Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149736) > Сторінка 396 з 2496

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 391 392 393 394 395 396 397 398 399 400 401 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2496  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC120N03LSG BSC120N03LSG Infineon Technologies INFNS27238-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N03S4L03ATMA1 IPB120N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB120N03S4L-03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a3606cf60466 Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+92.61 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC074N15NS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8032bc9a7092 Description: MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 136µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
на замовлення 4498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.04 грн
10+227.51 грн
100+162.16 грн
500+144.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PTAB182002TCV2XWSA1 Infineon Technologies Description: IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REFENGCOOLFAN1KWTOBO1 REFENGCOOLFAN1KWTOBO1 Infineon Technologies Infineon-1kW_Engine_Cooling_Fan_Reference_Design_Fact_Sheet-ProductBrief-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a0172ffa9a403738e Description: DEV KIT
Packaging: Bulk
Function: Power Supply
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+65784.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2GO3DTLI493DW2BWA0TOBO1 S2GO3DTLI493DW2BWA0TOBO1 Infineon Technologies Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d Description: DEV KIT
Packaging: Bulk
Interface: I2C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Sensor Type: Hall Effect
Utilized IC / Part: TLI493D
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes
Sensing Range: ±160mT
Part Status: Active
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1104.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42062GXUMA2 TLE42062GXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE4206-2G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3f58793f40 Description: IC MOTOR DRIVER 8V-18V 14DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 800mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 8V ~ 18V
Technology: Bipolar
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Grade: Automotive
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42062GXUMA2 TLE42062GXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE4206-2G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3f58793f40 Description: IC MOTOR DRIVER 8V-18V 14DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 800mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 8V ~ 18V
Technology: Bipolar
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Grade: Automotive
Part Status: Active
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.61 грн
10+112.56 грн
25+102.68 грн
100+86.14 грн
250+81.26 грн
500+78.32 грн
1000+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6433XTMA1 Infineon Technologies BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.76 грн
8000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6433XTMA1 Infineon Technologies BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.61 грн
10+41.84 грн
100+29.50 грн
500+21.91 грн
1000+19.84 грн
2000+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
62-1039PBF Infineon Technologies Description: IC MOSFET
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17-05WH6327 Infineon Technologies INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17-05E6327HTSA1 BAT17-05E6327HTSA1 Infineon Technologies INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17-06WE6327 BAT17-06WE6327 Infineon Technologies INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2834+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 2834
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17-06WH6327 BAT17-06WH6327 Infineon Technologies INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4157+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 4157
В кошику  од. на суму  грн.
BAT-17-07 BAT-17-07 Infineon Technologies INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MIXER DIODE, VHF TO UHF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Diode Type: Schottky - 2 Independent
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT143-4
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1707E6327HTSA1 BAT1707E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAT17-07-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017efcca5b420773 Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT143-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Diode Type: Schottky - 2 Independent
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 13203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.96 грн
21+15.83 грн
25+14.06 грн
100+11.38 грн
250+10.51 грн
500+9.99 грн
1000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17E6327 BAT17E6327 Infineon Technologies INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BAT17 - RF MIXER AND DETECTOR SC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1707E6327 Infineon Technologies Description: MIXER DIODE, VHF TO UHF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Diode Type: Schottky - 2 Independent
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN2FS Infineon Technologies Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD89N16KKHPSA1 DD89N16KKHPSA1 Infineon Technologies INFNS29284-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARRAY MOD 1200V 140A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLF11251EPXUMA1 TLF11251EPXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLF11251EP-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a01772419f728582d Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-PowerTSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.35V ~ 7V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-5
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 60ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 2.31V, 4.69V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A
Grade: Automotive
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.91 грн
10+157.19 грн
25+143.83 грн
100+121.18 грн
250+114.60 грн
500+110.64 грн
1000+105.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5201 TDA5201 Infineon Technologies TDA5201.pdf?t.download=true&amp;u=n9mhyd Description: ASK SINGLE CONVERSION RECEIVER
Features: RSSI Equipped
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sensitivity: -113dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz ~ 345MHz
Modulation or Protocol: ASK
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Alarm Systems, Communication Systems, Remote Control Systems
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Part Status: Active
на замовлення 40048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+99.27 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5201GEG TDA5201GEG Infineon Technologies Infineon-TDA5201-DS-v01_06-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e286e5c233cb3 Description: ASK SINGLE CONVERSION RECEIVER
