Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (122990) > Сторінка 404 з 2050

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC100N04S6L025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c9a8f861151 Description: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.71 грн
10+65.89 грн
100+43.78 грн
500+32.21 грн
1000+29.35 грн
2000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK165N16LOFHOSA1 Infineon Technologies Description: SCR MODULE VDRM 1600V 70A
Packaging: Bulk
Part Status: Discontinued at Digi-Key
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17022.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK124N16RRBOSA1 TDB6HK124N16RRBOSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0005253096-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SCR MODULE 1.6KV 70A MODULE
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK240N16PBOSA1 TDB6HK240N16PBOSA1 Infineon Technologies Infineon-TDB6HK240N16P-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124ee1179a75223 Description: SCR MODULE 1.6KV 240A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 130°C (TJ)
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes
Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1800A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Current - On State (It (AV)) (Max): 140 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 240 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9196.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRB21BOSA1 Infineon Technologies Infineon-TDB6HK180N16RR-DS-v02_00-en_cn.pdf?fileId=db3a304340f610c201410c3f12e4330c Description: 1600VBRIDGE MODULE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+10177.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK165N16LOFHOSA1 Infineon Technologies Description: SCR MODULE VDRM 1600V 70A
Packaging: Tray
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK360N16P Infineon Technologies Infineon-TDB6HK360N16P-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124ee13511f5228 Description: TDBXHK360 - BRIDGE RECTIFIER & A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N03LGATMA1 IPB034N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP034N03L-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113d3c9730503e7 Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPS03N60C3AKMA1 SPS03N60C3AKMA1 Infineon Technologies SPS03N60C3AKMA1.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3-11
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD03N60RF-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d3978350068 Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.04 грн
10+66.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ILB03N60 ILB03N60 Infineon Technologies INFNS07533-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 4.5A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILP03N60 ILP03N60 Infineon Technologies INFNS07428-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 4.5A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 10V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/100ns
Switching Energy: 12µJ (on), 20µJ (off)
Test Condition: 400V, 0.8A, 60Ohm, 10V
Gate Charge: 8.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 5.5 A
Power - Max: 27 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3 SPD03N60C3 Infineon Technologies Infineon-SPD03N60C3-DS-v02_06-NA.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDL04G65C5XUMA2 IDL04G65C5XUMA2 Infineon Technologies Infineon-IDL04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0143000fb94c146a Description: DIODE SIL CARB 650V 4A PGVSON4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDL04G65C5XUMA2 IDL04G65C5XUMA2 Infineon Technologies Infineon-IDL04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0143000fb94c146a Description: DIODE SIL CARB 650V 4A PGVSON4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.75 грн
10+134.99 грн
100+92.55 грн
500+69.80 грн
1000+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM818SCCXKMA1 IM818SCCXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IM818-SCC-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0165f9e925ca2ea1 Description: CIPOS MAXI 1200V 8A 24PWRDIP
Voltage: 1.2 kV
Current: 8 A
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Packaging: Tube
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1918.67 грн
14+1481.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF100P219-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d52df4b86 Description: MOSFET N-CH 100V TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.33 грн
25+201.45 грн
100+166.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1 IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF100P218-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d3eca4b83 Description: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 412 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 50 V
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.83 грн
25+317.23 грн
100+265.55 грн
500+210.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP150R07N3E4 Infineon Technologies INFNS28449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FP150R07 - IGBT MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP150R07N3E4_B11 Infineon Technologies INFNS28450-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FP150R07 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 430 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+13446.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD201-B2-03LRHE6327 Infineon Technologies INFN-S-A0000325460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSLP-3
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.1V (Typ), 10.2V (Typ)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 534811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5189+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 5189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT1400N18P55XPSA1 Infineon Technologies Infineon-STT1400N18P55-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc99a9775672 Description: THYR / DIODE MODULE DK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
65DN06B02ELEMXPSA1 65DN06B02ELEMXPSA1 Infineon Technologies Infineon-65DN06B02-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175079ef4d40391 Description: DIODE STD 600V 15130A BGDELEM1
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AC, K-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15130A
Supplier Device Package: BG-D-ELEM-1
Operating Temperature - Junction: 180°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8000 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 mA @ 600 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32551.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STT1900N18P55XPSA1 Infineon Technologies Infineon-STT1900N18P55-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc999c30566f Description: THYR / DIODE MODULE DK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T700N22TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T700N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712b084825402e Description: T700N22 - PHASE CONTROL THYRISTO
