Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148601) > Сторінка 417 з 2477

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 412 413 414 415 416 417 418 419 420 421 422 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PEF22812ELV2.2 Infineon Technologies Description: IC LINE DRIVER CHIP
Packaging: Bulk
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+1327.76 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
KP214E3022XTMA1 Infineon Technologies Description: INTEGRATED PRESSURE SENS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH20N65WR6XKSA1 IKWH20N65WR6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH20N65WR6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce6381926fd1 Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.76 грн
30+124.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH70N65WR6XKSA1 IKWH70N65WR6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH70N65WR6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce63d1626fe1 Description: IGBT TRENCH FS 650V 122A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/378ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 400V, 70A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 269 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 122 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.77 грн
30+213.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A050T5UE0001XUMA1 TLI4971A050T5UE0001XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09 Description: SENSOR CURRENT HALL 50A 8TISON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 24mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 50A
Supplier Device Package: PG-TISON-8-5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.68 грн
5+260.38 грн
10+249.07 грн
25+221.12 грн
50+212.49 грн
100+204.60 грн
500+185.61 грн
1000+184.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N10NSFG BSC152N10NSFG Infineon Technologies INFNS16198-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
на замовлення 9249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+92.34 грн
Мінімальне замовлення: 247
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSG BSC118N10NSG Infineon Technologies INFNS16721-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R12W1T7PB3BPSA1 FP10R12W1T7PB3BPSA1 Infineon Technologies Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3614.59 грн
10+3101.15 грн
30+2916.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R12YT3BOMA1 Infineon Technologies Description: MOD IGBT LOW PWR EASY2-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R12YT3B4BOMA1 Infineon Technologies Description: MOD IGBT LOW PWR EASY2-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KT4_B15 Infineon Technologies INFNS28465-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FP25R12 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2-5-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 160 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+4259.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T7B11BPSA1 FP25R12W2T7B11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP25R12W2T7_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f1861a4f72e6 Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3395.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KT3BPSA1 FP25R12KT3BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP25R12KT3-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4316c90543e Description: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2-8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 105 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.8 nF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5981.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KS4CBOSA1 FP25R12KS4CBOSA1 Infineon Technologies Infineon-FP25R12KS4C-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a5e6516d Description: IGBT MOD 1200V 40A 230W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 230 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGC75B60KB Infineon Technologies Short_Form_Cat_2016.pdf Description: IGBT CHIP
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0704LSATMA1 BSZ0704LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ0704LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708b9036f31424 Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0704LSATMA1 BSZ0704LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ0704LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708b9036f31424 Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1 BSZ0703LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ0703LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff09a5e344f7e Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC1766192F80HLBDKXUMA1 TC1766192F80HLBDKXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TC1766-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b409ae7c0343&fileId=db3a304313553140011368a9b40e0224&ack=t Description: IC MCU 32BIT 1.5MB FLASH 176LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 1.5MB (1.5M x 8)
RAM Size: 108K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 2x10b, 32x8b/10b/12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-176-2
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Number of I/O: 81
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO072N03S BSO072N03S Infineon Technologies BSO072N03S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+36.75 грн
Мінімальне замовлення: 626
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4263GMXUMA2 TLE4263GMXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE4263-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928df213dcf Description: IC REG LIN 5V 200MA PG-DSO-14-61
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-61
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset, Wake-Up, Watchdog
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 23 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.16 грн
10+114.60 грн
25+104.52 грн
100+87.71 грн
250+82.76 грн
500+79.77 грн
1000+76.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE94112ESRPIHATTOBO1 TLE94112ESRPIHATTOBO1 Infineon Technologies Infineon-DC-Motor-Shield-with-TLE94112-User-Manual-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277fc743901783fec6bf220b7 Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 24TSDSO
Features: Charge Pump
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (12)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 1.3Ohm LS, 1.3Ohm HS
Applications: DC Motors, General Purpose
Voltage - Load: 3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24
Fault Protection: Current Limiting, Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2689.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR21771SPBF-INF IR21771SPBF-INF Infineon Technologies Description: IC CURRENT SENSE 16SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Sense
Voltage - Input: 8V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+343.07 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
IR2172PBF IR2172PBF Infineon Technologies IR2171%2C2172%2CS.pdf Description: IC CURRENT SENSE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Function: Current Sense
Voltage - Input: 9.5V ~ 20V
Current - Output: 20mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Supplier Device Package: 8-PDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21726S IR21726S Infineon Technologies ir2171.pdf Description: IC CURRENT SENSE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Sense
Voltage - Input: 9.5V ~ 20V
Current - Output: 20mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC4400DCV1TOBO1 KITXMC4400DCV1TOBO1 Infineon Technologies Board_Users_Manual_DriveCard_XMC4400_R1%200.pdf?fileId=db3a3043427ac3e201427f46ec9b2626 Description: EVAL KIT XMC4400
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Board Type: Evaluation Platform
Utilized IC / Part: XMC4400
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10325.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1 IPT60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R055CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df33482f3176 Description: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1 IPT60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R055CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df33482f3176 Description: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.92 грн
10+334.46 грн
100+243.95 грн
500+197.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGS22WL10E6327XTSA1 BGS22WL10E6327XTSA1 Infineon Technologies BGS22WL10.pdf Description: IC RF SWITCH DPDT 3GHZ TSLP10-1
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-XFQFN
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: DPDT
RF Type: General Purpose
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Insertion Loss: 0.45dB
Frequency Range: 100MHz ~ 3GHz
Topology: Reflective
Test Frequency: 2.69GHz
Isolation: 24dB
Supplier Device Package: TSLP-10-1
на замовлення 9491710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1385+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 1385
В кошику  од. на суму  грн.