Features: RSSI Equipped
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sensitivity: -113dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz ~ 345MHz
Modulation or Protocol: ASK
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Alarm Systems, Communication Systems
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Part Status: Active
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+125.78 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 80902 H V1.1 PEF 80902 H V1.1 Infineon Technologies PEF%2080902.pdf Description: IC TELECOM INTERFACE MQFP-44
Packaging: Tray
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Second Generation Modular
Interface: ISDN
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Supplier Device Package: P-MQFP-44
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16E6393 BAS16E6393 Infineon Technologies INFNS10853-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RECTIFIER DIODE
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16E6433HTMA1 BAS16E6433HTMA1 Infineon Technologies bas16series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141b93811b03ff Description: DIODE STANDARD 80V 250MA PGSOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
на замовлення 1579186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12878+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 12878
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12P2L6E6327XTSA1 BGS12P2L6E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce Description: IC RF SWITCH SPDT 6GHZ TSLP6-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPDT
RF Type: GSM, LTE, W-CDMA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.4V
Insertion Loss: 0.51dB
Frequency Range: 50MHz ~ 6GHz
Test Frequency: 5.925GHz
Isolation: 27dB
Supplier Device Package: PG-TSLP-6-4
IIP3: 74dBm
на замовлення 72573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.43 грн
15+21.88 грн
25+20.62 грн
100+17.69 грн
250+16.69 грн
500+15.98 грн
1000+15.06 грн
5000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRS26072DSTRPBF IRS26072DSTRPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 14705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+87.42 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2609DSTRPBF-INF IRS2609DSTRPBF-INF Infineon Technologies Description: IRS2609D - HALF-BRIDGE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9015QUXUMA1 TLE9015QUXUMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IC BATT BALANCER TQFP-48-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Balancer
Interface: UART
Supplier Device Package: PG-TQFP-48-11
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9015QUXUMA1 TLE9015QUXUMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IC BATT BALANCER TQFP-48-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Balancer
Interface: UART
Supplier Device Package: PG-TQFP-48-11
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PROFETMOTHERBRDTOBO1 PROFETMOTHERBRDTOBO1 Infineon Technologies Profet+_Demoboard_V14.pdf?fileId=5546d4614815da8801484091b947131c Description: MOTHERBOARD PROFET 12V/24V
Packaging: Box
Function: Automotive
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18879.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPOC2MOTHERBOARDTOBO1 SPOC2MOTHERBOARDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-SPOC_Application_UserManual-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163ee3784416c4c Description: SPOC+2 MOTHERBOARD
Packaging: Box
Function: Switch
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: Graphical User Interface (GUI)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18606.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21201-S7 TDA21201-S7 Infineon Technologies TDA21201.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR 30A TO220-7
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-7
Mounting Type: Through Hole
Interface: PWM
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 9V ~ 15V
Rds On (Typ): 4.8mOhm LS, 13.3mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 9V ~ 15V
Supplier Device Package: P-TO220-7-230
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Obsolete
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1 IPB120P04P404ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44 Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1 IPB120P04P404ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44 Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+97.51 грн
2000+92.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.04 грн
10+176.60 грн
100+123.72 грн
500+94.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44 Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.49 грн
2000+81.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44 Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.26 грн
10+152.34 грн
100+113.79 грн
500+93.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Infineon Technologies Infineon-IDD03SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127dcb296f11a53 Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.78 грн
10+93.15 грн
100+66.20 грн
500+49.59 грн
1000+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLT807B0EPVXUMA1 TLT807B0EPVXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLT807B0EPV-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c10aadbe33e93 Description: IC REG LIN POS ADJ 70MA TSDSO14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 70mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-1
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Current Limit, Enable
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 70mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLT807B0EPVXUMA1 TLT807B0EPVXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLT807B0EPV-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c10aadbe33e93 Description: IC REG LIN POS ADJ 70MA TSDSO14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 70mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-1
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Current Limit, Enable
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 70mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.17 грн
10+147.41 грн
25+139.05 грн
100+111.17 грн
250+104.39 грн
500+91.34 грн
1000+74.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XC2265N40F80LAAKXUMA1 XC2265N40F80LAAKXUMA1 Infineon Technologies INFNS28075-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC MCU 16/32B 320KB FLSH 100LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90P04P4L-04-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.31 грн
10+121.31 грн
100+83.41 грн
500+63.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40 Description: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 6247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.74 грн
10+70.96 грн