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T300N14TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T300N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128a5a8d27c0053 Description: SCR MODULE 1800V 400A DO200AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T300N16TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T300N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128a5a8d27c0053 Description: SCR MODULE 1800V 400A DO200AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T430N16TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T430N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd801286374f6a45325 Description: SCR MODULE 1800V 700A DO200AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T660N22TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T660N-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712afaeacd3fe7 Description: SCR MODULE 2600V 1500A DO200AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T660N26TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T660N-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712afaeacd3fe7 Description: SCR MODULE 2600V 1500A DO200AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F696KNPMC-G-SNERE2 MB95F696KNPMC-G-SNERE2 Infineon Technologies Prod_Selector_Guide_11-25-15.pdf Description: IC MCU 8BIT 36KB FLASH 48LQFP
RAM Size: 1K x 8
Program Memory Size: 36KB (36K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 45
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.88V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Processor: F²MC-8FX
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.10 грн
3000+25.94 грн
4500+25.36 грн
7500+23.19 грн
10500+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F696KNPMC-G-SNERE2 MB95F696KNPMC-G-SNERE2 Infineon Technologies Prod_Selector_Guide_11-25-15.pdf Description: IC MCU 8BIT 36KB FLASH 48LQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 45
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.88V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Processor: F²MC-8FX
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 1K x 8
Program Memory Size: 36KB (36K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.82 грн
10+39.92 грн
25+37.16 грн
100+31.11 грн
250+28.90 грн
500+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
41040324AWLXPSA1 Infineon Technologies Description: DIODE THYRISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO330N02KG Infineon Technologies INFNS27921-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 20µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1422+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 1422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LG IPP042N03LG Infineon Technologies INFNS16316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPP042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
на замовлення 71180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 695 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSG BSC042N03LSG Infineon Technologies INFNS27447-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSC042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N10S5L240ATMA1 IAUZ30N10S5L240ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUZ30N10S5L240-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62a9610dd8 Description: MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.54 грн
10+57.31 грн
100+37.93 грн
500+27.78 грн
1000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R07U1E4BPSA1 FP50R07U1E4BPSA1 Infineon Technologies FP50R07U1E4.pdf Description: IGBT MODULE 650V 75A 230W MODULE
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 230 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Three Phase Inverter
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+4074.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R17ME3GBOSA1 FF150R17ME3GBOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF150R17ME3G-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431441fb5d0114502cbb65039c Description: IGBT MOD 1700V 240A 1050W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 1050 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9087.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FD150R12RT4HOSA1 FD150R12RT4HOSA1 Infineon Technologies Infineon-FD150R12RT4-DS-v02_03-en_de.pdf?fileId=db3a3043271faefd01279a5e45e041b2 Description: FD150R12 - IGBT MODULE
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+3946.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF150R12RT4HOSA1 DF150R12RT4HOSA1 Infineon Technologies Infineon-DF150R12RT4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304327b89750012805d5d8646118 Description: IGBT MOD 1200V 150A 790W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 790 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Single Chopper
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+7198.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12KT4B11BOSA1 FS50R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS50R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a49630da90121 Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 280 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+5407.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF650R17IE4BOSA1 DF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-DF650R17IE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f1e5a664bbc Description: IGBT MOD 1700V 930A 4150W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 4150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 930 A
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23627.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R07N2E4B11BOSA1 FS50R07N2E4B11BOSA1 Infineon Technologies FS50R07N2E4_B11.pdf Description: IGBT MODULE 650V 70A 190W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 190 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+3873.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KT4B16BOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 100A 280W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6244.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1000R17IE4DB2S4BOSA2 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1700V 1390A AG-PRIME3-1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-PRIME3-1
Current - Collector (Ic) (Max): 1390 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1 BSZ033NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ033NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f1820c4931820 Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1 BSZ033NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ033NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f1820c4931820 Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 8435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.19 грн
10+60.52 грн
100+40.31 грн
500+29.69 грн
1000+27.08 грн
2000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-222005-EVAL CYBLE-222005-EVAL Infineon Technologies Infineon-CYBLE-222005-EVAL_EZ-BLE_PROC_EVALUATION_BOARD-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efab8ef10a2&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: DEVELOPMENT KIT CYBLE-222005
