Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25138) > Сторінка 361 з 419

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 356 357 358 359 360 361 362 363 364 365 366 369 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD50R2K0CEAUMA1 IPD50R2K0CEAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002262958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50R2K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.50 грн
20+42.01 грн
100+25.94 грн
500+18.80 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 INFINEON INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPD90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+118.82 грн
10+88.70 грн
100+70.37 грн
500+54.08 грн
1000+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 INFINEON INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPD90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.87 грн
500+58.82 грн
1000+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.50 грн
10+112.97 грн
100+83.68 грн
500+58.51 грн
1000+49.20 грн
5000+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.68 грн
500+58.51 грн
1000+49.20 грн
5000+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC022N10NM6ATMA1 ISC022N10NM6ATMA1 INFINEON 3624254.pdf Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 254W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+271.12 грн
250+210.87 грн
1000+163.95 грн
3000+148.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC022N10NM6ATMA1 ISC022N10NM6ATMA1 INFINEON 3624254.pdf Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+388.27 грн
50+271.12 грн
250+210.87 грн
1000+163.95 грн
3000+148.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PVN012S-TPBF PVN012S-TPBF INFINEON 2060489.pdf Description: INFINEON - PVN012S-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 20 V, 2.5 A, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364190
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: -
Isolationsspannung: 4kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 20V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 2.5A
Produktpalette: HEXFET PVN012
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+531.36 грн
20+435.90 грн
50+394.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500E144X1024ACXQSA1 XMC4500E144X1024ACXQSA1 INFINEON 2059715.pdf Description: INFINEON - XMC4500E144X1024ACXQSA1 - ARM-MCU, Industrie, XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 120 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LFBGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 32Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC
RAM-Speichergröße: 160KB
MCU-Baureihe: XMC45xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 91I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1325.46 грн
10+1050.16 грн
25+916.28 грн
50+843.06 грн
100+770.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 IPD70P04P409ATMA2 INFINEON INFNS15023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.21 грн
50+87.86 грн
100+64.26 грн
500+48.56 грн
1000+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 IPD70P04P409ATMA2 INFINEON INFNS15023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.26 грн
500+48.56 грн
1000+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3246AXI-138 CY8C3246AXI-138 INFINEON Infineon-PSoC_3_CY8C32_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v28_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec7aa5b3f68&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_1_2_960 Description: INFINEON - CY8C3246AXI-138 - 8-Bit-MCU, PSOC 3 Family CY8C32xx Series Microcontrollers, 8051, 50 MHz, 64 KB, 100 Pin(s), TQFP
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Betriebsfrequenz, max.: 50MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 3
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C32xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: PSOC 3 Family CY8C32xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+785.74 грн
10+762.31 грн
25+738.88 грн
50+663.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3446LTI-073 CY8C3446LTI-073 INFINEON 1511839.pdf Description: INFINEON - CY8C3446LTI-073 - 8-Bit-MCU, PSOC 3 Family CY8C34xx Series Microcontrollers, 8051, 50 MHz, 64 KB, 48 Pin(s), QFN
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Betriebsfrequenz, max.: 50MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 3
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C34xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 25I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: PSOC 3 Family CY8C34xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+646.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62147EV30LL-45ZSXIT CY62147EV30LL-45ZSXIT INFINEON CY62147EV30_MoBL_RevT_6-26-20.pdf Description: INFINEON - CY62147EV30LL-45ZSXIT - SRAM, MoBL®, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.37 грн
10+301.24 грн
25+297.89 грн
50+272.73 грн
100+248.88 грн
250+240.28 грн
500+236.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04N02PRXUMA1 6EDL04N02PRXUMA1 INFINEON INFN-S-A0002785736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 6EDL04N02PRXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 375mA, 10V-17.5V Versorgungsspannung, 530ns/530ns Verzögerung, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: Advanced Smart Rectifier Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 530ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.12 грн
250+129.82 грн
500+126.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR3584MTRPBF IR3584MTRPBF INFINEON pb-ir3584.pdf?fileId=5546d462533600a40153568068f628fb Description: INFINEON - IR3584MTRPBF - Power-Management, digital, 3.3V Versorgung, zwei Ausgänge, 5 Phasen, 194kHz-2MHz-PWM-Eingang, QFN-40
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Digitaler Mehrphasen-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 3.3V
Eingangskapazität: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangskapazität: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
PWM-Eingangsfrequenz: 2MHz
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+155.64 грн
250+152.77 грн
500+149.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR35215MTRPBF IR35215MTRPBF INFINEON Infineon-IR35215MTRPBF-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d175c99a8448b Description: INFINEON - IR35215MTRPBF - DIG. MEHRPHASEN-CONTROLLER -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Digitaler Mehrphasen-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 3.3V
Eingangskapazität: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangskapazität: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
PWM-Eingangsfrequenz: 2MHz
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+408.35 грн
25+378.23 грн
50+316.24 грн
100+265.38 грн
250+253.19 грн
500+229.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 INFINEON BSC028N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebafa4c607f8c Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.24 грн