100+68.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-01 IPB180N03S4L-01 Infineon Technologies INFNS14088-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N03S203GATMA1 SPB80N03S203GATMA1 Infineon Technologies SP%28I%2CP%2CB%2980N03S2-03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+93.64 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-H0 IPB180N03S4L-H0 Infineon Technologies INFNS14089-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N03S4L-03 IPI80N03S4L-03 Infineon Technologies INFNS10791-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N03S4L-04 IPI80N03S4L-04 Infineon Technologies INFNS14810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L-03 IPB80N03S4L-03 Infineon Technologies INFNS14810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPB80N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGHKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPB023N04N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f000f097121 Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI023NE7N3G IPI023NE7N3G Infineon Technologies INFN-S-A0001299495-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+174.31 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
BAT24-02LSE6327 BAT24-02LSE6327 Infineon Technologies INFNS15702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTT 4V 110MA TSSLP-2-1
Packaging: Bulk
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.23pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Part Status: Active
Current - Max: 110 mA
Power Dissipation (Max): 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4019H-117PXKMA1 IRFI4019H-117PXKMA1 Infineon Technologies irfi4019h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623d74d1f6f Description: MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Part Status: Active
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.48 грн
50+111.08 грн
100+100.38 грн
500+76.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945LHALA1 TLE4945LHALA1 Infineon Technologies TLE49x5L.pdf Description: MAGNETIC SWITCH BIPOLAR 3SSO
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Box (TB)
Output Type: Open Collector
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Bipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 3.8V ~ 24V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±6mT Trip, ±10mT Release
Current - Output (Max): 100mA
Current - Supply (Max): 8mA
Test Condition: 25°C
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945LHALA1 TLE4945LHALA1 Infineon Technologies TLE49x5L.pdf Description: MAGNETIC SWITCH BIPOLAR 3SSO
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Output Type: Open Collector
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Bipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 3.8V ~ 24V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±6mT Trip, ±10mT Release
Current - Output (Max): 100mA
Current - Supply (Max): 8mA
Test Condition: 25°C
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CE Infineon Technologies Infineon-IPN50R3K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae0c05ad5 Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSG INFNS27238-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC120N03LSG
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N03S4L03ATMA1 Infineon-IPB120N03S4L-03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a3606cf60466
IPB120N03S4L03ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+92.61 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 Infineon-BSC074N15NS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8032bc9a7092
BSC074N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 136µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
на замовлення 4498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.04 грн
10+227.51 грн
100+162.16 грн
500+144.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PTAB182002TCV2XWSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REFENGCOOLFAN1KWTOBO1 Infineon-1kW_Engine_Cooling_Fan_Reference_Design_Fact_Sheet-ProductBrief-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a0172ffa9a403738e
REFENGCOOLFAN1KWTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DEV KIT
Packaging: Bulk
Function: Power Supply
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+65784.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2GO3DTLI493DW2BWA0TOBO1 Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d
S2GO3DTLI493DW2BWA0TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DEV KIT
Packaging: Bulk
Interface: I2C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Sensor Type: Hall Effect
Utilized IC / Part: TLI493D
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes
Sensing Range: ±160mT
Part Status: Active
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1104.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42062GXUMA2 Infineon-TLE4206-2G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3f58793f40
TLE42062GXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOTOR DRIVER 8V-18V 14DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 800mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 8V ~ 18V
Technology: Bipolar
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Grade: Automotive
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+73.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42062GXUMA2 Infineon-TLE4206-2G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3f58793f40
TLE42062GXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOTOR DRIVER 8V-18V 14DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 800mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 8V ~ 18V
Technology: Bipolar
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Grade: Automotive
Part Status: Active
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.61 грн
10+112.56 грн
25+102.68 грн
100+86.14 грн
250+81.26 грн
500+78.32 грн
1000+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1 BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f
BSP296NH6433XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+16.76 грн
8000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1 BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f
BSP296NH6433XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.61 грн
10+41.84 грн
100+29.50 грн
500+21.91 грн
1000+19.84 грн
2000+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
62-1039PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOSFET
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17-05WH6327 INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17-05E6327HTSA1 INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT17-05E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17-06WE6327 INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT17-06WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2834+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 2834
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17-06WH6327 INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT17-06WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4157+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 4157
В кошику  од. на суму  грн.