BGS22WL10E6327XTSA1020 Infineon Technologies INFNS27432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC RF SWITCH DPDT 3GHZ TSLP10-1
Packaging: Bulk
Features: Single/Dual Line Control
Package / Case: 10-XFQFN
Impedance: 50Ohm
Circuit: DPDT
RF Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Insertion Loss: 0.48dB
Frequency Range: 100MHz ~ 3GHz
P1dB: 34dBm
Test Frequency: 2.69GHz
Isolation: 28dB
Supplier Device Package: TSLP-10-1
Part Status: Active
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1519+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 1519
В кошику  од. на суму  грн.
PMA7110XUMA1 PMA7110XUMA1 Infineon Technologies PMA71xx.pdf Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 38TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz
Memory Size: 6kB Flash, 12kB ROM, 256B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.9V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Data Rate (Max): 32kbps
Current - Transmitting: 8.9mA ~ 17.1mA
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38
GPIO: 10
Modulation: ASK, FSK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+117.32 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
BTT60501ERAXUMA1 BTT60501ERAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTT6050-1ERA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a21fa5b7a0d8a Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TDSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 36V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TDSO-14-11
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.18 грн
10+131.49 грн
25+120.18 грн
100+101.10 грн
250+95.52 грн
500+92.15 грн
1000+87.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3 Infineon Technologies INFNS28360-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12MT4 Infineon Technologies INFNS28359-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD-2-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 295 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3S4HOSA1 FF200R17KE3S4HOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF200R17KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043293a15c401293a9dbf5e0018 Description: IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9702.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1623KV18-250BZXC CY7C1623KV18-250BZXC Infineon Technologies download Description: IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+18487.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CLED164-28PVXI Infineon Technologies Description: PROGRAMMABLE SYSTEM ON A CHIP
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+562.29 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SIGC12T60NCX1SA1 Infineon Technologies SIGC12T60NC_ed2_11-28-03.pdf Description: IGBT 3 CHIP 600V WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/110ns
Test Condition: 300V, 10A, 27Ohm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11TFV010 S29GL01GT11TFV010 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL8023GXUMA1 2EDL8023GXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDL8X2X-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401837ff6a7de184a Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-VDSON-8-4
Rise / Fall Time (Typ): 45ns, 45ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL8023GXUMA1 2EDL8023GXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDL8X2X-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401837ff6a7de184a Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-VDSON-8-4
Rise / Fall Time (Typ): 45ns, 45ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.56 грн
10+76.98 грн
25+69.84 грн
100+58.17 грн
250+54.64 грн
500+52.52 грн
1000+49.94 грн
2500+48.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL8024GXUMA1 2EDL8024GXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDL8X2X-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401837ff6a7de184a Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-VDSON-8-4
Rise / Fall Time (Typ): 45ns, 45ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.17 грн
10+94.95 грн
25+86.36 грн
100+72.18 грн
250+67.95 грн
500+65.41 грн
1000+62.27 грн
2500+60.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FD600R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies INFNS28320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FD600R17 - IGBT MODULE
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DTRPBF IRFR13N15DTRPBF Infineon Technologies irfr13n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d4bbc205a Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP129N10NF2SAKMA1 IPP129N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP129N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa66e3e00005 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.52 грн
50+68.79 грн
100+64.71 грн
500+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R07ME4B11BPSA1 FF300R07ME4B11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FF300R07ME4_B11-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304335113a6301351a6442bd624d Description: MEDIUM POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 390 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7784.91 грн
10+6230.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N08S405ATMA1 IPD90N08S405ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.57 грн
10+115.21 грн
100+79.55 грн
500+63.18 грн
1000+58.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1 IQE013N04LM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE013N04LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01735298bd175b06 Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 8968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.45 грн
10+125.83 грн
100+96.06 грн
500+72.82 грн
1000+63.12 грн
2000+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGATMA1 IQE013N04LM6CGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE013N04LM6CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01735298d3705b09 Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGATMA1 IQE013N04LM6CGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE013N04LM6CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01735298d3705b09 Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.71 грн