Packaging: Box
For Use With/Related Products: CYBLE-222005-00
Frequency: 2.4GHz
Type: Transceiver; Bluetooth® Smart 4.x Low Energy (BLE)
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+639.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSB 50510 E V1.3-G Infineon Technologies Description: IC TELECOM INTERFACE 256-LBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEAUMA1 IPD50R800CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50R800CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d424706c02c2 Description: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEAUMA1 IPD50R800CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50R800CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d424706c02c2 Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.69 грн
10+43.95 грн
100+30.44 грн
500+23.87 грн
1000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CE IPD50R2K0CE Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: N-CHANNEL POWER MOSFET CE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CE IPD50R800CE Infineon Technologies INFN-S-A0002220638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CE IPD50R500CE Infineon Technologies INFN-S-A0001300081-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPD50R500 - 500V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
на замовлення 116541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
792+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 792 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4935LHALA1 TLE4935LHALA1 Infineon Technologies Infineon-TLE49X5L-DataSheet-v01_05-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee80117549ac8b206b1 Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SSO-3-2
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 3-SSIP, SSO-3-02
Output Type: Open Collector
Polarization: South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.8V ~ 24V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 20mT Trip, -20mT Release
Current - Output (Max): 100mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-3-2
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4935LHALA1 TLE4935LHALA1 Infineon Technologies Infineon-TLE49X5L-DataSheet-v01_05-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee80117549ac8b206b1 Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SSO-3-2
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SSIP, SSO-3-02
Output Type: Open Collector
Polarization: South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.8V ~ 24V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 20mT Trip, -20mT Release
Current - Output (Max): 100mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-3-2
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8 Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8 Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.76 грн
10+57.23 грн
100+43.61 грн
500+32.23 грн
1000+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLI49655MXTSA1 TLI49655MXTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLI4965-5M-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac4015287edf0c127d3 Description: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SOT23-3
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: PG-SOT23-3
Current - Supply (Max): 2.5mA
Current - Output (Max): 5mA
Sensing Range: 10.4mT Trip, 2.8mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Function: Unipolar Switch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: South Pole
Output Type: Open Drain
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
14+21.42 грн
25+18.66 грн
50+17.70 грн
100+16.83 грн
500+14.84 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c9a8f861151
IAUC100N04S6L025ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.71 грн
10+65.89 грн
100+43.78 грн
500+32.21 грн
1000+29.35 грн
2000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK165N16LOFHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE VDRM 1600V 70A
Packaging: Bulk
Part Status: Discontinued at Digi-Key
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+17022.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK124N16RRBOSA1 INFN-S-A0005253096-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TDB6HK124N16RRBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.6KV 70A MODULE
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK240N16PBOSA1 Infineon-TDB6HK240N16P-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124ee1179a75223
TDB6HK240N16PBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.6KV 240A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 130°C (TJ)
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes
Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1800A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Current - On State (It (AV)) (Max): 140 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 240 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+9196.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRB21BOSA1 Infineon-TDB6HK180N16RR-DS-v02_00-en_cn.pdf?fileId=db3a304340f610c201410c3f12e4330c
Виробник: Infineon Technologies
Description: 1600VBRIDGE MODULE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+10177.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK165N16LOFHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE VDRM 1600V 70A
Packaging: Tray
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK360N16P Infineon-TDB6HK360N16P-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124ee13511f5228
Виробник: Infineon Technologies
Description: TDBXHK360 - BRIDGE RECTIFIER & A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N03LGATMA1 Infineon-IPP034N03L-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113d3c9730503e7
IPB034N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPS03N60C3AKMA1 SPS03N60C3AKMA1.pdf
SPS03N60C3AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3-11
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
454+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1 Infineon-IKD03N60RF-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d3978350068
IKD03N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.04 грн
10+66.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ILB03N60 INFNS07533-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ILB03N60
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT, 4.5A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILP03N60 INFNS07428-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ILP03N60
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT, 4.5A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 10V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/100ns
Switching Energy: 12µJ (on), 20µJ (off)
Test Condition: 400V, 0.8A, 60Ohm, 10V
Gate Charge: 8.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 5.5 A
Power - Max: 27 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3 Infineon-SPD03N60C3-DS-v02_06-NA.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b