BAT-17-07 INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT-17-07
Виробник: Infineon Technologies
Description: MIXER DIODE, VHF TO UHF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Diode Type: Schottky - 2 Independent
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT143-4
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1707E6327HTSA1 Infineon-BAT17-07-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017efcca5b420773
BAT1707E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT143-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Diode Type: Schottky - 2 Independent
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 13203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.96 грн
21+15.83 грн
25+14.06 грн
100+11.38 грн
250+10.51 грн
500+9.99 грн
1000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17E6327 INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT17E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BAT17 - RF MIXER AND DETECTOR SC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1707E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: MIXER DIODE, VHF TO UHF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Diode Type: Schottky - 2 Independent
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN2FS
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD89N16KKHPSA1 INFNS29284-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
DD89N16KKHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY MOD 1200V 140A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLF11251EPXUMA1 Infineon-TLF11251EP-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a01772419f728582d
TLF11251EPXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-PowerTSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.35V ~ 7V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-5
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 60ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 2.31V, 4.69V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A
Grade: Automotive
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.91 грн
10+157.19 грн
25+143.83 грн
100+121.18 грн
250+114.60 грн
500+110.64 грн
1000+105.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5201 TDA5201.pdf?t.download=true&amp;u=n9mhyd
TDA5201
Виробник: Infineon Technologies
Description: ASK SINGLE CONVERSION RECEIVER
Features: RSSI Equipped
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sensitivity: -113dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz ~ 345MHz
Modulation or Protocol: ASK
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Alarm Systems, Communication Systems, Remote Control Systems
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Part Status: Active
на замовлення 40048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
213+99.27 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5201GEG Infineon-TDA5201-DS-v01_06-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e286e5c233cb3
TDA5201GEG
Виробник: Infineon Technologies
Description: ASK SINGLE CONVERSION RECEIVER
Features: RSSI Equipped
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sensitivity: -113dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz ~ 345MHz
Modulation or Protocol: ASK
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Alarm Systems, Communication Systems
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Part Status: Active
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
180+125.78 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 80902 H V1.1 PEF%2080902.pdf
PEF 80902 H V1.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE MQFP-44
Packaging: Tray
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Second Generation Modular
Interface: ISDN
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Supplier Device Package: P-MQFP-44
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16E6393 INFNS10853-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS16E6393
Виробник: Infineon Technologies
Description: RECTIFIER DIODE
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16E6433HTMA1 bas16series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141b93811b03ff
BAS16E6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE STANDARD 80V 250MA PGSOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
на замовлення 1579186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12878+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 12878
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12P2L6E6327XTSA1 Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce
BGS12P2L6E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SPDT 6GHZ TSLP6-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPDT
RF Type: GSM, LTE, W-CDMA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.4V
Insertion Loss: 0.51dB
Frequency Range: 50MHz ~ 6GHz
Test Frequency: 5.925GHz
Isolation: 27dB
Supplier Device Package: PG-TSLP-6-4
IIP3: 74dBm
на замовлення 72573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.43 грн
15+21.88 грн
25+20.62 грн
100+17.69 грн
250+16.69 грн
500+15.98 грн
1000+15.06 грн
5000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRS26072DSTRPBF fundamentals-of-power-semiconductors
IRS26072DSTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 14705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
270+87.42 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2609DSTRPBF-INF
IRS2609DSTRPBF-INF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRS2609D - HALF-BRIDGE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9015QUXUMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
TLE9015QUXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC BATT BALANCER TQFP-48-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Balancer
Interface: UART
Supplier Device Package: PG-TQFP-48-11
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9015QUXUMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
TLE9015QUXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC BATT BALANCER TQFP-48-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Balancer
Interface: UART
Supplier Device Package: PG-TQFP-48-11
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PROFETMOTHERBRDTOBO1 Profet+_Demoboard_V14.pdf?fileId=5546d4614815da8801484091b947131c
PROFETMOTHERBRDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOTHERBOARD PROFET 12V/24V
Packaging: Box
Function: Automotive
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18879.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPOC2MOTHERBOARDTOBO1 Infineon-SPOC_Application_UserManual-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163ee3784416c4c
SPOC2MOTHERBOARDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPOC+2 MOTHERBOARD
Packaging: Box
Function: Switch
