Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126524) > Сторінка 439 з 2109

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 210 420 434 435 436 437 438 439 440 441 442 443 444 630 840 1050 1260 1470 1680 1890 2100 2109  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CY7C1480BV25-200BZXC CY7C1480BV25-200BZXC Infineon Technologies Infineon-CY7C1480BV25_72-Mbit_(2_M_36)_Pipelined_Sync_SRAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec4514c39be Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.375V ~ 2.625V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3 ns
Memory Organization: 2M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3901.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1513KV18-250BZXC CY7C1513KV18-250BZXC Infineon Technologies Infineon-CY7C1526KV18_CY7C1513KV18_CY7C1515KV18_72-Mbit_QDR(R)_II_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe15e1314b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_gl Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2871.11 грн
10+2374.40 грн
25+2241.35 грн
40+2043.73 грн
136+1901.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1262XV18-450BZXC CY7C1262XV18-450BZXC Infineon Technologies Infineon-CY7C1262XV18_CY7C1264XV18_36-Mbit_QDR_II+_Xtreme_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec27b0d376c&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_ca Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Clock Frequency: 450 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2215.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1321KV18-250BZXC CY7C1321KV18-250BZXC Infineon Technologies download Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+685.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C2663KV18-550BZXC CY7C2663KV18-550BZXC Infineon Technologies Infineon-CY7C2663KV18_CY7C2665KV18_144-Mbit_QDR_II+_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)_with_ODT-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec22b793711 Description: IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 8M x 18
Memory Interface: Parallel
Part Status: Active
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 550 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 144Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Bulk
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33215.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1 IKD08N65ET6ARMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD08N65ET6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c3586b20ddb Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1 IKD08N65ET6ARMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD08N65ET6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c3586b20ddb Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.28 грн
10+149.30 грн
100+103.74 грн
500+79.06 грн
1000+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R45HL4BPSA1 FZ1800R45HL4BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FZ1800R45HL4-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d00ef0572 Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-IHVB19
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 1.8kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHVB190
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Power - Max: 4000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 297 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+162187.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R45HL4S7BPSA1 FZ1800R45HL4S7BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FZ1800R45HL4_S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d2610057b Description: IGBT MODULE
Packaging: Tray
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 297 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 4000000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-IHVB190
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 25V, 1800A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: Module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+169474.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R16KF4NOSA1 Infineon Technologies Description: FZ1800R16 - IGBT MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R16KF4S1NOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4250G Infineon Technologies Infineon-TLE4250-2G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f9180c1e39fc Description: IC REG LIN PWR SUPPLY SUP CIRC
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42502GHTMA2 Infineon Technologies Description: IC REG LINEAR VOLTAGE REG
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 901 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4250GHUSA1 Infineon Technologies Description: IC REG LIN POS ADJ 50MA SCT595-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Supply (Max): 3 mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 10mA
PSRR: 60dB (100Hz)
Part Status: Obsolete
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): Tracking
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 40V
Current - Quiescent (Iq): 150 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F3L400R07W3S5B11BPSA1 Infineon Technologies Description: LOW POWER EASY AG-EASY3B-1
Packaging: Tray
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11207.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SAL-TC298TP-128F300N BC SAL-TC298TP-128F300N BC Infineon Technologies Infineon-TC29xBC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f Description: IC MCU 32BIT 8MB FLASH 416BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 416-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 300MHz
Program Memory Size: 8MB (8M x 8)
RAM Size: 728K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 768K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 94x12b SAR, Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-26
Number of I/O: 169
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB90548GSPFV-G-313E1 MB90548GSPFV-G-313E1 Infineon Technologies Description: IC MCU 16BIT 128KB MROM 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: Mask ROM
Core Processor: F²MC-16LX
Data Converters: A/D 8x8/10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.5V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SCI, Serial I/O, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 81
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT013N08NM5LFATMA1 IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT013N08NM5LF-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e0a29d018f Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 825 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT013N08NM5LFATMA1 IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT013N08NM5LF-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e0a29d018f Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+676.43 грн