SPD03N60C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDL04G65C5XUMA2 Infineon-IDL04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0143000fb94c146a
IDL04G65C5XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A PGVSON4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+63.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDL04G65C5XUMA2 Infineon-IDL04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0143000fb94c146a
IDL04G65C5XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A PGVSON4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+217.75 грн
10+134.99 грн
100+92.55 грн
500+69.80 грн
1000+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM818SCCXKMA1 Infineon-IM818-SCC-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0165f9e925ca2ea1
IM818SCCXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CIPOS MAXI 1200V 8A 24PWRDIP
Voltage: 1.2 kV
Current: 8 A
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Packaging: Tube
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1918.67 грн
14+1481.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 Infineon-IRF100P219-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d52df4b86
IRF100P219AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+360.33 грн
25+201.45 грн
100+166.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1 Infineon-IRF100P218-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d3eca4b83
IRF100P218AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 412 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 50 V
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+554.83 грн
25+317.23 грн
100+265.55 грн
500+210.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP150R07N3E4 INFNS28449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: FP150R07 - IGBT MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP150R07N3E4_B11 INFNS28450-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: FP150R07 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 430 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+13446.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD201-B2-03LRHE6327 INFN-S-A0000325460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSLP-3
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.1V (Typ), 10.2V (Typ)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 534811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5189+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 5189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT1400N18P55XPSA1 Infineon-STT1400N18P55-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc99a9775672
Виробник: Infineon Technologies
Description: THYR / DIODE MODULE DK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
65DN06B02ELEMXPSA1 Infineon-65DN06B02-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175079ef4d40391
65DN06B02ELEMXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE STD 600V 15130A BGDELEM1
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AC, K-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15130A
Supplier Device Package: BG-D-ELEM-1
Operating Temperature - Junction: 180°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8000 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 mA @ 600 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+32551.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STT1900N18P55XPSA1 Infineon-STT1900N18P55-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc999c30566f
Виробник: Infineon Technologies
Description: THYR / DIODE MODULE DK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T700N22TOFXPSA1 Infineon-T700N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712b084825402e
Виробник: Infineon Technologies
Description: T700N22 - PHASE CONTROL THYRISTO
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T300N14TOFXPSA1 Infineon-T300N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128a5a8d27c0053
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1800V 400A DO200AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T300N16TOFXPSA1 Infineon-T300N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128a5a8d27c0053
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1800V 400A DO200AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T430N16TOFXPSA1 Infineon-T430N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd801286374f6a45325
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1800V 700A DO200AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T660N22TOFXPSA1 Infineon-T660N-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712afaeacd3fe7
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 2600V 1500A DO200AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T660N26TOFXPSA1 Infineon-T660N-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712afaeacd3fe7
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 2600V 1500A DO200AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F696KNPMC-G-SNERE2 Prod_Selector_Guide_11-25-15.pdf
MB95F696KNPMC-G-SNERE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 36KB FLASH 48LQFP
RAM Size: 1K x 8
Program Memory Size: 36KB (36K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 45
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.88V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Processor: F²MC-8FX
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+28.10 грн
3000+25.94 грн
4500+25.36 грн
7500+23.19 грн
10500+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F696KNPMC-G-SNERE2 Prod_Selector_Guide_11-25-15.pdf
MB95F696KNPMC-G-SNERE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 36KB FLASH 48LQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 45
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.88V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Processor: F²MC-8FX
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 1K x 8
Program Memory Size: 36KB (36K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.82 грн
10+39.92 грн
25+37.16 грн
100+31.11 грн
250+28.90 грн
500+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
41040324AWLXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE THYRISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO330N02KG INFNS27921-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 20µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1422+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 1422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LG INFNS16316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP042N03LG
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
на замовлення 71180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 695 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSG INFNS27447-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC042N03LSG
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSC042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N10S5L240ATMA1 Infineon-IAUZ30N10S5L240-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62a9610dd8
IAUZ30N10S5L240ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.54 грн
10+57.31 грн
100+37.93 грн
500+27.78 грн
1000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R07U1E4BPSA1 FP50R07U1E4.pdf