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: Graphical User Interface (GUI)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18606.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21201-S7 TDA21201.pdf
TDA21201-S7
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 30A TO220-7
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-7
Mounting Type: Through Hole
Interface: PWM
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 9V ~ 15V
Rds On (Typ): 4.8mOhm LS, 13.3mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 9V ~ 15V
Supplier Device Package: P-TO220-7-230
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Obsolete
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1 Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44
IPB120P04P404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1 Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44
IPB120P04P404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f
IPB120P04P4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+97.51 грн
2000+92.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f
IPB120P04P4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.04 грн
10+176.60 грн
100+123.72 грн
500+94.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44
IPB120P04P404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+89.49 грн
2000+81.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44
IPB120P04P404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.26 грн
10+152.34 грн
100+113.79 грн
500+93.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 Infineon-IDD03SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127dcb296f11a53
IDD03SG60CXTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.78 грн
10+93.15 грн
100+66.20 грн
500+49.59 грн
1000+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLT807B0EPVXUMA1 Infineon-TLT807B0EPV-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c10aadbe33e93
TLT807B0EPVXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN POS ADJ 70MA TSDSO14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 70mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-1
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Current Limit, Enable
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 70mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLT807B0EPVXUMA1 Infineon-TLT807B0EPV-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c10aadbe33e93
TLT807B0EPVXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN POS ADJ 70MA TSDSO14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 70mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-1
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Current Limit, Enable
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 70mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.17 грн
10+147.41 грн
25+139.05 грн
100+111.17 грн
250+104.39 грн
500+91.34 грн
1000+74.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XC2265N40F80LAAKXUMA1 INFNS28075-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
XC2265N40F80LAAKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16/32B 320KB FLSH 100LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon-IPD90P04P4L-04-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee
IPD90P04P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.31 грн
10+121.31 грн
100+83.41 грн
500+63.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40
BSC052N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 6247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.74 грн
10+70.96 грн
100+68.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-01 INFNS14088-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB180N03S4L-01
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N03S203GATMA1 SP%28I%2CP%2CB%2980N03S2-03.pdf
SPB80N03S203GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
226+93.64 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-H0 INFNS14089-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB180N03S4L-H0
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N03S4L-03 INFNS10791-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPI80N03S4L-03
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N03S4L-04 INFNS14810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPI80N03S4L-04
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L-03 INFNS14810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB80N03S4L-03
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB80N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGHKSA1 Infineon-IPB023N04N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f000f097121
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI023NE7N3G INFN-S-A0001299495-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPI023NE7N3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
143+174.31 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
BAT24-02LSE6327 INFNS15702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT24-02LSE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTT 4V 110MA TSSLP-2-1
Packaging: Bulk
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.23pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Part Status: Active
Current - Max: 110 mA
Power Dissipation (Max): 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4019H-117PXKMA1 irfi4019h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623d74d1f6f
IRFI4019H-117PXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Part Status: Active
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.48 грн
50+111.08 грн
100+100.38 грн
500+76.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945LHALA1 TLE49x5L.pdf
TLE4945LHALA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH BIPOLAR 3SSO
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Box (TB)
Output Type: Open Collector
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Bipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 3.8V ~ 24V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±6mT Trip, ±10mT Release
Current - Output (Max): 100mA
Current - Supply (Max): 8mA
Test Condition: 25°C
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945LHALA1 TLE49x5L.pdf
TLE4945LHALA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH BIPOLAR 3SSO
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Output Type: Open Collector
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Bipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 3.8V ~ 24V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±6mT Trip, ±10mT Release
Current - Output (Max): 100mA
Current - Supply (Max): 8mA
Test Condition: 25°C
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CE Infineon-IPN50R3K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae0c05ad5
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 391 392 393 394 395 396 397 398 399 400 401 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2496  [ Наступна Сторінка >> ]