Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (122992) > Сторінка 397 з 2050

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 392 393 394 395 396 397 398 399 400 401 402 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSO615CGXUMA1 BSO615CGXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BSO615CG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b435049f6230 Description: MOSFET N/P-CH 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V, 460pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, 2V @ 450µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.09 грн
5000+35.76 грн
12500+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL8024GXUMA1 2EDL8024GXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDL8X2X-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401837ff6a7de184a Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-VDSON-8-4
Rise / Fall Time (Typ): 45ns, 45ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1 IQE013N04LM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE013N04LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01735298bd175b06 Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+67.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1 BSC0402NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0402NS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017015d4682a2212 Description: MOSFET N-CH 150V 80A TDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R170CFD7XTMA1 IPDD60R170CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R170CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c2e907f42b4 Description: MOSFET N-CH 600V 19A HDSOP-10
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1016 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IST007N04NM6AUMA1 IST007N04NM6AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IST007N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a0172eb7e0dfd741d Description: MOSFET N-CH 40V 54A/440A HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 440A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R090CFD7XTMA1 IPDD60R090CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c00c6f04251 Description: MOSFET N-CH 600V 33A HDSOP-10
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1747 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP212K1409XTMA1 KP212K1409XTMA1 Infineon Technologies Infineon-KP212K1409-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201754116ad5a5370 Description: SENSOR 16.68PSIA 4.65V DSOF8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.4 V ~ 4.65 V
Operating Pressure: 1.45PSI ~ 16.68PSI (10kPa ~ 115kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.3PSI (±2.07kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Port Style: No Port
Maximum Pressure: 21.76PSI (150kPa)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+198.02 грн
3000+185.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP212F1701XTMA1 KP212F1701XTMA1 Infineon Technologies Infineon-KP212F1701-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175410daf8b536d Description: SENSOR 16.68PSIA 4.5V DSOF8
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Maximum Pressure: 21.76PSI (150kPa)
Port Style: No Port
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Accuracy: ±0.29PSI (±2kPa)
Pressure Type: Absolute
Operating Pressure: 2.18PSI ~ 16.68PSI (15kPa ~ 115kPa)
Output: 0.5 V ~ 4.5 V
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Analog Voltage
Package / Case: 8-SMD Module
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7XTMA1 IPT60R045CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R045CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a61cc30ec Description: MOSFET N-CH 600V 52A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+223.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDFW80C65D1XKSA1 IDFW80C65D1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDFW80C65D1-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174da579c702296 Description: DIODE ARR GP 650V 74A TO247-3-AI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 74A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 74A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP88L6327 BSP88L6327 Infineon Technologies INFNS13392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS05N03LA G IPS05N03LA G Infineon Technologies IP(D,F,S,U)05N03LA_G.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS05N03LB G IPS05N03LB G Infineon Technologies IPD05N03LB_v1.7_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI540N IRLI540N Infineon Technologies Infineon-IRLI540N-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535664018125c1 Description: MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6433 BSP320SL6433 Infineon Technologies INFNS15379-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
945+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 945 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6327 BSP320SL6327 Infineon Technologies INFNS15379-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1385+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 1385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320S E6327 BSP320S E6327 Infineon Technologies dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433b47825b013b515cf1f42949 Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320S E6433 BSP320S E6433 Infineon Technologies dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433b47825b013b515cf1f42949 Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSG BSC025N03MSG Infineon Technologies INFNS16143-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSC025N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1 BSC025N08LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC025N08LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46568213e4 Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1 BSC025N08LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC025N08LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46568213e4 Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.33 грн
10+150.36 грн
25+142.05 грн
100+122.55 грн
250+116.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAFC165L25FHAFXUMA1 SAFC165L25FHAFXUMA1 Infineon Technologies INFNS21451-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LEGACY 16-BIT MCU
Number of I/O: 77
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TQFP-100
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: ASC, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Speed: 25MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-LQFP
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1301T038F0032ABXUMA1 XMC1301T038F0032ABXUMA1 Infineon Technologies infineon-xmc1300-ab-datasheet-en.pdf Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 38TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38-9
Part Status: Active
Number of I/O: 26
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICLS8082G Infineon Technologies INFNS15472-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LED DRIVER
Voltage - Supply (Max): 10.5V
Voltage - Supply (Min): 26V
Dimming: PWM
Supplier Device Package: PG-DSO-16
Topology: Flyback
Internal Switch(s): Yes