10+446.15 грн
50+358.48 грн
100+313.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R090CFD7ATMA1 IPB65R090CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB65R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef432df49ce Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.91 грн
10+236.17 грн
100+169.20 грн
500+153.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850C2TEV33ATMA1 TLS850C2TEV33ATMA1 Infineon Technologies Infineon-TLS850C2TE%20V33-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170c58440fe1182 Description: IC REG LIN 3.3V 500MA PG-TO252-5
Current - Supply (Max): 42 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 250mA
PSRR: 63dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Reset
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 40V
Current - Quiescent (Iq): 30 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 4952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+79.93 грн
25+72.61 грн
100+60.64 грн
250+57.05 грн
500+54.89 грн
1000+52.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850C2TEV33ATMA1 TLS850C2TEV33ATMA1 Infineon Technologies Infineon-TLS850C2TE%20V33-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170c58440fe1182 Description: IC REG LIN 3.3V 500MA PG-TO252-5
Current - Supply (Max): 42 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 250mA
PSRR: 63dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Reset
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 40V
Current - Quiescent (Iq): 30 µA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Output Configuration: Positive
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef4f3d049df Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+170.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef4f3d049df Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.96 грн
10+237.00 грн
100+169.65 грн
500+154.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0804NLSATMA1 ISC0804NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC0804NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd62bbc36d90 Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0804NLSATMA1 ISC0804NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC0804NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd62bbc36d90 Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
на замовлення 8951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+89.59 грн
100+71.29 грн
500+56.61 грн
1000+48.04 грн
2000+45.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3205G BTS3205G Infineon Technologies INFNS16538-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BTS3205 - HITFET, AUTOMOTIVE SMA
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 700mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 10V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 350mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-24
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM100GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies INFNS11478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSM100GB120 - INSULATED GATE BIP
Packaging: Bulk
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15525.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM100GB120DN2FE325HOSA1 Infineon Technologies EUPCS02845-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSM100GB120DN2 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6153.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM100GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies Infineon-SIGC156T120R2CL_L7181P-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c0128d509013e0133 Description: LOW POWER ECONO
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23346.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8533RXTMA1 2EDN8533RXTMA1 Infineon Technologies Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8533RXTMA1 2EDN8533RXTMA1 Infineon Technologies Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+56.61 грн
25+51.17 грн
100+42.44 грн
250+39.77 грн
500+38.17 грн
1000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7434RXTMA1 2EDN7434RXTMA1 Infineon Technologies 2EDN753X.PDF Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7434RXTMA1 2EDN7434RXTMA1 Infineon Technologies 2EDN753X.PDF Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+56.61 грн
25+51.17 грн
100+42.44 грн
250+39.77 грн
500+38.17 грн
1000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7534RXTMA1 2EDN7534RXTMA1 Infineon Technologies Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7534RXTMA1 2EDN7534RXTMA1 Infineon Technologies Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+56.61 грн
25+51.17 грн
100+42.44 грн
250+39.77 грн
500+38.17 грн
1000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7533RXTMA1 2EDN7533RXTMA1 Infineon Technologies Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7533RXTMA1 2EDN7533RXTMA1 Infineon Technologies Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+56.61 грн
25+51.17 грн
100+42.44 грн
250+39.77 грн
500+38.17 грн
1000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8534RXTMA1 2EDN8534RXTMA1 Infineon Technologies Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8534RXTMA1 2EDN8534RXTMA1 Infineon Technologies Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+56.61 грн
25+51.17 грн
100+42.44 грн
250+39.77 грн
500+38.17 грн
1000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7424RXTMA1 2EDN7424RXTMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDN7424R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5e5812b13f6b Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 6.4ns, 5.4ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524RXTMA1 2EDN7524RXTMA1 Infineon Technologies infineon-2edl50x3u2d-datasheet-en.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.98V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8524RXTMA1 2EDN8524RXTMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_05-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727 Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.98V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7523RXTMA1 2EDN7523RXTMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_05-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727 Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.98V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U50N08W1RB23BOMA2 Infineon Technologies DDB2U50N08W1R_B23_Rev3.0.pdf Description: IGBT MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUXDIFZ44ESTRL Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DHR Infineon Technologies Description: IRFS52N15DHR