10+141.42 грн
100+109.62 грн
500+87.80 грн
1000+70.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 INFINEON 3959527.pdf Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.80 грн
10+112.97 грн
100+88.70 грн
500+70.16 грн
1000+55.94 грн
5000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 INFINEON Infineon-BSC090N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276e193c2f Description: INFINEON - BSC090N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 48 A, 0.0075 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.95 грн
21+41.34 грн
100+29.62 грн
500+23.54 грн
1000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLP IRFS38N20DTRLP INFINEON INFN-S-A0002297198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.77 грн
10+189.95 грн
100+143.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 INFINEON INFNS16517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.95 грн
250+44.18 грн
1000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 INFINEON INFNS18210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.54 грн
500+55.48 грн
1000+39.30 грн
5000+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42062GXUMA2 TLE42062GXUMA2 INFINEON INFNS15182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE42062GXUMA2 - Motortreiber, DC-Servo, 8V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-14, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 800mA
Motortyp: DC-Servomotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 18V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.05 грн
10+126.35 грн
50+115.48 грн
100+90.13 грн
250+78.18 грн
500+75.31 грн
1000+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012BE9000XUMA1 TLE5012BE9000XUMA1 INFINEON INFNS30105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE5012BE9000XUMA1 - GMR-Sensor, magnetoresistiv (Giant Magneto Resistance), PG-DSO-8, 3V bis 5.5V, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Magnetfeld, max.: 0.05T
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: PG-DSO
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: PG-DSO
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+262.75 грн
10+238.48 грн
25+225.93 грн
50+184.93 грн
100+164.25 грн
250+157.79 грн
500+150.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2052MTRPBF IRS2052MTRPBF INFINEON IRSDS11522-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2052MTRPBF - Audioleistungsverstärker, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, MLPQ, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: MLPQ
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: -
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+630.93 грн
25+568.17 грн
50+501.17 грн
100+413.13 грн
250+381.57 грн
500+355.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-214015-01 CYBLE-214015-01 INFINEON INFN-S-A0018545200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CYBLE-214015-01 - BLUETOOTH-MODUL, V4.2, 1MBPS, 1.71-5.5V
tariffCode: 85176200
Empfangsempfindlichkeit: -87dBm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 4.2
Bluetooth-Klasse: -
usEccn: 3A991.a.2
Signalbereich, max.: 50m
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: EZ-BLE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+911.26 грн
50+801.88 грн
100+684.97 грн
250+646.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 IPD096N08N3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.35 грн
10+83.68 грн
100+60.25 грн
500+46.93 грн
1000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 IPD096N08N3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.25 грн
500+46.93 грн
1000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 INFINEON 2920456.pdf Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.35 грн
15+55.98 грн
100+40.58 грн
500+30.07 грн
1000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 INFINEON 2920456.pdf Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.58 грн
500+30.07 грн
1000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 IPZ40N04S5L7R4ATMA1 INFINEON 2577583.pdf Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0061 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.49 грн
19+46.02 грн
100+31.71 грн
500+23.47 грн
1000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 IPZ40N04S5L7R4ATMA1 INFINEON 2577583.pdf Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0061 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.71 грн
500+23.47 грн
1000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1 IPD90N04S4L04ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N04S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291cab92685eaa&ack=t Description: INFINEON - IPD90N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.24 грн
23+37.32 грн
100+36.82 грн
500+33.64 грн
1000+28.47 грн
5000+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1 IPD90N04S4L04ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N04S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291cab92685eaa&ack=t Description: INFINEON - IPD90N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.82 грн
500+33.64 грн
1000+28.47 грн
5000+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1 IGOT60R070D1AUMA1 INFINEON INFN-S-A0006767332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1291.99 грн
5+1043.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1 IGLR60R340D1XUMA1 INFINEON 3974487.pdf Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+235.97 грн
500+194.25 грн
1000+154.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1 IGLR60R190D1XUMA1 INFINEON 3974485.pdf Description: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+426.76 грн
500+361.31 грн
1000+304.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1 IGLR60R340D1XUMA1 INFINEON 3974487.pdf Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+362.33 грн
10+291.20 грн
100+235.97 грн
500+194.25 грн
1000+154.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1 IGLR60R260D1XUMA1 INFINEON 3974486.pdf Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+341.41 грн
500+289.05 грн
1000+243.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1 IGLR60R260D1XUMA1 INFINEON 3974486.pdf Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+435.96 грн
10+388.27 грн
100+341.41 грн
500+289.05 грн
1000+243.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1 IGLR60R190D1XUMA1 INFINEON 3974485.pdf Description: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+544.74 грн
10+485.33 грн
100+426.76 грн
500+361.31 грн
1000+304.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1 IGOT60R070D1AUMA1 INFINEON INFN-S-A0006767332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1 IRF7821TRPBFXTMA1 INFINEON 3980135.pdf Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.72 грн
500+41.57 грн
1000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1 IRF7821TRPBFXTMA1 INFINEON 3980135.pdf Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+83.09 грн