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Type: AC DC Offline Switcher
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+109.26 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T IKP20N60T Infineon Technologies INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IKP20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 166 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Part Status: Active
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65SS5XKSA1 IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65SS5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc288d0031be Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 240µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+903.54 грн
30+526.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF 101D324.1 750 Infineon Technologies IRSDS11475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF3710 - 100V N-CHANNEL POWER M
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILD8150XUMA1 ILD8150XUMA1 Infineon Technologies Infineon-Datasheet_ILD8150_ILD8150E-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169ba96613f4c20 Description: IC LED DRVR RGLTR PWM 1.5A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 2MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 1.5A
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 8V
Voltage - Supply (Max): 80V
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ILD8150XUMA1 ILD8150XUMA1 Infineon Technologies Infineon-Datasheet_ILD8150_ILD8150E-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169ba96613f4c20 Description: IC LED DRVR RGLTR PWM 1.5A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 2MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 1.5A
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 8V
Voltage - Supply (Max): 80V
Part Status: Active
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.34 грн
10+84.17 грн
25+76.44 грн
100+63.78 грн
250+59.99 грн
500+57.70 грн
1000+54.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ILD8150EXUMA1 ILD8150EXUMA1 Infineon Technologies Infineon-Datasheet_ILD8150_ILD8150E-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169ba96613f4c20 Description: IC LED DRVR RGLTR PWM 1.5A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 2MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 1.5A
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 8V
Voltage - Supply (Max): 80V
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ILD8150EXUMA1 ILD8150EXUMA1 Infineon Technologies Infineon-Datasheet_ILD8150_ILD8150E-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169ba96613f4c20 Description: IC LED DRVR RGLTR PWM 1.5A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 2MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 1.5A
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 8V
Voltage - Supply (Max): 80V
Part Status: Active
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.29 грн
10+71.71 грн
25+65.07 грн
100+54.23 грн
250+50.97 грн
500+49.00 грн
1000+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSG BSC080N03MSG Infineon Technologies INFNS27229-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSC080N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R090CFD7ATMA1 IPB60R090CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2452db11936 Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.06 грн
10+240.65 грн
100+171.99 грн
500+133.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R090CFD7XTMA1 IPDD60R090CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c00c6f04251 Description: MOSFET N-CH 600V 33A HDSOP-10
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1747 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.04 грн
10+230.88 грн
100+166.52 грн
500+148.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R090CFD7XTMA1 IPT60R090CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R090CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a47e630e9 Description: MOSFET N-CH 600V 28A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R090CFD7XTMA1 IPT60R090CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R090CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a47e630e9 Description: MOSFET N-CH 600V 28A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.08 грн
10+215.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSO4804HUMA2 BSO4804HUMA2 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
886+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 886 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3G IPB031NE7N3G Infineon Technologies INFNS16278-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPB031NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3GATMA1 IPB031NE7N3GATMA1 Infineon Technologies INFNS16278-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3-2
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IE4PNOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 600A 3350W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 3350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28721.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4VBOSA1 FF600R12IP4VBOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF600R12IP4V-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=5546d46145f1f3a40145f5704bb30790 Description: IGBT MOD 1200V 600A 3350W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 3350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31978.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R12HP4B9HOSA2 FZ1800R12HP4B9HOSA2 Infineon Technologies Infineon-FZ1800R12HP4_B9-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304320d39d590121f8be7d8b202f Description: IGBT MODULE 1200V 2700A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1800A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 10500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 110 nF @ 25 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+74172.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ2400R12HP4B9HOSA2 FZ2400R12HP4B9HOSA2 Infineon Technologies Infineon-FZ2400R12HP4_B9-DS-v02_04-en_de.pdf?fileId=db3a3043163797a60116574780fd0806 Description: IGBT MOD 1200V 3550A 13500W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 2400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3550 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 13500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+76195.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies INFNS22466-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MODULE 1200V 1700A 5600W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1.2kA
NTC Thermistor: No
Current - Collector (Ic) (Max): 1700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 5600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 86 nF @ 25 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+56813.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9034NB Infineon Technologies Description: MOSFET 55V 19A DIE
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14MB064Q1A-SXI CY14MB064Q1A-SXI Infineon Technologies download Description: IC NVSRAM 64KBIT SPI 40MHZ 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Clock Frequency: 40 MHz
