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 160 nF @ 25 V
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+117712.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R17KF4NOSA1 Infineon-FZ2400R12HE4_B9-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30433e4143bd013e46d8f64f417d
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 3560A 13500W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 2.4kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3560 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 13500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+142391.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 398 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2480  [ Наступна Сторінка >> ]