13+67.78 грн
100+52.72 грн
500+41.57 грн
1000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IKA06N60TXKSA1 IKA06N60TXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002220186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKA06N60TXKSA1 - IGBT, 10 A, 1.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.48 грн
10+85.35 грн
100+76.23 грн
500+60.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R06W1E3BOMA1 FP15R06W1E3BOMA1 INFINEON Infineon-FP15R06W1E3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43321b15a77 Description: INFINEON - FP15R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 22 A, 1.55 V, 81 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 22A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 81W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Produktpalette: EasyPIM 1B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 22A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2560.55 грн
5+2557.20 грн
10+2553.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 INFINEON 2576642.pdf Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.77 грн
10+166.52 грн
100+122.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 INFINEON 2576642.pdf Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFXTMA1 IRF8721TRPBFXTMA1 INFINEON 3980137.pdf Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.49 грн
17+50.12 грн
100+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFXTMA1 IRF8721TRPBFXTMA1 INFINEON 3980137.pdf Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB30N65DF5ATMA1 AIKB30N65DF5ATMA1 INFINEON 3159546.pdf Description: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 188W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+202.50 грн
500+170.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 INFINEON 1926778.pdf Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.88 грн
500+70.32 грн
1000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 INFINEON 1926778.pdf Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.91 грн
10+112.97 грн
100+92.88 грн
500+70.32 грн
1000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IDD09SG60CXTMA2 IDD09SG60CXTMA2 INFINEON INFNS19738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDD09SG60CXTMA2 IDD09SG60CXTMA2 INFINEON INFNS19738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.00 грн
10+317.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690864-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP740H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 44 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 44GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740FESDH6327XTSA1 BFP740FESDH6327XTSA1 INFINEON 1932478.pdf Description: INFINEON - BFP740FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 47GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.04 грн
500+21.21 грн
1000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1 IRL40T209ATMA1 INFINEON INFN-S-A0008597390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.60 грн
10+154.80 грн
100+129.70 грн
500+86.25 грн
1000+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1 IRL40T209ATMA1 INFINEON INFN-S-A0008597390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+86.25 грн
1000+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CEAUMA1 INFN-S-A0002262958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD50R2K0CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R2K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+60.50 грн
20+42.01 грн
100+25.94 грн
500+18.80 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD90N06S404ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+118.82 грн
10+88.70 грн
100+70.37 грн
500+54.08 грн
1000+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD90N06S404ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.87 грн
500+58.82 грн
1000+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310
BSC009NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+161.50 грн
10+112.97 грн
100+83.68 грн
500+58.51 грн
1000+49.20 грн
5000+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310
BSC009NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.68 грн
500+58.51 грн
1000+49.20 грн
5000+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC022N10NM6ATMA1 3624254.pdf
ISC022N10NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 254W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+271.12 грн
250+210.87 грн
1000+163.95 грн
3000+148.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC022N10NM6ATMA1 3624254.pdf
ISC022N10NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+388.27 грн
50+271.12 грн
250+210.87 грн
1000+163.95 грн
3000+148.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PVN012S-TPBF 2060489.pdf
PVN012S-TPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVN012S-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 20 V, 2.5 A, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364190
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: -
Isolationsspannung: 4kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 20V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 2.5A
Produktpalette: HEXFET PVN012
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+531.36 грн
20+435.90 грн
50+394.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500E144X1024ACXQSA1 2059715.pdf
XMC4500E144X1024ACXQSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC4500E144X1024ACXQSA1 - ARM-MCU, Industrie, XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 120 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LFBGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 32Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC
RAM-Speichergröße: 160KB
MCU-Baureihe: XMC45xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 91I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1325.46 грн
10+1050.16 грн
25+916.28 грн
50+843.06 грн
100+770.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 INFNS15023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD70P04P409ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.21 грн
50+87.86 грн
100+64.26 грн
500+48.56 грн
1000+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 INFNS15023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD70P04P409ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.26 грн
500+48.56 грн
1000+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3246AXI-138 Infineon-PSoC_3_CY8C32_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v28_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec7aa5b3f68&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_1_2_960
CY8C3246AXI-138
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C3246AXI-138 - 8-Bit-MCU, PSOC 3 Family CY8C32xx Series Microcontrollers, 8051, 50 MHz, 64 KB, 100 Pin(s), TQFP
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Betriebsfrequenz, max.: 50MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 3