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+258.03 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B256L-SP45XIT CY14B256L-SP45XIT Infineon Technologies CY14B256L_RevI.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 48SSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 48-SSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+410.08 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC48RELAXECATV1TOBO1 KITXMC48RELAXECATV1TOBO1 Infineon Technologies Infineon-XMC4700-XMC4800-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151908ea8db00b3 Description: RELAX ETHERCAT KIT XMC4800 EVAL
Packaging: Bulk
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Board Type: Evaluation Platform
Utilized IC / Part: XMC4800
Platform: Relax EtherCAT Kit
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S3L-04IN IPP100N06S3L-04IN Infineon Technologies IPBIPN06S3L-04.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+53.13 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S205AKSA1 IPP100N06S205AKSA1 Infineon Technologies IPB%2CIPP100N06S2-05.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2-09 IPP80N06S2-09 Infineon Technologies INFNS09526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPP80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2-H5 IPP80N06S2-H5 Infineon Technologies INFNS09558-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPP80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B128Q-SXE CY15B128Q-SXE Infineon Technologies Infineon-CY15B128Q-SXE-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee807ad70f9 Description: IC FRAM 128KBIT SPI 40MHZ 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 40 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 16K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+595.13 грн
10+527.05 грн
25+516.05 грн
50+482.62 грн
100+433.06 грн
250+419.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.32 грн
6000+31.71 грн
9000+30.53 грн
15000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
на замовлення 27197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.41 грн
10+79.55 грн
100+53.39 грн
500+39.59 грн
1000+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE92108231QXXUMA1 TLE92108231QXXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE92108-231QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d01749b323e140979 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 48VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 6V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 950 V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 100mA, 100mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.17 грн
10+184.16 грн
25+168.97 грн
100+142.91 грн
250+135.43 грн
500+130.93 грн
1000+125.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE92108232QXXUMA1 TLE92108232QXXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE92108-232QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d01749b3138d607ed Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 48VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 6V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 950 V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 100mA, 100mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.35 грн
10+171.25 грн
25+157.18 грн
100+132.96 грн
250+126.02 грн
500+121.84 грн
1000+116.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBM99010/23QSAP1A Infineon Technologies Description: INFINEON PBM99010/23QS - SSO28-5
Packaging: Bulk
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+121.18 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBM99010/23QSA Infineon Technologies Description: INFINEON PBM99010/23QS - SSO28-4
Packaging: Bulk
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+121.18 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO615CGXUMA1 Infineon-BSO615CG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b435049f6230
BSO615CGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V, 460pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, 2V @ 450µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.09 грн
5000+35.76 грн
12500+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL8024GXUMA1 Infineon-2EDL8X2X-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401837ff6a7de184a
2EDL8024GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-VDSON-8-4
Rise / Fall Time (Typ): 45ns, 45ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1 Infineon-IQE013N04LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01735298bd175b06
IQE013N04LM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+67.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1 Infineon-BSC0402NS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017015d4682a2212
BSC0402NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 80A TDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R170CFD7XTMA1 Infineon-IPDD60R170CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c2e907f42b4
IPDD60R170CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 19A HDSOP-10
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1016 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IST007N04NM6AUMA1 Infineon-IST007N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a0172eb7e0dfd741d
IST007N04NM6AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 54A/440A HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 440A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R090CFD7XTMA1 Infineon-IPDD60R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c00c6f04251
IPDD60R090CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 33A HDSOP-10
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1747 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP212K1409XTMA1 Infineon-KP212K1409-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201754116ad5a5370
KP212K1409XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR 16.68PSIA 4.65V DSOF8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.4 V ~ 4.65 V
Operating Pressure: 1.45PSI ~ 16.68PSI (10kPa ~ 115kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.3PSI (±2.07kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Port Style: No Port
Maximum Pressure: 21.76PSI (150kPa)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+198.02 грн
3000+185.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP212F1701XTMA1 Infineon-KP212F1701-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175410daf8b536d
KP212F1701XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR 16.68PSIA 4.5V DSOF8
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Maximum Pressure: 21.76PSI (150kPa)
Port Style: No Port
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Accuracy: ±0.29PSI (±2kPa)
Pressure Type: Absolute
Operating Pressure: 2.18PSI ~ 16.68PSI (15kPa ~ 115kPa)
Output: 0.5 V ~ 4.5 V
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Analog Voltage
Package / Case: 8-SMD Module
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7XTMA1 Infineon-IPT60R045CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a61cc30ec
IPT60R045CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 52A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+223.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDFW80C65D1XKSA1 Infineon-IDFW80C65D1-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174da579c702296