10+125.15 грн
100+89.73 грн
500+69.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ063N04LS6ATMA1 BSZ063N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ063N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd2c3cd94829 Description: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ063N04LS6ATMA1 BSZ063N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ063N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd2c3cd94829 Description: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
на замовлення 4479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.19 грн
10+44.19 грн
25+41.68 грн
100+35.81 грн
250+33.84 грн
500+32.44 грн
1000+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12KE3BOMA1 Infineon Technologies Description: MOD IGBT LOW PWR EASY2-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16E1210XUMA1 TLE5009A16E1210XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE5x09A16_D-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf12016977889fe858c9 Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-TDSO-16-1
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Output Signal: Cosine, Sine
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16E1210XUMA1 TLE5009A16E1210XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE5x09A16_D-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf12016977889fe858c9 Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-TDSO-16-1
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Output Signal: Cosine, Sine
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.98 грн
5+249.22 грн
10+238.44 грн
25+211.62 грн
50+203.31 грн
100+195.70 грн
500+177.46 грн
1000+171.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA2 IPB80P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon-I80P03P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e95eb827d7 Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L04ATMA2 IPB80P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80P04P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783241fb2e2a Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+99.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L04ATMA2 IPB80P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80P04P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783241fb2e2a Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.35 грн
10+172.85 грн
100+139.89 грн
500+116.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUZ18N10S5L420-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a629e850dd5 Description: MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BFP490E6327 Infineon Technologies SIEMS00586-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 4.5V 17.5GHZ SCD80-2
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-80
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 200mA, 3V
Frequency - Transition: 17.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SCD80-2
Part Status: Active
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+57.85 грн
Мінімальне замовлення: 379
В кошику  од. на суму  грн.
PEF22812ELV2.2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LINE DRIVER CHIP
Packaging: Bulk
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+1327.76 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
KP214E3022XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: INTEGRATED PRESSURE SENS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH20N65WR6XKSA1 Infineon-IKWH20N65WR6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce6381926fd1
IKWH20N65WR6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.76 грн
30+124.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH70N65WR6XKSA1 Infineon-IKWH70N65WR6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce63d1626fe1
IKWH70N65WR6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 122A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/378ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 400V, 70A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 269 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 122 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.77 грн
30+213.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A050T5UE0001XUMA1 Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09
TLI4971A050T5UE0001XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR CURRENT HALL 50A 8TISON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 24mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 50A
Supplier Device Package: PG-TISON-8-5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.68 грн
5+260.38 грн
10+249.07 грн
25+221.12 грн
50+212.49 грн
100+204.60 грн
500+185.61 грн
1000+184.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N10NSFG INFNS16198-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC152N10NSFG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
на замовлення 9249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
247+92.34 грн
Мінімальне замовлення: 247
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSG INFNS16721-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC118N10NSG
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R12W1T7PB3BPSA1
FP10R12W1T7PB3BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3614.59 грн
10+3101.15 грн
30+2916.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R12YT3BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOD IGBT LOW PWR EASY2-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R12YT3B4BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOD IGBT LOW PWR EASY2-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KT4_B15 INFNS28465-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: FP25R12 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2-5-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 160 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+4259.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T7B11BPSA1 Infineon-FP25R12W2T7_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f1861a4f72e6
FP25R12W2T7B11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3395.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KT3BPSA1 Infineon-FP25R12KT3-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4316c90543e