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C32xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: PSOC 3 Family CY8C32xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+785.74 грн
10+762.31 грн
25+738.88 грн
50+663.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3446LTI-073 1511839.pdf
CY8C3446LTI-073
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C3446LTI-073 - 8-Bit-MCU, PSOC 3 Family CY8C34xx Series Microcontrollers, 8051, 50 MHz, 64 KB, 48 Pin(s), QFN
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Betriebsfrequenz, max.: 50MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 3
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C34xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 25I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: PSOC 3 Family CY8C34xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+646.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62147EV30LL-45ZSXIT CY62147EV30_MoBL_RevT_6-26-20.pdf
CY62147EV30LL-45ZSXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62147EV30LL-45ZSXIT - SRAM, MoBL®, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+331.37 грн
10+301.24 грн
25+297.89 грн
50+272.73 грн
100+248.88 грн
250+240.28 грн
500+236.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04N02PRXUMA1 INFN-S-A0002785736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
6EDL04N02PRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6EDL04N02PRXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 375mA, 10V-17.5V Versorgungsspannung, 530ns/530ns Verzögerung, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: Advanced Smart Rectifier Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 530ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+134.12 грн
250+129.82 грн
500+126.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR3584MTRPBF pb-ir3584.pdf?fileId=5546d462533600a40153568068f628fb
IR3584MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR3584MTRPBF - Power-Management, digital, 3.3V Versorgung, zwei Ausgänge, 5 Phasen, 194kHz-2MHz-PWM-Eingang, QFN-40
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Digitaler Mehrphasen-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 3.3V
Eingangskapazität: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangskapazität: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
PWM-Eingangsfrequenz: 2MHz
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+155.64 грн
250+152.77 грн
500+149.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR35215MTRPBF Infineon-IR35215MTRPBF-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d175c99a8448b
IR35215MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR35215MTRPBF - DIG. MEHRPHASEN-CONTROLLER -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Digitaler Mehrphasen-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 3.3V
Eingangskapazität: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangskapazität: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
PWM-Eingangsfrequenz: 2MHz
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+408.35 грн
25+378.23 грн
50+316.24 грн
100+265.38 грн
250+253.19 грн
500+229.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebafa4c607f8c
BSC028N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+219.24 грн
10+141.42 грн
100+109.62 грн
500+87.80 грн
1000+70.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 3959527.pdf
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+154.80 грн
10+112.97 грн
100+88.70 грн
500+70.16 грн
1000+55.94 грн
5000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 Infineon-BSC090N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276e193c2f
BSC090N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC090N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 48 A, 0.0075 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.95 грн
21+41.34 грн
100+29.62 грн
500+23.54 грн
1000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLP INFN-S-A0002297198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS38N20DTRLP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+267.77 грн
10+189.95 грн
100+143.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 INFNS16517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0901NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.95 грн
250+44.18 грн
1000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 INFNS18210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0901NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.54 грн
500+55.48 грн
1000+39.30 грн
5000+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42062GXUMA2 INFNS15182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE42062GXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE42062GXUMA2 - Motortreiber, DC-Servo, 8V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-14, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 800mA
Motortyp: DC-Servomotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 18V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.05 грн
10+126.35 грн
50+115.48 грн
100+90.13 грн
250+78.18 грн
500+75.31 грн
1000+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012BE9000XUMA1 INFNS30105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE5012BE9000XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5012BE9000XUMA1 - GMR-Sensor, magnetoresistiv (Giant Magneto Resistance), PG-DSO-8, 3V bis 5.5V, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Magnetfeld, max.: 0.05T
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: PG-DSO
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: PG-DSO
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+262.75 грн
10+238.48 грн
25+225.93 грн
50+184.93 грн
100+164.25 грн
250+157.79 грн
500+150.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2052MTRPBF IRSDS11522-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2052MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2052MTRPBF - Audioleistungsverstärker, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, MLPQ, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: MLPQ
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: -
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+630.93 грн
25+568.17 грн
50+501.17 грн
100+413.13 грн
250+381.57 грн
500+355.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-214015-01 INFN-S-A0018545200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CYBLE-214015-01
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-214015-01 - BLUETOOTH-MODUL, V4.2, 1MBPS, 1.71-5.5V
tariffCode: 85176200
Empfangsempfindlichkeit: -87dBm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 4.2
Bluetooth-Klasse: -
usEccn: 3A991.a.2
Signalbereich, max.: 50m
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: EZ-BLE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+911.26 грн
50+801.88 грн
100+684.97 грн