IDFW80C65D1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR GP 650V 74A TO247-3-AI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 74A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 74A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP88L6327 INFNS13392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP88L6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS05N03LA G IP(D,F,S,U)05N03LA_G.pdf
IPS05N03LA G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS05N03LB G IPD05N03LB_v1.7_G.pdf
IPS05N03LB G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI540N Infineon-IRLI540N-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535664018125c1
IRLI540N
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6433 INFNS15379-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP320SL6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
945+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 945 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6327 INFNS15379-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP320SL6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1385+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 1385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320S E6327 dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433b47825b013b515cf1f42949
BSP320S E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320S E6433 dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433b47825b013b515cf1f42949
BSP320S E6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSG INFNS16143-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC025N03MSG
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSC025N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1 Infineon-BSC025N08LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46568213e4
BSC025N08LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1 Infineon-BSC025N08LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46568213e4
BSC025N08LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.33 грн
10+150.36 грн
25+142.05 грн
100+122.55 грн
250+116.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAFC165L25FHAFXUMA1 INFNS21451-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAFC165L25FHAFXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LEGACY 16-BIT MCU
Number of I/O: 77
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TQFP-100
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: ASC, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Speed: 25MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-LQFP
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1301T038F0032ABXUMA1 infineon-xmc1300-ab-datasheet-en.pdf
XMC1301T038F0032ABXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 38TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38-9
Part Status: Active
Number of I/O: 26
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICLS8082G INFNS15472-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: LED DRIVER
Voltage - Supply (Max): 10.5V
Voltage - Supply (Min): 26V
Dimming: PWM
Supplier Device Package: PG-DSO-16
Topology: Flyback
Internal Switch(s): Yes
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Type: AC DC Offline Switcher
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
213+109.26 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IKP20N60T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IKP20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 166 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Part Status: Active
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon-IKZA75N65SS5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc288d0031be
IKZA75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 240µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+903.54 грн
30+526.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF 101D324.1 750 IRSDS11475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRF3710 - 100V N-CHANNEL POWER M
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILD8150XUMA1 Infineon-Datasheet_ILD8150_ILD8150E-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169ba96613f4c20
ILD8150XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRVR RGLTR PWM 1.5A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 2MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 1.5A
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 8V
Voltage - Supply (Max): 80V
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ILD8150XUMA1 Infineon-Datasheet_ILD8150_ILD8150E-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169ba96613f4c20
ILD8150XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRVR RGLTR PWM 1.5A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 2MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 1.5A
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 8V
Voltage - Supply (Max): 80V
Part Status: Active
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.34 грн
10+84.17 грн
25+76.44 грн
100+63.78 грн
250+59.99 грн
500+57.70 грн
1000+54.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ILD8150EXUMA1 Infineon-Datasheet_ILD8150_ILD8150E-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169ba96613f4c20
ILD8150EXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRVR RGLTR PWM 1.5A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 2MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 1.5A
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 8V
Voltage - Supply (Max): 80V
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ILD8150EXUMA1 Infineon-Datasheet_ILD8150_ILD8150E-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169ba96613f4c20
ILD8150EXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRVR RGLTR PWM 1.5A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 2MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 1.5A
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 8V
Voltage - Supply (Max): 80V
Part Status: Active
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.29 грн
10+71.71 грн
25+65.07 грн
100+54.23 грн
250+50.97 грн
500+49.00 грн
1000+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSG INFNS27229-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC080N03MSG
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSC080N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R090CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2452db11936
IPB60R090CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+375.06 грн
10+240.65 грн
100+171.99 грн
500+133.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R090CFD7XTMA1 Infineon-IPDD60R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c00c6f04251
IPDD60R090CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 33A HDSOP-10
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1747 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+320.04 грн
10+230.88 грн
100+166.52 грн
500+148.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R090CFD7XTMA1 Infineon-IPT60R090CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a47e630e9