FP25R12KT3BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2-8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 105 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.8 nF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5981.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KS4CBOSA1 Infineon-FP25R12KS4C-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a5e6516d
FP25R12KS4CBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 40A 230W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 230 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGC75B60KB Short_Form_Cat_2016.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT CHIP
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0704LSATMA1 Infineon-BSZ0704LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708b9036f31424
BSZ0704LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0704LSATMA1 Infineon-BSZ0704LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708b9036f31424
BSZ0704LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1 Infineon-BSZ0703LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff09a5e344f7e
BSZ0703LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC1766192F80HLBDKXUMA1 Infineon-TC1766-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b409ae7c0343&fileId=db3a304313553140011368a9b40e0224&ack=t
TC1766192F80HLBDKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 1.5MB FLASH 176LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 1.5MB (1.5M x 8)
RAM Size: 108K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 2x10b, 32x8b/10b/12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-176-2
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Number of I/O: 81
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO072N03S BSO072N03S.pdf
BSO072N03S
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
626+36.75 грн
Мінімальне замовлення: 626
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4263GMXUMA2 Infineon-TLE4263-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928df213dcf
TLE4263GMXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 200MA PG-DSO-14-61
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-61
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset, Wake-Up, Watchdog
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 23 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.16 грн
10+114.60 грн
25+104.52 грн
100+87.71 грн
250+82.76 грн
500+79.77 грн
1000+76.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE94112ESRPIHATTOBO1 Infineon-DC-Motor-Shield-with-TLE94112-User-Manual-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277fc743901783fec6bf220b7
TLE94112ESRPIHATTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 24TSDSO
Features: Charge Pump
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (12)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 1.3Ohm LS, 1.3Ohm HS
Applications: DC Motors, General Purpose
Voltage - Load: 3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24
Fault Protection: Current Limiting, Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2689.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR21771SPBF-INF
IR21771SPBF-INF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CURRENT SENSE 16SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Sense
Voltage - Input: 8V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
64+343.07 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
IR2172PBF IR2171%2C2172%2CS.pdf
IR2172PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CURRENT SENSE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Function: Current Sense
Voltage - Input: 9.5V ~ 20V
Current - Output: 20mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Supplier Device Package: 8-PDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21726S ir2171.pdf
IR21726S
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CURRENT SENSE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Sense
Voltage - Input: 9.5V ~ 20V
Current - Output: 20mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC4400DCV1TOBO1 Board_Users_Manual_DriveCard_XMC4400_R1%200.pdf?fileId=db3a3043427ac3e201427f46ec9b2626
KITXMC4400DCV1TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL KIT XMC4400
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Board Type: Evaluation Platform
Utilized IC / Part: XMC4400
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10325.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1 Infineon-IPT60R055CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df33482f3176
IPT60R055CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1 Infineon-IPT60R055CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df33482f3176
IPT60R055CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+504.92 грн
10+334.46 грн
100+243.95 грн
500+197.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGS22WL10E6327XTSA1 BGS22WL10.pdf
BGS22WL10E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH DPDT 3GHZ TSLP10-1
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-XFQFN
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: DPDT
RF Type: General Purpose
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Insertion Loss: 0.45dB
Frequency Range: 100MHz ~ 3GHz
Topology: Reflective
Test Frequency: 2.69GHz
Isolation: 24dB
Supplier Device Package: TSLP-10-1
на замовлення 9491710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1385+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 1385
В кошику  од. на суму  грн.
BGS22WL10E6327XTSA1020 INFNS27432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH DPDT 3GHZ TSLP10-1
Packaging: Bulk
Features: Single/Dual Line Control
Package / Case: 10-XFQFN
Impedance: 50Ohm
Circuit: DPDT
RF Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Insertion Loss: 0.48dB
Frequency Range: 100MHz ~ 3GHz
P1dB: 34dBm
Test Frequency: 2.69GHz
Isolation: 28dB
Supplier Device Package: TSLP-10-1
Part Status: Active
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1519+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 1519
В кошику  од. на суму  грн.