250+646.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe
IPD096N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.35 грн
10+83.68 грн
100+60.25 грн
500+46.93 грн
1000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe
IPD096N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.25 грн
500+46.93 грн
1000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 2920456.pdf
IAUC60N04S6L039ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.35 грн
15+55.98 грн
100+40.58 грн
500+30.07 грн
1000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 2920456.pdf
IAUC60N04S6L039ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.58 грн
500+30.07 грн
1000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 2577583.pdf
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0061 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.49 грн
19+46.02 грн
100+31.71 грн
500+23.47 грн
1000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 2577583.pdf
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0061 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.71 грн
500+23.47 грн
1000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon-IPD90N04S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291cab92685eaa&ack=t
IPD90N04S4L04ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.24 грн
23+37.32 грн
100+36.82 грн
500+33.64 грн
1000+28.47 грн
5000+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon-IPD90N04S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291cab92685eaa&ack=t
IPD90N04S4L04ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.82 грн
500+33.64 грн
1000+28.47 грн
5000+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1 INFN-S-A0006767332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGOT60R070D1AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1291.99 грн
5+1043.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1 3974487.pdf
IGLR60R340D1XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+235.97 грн
500+194.25 грн
1000+154.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1 3974485.pdf
IGLR60R190D1XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+426.76 грн
500+361.31 грн
1000+304.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1 3974487.pdf
IGLR60R340D1XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+362.33 грн
10+291.20 грн
100+235.97 грн
500+194.25 грн
1000+154.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1 3974486.pdf
IGLR60R260D1XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+341.41 грн
500+289.05 грн
1000+243.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1 3974486.pdf
IGLR60R260D1XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+435.96 грн
10+388.27 грн
100+341.41 грн
500+289.05 грн
1000+243.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1 3974485.pdf
IGLR60R190D1XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+544.74 грн
10+485.33 грн
100+426.76 грн
500+361.31 грн
1000+304.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1 INFN-S-A0006767332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGOT60R070D1AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1 3980135.pdf
IRF7821TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.72 грн
500+41.57 грн
1000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1 3980135.pdf
IRF7821TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+83.09 грн
13+67.78 грн
100+52.72 грн
500+41.57 грн
1000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IKA06N60TXKSA1 INFN-S-A0002220186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKA06N60TXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKA06N60TXKSA1 - IGBT, 10 A, 1.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.48 грн
10+85.35 грн
100+76.23 грн
500+60.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R06W1E3BOMA1 Infineon-FP15R06W1E3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43321b15a77
FP15R06W1E3BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP15R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 22 A, 1.55 V, 81 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 22A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 81W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Produktpalette: EasyPIM 1B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 22A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2560.55 грн
5+2557.20 грн
10+2553.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 2576642.pdf
IPB60R180P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.77 грн
10+166.52 грн
100+122.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 2576642.pdf
IPB60R180P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFXTMA1 3980137.pdf
IRF8721TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.49 грн
17+50.12 грн
100+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFXTMA1 3980137.pdf
IRF8721TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB30N65DF5ATMA1 3159546.pdf
AIKB30N65DF5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 188W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+202.50 грн
500+170.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 1926778.pdf
IDD03SG60CXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.88 грн
500+70.32 грн
1000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 1926778.pdf
IDD03SG60CXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.91 грн
10+112.97 грн
100+92.88 грн
500+70.32 грн
1000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IDD09SG60CXTMA2 INFNS19738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDD09SG60CXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDD09SG60CXTMA2 INFNS19738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDD09SG60CXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+364.00 грн
10+317.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740H6327XTSA1 INFN-S-A0009690864-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP740H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP740H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 44 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 44GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740FESDH6327XTSA1 1932478.pdf
BFP740FESDH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP740FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 47GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.04 грн
500+21.21 грн
1000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1 INFN-S-A0008597390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL40T209ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+186.60 грн
10+154.80 грн
100+129.70 грн
500+86.25 грн
1000+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1 INFN-S-A0008597390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL40T209ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+86.25 грн
1000+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 356 357 358 359 360 361 362 363 364 365 366 369 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]