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS0615N Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 755 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD800S33K2CNOSA1 DD800S33K2CNOSA1 Infineon Technologies Infineon-DD800S33K2C-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d06e5a4557ef4 Description: DIODE MOD GP 3300V AIHV130-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1100 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD400S33K2CNOSA1 DD400S33K2CNOSA1 Infineon Technologies Infineon-DD400S33K2C-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430e682524f Description: DIODE MODULE GP 3300V AIHV130-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD400S33K2CB3NDSA1 Infineon Technologies DD400S33K2C_rev3.2_11-25-13.pdf Description: MODULE DIODE HV130-3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD800S33K2CB3S2NDSA1 Infineon Technologies DD800S33K2C_v3.0_6-17-16.pdf Description: DIODE MOD GP 3300V 800A AIHV130
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 800A (DC)
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1100 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP200R12N3T7BPSA1 FP200R12N3T7BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP200R12N3T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b0ad005d8710e Description: IGBT MOD 1200V 200A AG-ECONO3B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 40.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T7BPSA1 FP35R12W2T7BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP35R12W2T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01742693a9e565e2 Description: IGBT MOD 1200V 35A AG-EASY1B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.8 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.62 nF @ 25 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3917.51 грн
15+2728.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-DDB2U20N12W1RF_B11-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f0179794dde9f5179 Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-2311
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: AG-EASY1B-1
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 58 µA @ 1200 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5388.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7B3BOMA1 FP15R12W1T7B3BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FP15R12W1T7_B3-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f185a2eb72da Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3079.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7B11BOMA1 FP15R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FP15R12W1T7_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017057c6ba956751 Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R07W2H3B77BPSA1 DF200R07W2H3B77BPSA1 Infineon Technologies Infineon-DF200R07W2H3_B77-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1b7966c40982 Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-411
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.95 nF @ 650 V
Current - Collector Cutoff (Max): 21 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-EASY2B
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4223.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2GO_CUR-SENSE_TLI4971 Infineon Technologies Infineon-TLI4971_S2Go_Arduino_Quick_Start-GettingStarted-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f36156157dfc Description: SENSOR BOARD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971 MS2GO Infineon Technologies Infineon-TLI4971-ProductBrief-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017352fd97da5dc4 Description: XENSIV MAG CUR SENSOR
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1480BV25-200BZXC Infineon-CY7C1480BV25_72-Mbit_(2_M_36)_Pipelined_Sync_SRAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec4514c39be
CY7C1480BV25-200BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.375V ~ 2.625V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3 ns
Memory Organization: 2M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3901.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1513KV18-250BZXC Infineon-CY7C1526KV18_CY7C1513KV18_CY7C1515KV18_72-Mbit_QDR(R)_II_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe15e1314b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_gl
CY7C1513KV18-250BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2871.11 грн
10+2374.40 грн
25+2241.35 грн
40+2043.73 грн
136+1901.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1262XV18-450BZXC Infineon-CY7C1262XV18_CY7C1264XV18_36-Mbit_QDR_II+_Xtreme_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec27b0d376c&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_ca
CY7C1262XV18-450BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Clock Frequency: 450 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2215.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1321KV18-250BZXC download
CY7C1321KV18-250BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+685.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C2663KV18-550BZXC Infineon-CY7C2663KV18_CY7C2665KV18_144-Mbit_QDR_II+_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)_with_ODT-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec22b793711
CY7C2663KV18-550BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 8M x 18
Memory Interface: Parallel
Part Status: Active
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 550 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 144Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Bulk
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+33215.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1 Infineon-IKD08N65ET6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c3586b20ddb
IKD08N65ET6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1 Infineon-IKD08N65ET6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c3586b20ddb
IKD08N65ET6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+238.28 грн
10+149.30 грн
100+103.74 грн
500+79.06 грн
1000+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R45HL4BPSA1 Infineon-FZ1800R45HL4-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d00ef0572
FZ1800R45HL4BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-IHVB19
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 1.8kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHVB190
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Power - Max: 4000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 297 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+162187.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R45HL4S7BPSA1 Infineon-FZ1800R45HL4_S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d2610057b
FZ1800R45HL4S7BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Tray