IPT60R090CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 28A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R090CFD7XTMA1 Infineon-IPT60R090CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a47e630e9
IPT60R090CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 28A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+337.08 грн
10+215.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSO4804HUMA2 fundamentals-of-power-semiconductors
BSO4804HUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
886+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 886 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3G INFNS16278-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB031NE7N3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB031NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3GATMA1 INFNS16278-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB031NE7N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3-2
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IE4PNOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 600A 3350W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 3350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28721.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4VBOSA1 Infineon-FF600R12IP4V-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=5546d46145f1f3a40145f5704bb30790
FF600R12IP4VBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 600A 3350W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 3350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+31978.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R12HP4B9HOSA2 Infineon-FZ1800R12HP4_B9-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304320d39d590121f8be7d8b202f
FZ1800R12HP4B9HOSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 2700A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1800A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 10500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 110 nF @ 25 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+74172.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ2400R12HP4B9HOSA2 Infineon-FZ2400R12HP4_B9-DS-v02_04-en_de.pdf?fileId=db3a3043163797a60116574780fd0806
FZ2400R12HP4B9HOSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 3550A 13500W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 2400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3550 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 13500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+76195.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1200R12KE3NOSA1 INFNS22466-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1700A 5600W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1.2kA
NTC Thermistor: No
Current - Collector (Ic) (Max): 1700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 5600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 86 nF @ 25 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+56813.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9034NB
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 55V 19A DIE
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14MB064Q1A-SXI download
CY14MB064Q1A-SXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 64KBIT SPI 40MHZ 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Clock Frequency: 40 MHz
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+258.03 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B256L-SP45XIT CY14B256L_RevI.pdf
CY14B256L-SP45XIT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 48SSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 48-SSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
54+410.08 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC48RELAXECATV1TOBO1 Infineon-XMC4700-XMC4800-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151908ea8db00b3
KITXMC48RELAXECATV1TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RELAX ETHERCAT KIT XMC4800 EVAL
Packaging: Bulk
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Board Type: Evaluation Platform
Utilized IC / Part: XMC4800
Platform: Relax EtherCAT Kit
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S3L-04IN IPBIPN06S3L-04.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
IPP100N06S3L-04IN
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+53.13 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S205AKSA1 IPB%2CIPP100N06S2-05.pdf
IPP100N06S205AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2-09 INFNS09526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP80N06S2-09
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2-H5 INFNS09558-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP80N06S2-H5
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B128Q-SXE Infineon-CY15B128Q-SXE-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee807ad70f9
CY15B128Q-SXE
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FRAM 128KBIT SPI 40MHZ 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 40 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 16K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+595.13 грн
10+527.05 грн
25+516.05 грн
50+482.62 грн
100+433.06 грн
250+419.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c
IPN95R1K2P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+35.32 грн
6000+31.71 грн
9000+30.53 грн
15000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c
IPN95R1K2P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
на замовлення 27197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.41 грн
10+79.55 грн
100+53.39 грн
500+39.59 грн
1000+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE92108231QXXUMA1 Infineon-TLE92108-231QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d01749b323e140979
TLE92108231QXXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 48VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 6V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 950 V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 100mA, 100mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.17 грн
10+184.16 грн
25+168.97 грн
100+142.91 грн
250+135.43 грн
500+130.93 грн
1000+125.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE92108232QXXUMA1 Infineon-TLE92108-232QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d01749b3138d607ed
TLE92108232QXXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 48VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 6V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 950 V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 100mA, 100mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.35 грн
10+171.25 грн
25+157.18 грн
100+132.96 грн
250+126.02 грн
500+121.84 грн
1000+116.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBM99010/23QSAP1A
Виробник: Infineon Technologies
Description: INFINEON PBM99010/23QS - SSO28-5
Packaging: Bulk
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+121.18 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBM99010/23QSA
Виробник: Infineon Technologies
Description: INFINEON PBM99010/23QS - SSO28-4
Packaging: Bulk
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+121.18 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 392 393 394 395 396 397 398 399 400 401 402 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050  [ Наступна Сторінка >> ]