PMA7110XUMA1 PMA71xx.pdf
PMA7110XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 38TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz
Memory Size: 6kB Flash, 12kB ROM, 256B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.9V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Data Rate (Max): 32kbps
Current - Transmitting: 8.9mA ~ 17.1mA
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38
GPIO: 10
Modulation: ASK, FSK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
194+117.32 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
BTT60501ERAXUMA1 Infineon-BTT6050-1ERA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a21fa5b7a0d8a
BTT60501ERAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TDSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 36V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TDSO-14-11
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.18 грн
10+131.49 грн
25+120.18 грн
100+101.10 грн
250+95.52 грн
500+92.15 грн
1000+87.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3 INFNS28360-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
Виробник: Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12MT4 INFNS28359-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD-2-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 295 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3S4HOSA1 Infineon-FF200R17KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043293a15c401293a9dbf5e0018
FF200R17KE3S4HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9702.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1623KV18-250BZXC download
CY7C1623KV18-250BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+18487.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CLED164-28PVXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: PROGRAMMABLE SYSTEM ON A CHIP
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+562.29 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SIGC12T60NCX1SA1 SIGC12T60NC_ed2_11-28-03.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 3 CHIP 600V WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/110ns
Test Condition: 300V, 10A, 27Ohm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11TFV010 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
S29GL01GT11TFV010
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL8023GXUMA1 Infineon-2EDL8X2X-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401837ff6a7de184a
2EDL8023GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-VDSON-8-4
Rise / Fall Time (Typ): 45ns, 45ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL8023GXUMA1 Infineon-2EDL8X2X-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401837ff6a7de184a
2EDL8023GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-VDSON-8-4
Rise / Fall Time (Typ): 45ns, 45ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.56 грн
10+76.98 грн
25+69.84 грн
100+58.17 грн
250+54.64 грн
500+52.52 грн
1000+49.94 грн
2500+48.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL8024GXUMA1 Infineon-2EDL8X2X-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401837ff6a7de184a
2EDL8024GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-VDSON-8-4
Rise / Fall Time (Typ): 45ns, 45ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.17 грн
10+94.95 грн
25+86.36 грн
100+72.18 грн
250+67.95 грн
500+65.41 грн
1000+62.27 грн
2500+60.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FD600R17KE3B2NOSA1 INFNS28320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: FD600R17 - IGBT MODULE
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DTRPBF irfr13n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d4bbc205a
IRFR13N15DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP129N10NF2SAKMA1 Infineon-IPP129N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa66e3e00005
IPP129N10NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.52 грн
50+68.79 грн
100+64.71 грн
500+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R07ME4B11BPSA1 Infineon-FF300R07ME4_B11-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304335113a6301351a6442bd624d
FF300R07ME4B11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MEDIUM POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 390 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7784.91 грн
10+6230.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N08S405ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPD90N08S405ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.57 грн
10+115.21 грн
100+79.55 грн
500+63.18 грн
1000+58.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1 Infineon-IQE013N04LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01735298bd175b06
IQE013N04LM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 8968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.45 грн
10+125.83 грн
100+96.06 грн
500+72.82 грн
1000+63.12 грн
2000+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGATMA1 Infineon-IQE013N04LM6CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01735298d3705b09
IQE013N04LM6CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGATMA1 Infineon-IQE013N04LM6CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01735298d3705b09
IQE013N04LM6CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.71 грн
10+125.15 грн
100+89.73 грн
500+69.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ063N04LS6ATMA1 Infineon-BSZ063N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd2c3cd94829
BSZ063N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ063N04LS6ATMA1 Infineon-BSZ063N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd2c3cd94829
BSZ063N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
на замовлення 4479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.19 грн
10+44.19 грн
25+41.68 грн
100+35.81 грн
250+33.84 грн
500+32.44 грн
1000+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12KE3BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOD IGBT LOW PWR EASY2-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16E1210XUMA1 Infineon-TLE5x09A16_D-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf12016977889fe858c9
TLE5009A16E1210XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-TDSO-16-1
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Output Signal: Cosine, Sine
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16E1210XUMA1 Infineon-TLE5x09A16_D-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf12016977889fe858c9
TLE5009A16E1210XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-TDSO-16-1
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Output Signal: Cosine, Sine
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.98 грн
5+249.22 грн
10+238.44 грн
25+211.62 грн
50+203.31 грн
100+195.70 грн
500+177.46 грн
1000+171.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA2 Infineon-I80P03P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e95eb827d7
IPB80P03P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L04ATMA2 Infineon-IPP_B_I80P04P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783241fb2e2a
IPB80P04P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+99.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L04ATMA2 Infineon-IPP_B_I80P04P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783241fb2e2a
IPB80P04P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.35 грн
10+172.85 грн
100+139.89 грн
500+116.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ18N10S5L420ATMA1 Infineon-IAUZ18N10S5L420-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a629e850dd5
IAUZ18N10S5L420ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BFP490E6327 SIEMS00586-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 4.5V 17.5GHZ SCD80-2
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-80
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 200mA, 3V
Frequency - Transition: 17.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SCD80-2
Part Status: Active
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
379+57.85 грн
Мінімальне замовлення: 379
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 412 413 414 415 416 417 418 419 420 421 422 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]