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 297 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 4000000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-IHVB190
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 25V, 1800A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: Module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+169474.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R16KF4NOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: FZ1800R16 - IGBT MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R16KF4S1NOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4250G Infineon-TLE4250-2G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f9180c1e39fc
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN PWR SUPPLY SUP CIRC
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42502GHTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR VOLTAGE REG
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 901 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4250GHUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN POS ADJ 50MA SCT595-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Supply (Max): 3 mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 10mA
PSRR: 60dB (100Hz)
Part Status: Obsolete
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): Tracking
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 40V
Current - Quiescent (Iq): 150 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F3L400R07W3S5B11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY AG-EASY3B-1
Packaging: Tray
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+11207.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SAL-TC298TP-128F300N BC Infineon-TC29xBC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f
SAL-TC298TP-128F300N BC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 8MB FLASH 416BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 416-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 300MHz
Program Memory Size: 8MB (8M x 8)
RAM Size: 728K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 768K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 94x12b SAR, Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-26
Number of I/O: 169
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB90548GSPFV-G-313E1
MB90548GSPFV-G-313E1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 128KB MROM 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: Mask ROM
Core Processor: F²MC-16LX
Data Converters: A/D 8x8/10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.5V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SCI, Serial I/O, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 81
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon-IPT013N08NM5LF-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e0a29d018f
IPT013N08NM5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 825 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon-IPT013N08NM5LF-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e0a29d018f
IPT013N08NM5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+676.43 грн
10+446.15 грн
50+358.48 грн
100+313.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R090CFD7ATMA1 Infineon-IPB65R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef432df49ce
IPB65R090CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+333.91 грн
10+236.17 грн
100+169.20 грн
500+153.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850C2TEV33ATMA1 Infineon-TLS850C2TE%20V33-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170c58440fe1182
TLS850C2TEV33ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 3.3V 500MA PG-TO252-5
Current - Supply (Max): 42 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 250mA
PSRR: 63dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Reset
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 40V
Current - Quiescent (Iq): 30 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 4952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.87 грн
10+79.93 грн
25+72.61 грн
100+60.64 грн
250+57.05 грн
500+54.89 грн
1000+52.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850C2TEV33ATMA1 Infineon-TLS850C2TE%20V33-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170c58440fe1182
TLS850C2TEV33ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 3.3V 500MA PG-TO252-5
Current - Supply (Max): 42 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 250mA
PSRR: 63dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Reset
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 40V
Current - Quiescent (Iq): 30 µA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Output Configuration: Positive
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+56.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon-IPB65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef4f3d049df
IPB65R110CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+170.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon-IPB65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef4f3d049df
IPB65R110CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+369.96 грн
10+237.00 грн
100+169.65 грн
500+154.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0804NLSATMA1 Infineon-ISC0804NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd62bbc36d90
ISC0804NLSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0804NLSATMA1 Infineon-ISC0804NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd62bbc36d90
ISC0804NLSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
на замовлення 8951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.09 грн
10+89.59 грн
100+71.29 грн
500+56.61 грн
1000+48.04 грн
2000+45.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3205G INFNS16538-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS3205G
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTS3205 - HITFET, AUTOMOTIVE SMA
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 700mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 10V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 350mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-24
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM100GB120DLCHOSA1 INFNS11478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSM100GB120 - INSULATED GATE BIP
Packaging: Bulk
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+15525.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM100GB120DN2FE325HOSA1 EUPCS02845-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSM100GB120DN2 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+6153.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM100GD120DLCBOSA1 Infineon-SIGC156T120R2CL_L7181P-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c0128d509013e0133