FP50R07U1E4BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 75A 230W MODULE
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 230 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Three Phase Inverter
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+4074.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R17ME3GBOSA1 Infineon-FF150R17ME3G-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431441fb5d0114502cbb65039c
FF150R17ME3GBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 240A 1050W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 1050 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+9087.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FD150R12RT4HOSA1 Infineon-FD150R12RT4-DS-v02_03-en_de.pdf?fileId=db3a3043271faefd01279a5e45e041b2
FD150R12RT4HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: FD150R12 - IGBT MODULE
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+3946.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF150R12RT4HOSA1 Infineon-DF150R12RT4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304327b89750012805d5d8646118
DF150R12RT4HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 150A 790W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 790 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Single Chopper
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+7198.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12KT4B11BOSA1 Infineon-FS50R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a49630da90121
FS50R12KT4B11BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 280 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+5407.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF650R17IE4BOSA1 Infineon-DF650R17IE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f1e5a664bbc
DF650R17IE4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 930A 4150W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 4150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 930 A
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+23627.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R07N2E4B11BOSA1 FS50R07N2E4_B11.pdf
FS50R07N2E4B11BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 70A 190W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 190 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+3873.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KT4B16BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 100A 280W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+6244.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1000R17IE4DB2S4BOSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 1390A AG-PRIME3-1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-PRIME3-1
Current - Collector (Ic) (Max): 1390 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ033NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f1820c4931820
BSZ033NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ033NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f1820c4931820
BSZ033NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 8435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.19 грн
10+60.52 грн
100+40.31 грн
500+29.69 грн
1000+27.08 грн
2000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-222005-EVAL Infineon-CYBLE-222005-EVAL_EZ-BLE_PROC_EVALUATION_BOARD-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efab8ef10a2&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CYBLE-222005-EVAL
Виробник: Infineon Technologies
Description: DEVELOPMENT KIT CYBLE-222005
Packaging: Box
For Use With/Related Products: CYBLE-222005-00
Frequency: 2.4GHz
Type: Transceiver; Bluetooth® Smart 4.x Low Energy (BLE)
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+639.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSB 50510 E V1.3-G
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE 256-LBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEAUMA1 Infineon-IPD50R800CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d424706c02c2
IPD50R800CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEAUMA1 Infineon-IPD50R800CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d424706c02c2
IPD50R800CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.69 грн
10+43.95 грн
100+30.44 грн
500+23.87 грн
1000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CE Part_Number_Guide_Web.pdf
IPD50R2K0CE
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET CE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CE INFN-S-A0002220638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50R800CE
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CE INFN-S-A0001300081-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50R500CE
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPD50R500 - 500V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
на замовлення 116541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
792+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 792 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4935LHALA1 Infineon-TLE49X5L-DataSheet-v01_05-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee80117549ac8b206b1
TLE4935LHALA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SSO-3-2
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 3-SSIP, SSO-3-02
Output Type: Open Collector
Polarization: South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.8V ~ 24V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 20mT Trip, -20mT Release
Current - Output (Max): 100mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-3-2
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4935LHALA1 Infineon-TLE49X5L-DataSheet-v01_05-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee80117549ac8b206b1
TLE4935LHALA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SSO-3-2
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SSIP, SSO-3-02
Output Type: Open Collector
Polarization: South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.8V ~ 24V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 20mT Trip, -20mT Release
Current - Output (Max): 100mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-3-2
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8
IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8
IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.76 грн
10+57.23 грн
100+43.61 грн
500+32.23 грн
1000+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLI49655MXTSA1 Infineon-TLI4965-5M-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac4015287edf0c127d3
TLI49655MXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SOT23-3
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: PG-SOT23-3
Current - Supply (Max): 2.5mA
Current - Output (Max): 5mA
Sensing Range: 10.4mT Trip, 2.8mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Function: Unipolar Switch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: South Pole
Output Type: Open Drain
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
14+21.42 грн
25+18.66 грн
50+17.70 грн
100+16.83 грн
500+14.84 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050  [ Наступна Сторінка >> ]