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+23346.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8533RXTMA1 Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf
2EDN8533RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8533RXTMA1 Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf
2EDN8533RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.52 грн
10+56.61 грн
25+51.17 грн
100+42.44 грн
250+39.77 грн
500+38.17 грн
1000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7434RXTMA1 2EDN753X.PDF
2EDN7434RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7434RXTMA1 2EDN753X.PDF
2EDN7434RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.52 грн
10+56.61 грн
25+51.17 грн
100+42.44 грн
250+39.77 грн
500+38.17 грн
1000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7534RXTMA1 Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf
2EDN7534RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7534RXTMA1 Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf
2EDN7534RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.52 грн
10+56.61 грн
25+51.17 грн
100+42.44 грн
250+39.77 грн
500+38.17 грн
1000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7533RXTMA1 Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf
2EDN7533RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7533RXTMA1 Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf
2EDN7533RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.52 грн
10+56.61 грн
25+51.17 грн
100+42.44 грн
250+39.77 грн
500+38.17 грн
1000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8534RXTMA1 Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf
2EDN8534RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8534RXTMA1 Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf
2EDN8534RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.52 грн
10+56.61 грн
25+51.17 грн
100+42.44 грн
250+39.77 грн
500+38.17 грн
1000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7424RXTMA1 Infineon-2EDN7424R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5e5812b13f6b
2EDN7424RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 6.4ns, 5.4ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524RXTMA1 infineon-2edl50x3u2d-datasheet-en.pdf
2EDN7524RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.98V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8524RXTMA1 Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_05-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727
2EDN8524RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.98V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7523RXTMA1 Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_05-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727
2EDN7523RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.98V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U50N08W1RB23BOMA2 DDB2U50N08W1R_B23_Rev3.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUXDIFZ44ESTRL fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DHR
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRFS52N15DHR
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS0615N
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 755 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD800S33K2CNOSA1 Infineon-DD800S33K2C-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d06e5a4557ef4
DD800S33K2CNOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 3300V AIHV130-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1100 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD400S33K2CNOSA1 Infineon-DD400S33K2C-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430e682524f
DD400S33K2CNOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MODULE GP 3300V AIHV130-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD400S33K2CB3NDSA1 DD400S33K2C_rev3.2_11-25-13.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE DIODE HV130-3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD800S33K2CB3S2NDSA1 DD800S33K2C_v3.0_6-17-16.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 3300V 800A AIHV130
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 800A (DC)
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1100 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP200R12N3T7BPSA1 Infineon-FP200R12N3T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b0ad005d8710e
FP200R12N3T7BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 200A AG-ECONO3B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 40.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T7BPSA1 Infineon-FP35R12W2T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01742693a9e565e2
FP35R12W2T7BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 35A AG-EASY1B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.8 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.62 nF @ 25 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3917.51 грн
15+2728.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 Infineon-DDB2U20N12W1RF_B11-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f0179794dde9f5179
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-2311
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: AG-EASY1B-1
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 58 µA @ 1200 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5388.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7B3BOMA1 Infineon-FP15R12W1T7_B3-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f185a2eb72da
FP15R12W1T7B3BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3079.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7B11BOMA1 Infineon-FP15R12W1T7_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017057c6ba956751
FP15R12W1T7B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R07W2H3B77BPSA1 Infineon-DF200R07W2H3_B77-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1b7966c40982
DF200R07W2H3B77BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-411
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.95 nF @ 650 V
Current - Collector Cutoff (Max): 21 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-EASY2B
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4223.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2GO_CUR-SENSE_TLI4971 Infineon-TLI4971_S2Go_Arduino_Quick_Start-GettingStarted-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f36156157dfc
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR BOARD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971 MS2GO Infineon-TLI4971-ProductBrief-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017352fd97da5dc4
Виробник: Infineon Technologies
Description: XENSIV MAG CUR SENSOR
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 210 420 434 435 436 437 438 439 440 441 442 443 444 630 840 1050 1260 1470 1680 1890 2100 2109  [ Наступна Сторінка >> ]